JPS6142192A - セラミツク基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク基板の製造方法Info
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- JPS6142192A JPS6142192A JP16290884A JP16290884A JPS6142192A JP S6142192 A JPS6142192 A JP S6142192A JP 16290884 A JP16290884 A JP 16290884A JP 16290884 A JP16290884 A JP 16290884A JP S6142192 A JPS6142192 A JP S6142192A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はセラミック基板を製造する方法に関するもの
である。
である。
セラミック板の表面に配線が形成されたセラミック基板
は、電気特性、熱放散性、耐熱性に優れており、最近多
く使用され始めている。
は、電気特性、熱放散性、耐熱性に優れており、最近多
く使用され始めている。
従来、穴を有しないセラミック基板を製造するには、半
硬化したアルミナ基材の表面に銀ペーストをパターン印
刷し、それを炉で焼成している。
硬化したアルミナ基材の表面に銀ペーストをパターン印
刷し、それを炉で焼成している。
また従来、穴を有するセラミック基板を製造するには、
まずプレス金型を用意し、そのプレス金型を用いて半硬
化したアルミナ基材をプレスすることにより、外形を形
成するとともに穴を設け、次にそのアルミナ基材の表面
に銀ペーストをパターン印刷し、それを炉で焼成してい
る。
まずプレス金型を用意し、そのプレス金型を用いて半硬
化したアルミナ基材をプレスすることにより、外形を形
成するとともに穴を設け、次にそのアルミナ基材の表面
に銀ペーストをパターン印刷し、それを炉で焼成してい
る。
上述した方法で穴を有しないセラミック基板を製造した
ときには、半硬化したアルミナ基材を焼成してセラミッ
ク板としたときに１８〜２０％も縮小し、また印刷で配
線を形成するため、精度の高い配線パターンを得ること
ができない。
ときには、半硬化したアルミナ基材を焼成してセラミッ
ク板としたときに１８〜２０％も縮小し、また印刷で配
線を形成するため、精度の高い配線パターンを得ること
ができない。
また、上述した方法により穴を有するセラミック基板を
製造したときには、新たなセラミック基板を製造するた
びに新たなプレス金型を用意しなければならないので、
新たなセラミック基板を製造するには非常に時間が掛り
、例えば試作品を製造するときに納期が長くなるととも
に、プレス金型は高価であるから、製造コストが高くな
る。しかも、焼成の際にセラミック板が縮小し、また印
刷で配線を形成するため、穴の寸法精度が低く、かつ精
度の高い配線パターンを得ることができない。
製造したときには、新たなセラミック基板を製造するた
びに新たなプレス金型を用意しなければならないので、
新たなセラミック基板を製造するには非常に時間が掛り
、例えば試作品を製造するときに納期が長くなるととも
に、プレス金型は高価であるから、製造コストが高くな
る。しかも、焼成の際にセラミック板が縮小し、また印
刷で配線を形成するため、穴の寸法精度が低く、かつ精
度の高い配線パターンを得ることができない。
〔問題点を解決するための手段〕
第１図はこの発明の構成説明図である。まず、セラミッ
ク板１の表面に蒸着層２を設け（ａ）、蒸着層２上にメ
ッキ層３を設け（ｂ）、蒸着層２及びメッキ層３をエツ
チングして配線４を形成する（ｃ）。
ク板１の表面に蒸着層２を設け（ａ）、蒸着層２上にメ
ッキ層３を設け（ｂ）、蒸着層２及びメッキ層３をエツ
チングして配線４を形成する（ｃ）。
第２図はこの発明の構成説明図である。まず、セラミッ
ク板１に穴５を設け（ａ）、セラミック板１の少なくと
も表面に蒸着層２を設け（ｂ）、蒸着層２上及び穴５の
内面に無電解メッキ層６を設け（Ｃ）、無電解メッキ層
６上に電解メッキ層７を設け（ｄ）、蒸着層２、無電解
メッキ層６及び電解メッキ層７をエツチングして配線４
を形成する（ｅ）。
ク板１に穴５を設け（ａ）、セラミック板１の少なくと
も表面に蒸着層２を設け（ｂ）、蒸着層２上及び穴５の
内面に無電解メッキ層６を設け（Ｃ）、無電解メッキ層
６上に電解メッキ層７を設け（ｄ）、蒸着層２、無電解
メッキ層６及び電解メッキ層７をエツチングして配線４
を形成する（ｅ）。
第３図はこの発明の構成説明図である。まず、セラミッ
ク板１の表面に蒸着層２を設け（ａ）、セラミック板１
に穴５を設ける（ｂ）。以下は第２図の場合と同様であ
る。
ク板１の表面に蒸着層２を設け（ａ）、セラミック板１
に穴５を設ける（ｂ）。以下は第２図の場合と同様であ
る。
セラミック板１の表面に蒸着層２を設け、蒸着層２上に
メッキ層３又は無電解メッキ層６、電解メッキ層７を設
けるから、配線４の密着強度が非常に大きい。
メッキ層３又は無電解メッキ層６、電解メッキ層７を設
けるから、配線４の密着強度が非常に大きい。
第４図はこの発明に係るスルホールを有しないセラミッ
ク基板の製造方法の工程説明図である。
ク基板の製造方法の工程説明図である。
まず、焼成済みのセラミック板１を用意する（ａ）。
次に、セラミック板１の表面にクロムおよび銅からなる
蒸着層２を設ける（ｂ）。ついで、蒸着層２上に銅から
なるメッキ層３を設ける（ｃ）。次に、メッキ層３上に
ドライフィルム８をラミネートする（ｄ）。ついで、ド
ライフィルム８を露光、現像してレジスト９を形成する
（ｅ）。次に、蒸着層２及びメッキ層３を選択的にエツ
チングして配線４を形成する（ｆ）。ついで、レジスト
９を剥離する（ｇ）。次に、メッキ層３上に半田層１０
を設ける（ｈ）。最後に、レジスト印刷、文字印刷を行
なった後、レーザ光線、ダイヤモンドカッタなどで外形
加工をする。
蒸着層２を設ける（ｂ）。ついで、蒸着層２上に銅から
なるメッキ層３を設ける（ｃ）。次に、メッキ層３上に
ドライフィルム８をラミネートする（ｄ）。ついで、ド
ライフィルム８を露光、現像してレジスト９を形成する
（ｅ）。次に、蒸着層２及びメッキ層３を選択的にエツ
チングして配線４を形成する（ｆ）。ついで、レジスト
９を剥離する（ｇ）。次に、メッキ層３上に半田層１０
を設ける（ｈ）。最後に、レジスト印刷、文字印刷を行
なった後、レーザ光線、ダイヤモンドカッタなどで外形
加工をする。
第５図はこの発明に係る他のスルホールを有しないセラ
ミック基板の製造方法の工程説明図である。この方法に
おいては、第４図（ｄ）に示すようにメッキ層３上にド
ライフィルム８をラミネートした後、ドライフィルム８
を露光、現像してレジスト１１を形成する（ａ）、次に
、レジスト１１が形成されていないメッキ層３上に電解
メッキにより半田層ｌＯを設ける（ｂ）。ついで、レジ
スト１１を剥離する（Ｃ）、次に、半田層１０をレジス
トとして蒸着層２、メッキ層３を選択的にエツチングし
て配線４を形成する。
ミック基板の製造方法の工程説明図である。この方法に
おいては、第４図（ｄ）に示すようにメッキ層３上にド
ライフィルム８をラミネートした後、ドライフィルム８
を露光、現像してレジスト１１を形成する（ａ）、次に
、レジスト１１が形成されていないメッキ層３上に電解
メッキにより半田層ｌＯを設ける（ｂ）。ついで、レジ
スト１１を剥離する（Ｃ）、次に、半田層１０をレジス
トとして蒸着層２、メッキ層３を選択的にエツチングし
て配線４を形成する。
第６図はこの発明に係る他のスルホールを有しないセラ
ミック基板の製造方法の工程説明図である。この方法に
おいては、第４図（ｃ）に示すように蒸着層２上にメッ
キ層３を設けた後、レジスト１２を印刷する（ａ）。次
に、蒸着層２、メッキ層３を選択的にエツチングして配
線４を形成する（ｂ）。ついで、レジスト１２を剥離す
る（ｃ）。
ミック基板の製造方法の工程説明図である。この方法に
おいては、第４図（ｃ）に示すように蒸着層２上にメッ
キ層３を設けた後、レジスト１２を印刷する（ａ）。次
に、蒸着層２、メッキ層３を選択的にエツチングして配
線４を形成する（ｂ）。ついで、レジスト１２を剥離す
る（ｃ）。
第７図はこの発明に係るスルホールを有するセラミック
基板の製造方法の工程説明図である。まず、焼成済みの
セラミック板１を用意する（ａ）。
基板の製造方法の工程説明図である。まず、焼成済みの
セラミック板１を用意する（ａ）。
次に、レーザ光線、超音波等によりセラミック板１に穴
５を設ける（ｂ）。ついで、セラミック板１の表面にク
ロムおよび銅からなる蒸着層２を設ける（Ｑ）。この場
合、穴５の内面に蒸着層２が付着しないことがあるので
、次に蒸着層２上及び穴５の内面に銅からなる無電解メ
ッキ層６を設ける（ｄ）、ついで、無電解メッキ層６上
に銅からなる電解メッキ層７を設ける（ｅ）０次に、電
解メッキ層、７上にドライフィルム８をラミネートする
（ｆ）、ついで、ドライフィルム８を露光、現像し、レ
ジスト９を形成する（ｇ）、次に、蒸着層２、無電解メ
ッキ層６及び電解メッキ層７を選択的にエツチングして
配線４を形成する（ｈ）、ついで、レジスト９を剥離す
る（ｉ）０次に、電解メッキ層７上に半田層１０を設け
る（ｊ）、最後に、レジスト印刷、文字印刷を行なった
後、レーザ光線、ダイヤモンドカッタ等で外形加工を行
なう。
５を設ける（ｂ）。ついで、セラミック板１の表面にク
ロムおよび銅からなる蒸着層２を設ける（Ｑ）。この場
合、穴５の内面に蒸着層２が付着しないことがあるので
、次に蒸着層２上及び穴５の内面に銅からなる無電解メ
ッキ層６を設ける（ｄ）、ついで、無電解メッキ層６上
に銅からなる電解メッキ層７を設ける（ｅ）０次に、電
解メッキ層、７上にドライフィルム８をラミネートする
（ｆ）、ついで、ドライフィルム８を露光、現像し、レ
ジスト９を形成する（ｇ）、次に、蒸着層２、無電解メ
ッキ層６及び電解メッキ層７を選択的にエツチングして
配線４を形成する（ｈ）、ついで、レジスト９を剥離す
る（ｉ）０次に、電解メッキ層７上に半田層１０を設け
る（ｊ）、最後に、レジスト印刷、文字印刷を行なった
後、レーザ光線、ダイヤモンドカッタ等で外形加工を行
なう。
第８図はこの発明に係る他のスルホールな有するセラミ
ック基板の製造方法の工程説明図である。
ック基板の製造方法の工程説明図である。
この方法においては、第７図（ｆ）に示すように電解メ
ッキ層７上にドライフィルム８をラミネートした後、ド
ライフィルム８を露光、現像してレジスト１１を形成す
る（ａ）６次に、レジスト１１が形成されていない電解
メッキ層７上に電解メッキにより半田層１０を設ける（
ｂ）、ついで、レジスト１１を除去する（ｃ）。次に、
半田層１０をレジストとして蒸着層２．無電解メッキ層
６及び電解メッキ層７を選択的にエツチングして配線４
を形成する。
ッキ層７上にドライフィルム８をラミネートした後、ド
ライフィルム８を露光、現像してレジスト１１を形成す
る（ａ）６次に、レジスト１１が形成されていない電解
メッキ層７上に電解メッキにより半田層１０を設ける（
ｂ）、ついで、レジスト１１を除去する（ｃ）。次に、
半田層１０をレジストとして蒸着層２．無電解メッキ層
６及び電解メッキ層７を選択的にエツチングして配線４
を形成する。
第９図はこの発明に係る他のスルホールを有するセラミ
ック基板の製造方法の工程説明図である。
ック基板の製造方法の工程説明図である。
この方法においては、第７図（ｅ）に示すように無電解
メッキ層６上に電解メッキ層７を設けた後、穴５内に塗
料１３を埋め込む（ａ）、次に、レジスト１２を印刷す
る（ｂ）。ついで、蒸着層２、無電解メッキ層６及び電
解メッキ層７を選択的にエツチングして配線４を形成す
る（ｃ）。次に、レジスト１２および塗料１３を除去す
る（ｄ）。
メッキ層６上に電解メッキ層７を設けた後、穴５内に塗
料１３を埋め込む（ａ）、次に、レジスト１２を印刷す
る（ｂ）。ついで、蒸着層２、無電解メッキ層６及び電
解メッキ層７を選択的にエツチングして配線４を形成す
る（ｃ）。次に、レジスト１２および塗料１３を除去す
る（ｄ）。
第１０図はこの発明に係る他のスルホールを有するセラ
ミック基板の製造方法の工程説明図である。
ミック基板の製造方法の工程説明図である。
まず、焼成済みのセラミック板１を用意する（、）。
次に、セラミック板１の表面にクロムおよび銅からなる
蒸着層２を設ける（ｂ）、ついで、レーザ光線、超音波
等によりセラミック板１に穴５を設ける（Ｃ）、以下の
工程は第７図の場合と同様である。
蒸着層２を設ける（ｂ）、ついで、レーザ光線、超音波
等によりセラミック板１に穴５を設ける（Ｃ）、以下の
工程は第７図の場合と同様である。
なお、上述実施例においては、クロムおよび銅からなる
蒸着層２を設けたが、蒸着層２の材質としてはニッケル
ークロム合金、ニッケル、クロム、銅等の金属を用いる
ことができる。また、上述実施例においては、銅からな
るメッキ層３．無電解メッキ層６、電解メッキ層７を設
けたが、メッキ層３、無電解メッキ層６、電解メッキ層
７の材質としてはニッケル、クロム等の金属を用いるこ
とができる。さらに、第４図、第７に示す実施例におい
ては、半田層１０を設けたが、半田層１０を設けなくと
もよく、また半田層１０の代りに無電解メッキにより金
等の金属層を設けてもよい。また、第５図、第８に示す
実施例においては、電解メッキにより半田層ｌＯを設け
たが、電解メッキにより金等の金属層を設けてもよい。
蒸着層２を設けたが、蒸着層２の材質としてはニッケル
ークロム合金、ニッケル、クロム、銅等の金属を用いる
ことができる。また、上述実施例においては、銅からな
るメッキ層３．無電解メッキ層６、電解メッキ層７を設
けたが、メッキ層３、無電解メッキ層６、電解メッキ層
７の材質としてはニッケル、クロム等の金属を用いるこ
とができる。さらに、第４図、第７に示す実施例におい
ては、半田層１０を設けたが、半田層１０を設けなくと
もよく、また半田層１０の代りに無電解メッキにより金
等の金属層を設けてもよい。また、第５図、第８に示す
実施例においては、電解メッキにより半田層ｌＯを設け
たが、電解メッキにより金等の金属層を設けてもよい。
さらに、第４図、第７図に示す実施例においては、半田
層１０を設けた後に文字印刷を行なったが、半田層１０
を設ける前に文字印刷を行なってもよい。また、上述実
施例においては、レジスト印刷、文字印刷を行なったが
、レジスト印刷、文字印刷を行なわなくともよい。
層１０を設けた後に文字印刷を行なったが、半田層１０
を設ける前に文字印刷を行なってもよい。また、上述実
施例においては、レジスト印刷、文字印刷を行なったが
、レジスト印刷、文字印刷を行なわなくともよい。
以上説明したように、この発明に係るスルホールを有し
ないセラミック基板の製造方法においては、焼成済みの
セラミック板に蒸着層を設け、さらにメッキ層を設け、
蒸着層及びメッキ層をエツチングすることにより配線を
形成するから、配線パターンの寸法精度を高くすること
ができるとともに、配線の密着強度を非常に大きくする
ことが可能である。また、この発明に係るスルホールを
有するセラミック基板の製造方法においては、焼成済み
のセラミック基板に穴を設け、そのセラミック板に蒸着
層、無電解メッキ層、電解メッキ層を設け、蒸着層、無
電解メッキ層及び電解メッキ層をエツチングして配線を
形成するから、プレス金型を用意する必要がないので、
新たなセラミック基板を短時間に裏声することができ、
例えば試作品を製造するときの納期を著しく短縮するこ
とができるとともに、安価にセラミック基板を製造する
ことができ、しかも穴の寸法精度を高くすることができ
、かつ配線パターンの寸法精度を高くすることが可能で
ある。このように、この発明の効果は顕著である。
ないセラミック基板の製造方法においては、焼成済みの
セラミック板に蒸着層を設け、さらにメッキ層を設け、
蒸着層及びメッキ層をエツチングすることにより配線を
形成するから、配線パターンの寸法精度を高くすること
ができるとともに、配線の密着強度を非常に大きくする
ことが可能である。また、この発明に係るスルホールを
有するセラミック基板の製造方法においては、焼成済み
のセラミック基板に穴を設け、そのセラミック板に蒸着
層、無電解メッキ層、電解メッキ層を設け、蒸着層、無
電解メッキ層及び電解メッキ層をエツチングして配線を
形成するから、プレス金型を用意する必要がないので、
新たなセラミック基板を短時間に裏声することができ、
例えば試作品を製造するときの納期を著しく短縮するこ
とができるとともに、安価にセラミック基板を製造する
ことができ、しかも穴の寸法精度を高くすることができ
、かつ配線パターンの寸法精度を高くすることが可能で
ある。このように、この発明の効果は顕著である。
第１図〜第３図はそれぞれこの発明の構成説明図、第４
図〜第６図はそれぞれこの発明に係るスルホールを有し
ないセラミック基板の製造方法の工程説明図、第７図〜
第１０図はそれぞれこの発明に係るスルホールを有する
セラミック基板の製造方法の工程説明図である。 １・・・セラミック板 ２・・・蒸着層３・・・メ
ッキ層 ４・・・配線５・・・六
６・・・無電解メッキ層７・・・電解メッキ層
図〜第６図はそれぞれこの発明に係るスルホールを有し
ないセラミック基板の製造方法の工程説明図、第７図〜
第１０図はそれぞれこの発明に係るスルホールを有する
セラミック基板の製造方法の工程説明図である。 １・・・セラミック板 ２・・・蒸着層３・・・メ
ッキ層 ４・・・配線５・・・六
６・・・無電解メッキ層７・・・電解メッキ層
Claims (3)
- （１）セラミック板の表面に蒸着層を設け、その蒸着層
上にメッキ層を設け、上記蒸着層及び上記メッキ層をエ
ッチングして配線を形成することを特徴とするセラミッ
ク基板の製造方法。 - （２）セラミック板に穴を設け、上記セラミック板の少
なくとも表面に蒸着層を設け、その蒸着層上及び上記穴
の内面に無電解メッキ層を設け、その無電解メッキ層上
に電解メッキ層を設け、上記蒸着層、上記無電解メッキ
層及び上記電解メッキ層をエッチングして配線を形成す
ることを特徴とするセラミック基板の製造方法。 - （３）セラミック板の表面に蒸着層を設け、上記セラミ
ック板に穴を設け、上記蒸着層上及び上記穴の内面に無
電解メッキ層を設け、その無電解メッキ層上に電解メッ
キ層を設け、上記蒸着層、上記無電解メッキ層及び上記
電解メッキ層をエッチングして配線を形成することを特
徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16290884A JPS6142192A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | セラミツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16290884A JPS6142192A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | セラミツク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142192A true JPS6142192A (ja) | 1986-02-28 |
Family
ID=15763511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16290884A Pending JPS6142192A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | セラミツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142192A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01155680A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-19 | Ok Print Haisen Kk | セラミック配線基板の製造方法 |
| WO1991016805A1 (en) * | 1990-04-16 | 1991-10-31 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Ceramic circuit board |
| JP2010226104A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Holy Stone Enterprise Co Ltd | セラミック基板の金属化方法 |
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| JPS59103400A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-14 | エルナ−株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP16290884A patent/JPS6142192A/ja active Pending
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| JP2010226104A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Holy Stone Enterprise Co Ltd | セラミック基板の金属化方法 |
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