TW201920401A - 吸附暫固定片 - Google Patents

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TW201920401A
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伊関亮
加藤和通
徳山英幸
金田充宏
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力，且具有優異之防靜電性能之吸附暫固定片。 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者，且表面電阻率為1.0×104Ω/□～1.0×1010Ω/□，於將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□)，且將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時，為V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3。

Description

吸附暫固定片
本發明係關於一種吸附暫固定片。
作為傢俱或家電之防傾倒滑動片、可貼附固定於地毯之背襯材、汽車內飾材且可容易地剝離之片材等，先前使用具有吸附性之發泡片。
此種具有吸附性之發泡片主要使用丙烯酸樹脂或橡膠等材料(例如，專利文獻1)，由於乳液系材料為主流，故而再剝離性優異，但存在耐水性較差，若於污染時進行水洗，則吸水而發生膨潤，從而吸附性降低之問題。
又，於電子設備業界之顯示器或有機EL (Electroluminescence電致發光)照明等之製造中，於在各種膜基板(聚醯亞胺、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(polyethylene naphthalate，聚萘二甲酸乙二酯)等)、玻璃、Si基板上進行各種金屬膜或ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)膜之蒸鍍、濺鍍成膜、圖案形成加工等時，使用如將基板與固定台暫固定之材料。作為此種材料，由於需於成膜後解除暫固定，故而使用能夠再剝離之黏著帶。作為此種黏著帶，目前可列舉：藉由加熱而發泡從而剝離之膠帶、於低溫下剝離之冷卻剝離膠帶、弱黏著之丙烯酸系或聚矽氧系之雙面膠帶等。
然而，於在製造步驟中需要高溫加熱之情形時，由黏著劑之重度剝離化引起之糊劑殘留或基板之破損成為問題。又，於貼合黏著帶時，亦有由於帶入氣泡而損害基板之平滑性，從而阻礙高精度之圖案形成加工的顧慮。
作為輕量且耐熱性或耐候性優異、熱導率亦較低之發泡材料，最近報告有聚矽氧發泡體。例如報告有：包含聚矽氧樹脂硬化物、與分散至該聚矽氧樹脂硬化物中之內部具有空腔部之複數個粒子的於太陽電池用途中適宜使用之聚矽氧樹脂發泡體(例如，專利文獻2)；或微胞緻密、微胞尺寸之均一性較高、微胞形狀良好、且獨立氣泡率較高之聚矽氧泡沫片(例如，專利文獻3)等。
對於吸附暫固定片，有根據用途而要求在與該吸附暫固定片之表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，且在與該吸附暫固定片之表面大致垂直之方向上具有較弱之接著力的情形。關於此種情形，例如可列舉如下情形，即於在水平方向上配置之吸附暫固定片之表面上載置有構件時，要求將該構件牢牢地固定在橫向方向上，另一方面，要求在沿向上方向拾取時可容易地剝離。然而，先前之聚矽氧發泡體無法充分地應對如上述之要求。
又，對於吸附暫固定片，有根據用途而要求具有防靜電性能之情形。然而，先前之聚矽氧發泡體無法充分地應對如上述之要求。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平1-259043號公報 專利文獻2：日本專利第5702899號公報 專利文獻3：日本專利特開2014-167067號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之課題在於提供一種在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力，且具有優異之防靜電性能之吸附暫固定片。 [解決問題之技術手段]
本發明之吸附暫固定片係 具有具備連續氣泡構造之發泡層者， 表面電阻率為1.0×104 Ω/□～1.0×1010 Ω/□，且 將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□)，將23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□)，將80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□)， 將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□)、將23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□)，將80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時， 為V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3。 此處，矽晶片垂直接著力係如下之最大負荷，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化成1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用Servopulser(島津製作所公司製造，控制器4890，負荷元MMT-250N)將雙面膠帶(日東電工公司製造，No.5000NS)貼附至20 mmf之接合器之前端，於該狀態下，以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上對矽晶片之鏡面(研削面之相反面)進行壓縮直至施加0.05 N之負荷，並以10 mm/sec剝離時之最大負荷。 又，矽晶片剪切接著力係如下之剪切接著力，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化成1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用測力計(NIDEC-SHIMPO公司製造，FGPX-10)，以1 mm/sec之速度按壓矽晶片之側面所測定之剪切接著力。
於一個實施形態中，上述V1為8 N/1 cm□以下。
於一個實施形態中，上述H1為0.5 N/1 cm□以上。
於一個實施形態中，上述V2為10 N/1 cm□以下。
於一個實施形態中，上述H2為0.6 N/1 cm□以上。
於一個實施形態中，上述V3為12 N/1 cm□以下。
於一個實施形態中，上述H3為0.7 N/1 cm□以上。
於一個實施形態中，上述發泡層之視密度為0.15 g/cm3 ～0.90 g/cm3 。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力，且優異之防靜電性能之吸附暫固定片。
≪吸附暫固定片≫ 本發明之吸附暫固定片係具有具備連續氣泡構造之發泡層者。
作為本發明之吸附暫固定片之形態，例如可列舉：片整體具有發泡層之形態、片之一部分具有發泡層且該片之最外層之至少一層為該發泡層之形態等。
於本發明之吸附暫固定片中，亦可在使用前於發泡層之表面例如貼合隔片。此種隔片於不作為支持體發揮功能之情形時，較佳為於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前，自發泡層表面剝離。
本發明之吸附暫固定片藉由使其所包含之發泡層具備連續氣泡構造，可於不帶入氣泡之情況下貼合被接著體而暫固定。
本發明之吸附暫固定片之表面電阻率為1.0×104 Ω/□～1.0×1010 Ω/□，較佳為1.0×105 Ω/□～1.0×109 Ω/□，更佳為5.0×105 Ω/□～5.0×108 Ω/□，進而較佳為1.0×106 Ω/□～1.0×108 Ω/□，尤佳為5.0×106 Ω/□～5.0×107 Ω/□。藉由使本發明之吸附暫固定片之表面電阻率處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片具有優異之防靜電性能。
本發明之吸附暫固定片於將其所包含之發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□)，且將其所包含之發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時，為V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3。如上所述，藉由具有V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3之關係，本發明之吸附暫固定片可在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，並且可在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力。
本發明之吸附暫固定片如上所述，於-30℃下18小時後、於23℃下18小時後、於80℃下18小時後均為矽晶片垂直接著力＜矽晶片剪切接著力，因此較佳為於自低溫至高溫之較廣溫度範圍內，可在與表面相同之方向上具有充分之剪切接著力，並且可在與表面垂直之方向上具有較弱之接著力。
矽晶片垂直接著力係如下之最大負荷，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化為1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用Servopulser(島津製作所公司製造，控制器4890，負荷元MMT-250N)將雙面膠帶(日東電工公司製造，No.5000NS)貼附至20 mmf之接合器之前端，於該狀態下，以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上對矽晶片之鏡面(研削面之相反面)進行壓縮直至施加0.05 N之負荷，並以10 mm/sec剝離時之最大負荷。
矽晶片剪切接著力係如下之剪切接著力，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化為1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用測力計(NIDEC-SHIMPO公司製造，FGPX-10)，以1 mm/sec之速度按壓矽晶片之側面所測定之剪切接著力。
V1(發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為8 N/1 cm□以下，更佳為0.1 N/1 cm□～7 N/1 cm□，進而較佳為0.2 N/1 cm□～6 N/1 cm□，尤佳為0.3 N/1 cm□～5 N/1 cm□。藉由使V1處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於低溫之溫度範圍內，可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
H1(發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.5 N/1 cm□以上，更佳為0.7 N/1 cm□～40 N/1 cm□，進而較佳為0.8 N/1 cm□～35 N/1 cm□，尤佳為0.9 N/1 cm□～30 N/1 cm□。藉由使H1處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於低溫之溫度範圍內，可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。
V2(發泡層之表面之於23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為10 N/1 cm□以下，更佳為0.1 N/1 cm□～9 N/1 cm□，進而較佳為0.2 N/1 cm□～8 N/1 cm□，尤佳為0.3 N/1 cm□～7 N/1 cm□。藉由使V2處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於室溫附近之溫度範圍內，可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
H2(發泡層之表面之於23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.6 N/1 cm□以上，更佳為0.7 N/1 cm□～40 N/1 cm□，進而較佳為0.8 N/1 cm□～35 N/1 cm□，尤佳為0.9 N/1 cm□～30 N/1 cm□。藉由使H2處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於室溫附近之溫度範圍內，可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。
V3(發泡層之表面之於80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力)較佳為12 N/1 cm□以下，更佳為0.1 N/1 cm□～11 N/1 cm□，進而較佳為0.2 N/1 cm□～10 N/1 cm□，尤佳為0.3 N/1 cm□～9 N/1 cm□。藉由使V3處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於高溫之溫度範圍內，可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
H3(發泡層之表面之於80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力)較佳為0.7 N/1 cm□以上，更佳為0.8 N/1 cm□～40 N/1 cm□，進而較佳為0.9 N/1 cm□～35 N/1 cm□，尤佳為1 N/1 cm□～30 N/1 cm□。藉由使H3處於上述範圍內，本發明之吸附暫固定片可使欲吸附暫固定之構件暫固定，並且於高溫之溫度範圍內，可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力。
作為發泡層之厚度，可視目的而採用任意適當之厚度。發泡層之厚度較佳為10 μm～3500 μm，更佳為20 μm～2500 μm，進而較佳為30 μm～1500 μm，尤佳為40 μm～950 μm，最佳為50 μm～800 μm。即便發泡層之厚度如上述般較薄，本發明之吸附暫固定片亦可顯現出優異之暫固定性。
發泡層較佳為具有微胞(球狀氣泡)。再者，微胞(球狀氣泡)可不為嚴格規定之真球狀氣泡，例如亦可為局部存在扭曲之大致球狀氣泡、或者包含具有較大扭曲之空間之氣泡。
發泡層較佳為具備連續氣泡構造。即，發泡層較佳為具備於鄰接之微胞間具有貫通孔之連續氣泡構造。藉由使發泡層具備連續氣泡構造，而與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出優異之氣泡逃逸性，可更加不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可更容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可維持該等效果之顯現。
再者，連續氣泡構造是否存在之觀察可藉由如下方式進行：藉由低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」，Hitachi High-Tech Fielding公司製造)，攝取發泡層剖面之擴大圖像而確認微胞壁有無貫通孔。
發泡層之連續氣泡率較佳為90%以上，更佳為90%～100%，進而較佳為92%～100%，進而較佳為95%～100%，尤佳為99%～100%，最佳為實質上為100%。若發泡層之連續氣泡率處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出更優異之氣泡逃逸性，可進一步不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可進一步容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可更加維持該等效果之顯現。
再者，連續氣泡率例如可以下述方式進行測定。即，藉由使發泡層沉入水中並於-750 mmHg之減壓下放置3分鐘，而將氣泡中之空氣置換為水，測量所吸收之水之質量，將水之密度設為1.0 g/cm3 而算出所吸收之水之體積，藉由下述式算出。 連續氣泡率(%)＝{(所吸收之水之體積)/(氣泡部分體積)}×100
再者，氣泡部分體積例如藉由下述式算出。此處，樹脂密度係藉由對將形成發泡層之樹脂中之乳化劑除去所製作之樹脂成形體的密度進行測定所獲得之值。 氣泡部分體積(cm3 )＝{(發泡體(發泡片)之質量)/(發泡體(發泡片)之視密度)}－{(發泡體(發泡片)之質量)/(樹脂密度)}
發泡層之平均微胞徑較佳為1 μm～200 μm，更佳為1.5 μm～180 μm，進而較佳為2 μm～170 μm，尤佳為2.5 μm～160 μm，最佳為3 μm～150 μm。於發泡層中，若平均微胞徑處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出更優異之氣泡逃逸性，可進一步不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可進一步容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可更加維持該等效果之顯現。
發泡層較佳為全部微胞之90%以上之微胞徑為300 μm以下，更佳為全部微胞之92%以上之微胞徑為300 μm以下，進而較佳為全部微胞之95%以上之微胞徑為300 μm以下，尤佳為全部微胞之97%以上之微胞徑為300 μm以下，最佳為全部微胞之實質上100%之微胞徑為300 μm以下。又，發泡層更佳為全部微胞之90%以上之微胞徑為250 μm以下，進而較佳為全部微胞之90%以上之微胞徑為200 μm以下，尤佳為全部微胞之90%以上之微胞徑為180 μm以下，最佳為全部微胞之90%以上之微胞徑為150 μm以下。於發泡層中，若300 μm以下之微胞徑之比例或全部微胞之90%以上之微胞徑處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出更優異之氣泡逃逸性，可進一步不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可進一步容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可更加維持該等效果之顯現。
發泡層之全部微胞中之最大微胞徑較佳為300 μm以下，更佳為250 μm以下，進而較佳為200 μm以下，尤佳為180 μm以下，最佳為150 μm以下。於發泡層中，若全部微胞中之最大微胞徑處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出更優異之氣泡逃逸性，可進一步不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可進一步容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可更加維持該等效果之顯現。
發泡層之全部微胞中之最小微胞徑較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下，進而較佳為70 μm以下，尤佳為60 μm以下，最佳為50 μm以下。於發泡層中，若全部微胞中之最小微胞徑處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可顯現出更優異之氣泡逃逸性，可進一步不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可進一步容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可更加維持該等效果之顯現。
如上所述，發泡層較佳為具備連續氣泡構造，又，較佳為微胞徑如上述般為微細，藉此可顯現出優異之氣泡逃逸性，可不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可剝離，成為對於吸附暫固定片適宜者。
再者，平均微胞徑例如可藉由利用低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」，Hitachi High-Tech Science Systems公司製造)攝取發泡層剖面之擴大圖像並進行圖像分析而求出。再者，作為供分析之微胞數，例如為20個。藉由同樣之方法，可求出最小微胞徑(μm)及最大微胞徑(μm)。
發泡層較佳為具有表面開口部。此處所謂表面開口部，意指存在於發泡層之表面之具有一定大小之平均孔徑的開口部。藉由使發泡層具有表面開口部，本發明之吸附暫固定片可更加不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可更容易地剝離。推測其原因在於：表面開口部作為適當之吸盤發揮作用，藉此，具有發泡層之本發明之吸附暫固定片可顯現出如上述之優異暫固定性。
表面開口部之開口率較佳為1%～99%，更佳為2%～95%，進而較佳為3%～90%，尤佳為4%～85%，最佳為5%～80%。若表面開口部之開口率處於上述範圍內，則本發明之吸附暫固定片可更加不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可更容易地剝離。
表面開口部之平均孔徑較佳為150 μm以下，更佳為0.5 μm～145 μm，進而較佳為1.0 μm～140 μm，尤佳為1.5 μm～135 μm，最佳為2.0 μm～130 μm。若表面開口部之平均孔徑處於上述範圍內，則本發明之吸附暫固定片可更加不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可更容易地剝離。
再者，表面開口部之平均孔徑例如可藉由利用低真空掃描電子顯微鏡(「S-3400N型掃描電子顯微鏡」，Hitachi High-Tech Fielding公司製造)攝入發泡層表面之擴大圖像並進行圖像分析而求出。供分析之孔數例如為20個。
發泡層之視密度較佳為0.15 g/cm3 ～0.90 g/cm3 ，更佳為0.20 g/cm3 ～0.85 g/cm3 ，進而較佳為0.25 g/cm3 ～0.80 g/cm3 ，尤佳為0.30 g/cm3 ～0.75 g/cm3 。若發泡層之視密度處於上述範圍內，則與發泡層之其他特徵相結合，可更加不會帶入氣泡而貼合被接著體從而暫固定，且於解除暫固定時不會糊劑殘留而可更容易地剝離。又，即便使發泡層之厚度變薄，亦可維持該等效果之顯現。
發泡層其表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～10 μm，更佳為0.2 μm～9 μm，進而較佳為0.3 μm～8.5 μm，尤佳為0.4 μm～8 μm。藉由使發泡層之表面具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra，本發明之吸附暫固定片可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力，且可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
於發泡層之表面例如亦可貼合隔片直至使用為止。此種隔片於不作為支持體發揮功能之情形時，較佳為於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前，自發泡層表面剝離。
隔片之厚度較佳為1 μm～500 μm，更佳為3 μm～450 μm，進而較佳為5 μm～400 μm，尤佳為10 μm～300 μm。
作為隔片，例如可列舉：紙、塑膠膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜、表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理之塑膠膜等。
作為塑膠膜，例如可列舉：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)膜等。
尤其是就可更加顯現出本發明之效果之方面而言，較佳為將未進行過聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之塑膠膜作為隔片貼合於發泡層之至少一表面。作為此種隔片，尤佳為未進行過聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
作為如上述之隔片，其表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～5 μm，更佳為0.15 μm～4.5 μm，進而較佳為0.2 μm～4 μm，尤佳為0.22 μm～3.5 μm。採用具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra之表面之隔片，藉此，藉由將此種隔片於將欲暫固定之構件載置於本發明之吸附暫固定片之前自發泡層表面剝離，本發明之吸附暫固定片可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力，且可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
於本發明之吸附暫固定片之一個實施形態中，於發泡層之一表面側具有支持體。於該實施形態中，於發泡層之另一表面上，例如亦可貼合隔片直至使用為止。此種隔片較佳為如上述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～5 μm之隔片。
於本發明之吸附暫固定片之一個實施形態中，於發泡層之一表面側具有黏著劑層。於該實施形態中，於發泡層之另一表面、及黏著劑層之另一表面，例如亦可貼合隔片直至使用為止。此種隔片之中，貼合於發泡層之另一表面之隔片較佳為如上述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～5 μm的隔片。
於本發明之吸附暫固定片之一個實施形態中，於發泡層之一表面側具有支持體，進而於該支持體之與該發泡層相反側之表面具有黏著劑層。即，為發泡層/支持體/黏著劑層之形態。於該實施形態中，於發泡層之另一表面、及黏著劑層之另一表面，例如亦可貼合隔片直至使用為止。此種隔片之中，貼合於發泡層之另一表面之隔片較佳為如上述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～5 μm的隔片。
於本發明之吸附暫固定片之一個實施形態中，於發泡層之一表面側具有支持體，進而於該支持體之與該發泡層相反側之表面具有發泡層。即，為發泡層/支持體/發泡層之形態。於該實施形態中，於發泡層之另一表面上，例如亦可貼合隔片直至使用為止。此種隔片較佳為如上述之表面之算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.1 μm～5 μm的隔片。
作為支持體，只要為可支持發泡層者，則可採用任意適當之支持體。作為此種支持體，係塑膠膜或片或帶、紙、不織布、金屬箔或金屬篩網、玻璃或玻璃布等。支持體可為1層，亦可為2層以上。又，為了提高支持體與發泡層之抓固性，較佳為於支持體表面塗佈矽烷偶合劑等底塗劑，或進行電暈處理或電漿處理等表面處理。
作為塑膠膜，例如可列舉：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)膜等。
作為黏著劑層，可採用包含任意適當之黏著劑之層。作為此種黏著劑，例如可列舉：橡膠系黏著劑(合成橡膠系黏著劑、天然橡膠系黏著劑等)、胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸胺基甲酸酯系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、環氧系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、氟系黏著劑等。此種黏著劑可僅為1種，亦可為2種以上。黏著劑層可為1層，亦可為2層以上。
作為黏著劑，若以黏著形態進行分類，則例如可列舉：乳液型黏著劑、溶劑型黏著劑、紫外線交聯型(UV交聯型)黏著劑、電子束交聯型(EB交聯型)黏著劑、熱熔融型黏著劑(熱熔型黏著劑)等。此種黏著劑可僅為1種，亦可為2種以上。
於本發明之吸附暫固定片之一個實施形態中，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之發泡層。作為此種發泡層，例如可列舉聚矽氧發泡層、丙烯酸系發泡層等。
發泡層之一個實施形態係聚矽氧發泡層。
聚矽氧發泡層較佳為藉由聚矽氧樹脂組合物之熱硬化所形成。
聚矽氧樹脂組合物較佳為如下述者。
至少由 (A)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷100質量份、 (B)一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷(相對於(A)成分中之烯基1莫耳，(B)成分中之矽原子鍵結氫原子成為0.4莫耳～20莫耳之量)、 (C)包含水與無機系增黏劑之混合物100質量份～1000質量份、 (D)包含(D-1) HLB之值為3以上之非離子系界面活性劑及(D-2) HLB之值未達3之非離子系界面活性劑的界面活性劑(其中，(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比至少為1) 0.1質量份～15質量份、 (E)矽氫化反應觸媒、及 (F)硬化延遲劑0.001質量份～5質量份、 (G)導電性物質(將(A)成分及(B)成分之合計量設為100質量份時為0.1質量份～100質量份) 而成。
(A)成分係一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷，且係本組合物之主劑。作為(A)成分中之烯基，例示有乙烯基、烯丙基、己烯基，較佳為乙烯基。又，作為(A)成分中之烯基以外之矽原子鍵結有機基，例示有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；3,3,3-三氟丙基等鹵素取代烷基等，較佳為甲基。
(A)成分具體而言例示有二甲基乙烯基矽烷氧基封阻二甲基聚矽氧烷、二甲基乙烯基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻甲基乙烯基聚矽氧烷、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷-甲基苯基矽氧烷共聚物，較佳為主鏈實質上為直鏈狀之二有機聚矽氧烷。
(B)成分係一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷，且係本組合物之交聯劑。(B)成分中之矽原子鍵結氫原子之鍵結位置並無限定，例示有分子鏈末端及/或分子鏈側鏈。作為(B)成分中之氫原子以外之矽原子鍵結有機基，例示有：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；3,3,3-三氟丙基等鹵素取代烷基等，較佳為甲基。
作為此種(B)成分，例示有二甲基氫矽烷氧基封阻二甲基聚矽氧烷、二甲基氫矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、三甲基矽烷氧基封阻甲基氫聚矽氧烷、三甲基矽烷氧基封阻二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、包含(CH3 )3 SiO1/2 所示之矽氧烷單元、H(CH3 )2 SiO1/2 所示之矽氧烷單元及SiO4/2 所示之矽氧烷單元之有機聚矽氧烷，較佳為直鏈狀之有機聚矽氧烷。
(B)成分之含量係相對於(A)成分中之烯基1莫耳，(B)成分中之矽原子鍵結氫原子成為0.4莫耳～20莫耳之範圍內之量，較佳為成為1.5莫耳～20莫耳之範圍內之量，更佳為成為1.5莫耳～10莫耳之範圍內之量。其原因在於：若(B)成分中之矽原子鍵結氫之莫耳數為上述範圍內，則所獲得之聚矽氧發泡片之壓縮永久變形得到改善。
(C)成分係包含水與無機系增黏劑之混合物，係用以藉由自使本組合物交聯所獲得之聚矽氧橡膠去除(C)成分中之水而製成聚矽氧橡膠海綿的成分。就(C)成分穩定地分散於(A)成分中之方面而言，(C)成分中之水較佳為離子交換水。
(C)成分中之無機系增黏劑係為了提高水之黏度，使(C)成分容易地分散於(A)成分中，且使(C)成分之分散狀態穩定而調配。作為該無機增黏劑，有天然或合成者，例示有：膨潤土、蒙脫石、鋰膨潤石、皂石、鋅膨潤石、鋁膨潤石及綠脫石等天然或合成之膨潤石黏土；矽酸鋁鎂；及該等與羧乙烯聚合物等水溶性有機聚合物之複合品，較佳為膨潤土或蒙脫石等膨潤石黏土。作為此種膨潤石黏土，例如作為水熱合成品之Sumecton SA(KUNIMINE INDUSTRIES(股)製造)、作為天然精製品之Bengel(Ho Jun(股)製造)能夠獲取。關於該等膨潤石黏土之pH值，就維持聚矽氧橡膠海綿之耐熱性之方面而言，較佳為pH值5.0～9.0之範圍內。又，(C)成分中之無機系增黏劑之含量相對於水100質量份，較佳為0.1質量份～10質量份之範圍內，更佳為0.5質量份～5質量份之範圍內。
(C)成分之含量相對於(A)成分100質量份，為100質量份～1000質量份之範圍內，較佳為100質量份～800質量份之範圍內，更佳為100質量份～500質量份之範圍，進而較佳為200質量份～500質量份之範圍內，尤佳為200質量份～350質量份之範圍內。其原因在於：若(C)成分之含量為上述範圍之下限以上，則可形成低密度之聚矽氧發泡片，另一方面，若為上述範圍之上限以下，則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片。
(D)成分之界面活性劑包含(D-1) HLB之值為3以上之非離子系界面活性劑及(D-2) HLB之值未達3之非離子系界面活性劑。作為(D)成分之界面活性劑，例示有甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯、聚乙二醇脂肪酸酯、聚丙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯醚、聚氧乙烯脂肪醯胺。
(D)成分包含(D-1)成分與(D-2)成分，(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比至少為1，較佳為至少5，更佳為至少8，進而較佳為至少10，尤佳為至少15。又，(D-1)成分相對於(D-2)成分之質量比較佳為至多100，更佳為至多80、至多70、至多60、或者至多50。其原因在於：若該質量比大於上述下限，則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之低密度聚矽氧發泡片，另一方面，若小於上述上限，則可將(C)成分穩定性良好地分散於(A)成分與(B)成分中，結果可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片。
(D)成分之含量相對於(A)成分100質量份，為0.1質量份～15質量份之範圍內，較佳為0.2質量份～3質量份之範圍內。其原因在於：若(D)成分之含量為上述範圍之下限以上，則可形成具有均一且微細之連續氣泡構造之聚矽氧發泡片，另一方面，若為上述範圍之上限以下，則可形成耐熱性優異之聚矽氧發泡片。
(E)成分係用以促進聚矽氧樹脂組合物之矽氫化反應之矽氫化反應觸媒，例如例示有鉑系觸媒、鈀系觸媒、銠系觸媒，較佳為鉑系觸媒。作為此種(E)成分，例示有氯鉑酸；醇改性氯鉑酸；氯鉑酸與烯烴類、乙烯基矽氧烷或乙炔化合物之配位化合物；與鉑之烯烴類、乙烯基矽氧烷或乙炔化合物之配位化合物；四(三苯基膦)鈀；氯三(三苯基膦)銠。
(E)成分之含量係足夠使聚矽氧樹脂組合物交聯之量，具體而言，相對於(A)成分及(B)成分之合計量，(E)成分中之觸媒金屬以質量換算計，較佳為成為0.01 ppm～500 ppm之範圍內之量，更佳為成為0.1 ppm～100 ppm之範圍內之量。
為了調整聚矽氧樹脂組合物之硬化速度或作業適用時間，亦可含有(F)硬化延遲劑。作為此種(F)成分，例示有3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、3-苯基-1-丁炔-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇等炔醇。(F)成分之含量係視聚矽氧樹脂組合物之使用方法或成形方法而適當選擇，一般而言，相對於(A)成分100質量份為0.001質量份～5質量份之範圍內。
(G)成分係導電性物質，於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之導電性物質。作為此種導電性物質，例如可列舉：碳黑、碳纖維、碳奈米纖維、奈米碳管、石墨、石墨烯等碳系導電劑；金、銀、鎳等之金屬粉；導電性氧化鋅、導電性氧化鈦、導電性氧化鋁；於各種填料表面進行金屬鍍覆處理等於填料表面進行導電被覆處理而成之導電性填充劑；等。導電性物質可僅為1種，亦可為2種以上。
關於(G)成分之含量，就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，於將(A)成分及(B)成分之合計量設為100質量份時，較佳為0.1質量份～100質量份，更佳為0.2質量份～50質量份，進而較佳為0.3質量份～20質量份，尤佳為0.3質量份～15質量份。
作為導電性物質，就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，較佳為碳黑。
作為碳黑，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之碳黑。作為此種碳黑，例如可列舉：科琴黑、乙炔黑、導電爐黑(CF)、超導電爐黑(SCF)、特導電爐黑(XCF)、導電煙囪黑(CC)、於1500℃左右之高溫下經熱處理之爐黑、於1500℃左右之高溫下經熱處理之煙囪黑等。
作為科琴黑之具體例，例如可列舉：科琴黑EC(Ketjen black International股份有限公司製造)、科琴黑EC-600JD(Ketjen black International股份有限公司製造)等。
作為乙炔黑之具體例，例如可列舉：Denka Black(電氣化學股份有限公司製造)、Shawnigan acetylene black(Shawnigan Chemical股份有限公司製造)等。
作為導電爐黑之具體例，例如可列舉：Continex CF(Continental Carbon股份有限公司製造)、Vulcan C(Cabot股份有限公司製造)等。
作為超導電爐黑之具體例，例如可列舉：Continex SCF(Continental Carbon股份有限公司製造)、Vulcan SC(Cabot股份有限公司製造)等。
作為特導電爐黑之具體例，例如可列舉：旭HS-500(旭碳股份有限公司製造)、Vulcan XC-72(Cabot股份有限公司製造)等。
作為導電煙囪黑，例如可列舉：Corax L(Degussa股份有限公司製造)等。
作為碳黑，就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，較佳為可列舉科琴黑。
於聚矽氧樹脂組合物中，就提高所獲得之聚矽氧發泡片之強度之方面而言，亦可進而含有(H)補強性二氧化矽微粉末。作為此種(H)成分，較佳為BET比表面積較佳為50 m2 /g～350 m2 /g、更佳為80 m2 /g～250 m2 /g之二氧化矽微粉末，例示有發煙二氧化矽、沈澱二氧化矽。又，該等二氧化矽微粉末亦可經有機矽烷等表面處理。
關於(H)成分之含量，相對於(A)成分100質量份，至多20質量份，較佳為至多15質量份，更佳為至多10質量份。又，關於(H)成分之含量，相對於(A)成分100質量份，較佳為至少0.1質量份。
於聚矽氧樹脂組合物中，亦可於無損本發明之目的之範圍內含有鐵丹等顏料(其中，將碳黑除外)。
聚矽氧樹脂組合物可於無損本發明之效果之範圍內藉由任意適當之方法進行製造。就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，聚矽氧樹脂組合物較佳為藉由如下製造方法進行製造，該製造方法包括：步驟(I)，其係製備包含「(A)成分之總使用量之50.1質量%以上」與「(G)成分之總使用量之60質量%以上」之第1聚矽氧液；步驟(II)，其係製備包含「(B)成分之總使用量之60質量%以上」與「(D)成分之總使用量之60質量%以上」之第2聚矽氧液；步驟(III)，其係將該第1聚矽氧液與該第2聚矽氧液混合而製備混合液；及步驟(IV)，其係於該混合液中混合「(C)成分之總使用量之60質量%以上」。藉由利用此種方法製造聚矽氧樹脂組合物，可更為顯現出本發明之效果。尤其是藉由利用此種方法製造聚矽氧樹脂組合物，最終所獲得之吸附暫固定片可顯現出非常優異之防靜電性能。
於製造聚矽氧樹脂組合物時之混合操作中，較佳為進行攪拌。作為此種攪拌，例如可使用均質攪拌機、槳式混合器、勻相分散機、膠體磨機、真空混合攪拌器、自動公轉攪拌器等任意適當之攪拌器等。
於步驟(I)中，較佳為將「(A)成分之總使用量之50.1質量%以上」與「(G)成分之總使用量之60質量%以上」混合而攪拌。
步驟(I)中之(A)成分之使用量較佳為總使用量之70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為實質上100質量%(總量)。
步驟(I)中之(G)成分之使用量較佳為總使用量之70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為實質上100質量%(總量)。
於步驟(II)中，較佳為將「(B)成分之總使用量之60質量%以上」與「(D)成分之總使用量之60質量%以上」混合而攪拌。
步驟(II)中之(B)成分之使用量較佳為總使用量之70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為實質上100質量%(總量)。
步驟(II)中之(D)成分之使用量較佳為總使用量之70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為實質上100質量%(總量)。
於步驟(I)中所製備之第1聚矽氧液中，較佳為不包含(B)成分。
於步驟(I)中所製備之第1聚矽氧液中，較佳為不包含(D)成分。
於步驟(II)中所製備之第2聚矽氧液中，較佳為不包含(A)成分。
於步驟(II)中所製備之第2聚矽氧液中，較佳為不包含(G)成分。
於步驟(IV)中，較佳為於混合液中混合「(C)成分之總使用量之60質量%以上」並進行攪拌。
步驟(IV)中之(C)成分之使用量較佳為總使用量之70質量%以上，更佳為80質量%以上，進而較佳為90質量%以上，尤佳為95質量%以上，最佳為實質上100質量%(總量)。
關於製造聚矽氧樹脂組合物時之溫度，就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，經過全部步驟，較佳為0℃～50℃，更佳為5℃～45℃，進而較佳為10℃～40℃，尤佳為15℃～35℃。
聚矽氧樹脂組合物之製造較佳為於常壓或真空下進行。
於聚矽氧樹脂組合物之製造中，(E)成分只要於無損本發明之效果之範圍內，於任意適當之步驟或時點進行添加即可。就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，(E)成分較佳為於儘可能後之步驟中且與(B)成分接觸之時點進行添加。
於聚矽氧樹脂組合物之製造中，(F)成分只要於無損本發明之效果之範圍內，於任意適當之步驟或時點進行添加即可。就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，(F)成分較佳為預先與(E)成分併用而添加。
聚矽氧樹脂組合物之製造方法尤佳為如下製造方法，該方法包括：步驟(I)，其係製備包含「(A)成分之總使用量之實質上100質量%(總量)」與「(G)成分之總使用量之實質上100質量%(總量)」之第1聚矽氧液；步驟(II)，其係製備包含「(B)成分之總使用量之實質上100質量%(總量)」與「(D)成分之總使用量之實質上100質量%(總量)」之第2聚矽氧液；步驟(III)，其係將該第1聚矽氧液與該第2聚矽氧液混合而製備混合液；步驟(IV)，其係於該混合液中混合「(C)成分之總使用量之實質上100質量%(總量)」。
≪吸附暫固定片之製造方法≫ 本發明之吸附暫固定片可於無損本發明之效果之範圍內藉由任意適當之方法進行製造。作為此種製造方法，較佳為具有具備連續氣泡構造之發泡層之吸附暫固定片之製造方法，該方法係將形成該發泡層之樹脂組合物(較佳為上述聚矽氧樹脂組合物)塗佈於隔片A上，於該所塗佈之樹脂組合物之與該隔片A相反側之表面上載置隔片B，進行熱硬化後，將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離，且該所剝離之隔片中之至少1種為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面的隔片。
上述算術平均表面粗糙度Ra較佳為0.15 μm～4.5 μm，更佳為0.2 μm～4 μm，進而較佳為0.22 μm～3.5 μm。藉由採用具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra之表面之隔片，所獲得之吸附暫固定片可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力，且在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
於製造本發明之吸附暫固定片之方法中，藉由使進行熱硬化後進行剝離之隔片中之至少1種為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面的隔片，其剝離後所獲得之本發明之吸附暫固定片之表面的算術平均表面粗糙度Ra較佳為成為0.1 μm～10 μm，更佳為成為0.2 μm～9 μm，進而較佳為成為0.3 μm～8.5 μm，尤佳為成為0.4 μm～8 μm。藉由如上述般，使剝離後所獲得之本發明之吸附暫固定片之表面具有此種範圍之算術平均表面粗糙度Ra，藉由本發明之製造方法所獲得之吸附暫固定片可在與表面相同之方向上具有更充分之剪切接著力，且可在與表面垂直之方向上具有更弱之接著力。
作為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面之隔片，例如可列舉：紙、塑膠膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜、表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理之塑膠膜等。作為塑膠膜，例如可列舉：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)膜等，尤其是就可更為顯現出本發明之效果之方面而言，較佳為未進行過聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之塑膠膜。作為此種隔片，尤佳為未進行過聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理等表面處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
隔片A或隔片B之厚度較佳為1 μm～500 μm，更佳為3 μm～450 μm，進而較佳為5 μm～400 μm，尤佳為10 μm～300 μm。
作為製造本發明之吸附暫固定片之方法之一例，對發泡層為聚矽氧發泡層之情形進行說明。於發泡層為其他發泡層之情形時，例如只要將聚矽氧樹脂組合物置換為作為該其他發泡層之原料之組合物來理解下述製造方法之說明即可。再者，有時將發泡層為聚矽氧發泡層之情形時所製造之吸附暫固定片稱為「聚矽氧發泡片」。
聚矽氧發泡片之製造方法之一實施形態係將至少包含熱硬化性聚矽氧樹脂與水之聚矽氧樹脂組合物塗佈於隔片A上(以下，將該步驟設為步驟(1))，於該塗佈之聚矽氧樹脂組合物之與該隔片A相反側之表面上載置隔片B(以下，將該步驟設為步驟(2))，使該聚矽氧樹脂組合物熱硬化(以下，將該步驟設為步驟(3))，對將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離所得者進行加熱乾燥(以下，將該步驟設為步驟(4))而形成聚矽氧發泡片。於該情形時，所剝離之隔片中之至少1種為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面的隔片。
聚矽氧發泡片之製造方法之另一實施形態係將至少包含熱硬化性聚矽氧樹脂與水之聚矽氧樹脂組合物塗佈於隔片A上(以下，將該步驟設為步驟(1))，於該塗佈之聚矽氧樹脂組合物之與該隔片A相反側之表面上載置隔片B(以下，將該步驟設為步驟(2))，使該聚矽氧樹脂組合物熱硬化(以下，將該步驟設為步驟(3))，對將選自該隔片A及該隔片B中之至少1種剝離所得者進行加熱乾燥(以下，將該步驟設為步驟(4))，使之與支持體貼合(以下，將該步驟設為步驟(5))而形成聚矽氧發泡片。於該情形時，所剝離之隔片中之至少1種為具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面的隔片。並且，於經熱硬化及加熱乾燥之聚矽氧樹脂組合物之與剝離了上述具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面之隔片的表面側相反之表面側配置上述支持體。
於直接使用隔片A或隔片B作為支持體之情形時，為了提高與發泡層之抓固性，較佳為於成為支持體之隔片A或隔片B之表面塗佈矽烷偶合劑等底塗劑，或者進行電暈處理或電漿處理等表面處理。
於使用具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1 μm～5 μm之表面之隔片以外之隔片作為隔片A或隔片B的情形時，作為此種隔片，例如較佳為不具有透氣性之塑膠、金屬或玻璃之片或膜。作為此種片或膜之材料，例如可列舉：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等以α-烯烴作為單體成分之烯烴系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯系樹脂；聚氯乙烯(PVC)；乙酸乙烯酯系樹脂；聚苯硫醚(PPS)；聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)等醯胺系樹脂；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮(PEEK)；銅；鋁；任意玻璃等。又，可列舉：聚四氟乙烯(PTFE)膜、或者紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經聚矽氧處理或氟化聚矽氧處理之剝離襯墊等。關於作為襯墊基材之塑膠膜，例如可列舉：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、聚醯亞胺膜、聚醯胺(尼龍)膜、芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)膜等。
於存在於步驟(4)中之加熱乾燥時不去除之隔片之情形時，可用作該隔片之剝離襯墊較佳為聚四氟乙烯(PTFE)膜、紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經氟化聚矽氧處理之剝離襯墊。藉由使用聚四氟乙烯(PTFE)膜、紙或塑膠膜之基材(襯墊基材)之表面經氟化聚矽氧處理之剝離襯墊作為存在於步驟(4)中之加熱乾燥時不去除之隔片之情形時的該隔片，可容易地進行加熱乾燥後之剝離。又，於隔片A或隔片B亦可設置上述黏著劑層。
步驟(1)中所使用之隔片A與步驟(2)中所使用之隔片B可相同，亦可不同。又，步驟(1)中所使用之隔片A與步驟(2)中所使用之隔片B可分別僅為1層，亦可包含2層以上。
根據步驟(1)中所使用之隔片A及步驟(2)中所使用之隔片B之與上述聚矽氧樹脂組合物接觸的表面之親水性、疏水性之程度，與該表面接觸之該聚矽氧樹脂組合物之表面形狀產生變化。例如於使用如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之親水性較高之隔片作為隔片A或隔片B的情形時，可使微細徑之表面開口部大量地存在於與該隔片接觸之聚矽氧樹脂組合物之表面上。又，例如於使用如實施過氟化聚矽氧處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)剝離襯墊之疏水性較高的隔片作為隔片A或隔片B之情形時，可使微細徑之表面開口部較少地存在於與該隔片接觸之聚矽氧樹脂組合物之表面上。因此，於欲對於聚矽氧發泡片顯現出較高之透氣性或較高之吸附性之情形時，較佳為使用親水性較高之隔片，於欲對於聚矽氧發泡片顯現出較高之防水性或較高之防塵性之情形時，較佳為使用疏水性較高之隔片。又，於需要聚矽氧發泡片與隔片之再剝離性之情形時，較佳為使用疏水性較高之隔片。再者，親水性、疏水性之程度例如可藉由與水之接觸角進行定義。例如，可將與水之接觸角未達90度之情形定義為親水性，將與水之接觸角為90度以上之情形定義為疏水性。
於步驟(3)中，使聚矽氧樹脂組合物熱硬化。關於該熱硬化之溫度，就可有效率地使聚矽氧樹脂組合物熱硬化之方面而言，較佳為50℃以上且未達100℃。若熱硬化之溫度未達50℃，則有熱硬化過於耗費時間之虞。若熱硬化之溫度為100℃以上，則有被隔片A及隔片B夾著而成為大致密閉狀態之聚矽氧樹脂組合物中之水分揮發，由此引起所形成之微胞之粗大化或高密度化之虞。再者，將藉由步驟(3)由聚矽氧樹脂組合物形成者稱為聚矽氧發泡片前驅物。
藉由進行如步驟(3)般使聚矽氧樹脂組合物於被隔片A及隔片B夾著之大致密閉狀態下進行熱硬化之特殊熱硬化方法，而於聚矽氧樹脂組合物中之水分未被去除之狀態下進行熱硬化，接下來與步驟(4)聯合，藉此可有效地獲得具有連續氣泡構造且微胞徑為微細之聚矽氧發泡片。
於步驟(4)中，對將選自隔片A及隔片B中之至少1種剝離所得者進行加熱乾燥。藉由將選自隔片A及隔片B中之至少1種剝離，而解除步驟(3)中之上述大致密閉狀態，於該解除狀態下進行加熱乾燥，藉此使水分自步驟(3)中所形成之聚矽氧發泡片前驅物有效率地揮發而將之去除，從而獲得聚矽氧發泡片。就可有效地形成聚矽氧發泡片之方面而言，步驟(4)中之加熱乾燥溫度較佳為120℃～250℃。若步驟(4)中之加熱乾燥溫度未達120℃，則有乾燥及硬化過於耗費時間之虞，又，有無法獲得具有連續氣泡構造且微胞徑為微細之聚矽氧發泡片之虞。若步驟(4)中之加熱乾燥溫度超過250℃，則有由於基材之收縮或膨脹而片形成變得困難之虞。
於步驟(5)中，藉由於步驟(4)後與支持體貼合而形成聚矽氧發泡片。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例任何限定。再者，實施例等中之試驗及評價方法係如下所述。再者，於記載為「份」之情形時，只要沒有特別記載之事項，則意指「質量份」，於記載為「%」之情形時，只要沒有特別記載之事項，則意指「質量%」。
＜厚度之測定＞ 利用3D測定雷射顯微鏡(LEXT OLS4000，Olympus(股)公司製造)，於高精度・物鏡10倍之設定下使測定對象物(例如，吸附暫固定片)載置於玻璃板(微載玻片S，松浪硝子工業股份有限公司製造)上，測定自玻璃板表面直至測定對象物之最上部之3D圖像，將其高度設為厚度。
＜視密度之測定＞ 利用50 mm×50 mm之沖切刀模對測定對象物(例如，吸附暫固定片)進行沖切，厚度係使用上述之＜厚度之測定＞之值，根據該等之值算出測定對象物之體積。 繼而，利用最小刻度0.01 g以上之上皿天平對測定對象物之質量進行測定。根據該等值算出測定對象物之視密度(g/cm3 )。
＜表面電阻率＞ 將測定對象物(例如，吸附暫固定片)裁切成100 cm×100 cm之尺寸，使用Hiresta HT-210(三菱油化股份有限公司製造)求出表面電阻率(Ω/□)。
＜矽晶片垂直接著力之測定＞ 於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶對聚矽氧發泡片之評價面之相反面進行固定，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化成1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至聚矽氧發泡片，於 -30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用Servopulser(島津製作所公司製造，控制器4890，負荷元MMT-250N)，將雙面膠帶(日東電工公司製造，No.5000NS)貼附至20 mmf之接合器之前端，於該狀態下，以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上對矽晶片之鏡面(研削面之相反面)進行壓縮直至施加0.05 N之負荷，並以10 mm/sec進行剝離，將此時之最大負荷設為垂直接著力。
＜矽晶片剪切接著力之測定＞ 於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定聚矽氧發泡片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化成1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至聚矽氧發泡片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用測力計(NIDEC-SHIMPO公司製造，FGPX-10)，以1 mm/sec之速度按壓矽晶片之側面而求出剪切接著力。
[實施例1] 將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷：44.84質量份、經六甲基二矽氮烷表面處理之BET比表面積225 m2 /g之薰製二氧化矽：3.25質量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen black International股份有限公司製造)：1.80質量份、1-乙炔基-1-環己醇：0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm)：0.22質量份投入至羅斯攪拌器中，於室溫下進行混合直至變得均一後，置於三輥磨機中進行5行程，而製備聚矽氧液(1-1)。 將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷：38.61質量份、矽原子鍵結氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷：6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷及上述聚矽氧液(1-1)中之乙烯基之總量1莫耳，甲基氫聚矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子成為5莫耳之量)、經六甲基二矽氮烷表面處理之BET比表面積225 m2 /g之薰製二氧化矽：3.25質量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen black International股份有限公司製造)：0.20質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯，商品名：RHEODOL SP-O10V、花王公司製造之HLB4.3)：1.63質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯，商品名：RHEODOL SP-O30V，花王公司製造之HLB1.8)：0.045質量份投入至羅斯攪拌器中，於室溫下進行混合直至變得均一後，置於三輥磨機中進行5行程，而製備聚矽氧液(1-2)。 使用均質攪拌機，將所獲得之聚矽氧液(1)與聚矽氧液(2)各50.13質量份、及蒙脫石黏土(水系添加劑、有機聚合物複合精製膨潤土，Ho Jun(股)製造)：0.85質量份、離子交換水：98.77質量份於室溫下進行30分鐘乳化直至變得均一，繼而，將乳化液於室溫下進行5分鐘減壓乾燥而進行脫泡，獲得樹脂組合物(1)。 使用敷料器，將該樹脂組合物(1)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa sheet PET38x1-SS4A，Nippa公司製造)上，自其上覆蓋PET膜(Lumirror S10，東麗公司製造)，藉由熱風烘箱於85℃下進行6分鐘加熱，使樹脂組合物(1)硬化。硬化後，將PET膜進行剝離，進而於200℃下進行3分鐘加熱乾燥，而獲得厚度200 μm、視密度0.5 g/cm3 之聚矽氧發泡片(1)。 將對於所獲得之聚矽氧發泡片(1)之各種測定結果、評價結果示於表1。
[比較例1] 使用鐵丹(商品名：Bayferrox，Bayer公司製造)：聚矽氧液(1-1) 1.20質量份、聚矽氧液(1-2) 1.20質量份代替聚矽氧液(1-1)之科琴黑：1.80質量份與聚矽氧液(1-2)之科琴黑：0.20質量份，除此以外，以與實施例1相同之方式進行，而獲得厚度200 μm、視密度0.5 g/cm3 之聚矽氧發泡片(C1)。 將對於所獲得之聚矽氧發泡片(C1)之各種測定結果、評價結果示於表1。
[比較例2] 將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷：46.44質量份、經六甲基二矽氮烷表面處理之BET比表面積225 m2 /g之薰製二氧化矽：3.25質量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen black International股份有限公司製造)：0.20質量份、1-乙炔基-1-環己醇：0.02質量份及鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬含量約4000 ppm)：0.22質量份投入至羅斯攪拌器中，於室溫下進行混合直至變得均一後，置於三輥磨機中進行5行程，而製備聚矽氧液(C2-1)。 將乙烯基含量0.28質量%之二甲基聚矽氧烷：37.01質量份、矽原子鍵結氫原子含量0.7質量%之甲基氫聚矽氧烷：6.40質量份(相對於上述二甲基聚矽氧烷及上述聚矽氧液(C2-1)中之乙烯基之總量1莫耳，甲基氫聚矽氧烷中之矽原子鍵結氫原子成為5莫耳之量)、經六甲基二矽氮烷表面處理之BET比表面積225 m2 /g之薰製二氧化矽：3.25質量份、科琴黑EC-600JD(Ketjen black International股份有限公司製造)：1.80質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯，商品名：RHEODOL SP-O10V，花王公司製造HLB4.3)：1.63質量份、非離子系界面活性劑(山梨醇酐脂肪酸酯，商品名：RHEODOL SP-O30V，花王公司製造HLB1.8)：0.045質量份投入至羅斯攪拌器中，於室溫下進行混合直至變得均一後，置於三輥磨機中進行5行程，而製備聚矽氧液(C2-2)。 使用均質攪拌機，將所獲得之聚矽氧液(C2-1)與聚矽氧液(C2-2)各50.13質量份、及蒙脫石黏土(水系添加劑，有機聚合物複合精製膨潤土，Ho Jun(股)製造)：0.85質量份、離子交換水：98.77質量份於室溫下進行30分鐘乳化直至變得均一，將乳化液於室溫下進行5分鐘減壓乾燥而進行脫泡，獲得樹脂組合物(C2)。 使用敷料器，將該樹脂組合物(C2)塗佈於氟聚矽氧處理PET膜(Nippa sheet PET38x1-SS4A，Nippa公司製造)上，自其上覆蓋PET膜(Lumirror S10，東麗公司製造)，藉由熱風烘箱於85℃下進行6分鐘加熱，使樹脂組合物(C2)硬化。硬化後，將PET膜剝離，進而於200℃下進行3分鐘加熱乾燥，而獲得厚度200 μm、視密度0.5 g/cm3 之聚矽氧發泡片(C2)。 將對於所獲得之聚矽氧發泡片(C2)之各種測定結果、評價結果示於表1。
[表1] [產業上之可利用性]
本發明之吸附暫固定片可用作各種領域中之暫固定材。

Claims (8)

  1. 一種吸附暫固定片，其係具有具備連續氣泡構造之發泡層者，且 表面電阻率為1.0×104 Ω/□～1.0×1010 Ω/□， 於將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片垂直接著力設為V3(N/1 cm□)，且 將該發泡層之表面之於-30℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H1(N/1 cm□)，將於23℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H2(N/1 cm□)，將於80℃下18小時後之矽晶片剪切接著力設為H3(N/1 cm□)時， V1＜H1、V2＜H2、V3＜H3； 此處，矽晶片垂直接著力係如下之最大負荷，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化為1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用Servopulser(島津製作所公司製造，控制器4890，負荷元MMT-250N)將雙面膠帶(日東電工公司製造，No.5000NS)貼附至20 mmf之接合器之前端，於該狀態下，以壓縮速度0.01 N/sec於垂直方向上對矽晶片之鏡面(研削面之相反面)進行壓縮直至施加0.05 N之負荷，並以10 mm/sec剝離時之最大負荷； 又，矽晶片剪切接著力係如下之剪切接著力，即於平滑之不鏽鋼板上利用聚矽氧黏著帶固定吸附暫固定片之評價面之相反面，將利用研磨機(DISCO公司製造，DFG8560)進行研削並利用晶圓切割機(DISCO公司製造，DFD6450)單片化為1 cm□之厚度300 μm之矽晶片的研削面藉由使2 kg輥往復1次而貼合至吸附暫固定片，於-30℃、23℃、80℃下分別固化18小時，於23℃下靜置2小時，使用測力計(NIDEC-SHIMPO公司製造，FGPX-10)以1 mm/sec之速度按壓矽晶片之側面所測定之剪切接著力。
  2. 如請求項1之吸附暫固定片，其中上述V1為8 N/1 cm□以下。
  3. 如請求項1或2之吸附暫固定片，其中上述H1為0.5 N/1 cm□以上。
  4. 如請求項1至3中任一項之吸附暫固定片，其中上述V2為10 N/1 cm□以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之吸附暫固定片，其中上述H2為0.6 N/1 cm□以上。
  6. 如請求項1至5中任一項之吸附暫固定片，其中上述V3為12 N/1 cm□以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之吸附暫固定片，其中上述H3為0.7 N/1 cm□以上。
  8. 如請求項1至7中任一項之吸附暫固定片，其中上述發泡層之視密度為0.15 g/cm3 ～0.90 g/cm3 。
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