JPH09221375A - セラミックス基板及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09221375A JPH09221375A JP2670396A JP2670396A JPH09221375A JP H09221375 A JPH09221375 A JP H09221375A JP 2670396 A JP2670396 A JP 2670396A JP 2670396 A JP2670396 A JP 2670396A JP H09221375 A JPH09221375 A JP H09221375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass
- ceramic substrate
- paste
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層配線基板において、結晶化ガラスを基板
材料として用いると、表面導体層の基板との密着性が小
さくなる。他方、表面導体層中にガラスを含有させる
と、基板との密着性は確保されるが、Ｎｉメッキ被膜の
被着性が劣るようになる。そこで、表面導体層と基板と
の間にガラス層を介在させると、前記問題は解決される
が、前記２層の収縮率の違いにより基板に反りが発生し
易く、内部導体層と表面導体層との接続が不良になる場
合もある。 【解決手段】 ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属）とアルミナと
コーディエライト結晶とからなるセラミックス基板層
と、このセラミックス基板の上に形成され、ＣａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスとアル
ミナとを含んで構成された下地膜と、この下地膜の上に
形成された表面導体層とからなるセラミックス基板とす
る。
材料として用いると、表面導体層の基板との密着性が小
さくなる。他方、表面導体層中にガラスを含有させる
と、基板との密着性は確保されるが、Ｎｉメッキ被膜の
被着性が劣るようになる。そこで、表面導体層と基板と
の間にガラス層を介在させると、前記問題は解決される
が、前記２層の収縮率の違いにより基板に反りが発生し
易く、内部導体層と表面導体層との接続が不良になる場
合もある。 【解決手段】 ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（Ｒはアルカリ金属）とアルミナと
コーディエライト結晶とからなるセラミックス基板層
と、このセラミックス基板の上に形成され、ＣａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスとアル
ミナとを含んで構成された下地膜と、この下地膜の上に
形成された表面導体層とからなるセラミックス基板とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミックス基板及
びその製造方法に関し、より詳細には低抵抗配線である
Ａｇ導体層等の内層化が可能な、ＬＳＩ等の電子部品を
搭載する低温焼成セラミックス基板及びその製造方法に
関する。
びその製造方法に関し、より詳細には低抵抗配線である
Ａｇ導体層等の内層化が可能な、ＬＳＩ等の電子部品を
搭載する低温焼成セラミックス基板及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から汎用されているアルミナ多層配
線基板は焼成温度が１５５０℃前後と高温であるため、
内層導体に融点の高いＷやＭｏ等を用いる必要がある。
これらＷやＭｏは比抵抗が大きいため、前記多層配線基
板内における信号の伝送損失が大きくなる。また、アル
ミナの比誘電率（εr ）は、通常、８〜１０と大きいこ
とから、信号遅延も大きくなる。最近の電子機器におけ
る信号処理の高速化にともない、多層配線基板内におい
て生じる信号の伝送損失や信号遅延が大きな問題となっ
てきており、伝送損失や信号遅延が小さい多層配線基板
が求めらるようになってきている。
線基板は焼成温度が１５５０℃前後と高温であるため、
内層導体に融点の高いＷやＭｏ等を用いる必要がある。
これらＷやＭｏは比抵抗が大きいため、前記多層配線基
板内における信号の伝送損失が大きくなる。また、アル
ミナの比誘電率（εr ）は、通常、８〜１０と大きいこ
とから、信号遅延も大きくなる。最近の電子機器におけ
る信号処理の高速化にともない、多層配線基板内におい
て生じる信号の伝送損失や信号遅延が大きな問題となっ
てきており、伝送損失や信号遅延が小さい多層配線基板
が求めらるようになってきている。
【０００３】このような背景から、近年、低温で軟化焼
結するガラスをその成分とするガラスセラミックス多層
配線基板が注目され、その開発が進められている。前記
ガラスセラミックス多層配線基板が注目されているの
は、ガラス組成を選定すること、特にガラス材料の軟化
点を下げる効果のあるＢ2 Ｏ3 を含有させた組成とする
ことにより、９５０℃以下の焼成温度で緻密化したガラ
スセラミックス多層配線基板を製造することができ、比
抵抗の小さいＡｇ導体を内層導体として使用することが
可能となるからである。また、多層配線基板の組成を比
誘電率が小さいＳｉＯ2 成分を含むホウケイ酸系ガラス
組成とすることにより、多層基板の比誘電率を５．０〜
７．０程度に下げて信号遅延を小さくすることができ
る。
結するガラスをその成分とするガラスセラミックス多層
配線基板が注目され、その開発が進められている。前記
ガラスセラミックス多層配線基板が注目されているの
は、ガラス組成を選定すること、特にガラス材料の軟化
点を下げる効果のあるＢ2 Ｏ3 を含有させた組成とする
ことにより、９５０℃以下の焼成温度で緻密化したガラ
スセラミックス多層配線基板を製造することができ、比
抵抗の小さいＡｇ導体を内層導体として使用することが
可能となるからである。また、多層配線基板の組成を比
誘電率が小さいＳｉＯ2 成分を含むホウケイ酸系ガラス
組成とすることにより、多層基板の比誘電率を５．０〜
７．０程度に下げて信号遅延を小さくすることができ
る。
【０００４】ガラスセラミックス多層配線基板はこのよ
うに電気特性に優れる反面、抗折強度が小さく、マザー
ボード等との接続部分に応力が加わると前記多層配線基
板自身が破壊する場合があり、マザーボード等との接続
信頼性に劣るという問題点があった。前記問題点の解決
手段として、焼成中における成形性保持のためにガラス
粉末とともに添加するアルミナ、ジルコニア等の結晶質
粉末の量を多くし、前記多層配線基板の高強度化を図る
ことも提案されているが、これら結晶質粉末は比誘電率
が大きいため、前記多層配線基板の信号遅延の問題が改
善されない。また、結晶質粉末の添加量が多すぎるとち
密化が困難となり、逆に強度が低下する問題が生じる。
うに電気特性に優れる反面、抗折強度が小さく、マザー
ボード等との接続部分に応力が加わると前記多層配線基
板自身が破壊する場合があり、マザーボード等との接続
信頼性に劣るという問題点があった。前記問題点の解決
手段として、焼成中における成形性保持のためにガラス
粉末とともに添加するアルミナ、ジルコニア等の結晶質
粉末の量を多くし、前記多層配線基板の高強度化を図る
ことも提案されているが、これら結晶質粉末は比誘電率
が大きいため、前記多層配線基板の信号遅延の問題が改
善されない。また、結晶質粉末の添加量が多すぎるとち
密化が困難となり、逆に強度が低下する問題が生じる。
【０００５】良好な電気特性が維持され、かつ高強度化
された多層配線基板を実現するために、焼成前はガラス
の状態で、軟化、焼結後に結晶化して結晶化ガラスとな
るものを基板材料に選定したものが提案されている。こ
のような結晶化ガラスからなるガラスセラミックス基板
の製造方法として、特開平７−３３５１５号公報には、
ＭｇＯが１０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ
％、ＳｉＯ2 が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２
０ｗｔ％、及びアルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ
2 Ｏ≦５ｗｔ％の組成のガラス粉末を用い、前記ガラス
粉末に結晶質粉末としてアルミナを０〜４０ｗｔ％、コ
ーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）を
０．１〜２０ｗｔ％を添加し、合計で１００ｗｔ％とし
た混合粉末を原料粉末としてガラスセラミックス基板を
製造する方法が開示されている。前記ガラスセラミック
ス基板の製造方法においては、出発原料に予めコーディ
エライトが添加されているため、これが種結晶となり、
焼成時にガラスの２０〜６０ｗｔ％が低誘電率のコーデ
ィエライト結晶として析出する。従って、基本的には焼
成によりこのようなコーディエライト結晶が析出する組
み合わせのガラス粉末及び結晶粉末を原料として使用す
ることができる。
された多層配線基板を実現するために、焼成前はガラス
の状態で、軟化、焼結後に結晶化して結晶化ガラスとな
るものを基板材料に選定したものが提案されている。こ
のような結晶化ガラスからなるガラスセラミックス基板
の製造方法として、特開平７−３３５１５号公報には、
ＭｇＯが１０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ
％、ＳｉＯ2 が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２
０ｗｔ％、及びアルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ
2 Ｏ≦５ｗｔ％の組成のガラス粉末を用い、前記ガラス
粉末に結晶質粉末としてアルミナを０〜４０ｗｔ％、コ
ーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）を
０．１〜２０ｗｔ％を添加し、合計で１００ｗｔ％とし
た混合粉末を原料粉末としてガラスセラミックス基板を
製造する方法が開示されている。前記ガラスセラミック
ス基板の製造方法においては、出発原料に予めコーディ
エライトが添加されているため、これが種結晶となり、
焼成時にガラスの２０〜６０ｗｔ％が低誘電率のコーデ
ィエライト結晶として析出する。従って、基本的には焼
成によりこのようなコーディエライト結晶が析出する組
み合わせのガラス粉末及び結晶粉末を原料として使用す
ることができる。
【０００６】また多層配線基板には、その表面に種々の
役割を有する表面導体層パターンが形成されるが、例え
ば外部接続ピンを固着するために形成される表面導体層
パターンには、接続信頼性を確保するために多層配線基
板との十分な密着強度を有することが要求される。ま
た、外部接続材として用いられるハンダと表面導体層と
の濡れ性を改善するため、及びハンダと表面導体層との
反応を防止するため、表面導体層パターンの表面には、
通常Ｎｉメッキ被膜が形成され、メッキ処理により表面
導体層表面にＮｉメッキ被膜が均一に形成される必要が
ある。
役割を有する表面導体層パターンが形成されるが、例え
ば外部接続ピンを固着するために形成される表面導体層
パターンには、接続信頼性を確保するために多層配線基
板との十分な密着強度を有することが要求される。ま
た、外部接続材として用いられるハンダと表面導体層と
の濡れ性を改善するため、及びハンダと表面導体層との
反応を防止するため、表面導体層パターンの表面には、
通常Ｎｉメッキ被膜が形成され、メッキ処理により表面
導体層表面にＮｉメッキ被膜が均一に形成される必要が
ある。
【０００７】通常、ガラスセラミックス多層配線基板を
使用した場合には、焼成時にガラスセラミックス多層配
線基板上に形成された表面導体層中にガラスの浮き上が
り、すなわちスパイクが形成され、このスパイクのアン
カー効果によりガラスセラミックス多層配線基板と表面
導体層との密着性が確保される。しかしながら、前記公
報に開示されているような結晶化ガラスからなるガラス
セラミックス多層配線基板の場合、焼成中にガラスセラ
ミックス多層配線基板の結晶化が非常に速く進行し、表
面導体層中へガラスが浮き上がる以前に結晶化が進むた
めスパイクが形成されず、密着強度が低くなるという問
題点を有する。
使用した場合には、焼成時にガラスセラミックス多層配
線基板上に形成された表面導体層中にガラスの浮き上が
り、すなわちスパイクが形成され、このスパイクのアン
カー効果によりガラスセラミックス多層配線基板と表面
導体層との密着性が確保される。しかしながら、前記公
報に開示されているような結晶化ガラスからなるガラス
セラミックス多層配線基板の場合、焼成中にガラスセラ
ミックス多層配線基板の結晶化が非常に速く進行し、表
面導体層中へガラスが浮き上がる以前に結晶化が進むた
めスパイクが形成されず、密着強度が低くなるという問
題点を有する。
【０００８】そこで、ガラスセラミックス多層配線基板
との密着性を改善するため、ガラス粉末を添加した導体
ペーストを用い、焼成時に導体ペーストに含まれるガラ
スを軟化させることにより下地のガラスセラミックス多
層配線基板上にスパイクを形成する方法も考えられる。
この場合には、表面導体層中に前記ガラスによるスパイ
クが形成され、ガラスセラミックス多層配線基板と表面
導体層との密着強度は向上するが、その一方で表面導体
層表面にガラス成分が多量に残るため、メッキ処理を行
った場合には表面導体層パターン上にＮｉメッキ被膜が
均一に形成されないという問題点があった。
との密着性を改善するため、ガラス粉末を添加した導体
ペーストを用い、焼成時に導体ペーストに含まれるガラ
スを軟化させることにより下地のガラスセラミックス多
層配線基板上にスパイクを形成する方法も考えられる。
この場合には、表面導体層中に前記ガラスによるスパイ
クが形成され、ガラスセラミックス多層配線基板と表面
導体層との密着強度は向上するが、その一方で表面導体
層表面にガラス成分が多量に残るため、メッキ処理を行
った場合には表面導体層パターン上にＮｉメッキ被膜が
均一に形成されないという問題点があった。
【０００９】このようなガラスセラミックスからなる多
層配線基板の表面導体層に関する問題点を解決するた
め、特開平６−２３７０８１号公報には、以下に説明す
るようなセラミックス多層配線基板の製造方法が開示さ
れている。
層配線基板の表面導体層に関する問題点を解決するた
め、特開平６−２３７０８１号公報には、以下に説明す
るようなセラミックス多層配線基板の製造方法が開示さ
れている。
【００１０】図２（ａ）〜（ｄ）は、前記公報に開示さ
れているセラミックス多層配線基板の各製造工程を模式
的に示した断面図である。
れているセラミックス多層配線基板の各製造工程を模式
的に示した断面図である。
【００１１】まず、図２には図示していないが、ガラス
粉末とアルミナ等のセラミックス粉末とを配合し、バイ
ンダ、溶剤、可塑剤等を添加して混合することによりス
ラリを調製し、このスラリを用いてドクターブレード法
等によりグリーンシートを作製する。
粉末とアルミナ等のセラミックス粉末とを配合し、バイ
ンダ、溶剤、可塑剤等を添加して混合することによりス
ラリを調製し、このスラリを用いてドクターブレード法
等によりグリーンシートを作製する。
【００１２】次に、グリーンシートを所定のサイズに切
断し、それぞれの積層部分の形状等に応じてパンチング
等の加工処理を施した後、Ａｇを主成分とする導体ペー
ストを用いてグリーンシート表面に所定パターンの導体
ペースト層を形成し、ビアホールに導体ペーストを充填
する。
断し、それぞれの積層部分の形状等に応じてパンチング
等の加工処理を施した後、Ａｇを主成分とする導体ペー
ストを用いてグリーンシート表面に所定パターンの導体
ペースト層を形成し、ビアホールに導体ペーストを充填
する。
【００１３】次に、図２（ａ）に示したように、その表
面に導体ペースト層１３が形成され、ビアホールに導体
ペースト充填層１５が形成されたグリーンシート１１を
積層、熱圧着させてグリーンシート積層体３６を形成す
る。
面に導体ペースト層１３が形成され、ビアホールに導体
ペースト充填層１５が形成されたグリーンシート１１を
積層、熱圧着させてグリーンシート積層体３６を形成す
る。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示したように、このグ
リーンシート積層体３６の両面にガラスペーストを用
い、所定パターンのガラスペースト層３２を形成する。
このとき、グリーンシート積層体３６の導体ペースト充
填層１５が表面に露出した部分にはガラスペースト層３
２が形成されないように、すなわちビアホール１４が形
成されるようにガラスペースト層３２を形成し、乾燥さ
せる。
リーンシート積層体３６の両面にガラスペーストを用
い、所定パターンのガラスペースト層３２を形成する。
このとき、グリーンシート積層体３６の導体ペースト充
填層１５が表面に露出した部分にはガラスペースト層３
２が形成されないように、すなわちビアホール１４が形
成されるようにガラスペースト層３２を形成し、乾燥さ
せる。
【００１５】次に、図２（ｃ）に示したように、ガラス
ペースト層３２の上に導体ペーストを用いて導体ペース
ト層１３を形成し、乾燥させる。
ペースト層３２の上に導体ペーストを用いて導体ペース
ト層１３を形成し、乾燥させる。
【００１６】前記工程の後、空気中で脱脂、焼成するこ
とにより、図２（ｄ）に示したように、ガラスセラミッ
クス層４０の内部に内部導体層２２及びビア導体層２３
が形成され、他方ガラスセラミックス層４０の両面にガ
ラス層３８が形成され、さらにガラス層３８の上に表面
導体層２１が形成されたセラミックス多層配線基板が完
成する。
とにより、図２（ｄ）に示したように、ガラスセラミッ
クス層４０の内部に内部導体層２２及びビア導体層２３
が形成され、他方ガラスセラミックス層４０の両面にガ
ラス層３８が形成され、さらにガラス層３８の上に表面
導体層２１が形成されたセラミックス多層配線基板が完
成する。
【００１７】前記方法によれば、焼成時にガラスペース
ト層３２中のガラスが軟化し、ガラスセラミックス層４
０側と表面導体層２１側の両方に浸透する。そのため、
ガラスセラミックス層４０と表面導体層２１とはこのガ
ラス層３８により接着され、表面導体層２１はガラスセ
ラミックス層４０に対して良好な密着性を示すことにな
る。また、表面導体層２１自体にはガラスは混入されて
おらず、ガラス層３８からのガラスは表面導体層２１の
表面までは殆ど到達しないため、表面導体層２１の表面
はガラスが少なく、均一にＮｉメッキ被膜が形成され
る。
ト層３２中のガラスが軟化し、ガラスセラミックス層４
０側と表面導体層２１側の両方に浸透する。そのため、
ガラスセラミックス層４０と表面導体層２１とはこのガ
ラス層３８により接着され、表面導体層２１はガラスセ
ラミックス層４０に対して良好な密着性を示すことにな
る。また、表面導体層２１自体にはガラスは混入されて
おらず、ガラス層３８からのガラスは表面導体層２１の
表面までは殆ど到達しないため、表面導体層２１の表面
はガラスが少なく、均一にＮｉメッキ被膜が形成され
る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記方
法の図２（ｂ）に示した工程におけるガラスペースト印
刷用スクリーンのパターン位置精度や、印刷機の位置合
わせ精度が十分ではないことから、微細なパターンを印
刷する場合、グリーンシート積層体３６表面の導体ペー
スト充填層１５露出部にガラスペースト層３２が形成さ
れたり、導体ペースト充填層１５露出部の近傍にガラス
ペースト層３２が形成されない部分が生じ、焼結後に内
部導体層２２と表面導体層２１との接続が不良になる場
合が生ずるという課題があった。
法の図２（ｂ）に示した工程におけるガラスペースト印
刷用スクリーンのパターン位置精度や、印刷機の位置合
わせ精度が十分ではないことから、微細なパターンを印
刷する場合、グリーンシート積層体３６表面の導体ペー
スト充填層１５露出部にガラスペースト層３２が形成さ
れたり、導体ペースト充填層１５露出部の近傍にガラス
ペースト層３２が形成されない部分が生じ、焼結後に内
部導体層２２と表面導体層２１との接続が不良になる場
合が生ずるという課題があった。
【００１９】また、前記方法に使用されているガラスペ
ースト中の固形分がガラス粉末のみからなるため、焼成
による収縮が大きく、またガラス組成を変えるのみでは
ガラスの収縮率とグリーンシートの収縮率と合わせるこ
とが困難であるため、焼成後のセラミックス多層配線基
板に反りが発生するという課題があった。
ースト中の固形分がガラス粉末のみからなるため、焼成
による収縮が大きく、またガラス組成を変えるのみでは
ガラスの収縮率とグリーンシートの収縮率と合わせるこ
とが困難であるため、焼成後のセラミックス多層配線基
板に反りが発生するという課題があった。
【００２０】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、セラミックス基板層との密着強度が大きく、かつＮ
ｉメッキ被膜が形成され得る表面導体層を形成すること
が可能であるとともに、内部導体層と表面導体層との接
続が良好で、反りが発生しない結晶化ガラスを含むセラ
ミックス基板及びその製造方法を提供することを目的と
している。
り、セラミックス基板層との密着強度が大きく、かつＮ
ｉメッキ被膜が形成され得る表面導体層を形成すること
が可能であるとともに、内部導体層と表面導体層との接
続が良好で、反りが発生しない結晶化ガラスを含むセラ
ミックス基板及びその製造方法を提供することを目的と
している。
【００２１】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係るセラミックス基板は、Ｍｇ
Ｏ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス
（ただし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナと、
コーディエライト結晶とからなるセラミックス基板層
と、該セラミックス基板層の上に形成され、ＣａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスと、ア
ルミナとを含んで構成された下地膜と、該下地膜の上に
形成された表面導体層とからなることを特徴としてい
る。
達成するために本発明に係るセラミックス基板は、Ｍｇ
Ｏ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス
（ただし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナと、
コーディエライト結晶とからなるセラミックス基板層
と、該セラミックス基板層の上に形成され、ＣａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスと、ア
ルミナとを含んで構成された下地膜と、該下地膜の上に
形成された表面導体層とからなることを特徴としてい
る。
【００２２】上記セラミックス基板によれば、前記セラ
ミックス基板層と前記表面導体層との間に、ガラス粉末
とアルミナ粉末とから形成され、前記セラミックス基板
層と組成が近似し、セラミックス基板層よりも焼成中で
のガラス結晶化度の低いガラスセラミックス層からなる
前記下地膜が存在している。そのため、該下地膜と前記
セラミックス基板層とは強固に接着しており、また前記
表面導体層と前記下地膜ともアンカー効果により強固に
接着している。従って、前記表面導体層は前記セラミッ
クス基板に対して良好な密着性を示す。さらに、前記表
面導体層の表面にはガラス層が殆ど存在しないため、メ
ッキ処理により前記表面導体層上にメッキ被膜を良好に
形成することができる。
ミックス基板層と前記表面導体層との間に、ガラス粉末
とアルミナ粉末とから形成され、前記セラミックス基板
層と組成が近似し、セラミックス基板層よりも焼成中で
のガラス結晶化度の低いガラスセラミックス層からなる
前記下地膜が存在している。そのため、該下地膜と前記
セラミックス基板層とは強固に接着しており、また前記
表面導体層と前記下地膜ともアンカー効果により強固に
接着している。従って、前記表面導体層は前記セラミッ
クス基板に対して良好な密着性を示す。さらに、前記表
面導体層の表面にはガラス層が殆ど存在しないため、メ
ッキ処理により前記表面導体層上にメッキ被膜を良好に
形成することができる。
【００２３】また、本発明に係るセラミックス基板の製
造方法は、上記セラミックス基板の製造方法であって、
ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガ
ラス（ただし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナ
と、コーディエライト結晶とを含むグリーンシートの上
に、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
又はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ
系ガラスと、アルミナとを含む下地ペーストを印刷し、
さらに、該下地ペーストの上に導体ペーストを印刷した
後、焼成することを特徴としている。
造方法は、上記セラミックス基板の製造方法であって、
ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガ
ラス（ただし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナ
と、コーディエライト結晶とを含むグリーンシートの上
に、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
又はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ
系ガラスと、アルミナとを含む下地ペーストを印刷し、
さらに、該下地ペーストの上に導体ペーストを印刷した
後、焼成することを特徴としている。
【００２４】上記セラミックス基板の製造方法によれ
ば、前記グリーンシートの上に前記下地ペーストを印刷
し、焼成によりセラミックス基板層の上にその組成が近
似したガラスセラミックス層からなる下地膜を形成する
ため、該下地膜と前記セラミックス基板層とを強固に接
着させることができる。また、焼成によりガラス成分を
含む前記下地膜から導体ペーストの焼成により形成され
る表面導体層への浮き上がりを生じさせることができ、
前記浮き上がりにより形成されたスパイクのアンカー効
果により前記表面導体層と前記下地膜とを強固に接着さ
せることができる。従って、前記表面導体層は前記セラ
ミックス基板層に対し、良好な密着性を示す。また、形
成される前記セラミックス基板層と前記下地膜とは、そ
の組成が近似しているため、焼成時の収縮率が余り変わ
らず、製造されるセラミックス基板に反りを生じさせる
ことはない。また、前記表面導体層の表面にはガラス層
が殆ど形成されないため、メッキ処理により前記表面導
体層上にメッキ被膜を良好に形成することができる。
ば、前記グリーンシートの上に前記下地ペーストを印刷
し、焼成によりセラミックス基板層の上にその組成が近
似したガラスセラミックス層からなる下地膜を形成する
ため、該下地膜と前記セラミックス基板層とを強固に接
着させることができる。また、焼成によりガラス成分を
含む前記下地膜から導体ペーストの焼成により形成され
る表面導体層への浮き上がりを生じさせることができ、
前記浮き上がりにより形成されたスパイクのアンカー効
果により前記表面導体層と前記下地膜とを強固に接着さ
せることができる。従って、前記表面導体層は前記セラ
ミックス基板層に対し、良好な密着性を示す。また、形
成される前記セラミックス基板層と前記下地膜とは、そ
の組成が近似しているため、焼成時の収縮率が余り変わ
らず、製造されるセラミックス基板に反りを生じさせる
ことはない。また、前記表面導体層の表面にはガラス層
が殆ど形成されないため、メッキ処理により前記表面導
体層上にメッキ被膜を良好に形成することができる。
【００２５】さらに、前記セラミックス基板の製造方法
において、一枚のグリーンシートに下地ペーストを塗布
した後、その全体にビアホールを形成し、該ビアホール
に導体ペーストを充填した後、他のグリーンシートを積
層する方法をとることにより、表面に微細な導体パター
ンを印刷した場合であっても、内部導体層と表面導体層
の接続が良好なセラミックス基板を製造することができ
る。
において、一枚のグリーンシートに下地ペーストを塗布
した後、その全体にビアホールを形成し、該ビアホール
に導体ペーストを充填した後、他のグリーンシートを積
層する方法をとることにより、表面に微細な導体パター
ンを印刷した場合であっても、内部導体層と表面導体層
の接続が良好なセラミックス基板を製造することができ
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るセラミックス
基板及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて説
明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品には
同一の符号を付すことにする。
基板及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて説
明する。なお、従来例と同一機能を有する構成部品には
同一の符号を付すことにする。
【００２７】図１（ａ）〜（ｆ）は、実施の形態に係る
セラミックス多層配線基板の各製造工程を模式的に示し
た断面図である。
セラミックス多層配線基板の各製造工程を模式的に示し
た断面図である。
【００２８】図１には図示していないが、ＭｇＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2Ｏ系ガラス粉末（た
だし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナ粉末と、
コーディエライト結晶粉末とを配合した粉末に、バイン
ダ、溶剤、可塑剤等を添加して混合することにより、そ
の粘度が１０，０００ｃｐｓ程度のスラリをまず調製
し、このスラリを用いてドクターブレード法等によりグ
リーンシートを作製する。前記ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ
2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス粉末は、ＭｇＯが１
０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ％、ＳｉＯ
2 が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２０ｗｔ％、
及びアルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ2 Ｏ≦５ｗ
ｔ％の組成のものが好ましい。また、固形分中の各化合
物の割合としては、結晶質粉末としてアルミナを０〜４
０ｗｔ％、コーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）を０．１〜２０ｗｔ％含有し、前記ガラス粉末
との合計が１００ｗｔ％とする割合が好ましい。
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2Ｏ系ガラス粉末（た
だし、Ｒはアルカリ金属を示す）と、アルミナ粉末と、
コーディエライト結晶粉末とを配合した粉末に、バイン
ダ、溶剤、可塑剤等を添加して混合することにより、そ
の粘度が１０，０００ｃｐｓ程度のスラリをまず調製
し、このスラリを用いてドクターブレード法等によりグ
リーンシートを作製する。前記ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ
2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス粉末は、ＭｇＯが１
０〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ％、ＳｉＯ
2 が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２０ｗｔ％、
及びアルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ2 Ｏ≦５ｗ
ｔ％の組成のものが好ましい。また、固形分中の各化合
物の割合としては、結晶質粉末としてアルミナを０〜４
０ｗｔ％、コーディエライト（ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）を０．１〜２０ｗｔ％含有し、前記ガラス粉末
との合計が１００ｗｔ％とする割合が好ましい。
【００２９】次に、グリーンシートを所定のサイズに切
断し、前記グリーンシートを積層したときのそれぞれの
積層部分の形状等に応じてパンチング等の加工処理を施
した後、図１（ａ）に示したように、最上層、又は最下
層に相当するグリーンシート１１に下地ペーストを用い
て、所定パターンの下地ペースト層１２を形成し、乾燥
させる。
断し、前記グリーンシートを積層したときのそれぞれの
積層部分の形状等に応じてパンチング等の加工処理を施
した後、図１（ａ）に示したように、最上層、又は最下
層に相当するグリーンシート１１に下地ペーストを用い
て、所定パターンの下地ペースト層１２を形成し、乾燥
させる。
【００３０】前記下地ペースト中の固形分の組成は、焼
成時にセラミックス基板に反りを発生させないため、な
るべくグリーンシート１１の収縮率と合わせるのが好ま
しい。そのため、前記下地ペースト中の固形分の組成
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス、又はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ
2Ｏ系ガラスと、アルミナとを含む組成が好ましい。前
記ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
は、ＣａＯが２５〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜７ｗ
ｔ％、ＳｉＯ2 が５５〜６０ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が８〜１
０ｗｔ％のものが好ましく、前記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスは、ＭｇＯが１０
〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ％、ＳｉＯ2
が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２０ｗｔ％、ア
ルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ2Ｏ≦５のものが
好ましい。またガラスとアルミナとの割合は、前記Ｃａ
Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを使用す
る場合、前記ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラスが４０〜９０ｗｔ％で、アルミナが１０〜６０
ｗｔ％のものが好ましく、前記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスを使用する場合、前
記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2Ｏ系
ガラスが４０〜９０ｗｔ％、アルミナが１０〜６０ｗｔ
％のものが好ましい。前記下地ペーストは、前記した固
形分にバインダ、溶剤等添加して、塗布に適した粘度に
なるように調整する。
成時にセラミックス基板に反りを発生させないため、な
るべくグリーンシート１１の収縮率と合わせるのが好ま
しい。そのため、前記下地ペースト中の固形分の組成
は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラ
ス、又はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ
2Ｏ系ガラスと、アルミナとを含む組成が好ましい。前
記ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス
は、ＣａＯが２５〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜７ｗ
ｔ％、ＳｉＯ2 が５５〜６０ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が８〜１
０ｗｔ％のものが好ましく、前記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスは、ＭｇＯが１０
〜３０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 が５〜２０ｗｔ％、ＳｉＯ2
が４０〜５５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が１０〜２０ｗｔ％、ア
ルカリ金属酸化物（Ｒ2 Ｏ）が０＜Ｒ2Ｏ≦５のものが
好ましい。またガラスとアルミナとの割合は、前記Ｃａ
Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスを使用す
る場合、前記ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラスが４０〜９０ｗｔ％で、アルミナが１０〜６０
ｗｔ％のものが好ましく、前記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスを使用する場合、前
記ＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2Ｏ系
ガラスが４０〜９０ｗｔ％、アルミナが１０〜６０ｗｔ
％のものが好ましい。前記下地ペーストは、前記した固
形分にバインダ、溶剤等添加して、塗布に適した粘度に
なるように調整する。
【００３１】次に、図１（ｂ）に示したように、下地ペ
ースト層１２が形成されたグリーンシート１１にビアホ
ールを形成し、Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄを主成分とする導体
ペーストを用いてビアホールに導体ペーストを充填して
導体ペースト充填層１５を形成する。導体ペーストとし
ては、従来から使用されている公知のものを使用するこ
とができる。このように、グリーンシート１１に下地ペ
ーストを印刷した後、下地ペースト層１２とグリーンシ
ート１１とに一度にビアホールを形成するので、下地ペ
ースト層１２のパターンはベタパターンでよく、簡単に
下地ペースト層１２を形成することができ、焼成後の内
部導体層２２と表面導体層２１との接続も良好に行われ
る。
ースト層１２が形成されたグリーンシート１１にビアホ
ールを形成し、Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄを主成分とする導体
ペーストを用いてビアホールに導体ペーストを充填して
導体ペースト充填層１５を形成する。導体ペーストとし
ては、従来から使用されている公知のものを使用するこ
とができる。このように、グリーンシート１１に下地ペ
ーストを印刷した後、下地ペースト層１２とグリーンシ
ート１１とに一度にビアホールを形成するので、下地ペ
ースト層１２のパターンはベタパターンでよく、簡単に
下地ペースト層１２を形成することができ、焼成後の内
部導体層２２と表面導体層２１との接続も良好に行われ
る。
【００３２】次に、図１（ｃ）に示したように、下地ペ
ースト層１２の上に所定パターンの導体ペースト層１３
を形成する。
ースト層１２の上に所定パターンの導体ペースト層１３
を形成する。
【００３３】一方、図１（ｄ）に示したように、図１
（ａ）〜（ｃ）に示した工程とは別に、グリーンシート
を積層した際の最上層、又は最下層に相当する部分を除
いた各グリーンシート１１表面にＡｇ又はＡｇ−Ｐｄを
主成分とする導体ペーストを用いて所定パターンの導体
ペースト層１３を形成し、ビアホールに導体ペースト充
填層１５を形成し、これらのグリーンシート１１を積層
してグリーンシート積層体１６を形成する。
（ａ）〜（ｃ）に示した工程とは別に、グリーンシート
を積層した際の最上層、又は最下層に相当する部分を除
いた各グリーンシート１１表面にＡｇ又はＡｇ−Ｐｄを
主成分とする導体ペーストを用いて所定パターンの導体
ペースト層１３を形成し、ビアホールに導体ペースト充
填層１５を形成し、これらのグリーンシート１１を積層
してグリーンシート積層体１６を形成する。
【００３４】次に、図１（ｅ）に示したように、グリー
ンシート積層体１６の両面に図１（ｃ）により作製され
た下地ペースト層１２を有するグリーンシート１１を積
層し、熱圧着する。
ンシート積層体１６の両面に図１（ｃ）により作製され
た下地ペースト層１２を有するグリーンシート１１を積
層し、熱圧着する。
【００３５】前記工程の後、空気中、８５０〜９５０℃
で１０分〜１０時間焼成することにより、図１（ｆ）に
示したように、セラミックス基板層２４の内部に内部導
体層２２及びビア導体層２３が形成され、セラミックス
基板層２４の両面に下地膜２５が形成され、下地膜２５
の上に表面導体層２１が形成されたセラミックス多層配
線基板が完成する。
で１０分〜１０時間焼成することにより、図１（ｆ）に
示したように、セラミックス基板層２４の内部に内部導
体層２２及びビア導体層２３が形成され、セラミックス
基板層２４の両面に下地膜２５が形成され、下地膜２５
の上に表面導体層２１が形成されたセラミックス多層配
線基板が完成する。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るセラミックス基
板及びその製造方法の条件及びその結果を説明する。
板及びその製造方法の条件及びその結果を説明する。
【００３７】（１）セラミックス基板の製造条件 (i) グリーンシート１１の作製 ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガ
ラス粉末の組成 ＭｇＯ：１５．６ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１１．７ｗｔ
％、ＳｉＯ2 ：５０．７ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 ：１８．０ｗ
ｔ％、Ｋ2 Ｏ：４．０ｗｔ％ 固形分中の各粉末の組成 結晶化ガラス粉末：７５重量部、アルミナ粉末：２０重
量部、コーディエライト粉末：５重量部 固形分中の粉末の平均粒径：０．５〜５μｍ グリーンシート１１の組成 固形分：６４ｗｔ％、バインダ（アクリル樹脂）：１１
ｗｔ％、溶剤（キシレン）：２５ｗｔ％ (ii)グリーンシート１１上への下地ペースト層１２の形
成 ガラス粉末及び固形分中の各粉末の組成：下記の表１に
示す 下地ペーストの組成 固形分にバインダ（エチルセルロース）及び溶剤（α−
テオピネオール）を適量添加し、ＢＨＴ型粘度計により
１０ｒｐｍ、２５℃で測定して、２０００００ｃｐｓと
なるようにペーストを作成した。 下地ペースト層１２の厚さ：１０μｍ ビアホール１４の直径：１００μｍ (iii) 導体ペースト層１３及び導体ペースト充填層１５
の形成 金属粉末の種類 Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄ（Ａｇ：８０，Ｐｄ：２０（重量
％）） 導体ペーストの組成 固形分にバインダ（エチルセルロース）及び溶剤（α−
テオピネオール）を適量添加し、ＢＨＴ型粘度計により
１０ｒｐｍ、２５℃で測定して、３０００００ｃｐｓと
なるようにペーストを作成した。 導体ペースト層１３の厚さ：２０μｍ 導体ペーストパターン：焼成収縮後に２ｍｍ×２ｍｍの
寸法となる正方形 (iv)焼成 焼成雰囲気：大気雰囲気 焼成条件：９００℃、３０分 (v) 製造されたセラミックス基板の評価 前記セラミックス基板につき、Ｎｉメッキ処理を施した
際のＮｉメッキ被膜の被着性の良否及び表面導体層２１
の密着性について評価を行った。
ラス粉末の組成 ＭｇＯ：１５．６ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１１．７ｗｔ
％、ＳｉＯ2 ：５０．７ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 ：１８．０ｗ
ｔ％、Ｋ2 Ｏ：４．０ｗｔ％ 固形分中の各粉末の組成 結晶化ガラス粉末：７５重量部、アルミナ粉末：２０重
量部、コーディエライト粉末：５重量部 固形分中の粉末の平均粒径：０．５〜５μｍ グリーンシート１１の組成 固形分：６４ｗｔ％、バインダ（アクリル樹脂）：１１
ｗｔ％、溶剤（キシレン）：２５ｗｔ％ (ii)グリーンシート１１上への下地ペースト層１２の形
成 ガラス粉末及び固形分中の各粉末の組成：下記の表１に
示す 下地ペーストの組成 固形分にバインダ（エチルセルロース）及び溶剤（α−
テオピネオール）を適量添加し、ＢＨＴ型粘度計により
１０ｒｐｍ、２５℃で測定して、２０００００ｃｐｓと
なるようにペーストを作成した。 下地ペースト層１２の厚さ：１０μｍ ビアホール１４の直径：１００μｍ (iii) 導体ペースト層１３及び導体ペースト充填層１５
の形成 金属粉末の種類 Ａｇ、又はＡｇ−Ｐｄ（Ａｇ：８０，Ｐｄ：２０（重量
％）） 導体ペーストの組成 固形分にバインダ（エチルセルロース）及び溶剤（α−
テオピネオール）を適量添加し、ＢＨＴ型粘度計により
１０ｒｐｍ、２５℃で測定して、３０００００ｃｐｓと
なるようにペーストを作成した。 導体ペースト層１３の厚さ：２０μｍ 導体ペーストパターン：焼成収縮後に２ｍｍ×２ｍｍの
寸法となる正方形 (iv)焼成 焼成雰囲気：大気雰囲気 焼成条件：９００℃、３０分 (v) 製造されたセラミックス基板の評価 前記セラミックス基板につき、Ｎｉメッキ処理を施した
際のＮｉメッキ被膜の被着性の良否及び表面導体層２１
の密着性について評価を行った。
【００３８】Ｎｉメッキ被膜の被着性の良否について
は、セラミックス基板をＮｉメッキ処理後、表面導体層
２１を含むセラミックス基板を切断し、その断面を走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて写真撮影し、前記写真
より判断した。均一なメッキ被膜が形成されているもの
を有、メッキ被膜が形成されていないものを無とした。
なお、メッキ処理の際には、主成分のＮｉイオン源とし
て硫酸ニッケル、還元剤としてジメチルアミノボラン
（ＤＭＡＢ）を含有し、さらに錯化剤として有機酸塩類
（クエン酸アンモニウム）、安定化剤として５〜１０ｐ
ｐｍのＰｂイオン、及び２〜５ｐｐｍの有機イオウ化合
物（チオジグリコール）を含有してメッキ液を用いた。
また、メッキ処理の前にはＰｄ活性化処理を行い、表面
導体層２１表面に薄いＰｄ層を形成した。メッキ処理の
際のメッキ液の温度は６５℃であり、メッキ処理時間は
２０分であった。
は、セラミックス基板をＮｉメッキ処理後、表面導体層
２１を含むセラミックス基板を切断し、その断面を走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて写真撮影し、前記写真
より判断した。均一なメッキ被膜が形成されているもの
を有、メッキ被膜が形成されていないものを無とした。
なお、メッキ処理の際には、主成分のＮｉイオン源とし
て硫酸ニッケル、還元剤としてジメチルアミノボラン
（ＤＭＡＢ）を含有し、さらに錯化剤として有機酸塩類
（クエン酸アンモニウム）、安定化剤として５〜１０ｐ
ｐｍのＰｂイオン、及び２〜５ｐｐｍの有機イオウ化合
物（チオジグリコール）を含有してメッキ液を用いた。
また、メッキ処理の前にはＰｄ活性化処理を行い、表面
導体層２１表面に薄いＰｄ層を形成した。メッキ処理の
際のメッキ液の温度は６５℃であり、メッキ処理時間は
２０分であった。
【００３９】表面導体層２１の密着性については、Ｎｉ
メッキ処理後の表面導体層２１のピール強度を測定する
ことにより行った。すなわち、前記セラミックス基板を
２３０±５℃のＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダで満たされたハン
ダ槽に５±０．５秒間ハンダディップし、メッキ被膜を
有する１辺が２ｍｍの正方形の表面導体層２１表面にハ
ンダ層を形成した。次に、ハンダ層を有する表面導体層
２１上に直径１ｍｍのスズメッキＣｕ線をハンダにより
Ｌ字状に接着し、引張試験機にて該スズメッキＣｕ線を
垂直上方に１０ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断したと
きの強度をピール強度とした。サンプル数は１実施例に
つき１６個とした。
メッキ処理後の表面導体層２１のピール強度を測定する
ことにより行った。すなわち、前記セラミックス基板を
２３０±５℃のＰｂ−Ｓｎ共晶ハンダで満たされたハン
ダ槽に５±０．５秒間ハンダディップし、メッキ被膜を
有する１辺が２ｍｍの正方形の表面導体層２１表面にハ
ンダ層を形成した。次に、ハンダ層を有する表面導体層
２１上に直径１ｍｍのスズメッキＣｕ線をハンダにより
Ｌ字状に接着し、引張試験機にて該スズメッキＣｕ線を
垂直上方に１０ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断したと
きの強度をピール強度とした。サンプル数は１実施例に
つき１６個とした。
【００４０】なお、比較例１〜４の場合には、グリーン
シート１１上に下地ペースト層１２を形成せず、図２
（ａ）に示した場合と同様にグリーンシート積層体３６
を作製した後、その表面に直接ガラス粉末を含む導体ペ
ーストを用いて実施例と同様のパターンの導体ペースト
層１３を形成し、実施例の場合と同様の条件で焼結を行
い、セラミックス多層配線基板を製造した。また、比較
例５の場合には、導体ペーストとして実施例の場合と同
様のものを使用した他は、比較例１〜４の場合と同様に
してセラミックス多層配線基板を製造した。比較例の場
合にも、製造されたセラミックス多層配線基板の評価方
法は実施例の場合と同様である。導体ペースト固形分中
のガラス粉末の含有量、ガラス粉末の組成、及び製造さ
れたセラミックス多層配線基板の評価結果を下記の表１
に示す。
シート１１上に下地ペースト層１２を形成せず、図２
（ａ）に示した場合と同様にグリーンシート積層体３６
を作製した後、その表面に直接ガラス粉末を含む導体ペ
ーストを用いて実施例と同様のパターンの導体ペースト
層１３を形成し、実施例の場合と同様の条件で焼結を行
い、セラミックス多層配線基板を製造した。また、比較
例５の場合には、導体ペーストとして実施例の場合と同
様のものを使用した他は、比較例１〜４の場合と同様に
してセラミックス多層配線基板を製造した。比較例の場
合にも、製造されたセラミックス多層配線基板の評価方
法は実施例の場合と同様である。導体ペースト固形分中
のガラス粉末の含有量、ガラス粉末の組成、及び製造さ
れたセラミックス多層配線基板の評価結果を下記の表１
に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】上記表１に示した結果からも明らかなよう
に、実施例に係るセラミックス基板に形成された表面導
体層２１は、前記セラミックス基板との密着強度も大き
く、かつＮｉメッキ被膜が良好に形成される。
に、実施例に係るセラミックス基板に形成された表面導
体層２１は、前記セラミックス基板との密着強度も大き
く、かつＮｉメッキ被膜が良好に形成される。
【００４３】一方、比較例１〜４において、導体ペース
ト中のガラス粉末の含有量が少ない場合には、Ｎｉメッ
キ被膜は良好に形成されるが、表面導体層のセラミック
ス多層配線基板との密着性が不良であり、ガラス粉末の
含有量が多くなると、セラミックス多層配線基板との密
着性は良好になるが、メッキ被膜の被着性が悪くなる。
また、比較例５の場合のように、固形分にガラスを含
まない表面導体層ペーストを使用して形成された表面導
体層は、メッキ被膜は良好に形成されるが、セラミック
ス多層配線基板との密着強度は非常に小さい。
ト中のガラス粉末の含有量が少ない場合には、Ｎｉメッ
キ被膜は良好に形成されるが、表面導体層のセラミック
ス多層配線基板との密着性が不良であり、ガラス粉末の
含有量が多くなると、セラミックス多層配線基板との密
着性は良好になるが、メッキ被膜の被着性が悪くなる。
また、比較例５の場合のように、固形分にガラスを含
まない表面導体層ペーストを使用して形成された表面導
体層は、メッキ被膜は良好に形成されるが、セラミック
ス多層配線基板との密着強度は非常に小さい。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態に係る
セラミックス基板の製造方法の各製造工程を模式的に示
した断面図である。
セラミックス基板の製造方法の各製造工程を模式的に示
した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、従来のセラミックス多層配
線基板の各製造工程を模式的に示した断面図である。
線基板の各製造工程を模式的に示した断面図である。
１１ グリーンシート １２ 下地ペースト層 １３ 導体ペースト層 １５ 導体ペースト充填層 ２１ 表面導体層 ２２ 内部導体層 ２３ ビア導体層 ２４ セラミックス基板層 ２５ 下地膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（ただし、Ｒはアルカリ金属を示
す）と、アルミナと、コーディエライト結晶とからなる
セラミックス基板層と、 該セラミックス基板層の上に形成され、ＣａＯ−Ａｌ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａｌ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスと、アルミ
ナとを含んで構成された下地膜と、 該下地膜の上に形成された表面導体層とからなることを
特徴とするセラミックス基板。 - 【請求項２】 ＭｇＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ
3 −Ｒ2 Ｏ系ガラス（ただし、Ｒはアルカリ金属を示
す）と、アルミナと、コーディエライト結晶とを含むグ
リーンシートの上に、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −
Ｂ2 Ｏ3 系ガラス又はＭｇＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −
Ｂ2 Ｏ3 −Ｒ2 Ｏ系ガラスと、アルミナとを含む下地ペ
ーストを印刷し、さらに、該下地ペーストの上に導体ペ
ーストを印刷した後、焼成することを特徴とする請求項
１記載のセラミックス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2670396A JPH09221375A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | セラミックス基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2670396A JPH09221375A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | セラミックス基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09221375A true JPH09221375A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12200759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2670396A Pending JPH09221375A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | セラミックス基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09221375A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330652A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | 基板及びその製造方法 |
| JP2004281426A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
| WO2006064793A1 (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Tokuyama Corporation | メタライズドセラミック基板の製造方法 |
| JP2006229144A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| EP1940210A2 (en) | 2006-12-26 | 2008-07-02 | TDK Corporation | Multilayer ceramics substrate |
| WO2008141273A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for post-circuitization assembly |
| JP2009117835A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 無収縮セラミック基板の製造方法及びこれを用いた無収縮セラミック基板 |
| JP2009212420A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| JP4937738B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-05-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化物焼結体、及びその製造方法 |
| US9006582B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-04-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate and process for producing same |
| WO2016111281A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板、電子部品およびセラミック基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP2670396A patent/JPH09221375A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330652A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | 基板及びその製造方法 |
| JP2004281426A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-10-07 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
| JP4937738B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-05-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化物焼結体、及びその製造方法 |
| KR101022723B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2011-03-22 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 메탈라이즈드 세라믹 기판의 제조 방법 |
| WO2006064793A1 (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-22 | Tokuyama Corporation | メタライズドセラミック基板の製造方法 |
| JP2006196854A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Tokuyama Corp | メタライズドセラミック基板の製造方法 |
| JP4731976B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-07-27 | 株式会社トクヤマ | メタライズドセラミック基板の製造方法 |
| JP2006229144A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| JP4703212B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-06-15 | 京セラ株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| US7662477B2 (en) | 2006-12-26 | 2010-02-16 | Tdk Corporation | Multilayer ceramics substrate |
| EP1940210A2 (en) | 2006-12-26 | 2008-07-02 | TDK Corporation | Multilayer ceramics substrate |
| WO2008141273A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for post-circuitization assembly |
| US8039309B2 (en) | 2007-05-10 | 2011-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for post-circuitization assembly |
| JP2009117835A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 無収縮セラミック基板の製造方法及びこれを用いた無収縮セラミック基板 |
| JP2009212420A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| US9006582B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-04-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic substrate and process for producing same |
| JPWO2013137214A1 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-08-03 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板およびその製造方法 |
| WO2016111281A1 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-14 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板、電子部品およびセラミック基板の製造方法 |
| US10405430B2 (en) | 2015-01-07 | 2019-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic substrate, electronic component, and method of manufacturing ceramic substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7473460B2 (en) | Ceramic substrate, electronic apparatus, and method for producing ceramic substrate | |
| US6413620B1 (en) | Ceramic wiring substrate and method of producing the same | |
| US20040158980A1 (en) | Component built-in module and method for producing the same | |
| JPH09221375A (ja) | セラミックス基板及びその製造方法 | |
| JP4703212B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP3826685B2 (ja) | ガラスセラミック回路基板の製造方法 | |
| JP3347578B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP4081299B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体および配線基板 | |
| US6815073B2 (en) | Electronic component and method of manufacturing the same | |
| JP4264091B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| JP2003277852A (ja) | 銅メタライズ組成物およびセラミック配線基板 | |
| JP2003224338A (ja) | ガラスセラミック配線基板 | |
| JPH1116418A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JP4022102B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3631572B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2001122680A (ja) | ガラスセラミック基板およびその製造方法 | |
| JP4035046B2 (ja) | 配線基板の製法 | |
| JP3857219B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2003258412A (ja) | 配線基板 | |
| JP2003318541A (ja) | セラミック多層配線基板の製造方法 | |
| JP2003179320A (ja) | セラミック配線基板 | |
| JPH03116608A (ja) | 導体ペーストおよび導体 | |
| JP2005191307A (ja) | 配線基板 | |
| JP2000185967A (ja) | ガラスセラミック配線基板用組成物 | |
| JP3689988B2 (ja) | 導電性組成物および多層セラミック基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021001 |