CN111163589A - 一种陶瓷基三维立体电路的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:步骤一:加工出与陶瓷基板形状相对应的模具,在模具上雕刻出所需的线路图形,得到雕刻后的模具;步骤二:将陶瓷基板进行前处理后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,经镀金属膜加工后,得到预处理陶瓷线路板;步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经镀层加厚处理后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。本发明所制备的陶瓷基三维立体电路,大大简化了工艺制程、降低了生产能耗、有效减小生产过程中造成的污染;具有生产成本低,产能大,产品稳定性好、线路精度高、易于实施等特点,特别适合小体积的精密立体线路板大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及到立体线路板精密加工技术领域,具体涉及到一种陶瓷基三维立体电路的制备方法。
背景技术
三维立体电路是指通过在立体工件表面采用特殊的加工制程,制作出所需的图形与导线,将电子元器件直接焊接到工件曲面上,形成三维立体电路。目前市场上主流的三维立体电路加工方法主要有:
1、由德国LPKF公司发明的激光直接成型工艺(Laser Direct Structuring),简称LDS工艺,是在注塑成型的塑料工件上,利用激光技术直接在工件上雕刻三维立体电路图案,然后通过电镀使图形形成三维立体金属电路,该工艺只能在特殊的塑料工件上应用,无法应用在绝缘性高的陶瓷材料中。
2、常规电镀法,工件通过曝光显影、电镀加厚、褪膜蚀刻等一系列复杂的制程最终得到三维立体的金属电路,对于体积较小、电路集成度高的工件。常规的PCB制程设备无法实现曝光显影与褪膜蚀刻制程,在线路成型时也无法做到上下笔直,且无法实现的拐角线路的精确加工。高、精、尖的科技与重资金投入,必将大幅度提高产品的生产成本与阻碍产品的大规模使用;同时电镀挂具难以有效的夹持体积细小工件,造成产品良率与效率低下。因此,亟需一种新型陶瓷基三维立体电路的制备方法。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的第一个方面提供了一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:加工出与陶瓷基板形状相对应的模具,在模具上雕刻出所需的线路图形,得到雕刻后的模具;
步骤二:将陶瓷基板进行前处理后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,经镀金属膜加工后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经镀层加厚处理后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
作为一种优选的技术方案,步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化镁陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化铝陶瓷、氮化钛陶瓷、氮化钽陶瓷、氮化镓陶瓷中的一种或多种组合。
作为一种优选的技术方案,步骤一中所述模具的材质为合金材质。
作为一种优选的技术方案,步骤一中所述模具的加工方法为冲压法或压铸法。
作为一种优选的技术方案,步骤一中线路图形为镂空线路图形。
作为一种优选的技术方案,步骤二中所述前处理为:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中烘烤。
作为一种优选的技术方案,步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。
作为一种优选的技术方案,所述钛金属膜的厚度为0.01~0.2μm。
作为一种优选的技术方案,所述铜金属膜的厚度为0.1~0.5μm。
作为一种优选的技术方案,步骤三中所述镀层加厚处理工艺的步骤为先镀铜加厚,后镀镍金属层加厚。
有益效果:本发明所制备的陶瓷基三维立体电路省去了曝光显影、褪膜蚀刻等一系列复杂的加工,可实现的拐角线路的精确加工,大大简化了工艺制程、降低了生产能耗、有效减小生产过程中造成的污染;采用化学镀铜加厚制程,有效避免了由于工件夹持不稳,在电镀过程中产生的工件掉落现象,具有生产成本低,产能大,产品稳定性好、线路精度高、易于实施等特点,特别适合小体积的精密立体线路板大规模生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中一种陶瓷基三维立体电路的工艺流程图;图中101为步骤一,201为步骤二,301为步骤三。
图2为本发明实施例1中一种三维立体电路的陶瓷线路板结构示意图,陶瓷基板的形状为凹杯形。
图3为本发明实施例1中一种凹杯形的三维立体电路的模具结构示意图,图中4为凹杯形模具的镂空线路图形。
图4为本发明实施例2中一种三维立体电路的路板结构示意图,陶瓷基板的形状为凸台形。
图5为本发明实施例2中一种凸台形的三维立体电路的模具结构示意图,图中4为凸台形模具的镂空线路图形。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述,并非对其保护范围的限制。
本发明中的词语“优选的”、“更优选的”等是指,在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而,在相同的情况下或其他情况下,其他实施方案也可能是优选的。此外,对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用,也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:加工出与陶瓷基板形状相对应的模具,在模具上雕刻出所需的线路图形,得到雕刻后的模具;
步骤二:将陶瓷基板进行前处理后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,经镀金属膜加工后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经镀层加厚处理后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
<步骤一>
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化镁陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化铝陶瓷、氮化钛陶瓷、氮化钽陶瓷、氮化镓陶瓷中的一种或多种组合。
在一种更优选的实施方式中,步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷。
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述陶瓷基板的形状为凸台形和/或凹杯形。
在一种更优选的实施方式中,步骤一中所述陶瓷基板的形状为凸台形或凹杯形。
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述模具的材质为合金材质。
所述合金,指的是一种金属与另一种或几种金属或非金属经过混合熔化,冷却凝固后得到的具有金属性质的固体产物。
在一种优选的实施方式中,所述合金材质选自不锈钢、铝合金、铜合金、锌合金、钛合金、镁合金中的一种或多种组合。
在一种更优选的实施方式中,所述合金材质为不锈钢。
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述模具的加工方法为冲压法或压铸法。
在一种更优选的实施方式中,步骤一中所述模具的加工方法为冲压法。
所述冲压法,是靠压力机和模具对板材、带材、管材和型材等施加外力,使之产生塑性变形或分离,从而获得所需形状和尺寸的工件(冲压件)的成形加工方法。
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述模具的厚度为0.05~0.5mm。
在一种更优选的实施方式中,步骤一中所述模具的厚度为0.08mm。
在一种优选的实施方式中,步骤一中所述雕刻采用的是精密激光雕刻。
在一种优选的实施方式中,步骤一中线路图形为镂空线路图形。
本发明所述镂空线路图形指的是在步骤一中所述模具中雕刻出穿透模具上下面的线路图形。
<步骤二>
在一种优选的实施方式中,步骤二中所述前处理为:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中烘烤。
在一种更优选的实施方式中,步骤二中所述前处理为:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在100~300℃下烘烤10~120min。
在一种进一步优选的实施方式中,步骤二中所述前处理为:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min。
在一种优选的实施方式中,步骤二中所述镀金属膜加工为溅镀加工。
所述溅镀加工,指的是在真空环境下,通入适当的惰性气体作为媒介,靠惰性气体加速撞击靶材,使靶材表面原子被撞击出来,并在表面形成镀膜。
在一种优选的实施方式中,步骤二所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。
在一种更优选的实施方式中,步骤二所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和铜金属膜。
在一种更进一步优选的实施方式中,步骤二中所述镀金属膜加工的顺序为:先镀钛金属膜,后镀铜金属膜。
在一种优选的实施方式中,所述钛金属膜的厚度为0.01~0.2μm。
在一种更优选的实施方式中,所述钛金属膜的厚度为0.1μm。
在一种优选的实施方式中,所述铜金属膜的厚度为0.1~0.5μm。
在一种更优选的实施方式中,所述铜金属膜的厚度为0.3μm。
<步骤三>
在一种优选的实施方式中,步骤三中所述镀层加厚处理工艺的步骤为先镀铜加厚,后镀镍金属层加厚。
在一种更优选的实施方式中,步骤三中所述镀铜加厚为化学法镀铜。
本发明对所述化学法镀铜的具体方法并没有特别的限制,可采用本领域技术人员熟知的各种化学法镀铜,例如放入化学沉铜线沉积铜层。
在一种进一步优选的实施方式中,所述镀铜加厚中铜层的厚度为5~20μm。
在一种更进一步优选的实施方式中,所述镀铜加厚中铜层的厚度为20μm。
在一种更优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍金属层加厚为化学滚镀法。
所述化学滚镀法,将待镀件放在滚动的容器中进行电镀的手段。
在一种更优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍金属层为镀镍/银金属层或镀镍/金金属层。
本发明所述镍/银金属层指的是同时具有镍层和银层的金属层;所述镍/金金属层指的是同时具有镍层和金层的金属层。
在一种优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍金属层为镀镍/金金属层;所述镀镍/金金属层为镀镍层和镀金层的金属层。
在一种更优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍/金金属层为先镀镍层,后镀金层。
在一种进一步优选的实施方式中,步骤三中所述镍层的厚度为3~8μm,金层的厚度为0.01~0.1μm。
在一种更进一步优选的实施方式中,步骤三中所述镍层的厚度为5.5μm,金层的厚度为0.055μm。
在一种另优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍金属层为镀镍/银金属层;所述镀镍/银金属层为镀镍层和镀银层的金属层。
在一种更优选的实施方式中,步骤三中所述镀镍/银金属层为先镀镍层,后镀银层。
在一种进一步优选的实施方式中,步骤三中所述镍层的厚度为3~8μm,银层的厚度为0.5~5μm。
在一种更进一步优选的实施方式中,步骤三中所述镍层的厚度为5.5μm,银层的厚度为2.75μm。
本发明所述陶瓷基三维立体电路的制备方法,创造性地在金属化过程中,采用精密激光雕刻的具有镂空线路图形的不锈钢模具屏蔽掉空白区域,直接形成电路图案,省去了常规技术中曝光显影、褪膜蚀刻等一系列复杂的加工,大大简化了工艺制程、降低了生产能耗、有效减小生产过程中造成的污染;且不锈钢模具与陶瓷基板的结合,制备得到了常规技术手段难以实现的拐角线路,显著提升了陶瓷基三维立体电路的线路精度和稳定性;同时,在金属化过程中还采用了化学镀铜加厚制程,有效避免了由于工件夹持不稳,在电镀过程中产生的工件掉落现象,进一步提升了所得电路的线路精度和稳定性,特别适合小体积的精密立体线路板大规模生产。
下面通过实施例对本发明进行具体描述,另外,如果没有其它说明,所用原料都是市售的。
实施例
实施例1
本发明的实施例1提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,如图1~3所示,包括以下步骤:
步骤一101:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形4,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二201:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三301:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例2
本发明的实施例2提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,如图4~5所示,包括以下步骤:
步骤一101:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形5,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凸台形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二201:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三301:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例3
本发明的实施例3提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.05mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在100℃下烘烤10min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.01μm的钛金属膜和厚度为0.1μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为5μm,后经化学滚镀法镀厚度为3μm的镍层、厚度为0.01μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例4
本发明的实施例4提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.2μm的钛金属膜和厚度为0.5μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例5
本发明的实施例5提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.4μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例6
本发明的实施例6提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.4μm的钛金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例7
本发明的实施例7提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.3μm的铜金属膜和厚度为0.1μm的钛金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例8
本发明的实施例8提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学滚镀法镀厚度为5.5μm的镍层、厚度为0.055μm的金层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例9
本发明的实施例9提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
实施例10
本发明的实施例10提供一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:冲压法加工出与陶瓷基板形状相对应的厚度为0.08mm模具,在模具上精密激光雕刻出所需的镂空线路图形,得到雕刻后的模具;所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷,形状为凹杯形;所述模具的材质为不锈钢。
步骤二:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中在200℃下烘烤65min后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,置于真空溅镀设备中溅镀加工厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经化学法镀铜,铜层的厚度为20μm,后经化学滚镀法镀厚度为0.055μm的金层、厚度为5.5μm的镍层后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
性能评价
结合力测试:将实施例1~10所得陶瓷基三维立体电路中的金属层和陶瓷基板分别夹在拉力试验机的上、下夹持器上。启动试验机,在75N的拉力下保持10min后,若肉眼观察到金属层与陶瓷基板未出现开裂、翘曲、错位现象,记为A;10min后金属层与陶瓷基板之间出现轻微开裂、翘曲、错位现象,记为B;10min后金属层与陶瓷基板之间出现严重开裂、翘曲、错位现象,记为C分;10min内陶瓷围坝支架即出现开裂、翘曲、错位现象,记为D,结果见表1。
表1结合力测试结果
综合上述实验结果可见:通过本发明所述方法制备得到的陶瓷基三维立体电路,在75N的拉力下保持10min后,金属层与陶瓷基板未出现开裂、翘曲、错位现象,显示出良好的结合力。此外,本发明所制备的陶瓷基三维立体电路省去了曝光显影、褪膜蚀刻等一系列复杂的加工,大大简化了工艺制程、降低了生产能耗、有效减小生产过程中造成的污染;采用化学镀铜加厚制程,有效避免了由于工件夹持不稳,在电镀过程中产生的工件掉落现象,具有生产成本低,产能大,产品稳定性好、线路精度高、易于实施等特点,特别适合小体积的精密立体线路板大规模生产。
前述的实例仅是说明性的,用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围,且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此,申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。本领域的技术人员根据本发明的上述内容做出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一:加工出与陶瓷基板形状相对应的模具,在模具上雕刻出所需的线路图形,得到雕刻后的模具;
步骤二:将陶瓷基板进行前处理后,放入步骤一所得雕刻后的模具中,经镀金属膜加工后,得到预处理陶瓷线路板;
步骤三:将步骤二所得预处理陶瓷线路板经镀层加厚处理后,得到三维立体电路的陶瓷线路板。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化镁陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化铝陶瓷、氮化钛陶瓷、氮化钽陶瓷、氮化镓陶瓷中的一种或多种组合。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤一中所述模具的材质为合金材质。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤一中所述模具的加工方法为冲压法或压铸法。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤一中线路图形为镂空线路图形。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤二中所述前处理为:将陶瓷基板置于除油剂中超声清洗后,置于烤箱中烘烤。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。
8.根据权利要求7所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,所述钛金属膜的厚度为0.01~0.2μm。
9.根据权利要求7或8所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,所述铜金属膜的厚度为0.1~0.5μm。
10.根据权利要求1所述的陶瓷基三维立体电路的制备方法,其特征在于,步骤三中所述镀层加厚处理工艺的步骤为先镀铜加厚,后镀镍金属层加厚。
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CN111805091A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-10-23 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种lap激光镭雕工艺 |
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