JPS63182894A

JPS63182894A - セラミツクス配線基板の製法

Info

Publication number: JPS63182894A
Application number: JP1561587A
Authority: JP
Inventors: 昇山口; 脇　清隆
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1987-01-26
Filing date: 1987-01-26
Publication date: 1988-07-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［技術分野］この発明は、電子材料として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。

［背景技術］セラミック基板にスルホールを形成する方法として、従
来、金型を作成して半硬化なセラミック・グリーンシー
ト（以下、グリーンシートという）の状態で孔あけ加工
することが一般的に行なわれている。セラミック基板は
高硬度で加工性が悪いため、上記の方法は大量生産に適
しており、生産コストも安い。しかし、上記の方法は、
配線回路が異なるごとに専用の金型を作成する必要があ
り、汎用性がないのでセラミック基板として在庫してお
くことができない。

それに加えて、開発コストが高く、金型を作成するまで
の開発期間が長い等の欠点がある。

一方、最近では短期間で製造を行う必要がある場合には
、レーザによる孔あけ加工が行われている。レーザを用
いると金型を作成する必要がないので開発時間が短く、
多品種少量生産に適している。また、位置精度もよく回
路パターンの微細化にも対応できる。

しかし、レーザによる孔あけ加工には、熱ひずみが残留
する、加工材料の厚さに制限がある、研削加工にくらべ
て精度が劣るなどの欠点がある。

また生産効率が悪く、生産コストも高いので量産には適
していない。

そこで、最近では、セラミック基板の優れた特性を活か
しながら、スルホールの位置精度が高く、しかも、スル
ホールの形成がきわめて容易なセラミック配線板の開発
が望まれている。

［発明の目的］本発明は、スルホールを有する汎用性の高いセラミック
基板を短期間に、かつ安価に量産することができるセラ
ミック配線基板の製造方法を提供することを目的とする
。

〔発明の開示〕

この発明は、多数のスルホールを略均一な分散密度でグ
リーンシートに形成し、ついで焼成してベース基板を作
成し、つぎに回路形成に必要なスルホールを残して、そ
の他のスルホールは孔埋めした後、残されたスルホール
内壁面および基板表面に回路形成に必要な導体層を形成
することを特徴とるするセラミック配線基板の製法に関
し、より具体的には、スルホールを格子状に、半硬化な
グリーンシートに金型でプレスすることにより形成し、
加熱焼成してベースとなるセラミック基板を形成し、そ
のうち回路に使用しないスルホールには誘電体ペースト
を充填し、加熱焼成して孔埋めし、この基板の残された
スルホール内壁面および基板表面に、メタライジング法
によって回路パターンの導体層を形成することを特徴と
するセラミック配線基板の製法を提供するものである。

以下に、上記のメタライジング法が化学めっき、蒸着、
スパッタリングおよびイオンプレーティングの中から選
ばれたいずれか１つの方法である場合について、この発
明を説明する。

■　基板の材質としては、アルミナ、フォルステライト
、ステアタイト、ジルコン、ムライト、コージライト、
ジルコニア、チタニア等の酸化物系セラミックを主とし
て用いるが、炭化物系および窒化物系セラミックも使用
できる。

■　次に、第１図に例示すように、金型を用いてプレス
することにより、半硬化したグリーンシートに孔をあけ
る。このとき、スルホールは基本格子状に配設され、汎
用性の高いスルホールとなっている。もっとも、略均一
な分散密度でグリーンシートの必要な個所に、多数のス
ルホールが設けられておればよく、必ずしも格子状に配
置されている必要はない、しかし、幾何学的に整然と、
しかもほぼ均一な密度で配置されていることが望ましい
。このような基板は汎用性があるので、配線回路が異な
るごとに専用の金型を作成する必要がなく、コストの低
減につながる。また上記のスルホールを設けたグリーン
シートは加熱焼成が行われ、ベースとなるセラミック基
板が形成されるが、加熱焼成時において、均一に焼成収
縮するため高いスルホールの位置精度が得られる利点が
ある。

以上にようにして得たセラミック基板は、汎用性がある
ので配線回路が異なるごとに専用の金型を作成してセラ
ミック基板を製造する必要がなく、汎用基板として在庫
しておくことができ、コストの低減につながる。

■　上記の方法により得られたセラミック基板の表面を
必要に応じてリン酸を用いて粗化処理する。この処理は
、この発明に必ずしも必要なものではないが、このよう
にセラミック基板表面を粗化した上に金属層を形成すれ
ば、いわゆるアンカー効果によってセラミック基板と金
属層との間の密着性を向上できるものである。

■　次に、上記の回路基板において、回路に使用しない
孔を充填材料を用いて埋設する。このとき残された孔が
両面回路を接続するためのスルホールとして利用される
。スルホールの充填材料としてはＡｎ！ｇｏｓおよびガ
ラス等の微粉末からなる誘電体ペーストを使用する。孔
埋めの方法は、基板に形成したスルホールの内壁面を含
む部分に、真空吸引を実施しながらスクリーンマスクを
介して印刷により付着させてもよいし、充填材料を孔径
に合わせて棒状もしくは球状に形成し、プレス等により
機械的に挿入してもよいし、ディスペンサ等によりスル
ホール内に充填材料を注入してもよい。次にスルホール
内に充填した前記誘電体ペーストを乾燥後、加熱焼成し
てセラミック基板に溶融接合させる。乾燥、焼成の条件
については特に限定されないが、たとえば、つぎのよう
な条件が一般的である。すなわち、スルホール内に充填
した前記誘電体ペーストを、５０〜２００℃で乾燥した
ーあと、ガラスフリフトがセラミック基板に溶融接合す
る温度（好ましくは５００〜１１００℃、より好ましく
は６００〜９５０℃の範囲）で焼成を行う。焼成後、必
要であるならば、フッ酸を利用して誘電体ペーストの表
面部のみを粗化処理する。この処理は、この発明に必ず
しも必要なものではないが、このように誘電体ペースト
を粗化した上に金属層を形成すれば、いわゆるアンカー
効果によって、セラミック基板と金属層との間の密着性
を向上できるのである。

■　セラミック基板の残されたスルホール内壁面および
基板表面に、回路パターン状の導体層を形成する。導体
層は化学めっき、蒸着、スパッタリングおよびイオンプ
レーティング法の中から選ばれたいずれか１つの方法に
よって行うことにより形成される。

化学めっきは、公知のセンシタイジングーアクチベーシ
ョン法を用いて、セラミック基板表面に金属パラジウム
を析出させて表面を活性化し、つぎに、化学銅または化
学ニッケルめっき浴に前記セラミック基板を浸漬し、銅
またはニッケルの金属層を形成させることにより行う。

蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティングな
どの気相法も通常の方法で金属層を形成させるために利
用できる。また、前記気相法では、セラミック基板との
密着力を増すため、第１工程でＣｒまたはＴｉの金属層
を形成し、その上に第２工程として銅またはニッケルの
金属層を形成させる方法と、４００℃程度に加熱された
粗化法のセラミック基板上に第１工程でＣｒまたはＴｉ
の金属層を形成し、その上に第２工程として銅またはニ
ッケルの金属層を形成させる方法と、４００℃程度に加
熱された粗化法のセラミック基板上に第１工程でＣｒま
たはＴｉの金属層を形成し、その上に第２工程として銅
またはニッケルの金属層を形成させる方法とがある。

■　以上のようにして金属層を形成した後、必要に応じ
て電解めっきを行なう。前記化学めっきあるいは気相法
では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成できないので、
必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化学めっきま
たは気相法により金属層を形成させた後、この電解めっ
きによって銅あるいはニッケル層を形成すればよい。

■　必要に応じ、エツチングによる回路形成を行う。す
なわち、いわゆるフルアディティブ法のように、回路パ
ターン状に化学めっき、気相法またはその上への電解め
っきを行って、直ちに必要な回路が形成される場合もあ
るが、いわゆるセミアディティブ法のように、まず基板
の全面にめっき等を施す場合は、エツチングによる回路
形成を行うのである。回路形成法は一般に用いられてい
る方法による。第２図は本発明の一実施例によって製造
を行ったセラミック配線基板の横断面を示した図である
。この方法によると、従来世の中になかった配線抵抗の
小さい卑金属導体により、線幅、線間隔３０μｍという
微細パターン等形成することも可能である。

次に、メタライジング法が導体ペーストを印刷し、焼成
する方法である場合について、この発明を説明する。

第１図に示すセラミック基板において、回路に使用しな
い孔を充填材料を用いて孔埋めし、この基板の残された
スルホール内壁面および基板表面に、導体ペーストを用
いて回路パターンを形成する。孔埋めの充填材料として
はＡｌ１ｚＯｓおよびガラス等の微粉末からなる誘電体
ペーストを用いるのが好ましい０回路パターンの形成に
は、導体ペーストとして、金属等の微粉末を有機系ビヒ
クルと混合してペースト化したもの等、通常この用途に
用いられているものを使用する。前記誘電体ペーストを
用いた孔埋めおよび回路パターンの形成は、スクリーン
マスクを介して真空吸引を実施しながら印刷により行う
。所定の回路を印刷したあと、この基板を乾燥し、同時
に一括焼成する。

乾燥、焼成の条件については特に限定されないが、たと
えば、次のような条件が一般的である。すなわち、前記
誘電体ペースト、導体ペーストを充填または印刷した後
、５０〜２００℃で乾燥し、つぎにガラスフリットがセ
ラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは５００〜
１１００℃、より好ましくは６００〜９５０℃の範囲）
で一括焼成を行い、回路基板の導体層を形成する。この
方法では、必ずしもベースとなるセラミック基板を充填
材料を用いて孔埋めする必要はないが、孔埋めを行なう
ことにより抵抗体の印刷および導体のクロスオーバーな
どの配線等が可能となり、受動素子の高密度な実装およ
び配線に適するようになる。

以上のように、この発明のセラミック配線基板の製法で
は、好ましくは格子状のスルホールを半硬化なグリーン
シートに金型でプレスすることにより形成し、回路形成
のベースとなる焼結セラミック基板を形成し、そのうち
、回路に使用しないスルホールは充填材料を用いて孔埋
めし、残されたスルホールおよび基板面に導体層を形成
させることで導体回路を作成しており、その結果として
、配線回路が異なるごとに専用のスルホール形成用の金
型を作成する必要がなくなり、汎用性のあるセラミック
基板として在庫しておくことができ、従来の方法に（ら
ぺて、開発期間が飛層的に短くなり、コストの安いセラ
ミック基板を製造することができる。また、レーザを用
いて孔あけ加工する場合に比べて生産効率も高く量産に
も適している。

つぎに、この発明の実施例について説明する。

〔実施例１〕Ａｉｔ　０３粉末を９２重量部、これに焼結助剤として
ＳｉＯｔｓＣａＯｓＭｇ○等を８重量部配合した組成物
に対し、１５重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）を添
加、混合してグリーンシートを作成し、乾燥して半硬化
状にした後、孔径０．３鶴φ、２．５４ｍｍ（１００ミ
ル）ピッチの基本格子になるように金型で打抜き加工し
て多数のスルホールを形成した。つぎにこれを空気中で
１６００℃の条件で焼成し、ベース基板を作り、リン酸
によってその表面を粗化処理した。

このベース基板のうち、回路に使用しない孔は、ＡＪ！
　Ｃｈ粉末を３０重量部、これニＳ　ｔ　Ｏｚ、Ｃａｂ
、Ｂｚ　０３　、ＭｇＯ等７０重量部、配合した組成物
に対し４０重量部の有機物系ビヒクルを添加、混合した
誘電体ペーストを用いて、真空吸引を実施しながら、ス
クリーン印刷により孔埋めを行った。１５０℃で乾燥後
、空気中において８５０℃で焼成を行った。焼成後、フ
ン酸によって誘電体ペーストの表面部のみを粗化処理を
行い、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成し、
エツチングにより回路を形成した。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
くらべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高
（、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高
いセラミック配線基板を製造することができる。

〔実施例２〕ＡＩ！、Ｏ，粉末を９０重量部、これに焼結助剤として
Ｓ　Ｉ　Ｏｚ　、Ｃａ　ＯｌＢ、Ｏ，、ＭｇＯ等１０重
量部、配合した組成物に対し１０重量部の有機物（結合
剤、可塑剤等）を添加、混合し、成形して得たグリーン
シートを、乾燥して半硬化状にした後、孔径０．４　ｖ
ａ　φ、２．５４ｍ　（１００ミ）Ｌｔ）ピッチの基本
格子になるように金型で打抜き加工し、スルホールを形
成した。このスルホールを設けたグリーンシートを空気
中で１６００℃の条件で焼成し、ベース基板を作り、リ
ン酸によってその表面を粗化処理した。

このベース基板のうち、回路に使用しない孔は、ディス
ペンサを利用してスルホール内に、Ａｌ２Ｏ、およびホ
ウケイ酸ガラスの微粉末からなる誘電体ペーストを充填
し、１５０”Ｃで乾燥後、空気中において８５０℃で焼
成を行った。焼成後、フッ酸によって誘電体ペーストの
表面部のみを粗化処理し、化学めっきによって厚み５μ
ｍの銅層を形成し、エツチングにより回路を形成した。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
くらべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高
く、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高
いセラミック配線基板を製造することができるようにな
った。

〔実施例３〕Ａｌ！０３粉末を９６重量部、これに焼結助剤としてＳ
ｉＯ２、ＣａＯｌＭｇＯ等を４重量部、配合した組成物
に対し１２重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）を添加
、混合し、成形して得たグリーンシートを使用し、回路
に使用しない孔は、孔径に合わせて、棒状もしくは球状
に形成した充填材料を、プレスにより機械的に挿入して
孔埋めし、それ以外は、実施例１と同様にしてセラミッ
ク基板を得た。

このセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造方
法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作成
する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性があ
る基板として在庫しておくことができ、従来の方法にく
らべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く
、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミック配線基板を製造することができるようになっ
た。

〔実施例４〕ＡＩｌ、０３粉末を９６重量部、これに焼結助剤として
ＳｉＯ，、ＣａＯｌＭｇＯ等を１０重量部、配合した組
成物に対し１０重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）を
添加、混合したグリーンシートを、乾燥して半硬化状に
した後、孔径０．５　ｗφ、２．５４ｔｍ　（１００ミ
ル）ピッチの基本格子になるように金型でプレスしてス
ルホールを形成した。このスルホールを配設したグリー
ンシートを空気中で、１６００℃の条件で焼成し、ベー
ス基板を作り、リン酸によってその表面を粗化処理した
。

このベース基板のうち、回路に使用しない孔は、Ａ１！
０．およびホウケイ酸ガラスの微粉末からなる誘電体ペ
ーストを用いて、真空吸引を実施しながら、スクリーン
印刷により孔埋めを行った、１５０℃で乾燥後、空気中
において９００℃で焼成を行った。焼成後、粗面化した
セラミック基板を４００℃に加熱し、スパッタリング法
で、金属銅を形成した。さらに、電解銅めっきにより金
属銅の厚みを３５μｍに調整した。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
くらべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高
く量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミック配線基板を製造することができるようになっ
た。

〔実施例５〕ＡｌｚＯｉ粉末を９２重量部、これに焼結助剤としてＳ
　ｉｏｚ　５Ｃａｂｓ　ＭｇＯ等を８重量部、配合した
組成物に対し１４重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）
を添加、混合し、成形して得たグリーンシートを使用す
る点、化学めっきによって５μｍの銅層を形成した後、
電解めっきによって２５μｍの銅層を形成した点におい
て異なる他は、実施例２と同様にして、セラミック配線
基板を得た。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
くらべて開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く
、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミック配線基板を製造することができた。

〔実施例６〕Ａｌｔｏｓ粉末を９２重量部、これに焼結助剤としてＳ
ｉｎｇ　ＳＣａｂＳＭｇＯ等を８重量部、配合した組成
物に対し、１４重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）を
添加、混合し、成形して得たグリーンシートを使用し、
乾燥して半硬化状にした後、孔径０．３鶴φ、２．５４
ｍ（１００ミル）ピッチの基本格子になるように金型で
打抜き加工してスルホールを形成した。このスルホール
を設けたグリーンシートを空気中で１６００℃の条件で
焼成し、ベース基板を作った。

このベース基板のうち、回路に使用しない孔は、充填材
料を用いて孔埋めし、残されたスルホールの内壁面およ
び基板表面に導体ペーストを用いて回路パターンを形成
した。孔埋め用の充填材料としてはＡｌｚＯ：＋および
ガラス等の微粉末からなる誘電体ペーストを用いた。導
体ペーストとしては、金属銅等の微粉末を有機系ビヒク
ルと混合してペースト化したものを使用した。孔埋めお
よび回路パターンの形成は、スクリーンマスクを介して
真空吸引を実施しながら、印刷により行った。１５０℃
で乾燥後、Ｎ２雰囲気中において９００℃で一括焼成を
行い、回路を形成した。

上記セラミック配線基板の製法によれば、従来の製造方
法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作成
する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性があ
る基板として在庫しておくことができ、従来の方法にく
らべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く
、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミック配線基板を製造することができるようになっ
た。

〔実施例７〕Ａ　ｌ　ｚ　Ｏｓ粉末を９０重量部、これに焼結助剤と
してＳ　ｉｏｚ　、Ｃａｂ、ＭｇＯ等を１０重量部、配
合した組成物に対し、１０重量部の有機物（結合剤、可
塑剤等）を添加、混合し、成形して得たグリーンシート
を使用し、乾燥して半硬化状にした後、孔径０．３　ｔ
＊φ、２．５４寵（１００ミル）ピッチの基本格子にな
るように金型で打抜き加工してスルホールを形成し、そ
れ以外は実施例６と同様にしてセラミック配線基板を得
た。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫してお（ことができ、従来の方法に
くらべて開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く
、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミツク配線基板を製造することができた。

〔実施例８〕Ａｌ１ｔＯｓ粉末を９４重量部、これに焼結助剤として
Ｓ　ｉ　Ｏｚ　、Ｃａ　０１Ｍｇ○等を６重量部、配合
した組成物に対し、１２重量部の有機物（結合剤、可塑
剤等）を添加、混合し、成形して得たグリーンシートを
使用したこと、導体ペーストとして、Ａｕの微粉末を有
機系ビヒクルと混合してペースト化したものを用いたこ
と、回路パターンを印刷後１５０℃で乾燥し、ついで空
気中において８５０℃で、誘電体ペーストと一括焼成を
行ったことのほかは、実施例６と同様にして、セラミッ
ク配線基板を得た。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
比べて開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く、
量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高いセ
ラミック配線基板を製造することができた。

〔実施例９〕Ａｌｔ　０３粉末を９６重量部、これに焼結助剤とし７
ＳｉＯｚ　、ＣａｂＳＭｇＯ等を４重量部、配合した組
成物に対し、１２重量部の有機物（結合剤、可塑剤等）
を添加、混合し、成形して得たグリーンシートを使用し
、誘電体ペースト、導体ペーストを付けた後の乾燥を１
２０℃で行い、ついでＮ：雰囲気中で８００℃で一括焼
成した以外は実施例６と同様にしてセラミック配線基板
を得た。

上記セラミック配線基板の製法によれば、従来の製造方
法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作成
する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性があ
る基板として在庫しておくことができ、従来の方法にく
らべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高く
、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高い
セラミック配線基板を製造することができた。

〔実施例１０〕Ａ１ｔｏ３粉末を９６重量部、これに焼結助剤としてＳ
　ｉＯｔ　％　Ｃａ　ＯＳＭ　ｇ　Ｏ等を６重量部、配
合した組成物に対し、１６重置部の有機物（結合剤、可
塑剤等）を添加、混合し、成形して得たグリーンシート
を使用し、導体ペーストとしては、市販のＡｇ−Ｐｄペ
ースト（Ｄｕｐｏｎ社＝６５０２）を用いた以外は、実
施例７と同様にして、セラミック配線基板を得た。

上記のセラミック配線基板の製法によれば、従来の製造
方法に比べて、配線回路が異なるごとに専用の金型を作
成する必要がなくなり、得られたベース基板は汎用性が
ある基板として在庫しておくことができ、従来の方法に
くらべて、開発期間が飛躍的に短くなり、生産効率も高
く、量産にも適しており、コストも安く、寸法精度の高
いセラミック配線基板を製造することができた。

〔発明の効果〕

この発明のセラミック配線基板の製法は、多数のスルホ
ールを、略均一な分散密度でグリーンシートに形成し、
ついで焼成してベース基板を作成し、つぎに回路形成に
必要なスルホールを残して、その他のスルホールは花壇
めした後、残されたスルホール内壁面および基板表面に
回路形成に必要な導体層を形成することを特徴とるする
ので、その結果として、配線回路が異なるごとに専用の
金型を作成する必要がないので、従来の方法に比べて開
発期間が飛躍的に短く、汎用性があるセラミック基板を
安価に量産することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明実施例に係る格子状にスルホールを配
設したグリーンシートの上面図、第２図は第１図に示し
たグリーンシートを用いて製造したセラミック配線基板
の断面図である。１・・・・・・グリーンシート２・・・・・・スルホール３・・・・・・充填された孔４・・・・・・セラミック基板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）セラミック配線基板の製法において、多数のスル
ホールを、略均一な分散密度でグリーンシートに形成し
、ついで焼成してベース基板を作成し、つぎに回路形成
に必要なスルホールを残して、その他のスルホールは孔
埋めした後、残されたスルホール内壁面および基板表面
に回路形成に必要な導体層を形成することを特徴とるす
るセラミック配線基板の製法。
（２）半硬化状のセラミック・グリーンシートにスルホ
ールを、金型で打ち抜き加工することにより、かつ格子
状に形成した後、加熱焼成してベースとなるセラミック
基板を形成し、そのうち回路形成に使用しないスルホー
ルを充填材料を用いて孔埋めした後、残されたスルホー
ル内壁面および基板表面に、メタライジング法によって
回路形成に必要な導体層を形成することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のセラミック配線基板の製法。
（３）スルホールの充填材料としてＡｌ＿２Ｏ＿３およ
びガラス等の微粉末からなる誘電体ペーストを充填する
こと、および充填の後加熱焼成して孔埋めすることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載のセラミック配線基
板の製法。
（４）メタライジング法が化学めっき法、蒸着法、スパ
ッタリング法およびイオンプレーティング法からなる群
の中から選ばれた１つの方法である特許請求の範囲第２
項または第３項記載のセラミック配線基板の製法。
（５）メタライジング法が、化学めっき法、蒸着法、ス
パッタリング法およびイオンプレーティング法からなる
群の中から選ばれた１つの方法により導体層を形成した
後、さらに電解めっきを行う方法である特許請求の範囲
第２項または第３項記載のセラミック配線基板の製法。
（６）回路に使用しないスルホールを孔埋めする前に、
セラミックス基板の表面をリン酸を用いて粗化しておく
特許請求の範囲第２項から第５項までのいずれかに記載
のセラミック配線基板の製法。
（７）スルホール内の充填材料を焼結させたあと、この
充填材料の表面部をフッ酸を用いて粗化しておく特許請
求の範囲第２項から第６項までのいずれかに記載のセラ
ミックス配線基板の製法。
（８）メタライジング法が、導体ペーストを印刷した後
、スルホールの充填材料と同時に一括焼成することによ
りスルホールおよび回路パターンを形成する方法である
特許請求の範囲第２項または第３項記載のセラミック配
線基板の製法。