CN111146156A - 一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，包括以下步骤：步骤一：在陶瓷基板上进行打孔加工，得到含微孔的陶瓷基板；在陶瓷盖板进行打孔加工，得到含切孔的陶瓷盖板；步骤二：对步骤一所得含微孔的陶瓷基板和含切孔的陶瓷盖板进行镀金属膜加工，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板压在其上，得到陶瓷围坝拼板；步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻和切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。本发明所制备得到的陶瓷围坝支架具有优异的稳定性、不需任何有机粘合剂或金属焊料，可直接用于高气密封装的支架生产。

Description

一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法

技术领域

本发明涉及到陶瓷支架生产技术领域，具体涉及到一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法。

背景技术

陶瓷支架因其可靠性高、导热系数高、机械强度高、热膨胀系数小等特点，被大规模应用于电子封装，尤其是大功率、高集成度的芯片中。对于高气密性的电子封装，如UV-LED、激光器等光电器件中，往往需要在陶瓷基板上设置围坝，形成密封腔室，用于放置芯片进一步封装。

现有的生产围坝支架工艺主要有：1、采用有机粘结剂在陶瓷基板上直接围成围坝体，该工艺生产出来的产品导热系数小，气密性差，且抗紫外、抗高温能力弱，降低功率器件的使用寿命，稳定性差，不利于大功率器件的封装。2、利用有机粘合剂或者金属焊料把围坝体粘结在陶瓷基板上，该生产工艺围坝体的定位精度差，不利于芯片高精密封装，其中有机粘合剂在高温环境下释放出有机溶剂，污染芯片；而金属焊料往往需要在高温环境下进行键合，容易造成线路层剥离，严重损伤线路，不利于后续的芯片封装和使用。3、采用长时间、重复电镀，在陶瓷基板上电镀出金属围坝体，该工艺生产出来的产品内应力大，翘曲度大，围坝逐层累加，容易出现错位、分层现象。因此，亟需一种新型电铸法制作陶瓷围坝支架的方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，包括以下步骤：

步骤一：在陶瓷基板上进行微孔加工，得到含微孔的陶瓷基板；在陶瓷盖板进行切孔加工，得到含切孔的陶瓷盖板；

步骤二：对步骤一所得含微孔的陶瓷基板和含切孔的陶瓷盖板进行镀金属膜加工，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板压在其上，得到陶瓷围坝拼板；

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻和切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷基板的厚度为0.2～1.0mm。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷基板上的微孔的孔径为0.08～0.15mm。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷盖板的厚度为0.2～2.0mm。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷盖板上的切孔的孔径为2.0～10.0mm。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或氮化物基金属陶瓷。

作为一种优选的技术方案，步骤一中所述陶瓷盖板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或玻璃。

作为一种优选的技术方案，步骤二中所述镀金属膜加工的位置为陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，陶瓷盖板的切孔内壁和底部。

作为一种优选的技术方案，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。

作为一种优选的技术方案，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜的厚度为0.15～0.7μm。

有益效果：通过本发明所述电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，制备得到的陶瓷围坝支架，显示出良好的稳定性。此外，本发明所制备得到的陶瓷围坝支架不需任何有机粘合剂或金属焊料，从源头上避免了焊料熔接对后续芯片封装和线路造成的损伤；同时具有精度高、气密性好、产品结构紧密牢固、强度大应力小等特点，制程工序简便，缩短生产时间，节约生产成本，可直接用于高气密封装的支架生产，具有极强的实际推广和应用价值。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1的工艺流程图。

附图标记：1-陶瓷基板；2-陶瓷盖板；3-切孔；4-切孔金属膜；5-微孔；6-微孔金属膜；A为步骤一中未加工前的陶瓷基板和陶瓷盖板；B为步骤一中含微孔的陶瓷基板和含切孔的陶瓷盖板；C为步骤二中镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；D为步骤三中图形转移后的陶瓷基板；E为步骤三中陶瓷围坝拼板；F为步骤四中电镀加工后的陶瓷围坝拼板；G为步骤四中陶瓷围坝支架。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，并非对其保护范围的限制。

本发明中的词语“优选的”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，包括以下步骤：

步骤一：在陶瓷基板上进行微孔加工，得到含微孔的陶瓷基板；在陶瓷盖板进行切孔加工，得到含切孔的陶瓷盖板；

步骤二：对步骤一所得含微孔的陶瓷基板和含切孔的陶瓷盖板进行镀金属膜加工，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板压在其上，得到陶瓷围坝拼板；

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻和切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

<步骤一>

在一种优选的实施方式中，所述步骤一为：在陶瓷基板上加工若干微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在陶瓷盖板加工若干切孔，得到含切孔的陶瓷盖板。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板的厚度为0.2～1.0mm。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板的厚度为0.5mm。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板上的微孔的孔径为0.08～0.15mm。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板上的微孔的孔径为0.10mm。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板的厚度为0.2～2.0mm。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板的厚度为0.5mm。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板上的切孔的孔径为2.0～10.0mm。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板上的切孔的孔径为4.6mm。

本发明对所述打孔加工的方法并没有特别的限制，可以采用本领域技术人员熟知的各种打孔加工的方法，例如激光打孔加工法。

本发明所述微孔指的是采用激光钻微孔加工工艺得到的加工孔，所述切孔指的是采用激光切孔加工工艺得到的加工孔。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或氮化物基金属陶瓷。

在一种优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或玻璃。

氧化物基金属陶瓷

氧化物基金属陶瓷，指的是金属黏结氧化物颗粒组成的陶瓷材料。

作为氧化物基金属陶瓷的实例，包括但不限于氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化镁陶瓷、氧化铍陶瓷。

氮化物基金属陶瓷

氮化物基金属陶瓷，是氮元素与金属元素造成的陶瓷，是一类重要的结构与功能材料。

作为氮化物基金属陶瓷的实例，包括但不限于氮化铝陶瓷、氮化钛陶瓷、氮化钽陶瓷、氮化镓陶瓷。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板的材质为氮化物基金属陶瓷。

在一种进一步优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板的材质为氧化物基金属陶瓷。

在一种更优选的实施方式中，步骤一中所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

<步骤二>

在一种优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的位置为陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，陶瓷盖板的切孔内壁和底部。

在一种优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜的厚度为0.15～0.7μm。

在一种更优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜的厚度为0.4μm。

在一种优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。

在一种更优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和铜金属膜。

在一种更优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的顺序为：先镀钛金属膜，后镀铜金属膜。

在一种更优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的钛金属膜的厚度为0.15～0.2μm，铜金属膜的厚度为0.1～0.5μm。

在一种进一步优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工的钛金属膜的厚度为0.1μm，铜金属膜的厚度为0.3μm。

在一种优选的实施方式中，步骤二中所述镀金属膜加工为真空镀加工。

真空镀加工

真空镀加工，指的是在真空条件下，通过蒸馏或溅射等方式在工件表面沉积非常薄的表面镀层的加工工艺。

在一种更优选的实施方式中，所述真空镀加工选自真空蒸镀法、真空溅镀法和真空离子镀法中的一种或多种组合。

在一种进一步优选的实施方式中，所述真空镀加工为真空溅镀法。

在一种更进一步优选的实施方式中，所述真空镀加工为真空磁控溅镀法。

本发明所述真空磁控溅镀法，是物理气相沉积方法，通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。

<步骤三>

在一种优选的实施方式中，所述步骤三为：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；

本发明对所述图形转移的方法并没有特别的限制，可采用本领域技术人员熟知的各种图形转移的方法，例如贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

<步骤四>

在一种优选的实施方式中，步骤四所述切割成形处理为激光切割处理和/或高速树脂刀切割处理。

在一种优选的实施方式中，步骤四所述切割成形处理为激光切割处理。

本发明对所述步骤四中电镀加工方法并没有特别的限制，可采用本领域技术人员熟知的各种电镀加工方法，例如浸入电镀铜缸中进行电镀处理。

发明人在不断探索试验中发现，当控制陶瓷基板上微孔的孔径，并在陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁以及陶瓷盖板的切孔内壁和底部镀上一定厚度的钛金属膜和铜金属膜时，可以显著提升所得陶瓷围坝支架的稳定性，进一步延长功率器件的使用寿命。发明人认为，通过一定孔径的微孔配合一定厚度的钛金属膜和铜金属膜，在陶瓷盖板与陶瓷基板接触的界面处电镀出复合金属层，从而使两者从接触面处更好融合在一体，同步地在陶瓷基板上生成线路层，增强了支架机械强度以及散热性能，微孔设计也进一步地消除了产品结构应力，显著提升所得陶瓷围坝支架的稳定性；同时由于陶瓷基板和陶瓷盖板一体成型，无需有机粘合剂或者金属焊料，从源头上避免了由于焊料熔接对后续芯片封装在成的影响，可直接用于高气密封装的支架生产。当陶瓷基板上微孔的孔径过大时，不利于陶瓷围坝支架的整体散热，缩短产品的使用寿命，反之则会破坏所得陶瓷围坝支架的稳定性；而复合金属层中钛金属膜和铜金属膜厚度过大或过小时，亦不能保证陶瓷围坝支架的稳定性，同时散热效果和应力消除效果相应变差。

下面通过实施例对本发明进行具体描述，另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的。

实施例

实施例1

本发明的实施例1提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.10mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例2

本发明的实施例2提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.2mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.08mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.2mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为2.0mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.15μm的钛金属膜和厚度为0.1μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例3

本发明的实施例3提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为1.0mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.15mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为2.0mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为10.0mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.2μm的钛金属膜和厚度为0.5μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例4

本发明的实施例4提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在厚度为0.5mm的陶瓷基板的底部和顶部，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例5

本发明的实施例5提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.20mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例6

本发明的实施例6提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.10mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例7

本发明的实施例7提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.10mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板底部，先后镀上厚度为0.1μm的钛金属膜和厚度为0.3μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例8

本发明的实施例8提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.10mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，镀上厚度为0.4μm的铜金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

实施例9

本发明的实施例9提供一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，如图1所示，包括以下步骤：

步骤一：在厚度为0.5mm的陶瓷基板上用激光钻出2个孔径为0.10mm的微孔，得到含微孔的陶瓷基板；在厚度为0.5mm的陶瓷盖板上用激光切出1个孔径为4.6mm的切孔，得到含切孔的陶瓷盖板；所述陶瓷基板的材质为氮化铝陶瓷；所述陶瓷盖板的材质为氧化铝陶瓷。

步骤二：采用真空磁控溅镀法在步骤一所得含微孔的陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，以及含切孔的陶瓷盖板切孔内壁和底部，先后镀上厚度为0.4μm的钛金属膜，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板。

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板的底部和顶部进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板的底部紧压在陶瓷基板的顶部，得到陶瓷围坝拼板；所述图形转移为贴膜、曝光、显影制程，去膜后露出所要电镀的区域。

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板浸入电镀铜缸中进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻处理，除去干膜与多余的金属层，切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

性能评价

稳定性测试：将实施例1～9所得陶瓷围坝支架的陶瓷基板和陶瓷盖板分别夹在拉力试验机的上、下夹持器上。启动试验机，在0.06kN的拉力下保持10min后，通过肉眼观察对陶瓷围坝支架的稳定性进行评价。其中，稳定性评价标准为：10min后陶瓷围坝支架未出现开裂、翘曲、错位现象，记为3分；10min后陶瓷围坝支架出现轻微开裂、翘曲、错位现象，记为2分；10min后陶瓷围坝支架出现严重开裂、翘曲、错位现象，记为1分；10min内陶瓷围坝支架即出现开裂、翘曲、错位现象，记为0分，结果见表1。

表1稳定性测试结果

	稳定性评价
		实施例1	3
实施例2	3
		实施例3	3
实施例4	0
		实施例5	1
实施例6	2
		实施例7	1
实施例8	1
		实施例9	2

综合上述实验结果可见：通过本发明所述电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，制备得到的陶瓷围坝支架经稳定性测试，在0.06kN的拉力下保持10min后，未出现开裂、翘曲、错位现象，显示出良好的稳定性。此外，本发明所制备得到的陶瓷围坝支架不需任何有机粘合剂或金属焊料，从源头上避免了焊料熔接对后续芯片封装和线路造成的损伤；同时具有精度高、气密性好、产品结构紧密牢固、强度大应力小等特点，制程工序简便，缩短生产时间，节约生产成本，可直接用于高气密封装的支架生产，具有极强的实际推广和应用价值。

前述的实例仅是说明性的，用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。本领域的技术人员根据本发明的上述内容做出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在陶瓷基板上进行微孔加工，得到含微孔的陶瓷基板；在陶瓷盖板进行切孔加工，得到含切孔的陶瓷盖板；

步骤二：对步骤一所得含微孔的陶瓷基板和含切孔的陶瓷盖板进行镀金属膜加工，得到镀金属膜的陶瓷基板和镀金属膜的陶瓷盖板；

步骤三：对步骤二所得镀金属膜的陶瓷基板进行图形转移后，将步骤二所得镀金属膜的陶瓷盖板压在其上，得到陶瓷围坝拼板；

步骤四：将步骤三得到的陶瓷围坝拼板进行电镀加工后，经褪膜、蚀刻和切割成形处理后，即得陶瓷围坝支架。

2.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷基板的厚度为0.2～1.0mm。

3.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷基板上的微孔的孔径为0.08～0.15mm。

4.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷盖板的厚度为0.2～2.0mm。

5.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷盖板上的切孔的孔径为2.0～10.0mm。

6.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷基板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或氮化物基金属陶瓷。

7.根据权利要求1所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤一中所述陶瓷盖板的材质为氧化物基金属陶瓷和/或玻璃。

8.根据权利要求1～7任一项所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤二中所述镀金属膜加工的位置为陶瓷基板的底部、顶部和微孔内壁，陶瓷盖板的切孔内壁和底部。

9.根据权利要求8任一项所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜为钛金属膜和/或铜金属膜。

10.根据权利要求9任一项所述的电铸法制作陶瓷围坝支架的方法，其特征在于，步骤二中所述镀金属膜加工的金属膜的厚度为0.15～0.7μm。

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