CN111142296A - 显示面板 - Google Patents

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CN111142296A
CN111142296A CN201910993358.1A CN201910993358A CN111142296A CN 111142296 A CN111142296 A CN 111142296A CN 201910993358 A CN201910993358 A CN 201910993358A CN 111142296 A CN111142296 A CN 111142296A
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film transistor
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李敏九
贾智铉
李光世
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示面板。所述显示面板包括：基底，包括围绕开口区域的显示区域以及位于开口区域与显示区域之间的非显示区域；多个显示元件，位于显示区域中；多条扫描线，在第一方向上延伸并在开口区域的边缘周围绕行；多条数据线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多条数据线在开口区域的边缘周围绕行；以及多条发射控制线，在第一方向上延伸并在开口区域的边缘周围绕行。

Description

显示面板
于2018年11月2日在韩国知识产权局提交的第“10-2018-0133908”号且名称为“显示面板”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示面板。
背景技术
近年来，显示装置在目的和功能方面已经多样化。另外，随着显示装置已经变得更薄且更轻质，它们的使用范围已经逐渐增大。
随着显示装置被各种利用，在设计显示装置的形状方面可以有各种方法，此外，可以与显示装置组合或相关联的各种功能正在增加。
发明内容
可以通过提供一种显示面板来实现实施例，所述显示面板包括：基底，包括围绕开口区域的显示区域以及位于开口区域与显示区域之间的非显示区域；多个显示元件，位于显示区域中；多条扫描线，在第一方向上延伸并在开口区域的边缘周围绕行；多条数据线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多条数据线在开口区域的边缘周围绕行；以及多条发射控制线，在第一方向上延伸并在开口区域的边缘周围绕行。
多条发射控制线之中的第一发射控制线的绕行部分可以在非显示区域中位于多条数据线之中的相邻数据线的绕行部分之间。
多条扫描线之中的第一扫描线的绕行部分可以在非显示区域中位于多条数据线之中的相邻数据线的绕行部分之间。
第一扫描线的绕行部分和第一发射控制线的绕行部分可以在相邻数据线的绕行部分之间彼此间隔开预定间隔。
显示面板还可以包括在第一方向上延伸并在开口区域的边缘周围绕行的多条前一扫描线，其中，多条前一扫描线中的一条前一扫描线连接到第一扫描线的绕行部分。
多条发射控制线之中的与第一发射控制线相邻的第二发射控制线可以连接到第一发射控制线的绕行部分。
多个显示元件中的每个显示元件可以连接到像素电路，像素电路包括：开关薄膜晶体管，连接到多条扫描线中的一条扫描线和多条数据线中的一条数据线；驱动薄膜晶体管，电连接到开关薄膜晶体管，并且响应于开关薄膜晶体管的数据信号，驱动电流流过驱动薄膜晶体管；以及控制薄膜晶体管，电连接到驱动薄膜晶体管，其中，第一发射控制线可以电连接到控制薄膜晶体管的栅电极。
控制薄膜晶体管可以包括发射控制薄膜晶体管，发射控制薄膜晶体管连接到驱动薄膜晶体管，并且被配置为将驱动电流传输到电连接到驱动薄膜晶体管的显示元件。
显示面板还可以包括在第二方向上延伸并向显示元件提供驱动电压的多条电压线，其中，控制薄膜晶体管包括操作控制薄膜晶体管，操作控制薄膜晶体管将驱动薄膜晶体管与对应于驱动薄膜晶体管的电压线连接。
第一发射控制线可以包括穿过显示区域的延伸部分，显示面板还包括位于第一发射控制线的绕行部分与延伸部分之间的绝缘层，并且第一发射控制线的绕行部分可以通过绝缘层的接触孔与延伸部分接触。
第一发射控制线的绕行部分可以位于与其上布置有像素电极的层相同的层上，针对多个显示元件中的每个显示元件设置像素电极。
显示面板还可以包括位于第一发射控制线的绕行部分与多条数据线之间的上绝缘层，其中，第一发射控制线的绕行部分位于绝缘层与上绝缘层之间。
显示面板还可以包括在开口区域周围彼此间隔开的多条初始化电压线。
多条初始化电压线可以通过具有环形形状并位于非显示区域中的电极层彼此连接。
多条初始化电压线之中的位于开口区域的第一侧上的初始化电压线可以在非显示区域中通过条型的电极层彼此连接。
可以通过提供一种显示面板来实现实施例，所述显示面板包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及位于开口区域与显示区域之间的非显示区域；多个显示元件，位于显示区域中，每个显示元件包括像素电极、面对像素电极的对电极以及位于像素电极与对电极之间的发射层；多条第一线，在第一方向上延伸并沿开口区域的边缘在周围绕行；多条第二线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸并沿开口区域的边缘在周围绕行；以及多条第三线，在第一方向上延伸并沿开口区域的边缘在周围绕行，其中，多条第三线中的至少一条第三线包括：延伸部分，在开口区域周围彼此间隔开；绝缘层，位于延伸部分上；以及绕行部分，通过绝缘层的接触孔连接到延伸部分，并且其中，绕行部分在非显示区域中位于相邻的第二线的绕行部分之间。
多条第一线中的每条第一线可以包括扫描线，并且多条第二线中的每条第二线可以包括数据线。
多条第三线中的每条第三线可以包括发射控制线。
绕行部分可以包括与像素电极的材料相同的材料。
显示元件中的每个显示元件可以连接到驱动薄膜晶体管、存储电容器和电压线，存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，电压线被配置为向第二存储电容器板提供电压，并且绕行部分可以包括与第二存储电容器板的材料相同的材料。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是清楚的，在附图中：
图1示出了根据实施例的显示装置的透视图；
图2示出了根据实施例的显示装置的剖视图；
图3A至图3C示出了根据实施例的显示面板的剖视图；
图4A至图4C示出了根据另一实施例的显示面板的剖视图；
图5示出了根据实施例的显示面板的平面图；
图6示出了根据实施例的显示面板的一个像素的等效电路图；
图7A示出了根据实施例的显示面板的像素的平面图；
图7B示出了沿图7A的线A-A'和线B-B'截取的剖视图；
图8示出了根据实施例的显示面板中的开口区域周围的线的平面图；
图9示出了沿图8的线IX-IX'截取的剖视图；
图10示出了沿图8的线X-X'截取的剖视图；
图11示出了根据实施例的显示面板中的发射控制线和发射控制驱动器的平面图；
图12和图13示出了根据另一实施例的显示面板中的开口区域周围的线的平面图；
图14示出了根据另一实施例的显示面板中的开口区域周围的线的平面图；
图15示出了沿图14的线XV-XV'截取的剖视图；
图16示出了根据另一实施例的显示面板中的开口区域周围的线的平面图；
图17示出了沿图16的线XVII-XVII'截取的剖视图；以及
图18示出了根据另一实施例的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实现，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或元件“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或元件上，或者也可以存在中间层或元件。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，该层可以直接在所述另一层下方，或者也可以存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。
如这里使用的，术语“或”和“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。例如，“a、b和c中的至少一种(个)(者)”可以被理解为仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。
当诸如“……中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，这里使用的术语“包含/包括”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征或组件。
当可以不同地实施特定实施例时，可以以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
实施例可以防止布置在显示区域外部的布线等由于外部光而被观看到。然而，应该理解的是，这里描述的效果应该仅以描述性含义来考虑，而不是用于限制公开。
将理解的是，当层、区域或组件被称作“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或组件，并且其他层、区域或组件置于它们之间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称作“连接到或电连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接到或直接电连接”到所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接或间接电连接”到所述另一层、区域或组件，并且其他层、区域或组件置于它们之间。
图1示出了根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1可以包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供预定图像。
显示装置1可以包括被显示区域(或第二区域)DA至少部分地围绕的开口区域(或第一区域)OA。在实施方式中，如图1中所示，开口区域OA可以被显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域(或第三区域)NDA1以及围绕显示区域DA的外围的第二非显示区域(或第四区域)NDA2。在实施方式中，第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
在实施方式中，有机发光显示装置被示例性地描述为下面根据实施例的显示装置1。在实施方式中，可以使用诸如液晶显示器、无机发光显示器和量子点发光显示器的各种类型的显示装置。
在实施方式中，如图1中所示，一个开口区域OA可以布置在显示区域DA的左上侧中。在实施方式中，可以不同地修改开口区域OA的数量和开口区域OA的位置。
图2示出了根据实施例的显示装置1的剖视图，并且与沿图1的线II-II'截取的剖面对应。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、位于显示面板10上的输入感测层40以及光学功能层(或抗反射层)50。这些层可以被窗60覆盖。显示装置1可以包括诸如移动电话、笔记本电脑和智能手表的各种电子装置。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。每个像素可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括液晶、有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管等。
输入感测层40可以获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以使用互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以分别形成，然后通过使用诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层来结合。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续形成。在这种情况下，可以在输入感测层40与显示面板10之间不布置粘合层。在实施方式中，如图2中所示，输入感测层40可以布置在显示面板10与光学功能层50之间。在实施方式中，输入感测层40可以布置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以减少从外部通过窗60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射。防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器。延迟器可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶型偏振器可以包括以预定排列布置的液晶。延迟器和偏振器中的每个还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或它们的保护膜可以被限定为防反射层的基体层。
在实施方式中，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置滤色器。在另一实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括分别布置在不同层中的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以产生相消干涉，因此可以减少外部光的反射。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以帮助提高从显示面板10发射的光的发射效率或者减小光的颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层和/或包括分别具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括防反射层和透镜层两者，或者包括防反射层和透镜层中的一者。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50可以包括开口。关于此，图2示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H，并且显示面板10、输入感测层40和光学功能层50的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H彼此叠置(例如，对准)。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H可以与开口区域OA对应。在实施方式中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或两个可以不包括开口。在下文中，开口区域OA可以表示显示面板10、输入感测层40和光学功能层50的各自的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中的至少一个。例如，在本说明书中，开口区域OA可以表示显示面板10的第一开口10H。
组件20可以与开口区域OA对应、对准、叠置或位于开口区域OA中。如由图2的实线所示，组件20可以位于第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H内部，或者如由虚线所示，组件20可以位于显示面板10下方。在实施方式中，开口区域OA可以被理解为组件区域。
组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是诸如发射和/或接收光的红外传感器的传感器、接收光并捕获图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段中的光。在实施方式中，开口区域OA可以被理解为从组件20输出到外部或者从外部朝向电子元件传播的光和/或声音可以穿过的透射区域。
在实施方式中，在显示装置1用作智能手表或用于汽车的仪表盘的情况下，组件20可以是包括指示预定信息(例如，车辆的速度等)的时钟指针或指针的构件。在显示装置1包括用于汽车的仪表盘的时钟指针或指针的情况下，组件20可以通过窗60暴露于外部，窗60可以包括与开口区域OA对应的开口。
如上所述，组件20可以包括与显示面板10的功能相关的元件或者增加显示面板10的美感的诸如饰件的元件。在实施方式中，包括OCA等的层可以位于窗60与光学功能层50之间。
图3A至图3C示出了根据实施例的显示面板10的剖视图。
参照图3A至图3C，显示面板10可以包括位于基底100上的显示元件层200。基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，基底100可以包括包含有SiO2作为主要组分的玻璃材料，或者可以包括诸如增强塑料的树脂。
显示元件层200可以与显示区域DA对应，并且可以包括多个像素。显示元件层200可以包括与每个像素对应的像素电路和电连接到像素电路的显示元件。像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器，并且显示元件可以包括有机发光二极管OLED(见图6)。
显示面板10可以包括面对基底100的封装基底340作为封装构件300。密封材料350可以位于基底100与封装基底340之间。密封材料350可以在基底100与封装基底340之间围绕显示元件层200。例如，密封材料350可以在第一非显示区域NDA1中围绕显示元件层200的第一边缘(也称为内边缘)，并且在第二非显示区域NDA2中围绕显示元件层200的第二边缘(也称为外边缘)。当在与基底100的主表面垂直的方向上观看时，开口区域OA可以被密封材料350完全围绕，并且显示元件层200的第二边缘也可以被密封材料350完全围绕。
显示面板10可以包括与开口区域OA对应的第一开口10H。关于此，在图3A中示出了基底100和封装基底340分别包括与开口区域OA对应的通孔100H和340H。显示元件层200也可以包括与开口区域OA对应的通孔。
在实施方式中，如图3B中所示，封装基底340可以包括与开口区域OA对应的通孔340H，但是基底100可以不包括通孔。在实施方式中，如图3C中所示，基底100和封装基底340可以不分别包括与开口区域OA对应的通孔。显示元件层200可以包括与开口区域OA对应的通孔。在实施方式中，可以省略布置在显示面板10的第一非显示区域NDA1中的密封材料350。在实施方式中，显示元件层200可以不包括与开口区域OA对应的通孔。不需要相对高透射率的组件20(见图2)可以布置在开口区域OA中，并且开口区域OA可以用作透射由组件20使用的光的透射区域。即使当显示元件层200不包括与开口区域OA对应的通孔时，显示元件层200的与开口区域OA对应的部分也可以通过不包括构成像素电路PC(见图6和图7A)的元件(例如，晶体管、存储电容器、布线等)来确保透射率。
图4A至图4C是根据另一实施例的显示面板10'的剖视图。
参照图4A，显示元件层200可以位于基底100上。显示元件层200可以被作为封装构件300'的薄膜封装层覆盖。为薄膜封装层的封装构件300'可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，如图4A中所示，可以存在第一无机封装层310'和第二无机封装层330'，并且有机封装层320'可以位于第一无机封装层310'与第二无机封装层330'之间。
第一无机封装层310'和第二无机封装层330'可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机材料。有机封装层320'可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
基底100可以包括聚合物树脂并包括多层。例如，基底100可以包括顺序堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以包括被构造为防止外部外来物质的渗透的阻挡层，并且包括包含诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氧化硅(SiOx，x>0)和/或氮氧化硅的无机材料的单层或多层。
在显示面板10'包括基底100(其包括多层)和封装构件300'(其为薄膜封装层)的情况下，可以提高显示面板10'的柔性。
在实施方式中，如图4A中所示，可以设置分别穿过基底100和为薄膜封装层的封装构件300'的通孔100H和300H'，通孔100H和300H'与显示面板10'的第一开口10H对应。显示元件层200也可以包括与开口区域OA对应的通孔。
在实施方式中，如图4B中所示，为薄膜封装层的封装构件300'的有机封装层320'可以包括与开口区域OA对应的通孔320H'，但是基底100以及第一无机封装层310'和第二无机封装层330'可以不分别包括通孔。在实施方式中，如图4C中所示，构成为薄膜封装层的封装构件300'的层可以不包括与开口区域OA对应的通孔。例如，第一无机封装层310'和第二无机封装层330'以及有机封装层320'可以覆盖开口区域OA。在实施方式中，在开口区域OA用作透射光的透射区域的情况下，例如，在不需要高透射率的组件20(见图2)布置在开口区域OA中的情况下，与图4A至图4C中示出的不同，显示元件层200可以不包括与开口区域OA对应的通孔。即使当显示元件层200不包括与开口区域OA对应的通孔时，显示元件层200的与开口区域OA对应的部分也可以通过不包括构成像素电路PC(见图6)的元件(例如，晶体管、存储电容器、布线等)来确保透射率。
图5示出了根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图5，显示面板10可以包括显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。图5可以被理解为显示面板10中的基底100的图。例如，基底100可以被理解为具有开口区域OA、第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示面板10可以包括布置在显示区域DA中或显示区域DA上的多个像素P。每个像素P可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个像素P可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，如上所述，像素P可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。开口区域OA布置在显示区域DA内部，并且第一非显示区域NDA1位于开口区域OA与显示区域DA之间。
第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1可以是其中未布置有诸如有机发光二极管的显示元件的区域。向设置在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线和/或电源线可以穿过第一非显示区域NDA1。
每个像素P可以电连接到布置在围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2中的外部电路。第一外部驱动电路110、第二外部驱动电路120、端子140、第一电源线160和第二电源线170可以布置在第二非显示区域NDA2中。
第一外部驱动电路110可以包括扫描驱动电路和控制驱动电路，并且可以通过扫描线SWL和发射控制线EL向每个像素P提供扫描信号和发射控制信号。第二外部驱动电路120也可以包括扫描驱动电路和控制驱动电路，并且可以与第一外部驱动电路110并排布置。与第一外部驱动电路110类似，第二外部驱动电路120可以通过扫描线SWL和发射控制线EL向每个像素P提供扫描信号和发射控制信号。
端子140可以布置在第二非显示区域NDA2的一侧上。端子140可以不被绝缘层覆盖，并且可以被暴露并电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器或电源的信号传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB分别传输到第一外部驱动电路110和第二外部驱动电路120。控制器可以通过第一连接布线161向第一电源线160提供第一电力ELVDD(见下面的图6)并且通过第二连接布线171向第二电源线170提供第二电力ELVSS(见下面的图6)。可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL向每个像素P提供第一电力ELVDD(也称为驱动电压)，并且可以将第二电力ELVSS(也称为共电压)提供到像素P的连接到第二电源线170的对电极。
数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接布线151和连接到连接布线151的数据线DL提供到每个像素P。尽管图5中示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上，但是在另一实施例中，数据驱动电路150可以布置在基底100上方。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括在x方向上并排延伸且显示区域DA位于其间的第一子线162和第二子线163。第二电源线170可以以其一侧开口的环形形状部分地围绕显示区域DA。
图6示出了根据实施例的显示面板10的一个像素P的等效电路图。
参照图6，像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
在实施方式中，如图6中所示，每个像素P可以连接到信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。在实施方式中，信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻的像素共享。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线可以包括被构造为传输扫描信号GW的扫描线(第N扫描线)SWL、被构造为将前一扫描信号GI传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线(第(N-1)扫描线)SIL、被构造为将发射控制信号EM传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SWL交叉并被构造为传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传输使驱动薄膜晶体管T1和像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6与有机发光二极管OLED的像素电极电连接。驱动薄膜晶体管T1接收数据信号Dm，并且响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SWL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SWL传输的扫描信号GW而导通，并执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SWL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SWL传输的扫描信号GW而导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1与驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1电连接而使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SIL，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SIL传输的前一扫描信号GI而导通，并且通过将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1来执行使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发射二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号EM而同时导通，以使驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED并使驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SIL，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过前一扫描线SIL传输的前一扫描信号GI而导通，以使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
在实施方式中，如图6中所示，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到前一扫描线SIL。在实施方式中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SIL并响应于前一扫描信号GI而被驱动，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线或第(N+1)扫描线)并响应于通过信号线传输的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED并发光来显示图像。
在实施方式中，如图6中所示，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的每个可以包括双栅电极。在实施方式中，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4中的每个可以包括一个栅电极。
在实施方式中，如图6中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在实施方式中，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以是六个或更少或者八个或更少，并且可以根据设计进行各种修改。在下文中，为了便于描述，基于图6中所示的像素电路PC进行描述。
图7A示出了根据实施例的显示面板10的一个像素P的平面图，图7B示出了沿图7A的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。
参照图7A和图7B，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7沿半导体层1130布置。如图7B中所示，半导体层1130位于基底100上方，并且包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料的缓冲层2111形成在半导体层1130下方。
半导体层1130的一些区域与驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层对应。例如，可以理解的是，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层彼此连接并弯曲成各种形状。图7B示出了分别与半导体层1130的一些区域对应的驱动薄膜晶体管T1的驱动半导体层1130a、补偿薄膜晶体管T3的补偿半导体层1130c以及发射控制薄膜晶体管T6的发射控制半导体层1130f。
半导体层1130可以包括沟道区以及分别位于沟道区的两个相对侧上的源区和漏区。源区和漏区可以被理解为相关薄膜晶体管的源电极和漏电极。在下文中，为了便于描述，源区和漏区分别被称为源电极和漏电极。
驱动薄膜晶体管T1可以包括与驱动沟道区C1叠置的驱动栅电极G1以及分别位于驱动沟道区C1的两个相对侧上的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1叠置的驱动沟道区C1可以通过具有诸如Ω形状的弯曲形状在窄空间内部形成长长度沟道。在驱动沟道区C1的长度长的情况下，栅极电压的驱动范围变宽，因此可以更精细地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度级，从而可以改善显示质量。
开关薄膜晶体管T2可以包括与开关沟道区叠置的开关栅电极G2以及分别位于开关沟道区的两个相对侧上的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以连接到驱动源电极S1。
补偿薄膜晶体管T3可以是双薄膜晶体管，可以包括与两个补偿沟道区C3叠置的补偿栅电极G3，并包括分别位于补偿沟道区C3的两个相对侧上的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿薄膜晶体管T3可以通过将在下面描述的节点连接线1174连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
第一初始化薄膜晶体管T4可以是双薄膜晶体管，可以包括与两个第一初始化沟道区叠置的第一初始化栅电极G4，并包括分别位于第一初始化沟道区的两个相对侧上的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
操作控制薄膜晶体管T5可以包括与操作控制沟道区叠置的操作控制栅电极G5以及分别位于操作控制沟道区的两个相对侧上的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发射控制薄膜晶体管T6可以包括与发射控制沟道区叠置的发射控制栅电极G6以及分别位于发射控制沟道区的两个相对侧上的发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6。发射控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。发射控制薄膜晶体管T6可以经由层2175电连接到像素电极210。例如，层2175可以接触发射控制漏电极D6，像素电极210可以通过平坦化绝缘层2180的接触孔1163接触层2175。
第二初始化薄膜晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区叠置的第二初始化栅电极G7以及分别位于第二初始化沟道区的两个相对侧上的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
上述薄膜晶体管可以连接到信号线SWL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
栅极绝缘层2141(见图7B)可以布置在半导体层1130上。扫描线SWL、前一扫描线SIL、发射控制线EL、驱动栅电极G1和初始化电压线VL可以布置在栅极绝缘层2141上。栅极绝缘层2141可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料。扫描线SWL、前一扫描线SIL、发射控制线EL、驱动栅电极G1和初始化电压线VL可以包括诸如Mo、Al、Cu、Ti和它们的合金的金属。
扫描线SWL可以在x方向上延伸。扫描线SWL的一些区域或部分可以分别与开关栅电极G2和补偿栅电极G3对应。例如，扫描线SWL的与开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3的沟道区叠置的区域或部分可以分别是开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
前一扫描线SIL可以在x方向上延伸。前一扫描线SIL的一些区域或部分可以分别与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7对应。例如，前一扫描线SIL的分别与第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的沟道区叠置的区域或部分可以分别是第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
发射控制线EL可以在x方向上延伸。发射控制线EL的一些区域或部分可以分别与操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6对应。例如，发射控制线EL的分别与操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的沟道区叠置的区域或部分可以分别是操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。
驱动栅电极G1是岛电极并且可以通过节点连接线1174连接到补偿薄膜晶体管T3。
初始化电压线VL可以在x方向上延伸。初始化电压线VL可以通过下面将描述的初始化连接线1173连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7。
在实施方式中，如图7B中所示，初始化电压线VL可以布置在栅极绝缘层2141上。在实施方式中，初始化电压线VL可以布置在下面将描述的平坦化绝缘层2180(见图7B)上，并且可以包括与另一实施例中的像素电极210的材料相同的材料。在实施方式中，初始化电压线VL可以布置在第一层间绝缘层2143(见图7B)上。初始化电压线VL可以包括与第二存储电容器板Cst2的材料相同的材料。
电极电压线HL可以布置在扫描线SWL、前一扫描线SIL、发射控制线EL、驱动栅电极G1和初始化电压线VL上方，并且包括无机材料的第一层间绝缘层2143(见图7B)位于其间。
如图7A中所示，电极电压线HL可以在x方向上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极G1协作构成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，并且电极电压线HL的一部分可以用作存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2。
驱动电压线PL和第二存储电容器板Cst2彼此电连接。关于此，图7A中示出了电极电压线HL通过接触孔1158连接到布置在电极电压线HL上的驱动电压线PL。电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL的电压电平相同的电压电平(恒定电压，例如+5V)。电极电压线HL可以被理解为一种横向驱动电压线。
驱动电压线PL可以在y方向上延伸，并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线HL可以在与y方向交叉的x方向上延伸，多条驱动电压线PL和多条电极电压线HL可以在显示区域DA中构成网格结构。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以布置在第二存储电容器板Cst2和电极电压线HL上，并且包括无机材料的第二层间绝缘层2150(见图7B)置于其间。数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以包括Al、Cu和Ti中的至少一种，并且可以包括单层或多层。在实施方式中，驱动电压线PL和数据线DL可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL可以在y方向上延伸，并且可以通过接触孔1154连接到开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极S2。
驱动电压线PL可以在y方向上延伸，并且可以通过接触孔1158连接到电极电压线HL。此外，驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接到操作控制薄膜晶体管T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接到操作控制源电极S5。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，并且初始化连接线1173的另一端可以通过接触孔1151连接到初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏电极D3，节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅电极G1。
包括有机绝缘材料的平坦化绝缘层2180位于数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上。像素电极210布置在平坦化绝缘层2180上。
参照图7B，像素电极210的边缘可以被平坦化绝缘层2180上的像素限定层2190覆盖。像素电极210的中心区域可以通过像素限定层2190的开口暴露。像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物的反射层。在实施方式中，像素电极210还可以包括位于反射层上和/或下方的包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)的层。中间层220布置在像素电极210的通过开口暴露的部分上。
中间层220可以包括位于像素电极210的通过像素限定层2190的开口暴露的部分上的发射层222。发射层222可以包括发射预定颜色的光的聚合物材料或低分子有机材料。在实施方式中，如图7B中所示，中间层220可以包括位于发射层222下方的第一功能层221和/或位于发射层222上的第二功能层223。
第一功能层221可以包括单层或多层。例如，在第一功能层221包括聚合物材料的情况下，第一功能层221可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层221包括低分子有机材料的情况下，第一功能层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
在实施方式中，可以省略第二功能层223。例如，在第一功能层221和发射层222包括聚合物材料的情况下，可以设置第二功能层223以使有机发光二极管OLED的特性优异。第二功能层223可以是单层或多层。第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对电极230布置为面对像素电极210，且中间层220位于其间。对电极230可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。在实施方式中，对电极230还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在实施方式中，布置在基底100上的显示元件层200(例如，从缓冲层2111到对电极230的层)可以被上面参照图3A至图4C描述的封装构件覆盖。
图8示出了根据实施例的显示面板10中的开口区域OA周围的线的平面图，图9示出了沿图8的线IX-IX'截取的剖视图，图10示出了沿图8的线X-X'截取的剖视图。在实施方式中，如图8中所示，六个像素可以布置在开口区域OA的上侧、下侧、左侧和右侧中的每个处。在实施方式中，可以布置更多数量的像素和/或更多数量的线。
参照图8，数据线DL0、DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7以及驱动电压线PL0、PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6和PL7可以在y方向上延伸。图8中的驱动电压线PL0、PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6和PL7之中的驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6可以相对于开口区域OA断开。驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6的位于开口区域OA的上侧处的部分可以连接到第二子线163(见图5)，驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6的位于开口区域OA的下侧处的部分可以连接到第一子线162(见图5)。
穿过显示区域DA的数据线DL0、DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7中的一些数据线(例如，第一数据线至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6)可以在第一非显示区域NDA1中在开口区域OA的边缘周围绕行。例如，第一数据线至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6(在图8中连接布置在开口区域OA的上侧和下侧上的像素P)中的每条可以包括在显示区域DA中沿y方向延伸的部分以及在第一非显示区域NDA1中在开口区域OA的边缘周围绕行的部分。在实施方式中，如图8中所示，数据线DL的绕行部分可以具有弧形曲线。在实施方式中，绕行部分可以是以Z字形弯曲的线。在实施方式中，其他线中的每条的绕行部分可以具有弧形曲线，或者绕行部分可以是以Z字形弯曲的线。
在图8中，位于开口区域OA的上侧和下侧上的像素P可以电连接到在开口区域OA周围绕行的第一数据线至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6，并且可以通过连接的数据线接收数据信号。第一数据线至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之中的第一数据线至第三数据线DL1、DL2和DL3可以在开口区域OA的第一侧(例如，左侧)上在开口区域OA周围绕行，第四数据线至第六数据线DL4、DL5和DL6可以在开口区域OA的第二侧(例如，右侧)上在开口区域OA周围绕行。
扫描线SWL0、SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5、SWL6和SWL7以及前一扫描线SIL0、SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5、SIL6和SIL7可以在与y方向交叉的x方向上延伸。扫描线SWL0、SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5、SWL6和SWL7中的一些扫描线(例如，第一扫描线至第六扫描线SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5和SWL6)以及前一扫描线SIL0、SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5、SIL6和SIL7中的一些前一扫描线(例如，第一前一扫描线至第六前一扫描线SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5和SIL6)可以在开口区域OA周围绕行。例如，第一扫描线至第三扫描线SWL1、SWL2和SWL3以及第一前一扫描线至第三前一扫描线SIL1、SIL2和SIL3可以在开口区域OA的第三侧(例如，上侧)上在开口区域OA周围绕行，第四扫描线至第六扫描线SWL4、SWL5和SWL6以及第四前一扫描线至第六前一扫描线SIL4、SIL5和SIL6可以在开口区域OA的第四侧(例如，下侧)上在开口区域OA周围绕行。
第一扫描线至第六扫描线SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5和SWL6以及第一前一扫描线至第六前一扫描线SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5和SIL6可以如参照图7A和图7B描述的在显示区域DA中位于栅极绝缘层2141上，并且即使位于第一非显示区域NDA1中，也可以在位于栅极绝缘层2141上的同时在开口区域OA周围绕行。
发射控制线EL0、EL1、EL2、EL3、EL4、EL5、EL6和EL7可以在x方向上延伸。发射控制线EL0、EL1、EL2、EL3、EL4、EL5、EL6和EL7中的一些发射控制线(例如，第一发射控制线至第六发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4、EL5和EL6)可以在开口区域OA周围绕行。例如，第一发射控制线至第三发射控制线EL1、EL2和EL3可以在开口区域OA的上侧上在开口区域OA周围绕行，第四发射控制线至第六发射控制线EL4、EL5和EL6可以在开口区域OA的下侧上在开口区域OA周围绕行。
第一发射控制线至第六发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4、EL5和EL6中的每条包括位于显示区域DA中的延伸部分EL-E以及位于第一非显示区域NDA1中的绕行部分EL-C。延伸部分EL-E和绕行部分EL-C可以分别位于不同(例如，距基底100的距离不同)的层上。参照图9，第六发射控制线EL6的延伸部分EL-E可以位于(例如，直接位于)栅极绝缘层2141上，第六发射控制线EL6的绕行部分EL-C可以位于(例如，直接位于)平坦化绝缘层2180上。第六发射控制线EL6的延伸部分EL-E和绕行部分EL-C可以通过第一接触孔CNT1彼此电连接，并且中间金属ML可以位于它们之间。在实施方式中，第六发射控制线EL6的延伸部分EL-E可以位于(例如，直接位于)第一层间绝缘层2143上。
中间金属ML可以位于第二层间绝缘层2150上。中间金属ML可以分别通过第一层间绝缘层2143和第二层间绝缘层2150的第(1-1)接触孔CNT1-1连接到延伸部分EL-E，绕行部分EL-C可以通过第(1-2)接触孔CNT1-2分别连接到中间金属ML。中间金属ML可以包括仅布置在与第一接触孔CNT1对应的区域中的岛金属，并且包括与数据线的材料相同的材料。平坦化绝缘层2180上的绕行部分EL-C可以包括与参照图7B描述的像素电极210的材料相同的材料。与图9中所示的第六发射控制线EL6的结构类似，第一发射控制线至第五发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4和EL5中的每条可以包括分别布置在不同层中的延伸部分EL-E和绕行部分EL-C。
第一非显示区域NDA1中的相邻数据线之间的间隔(例如，相邻数据线的绕行部分之间的间隔d)可以比显示区域DA中的相邻数据线之间的间隔D(见图8)小。显示区域DA中的一些像素的显示质量会因在数据线的布置为具有相对窄的间隔d的绕行部分之间引起的耦合而劣化。相反，根据实施例，绕行部分EL-C可以布置在第一非显示区域NDA1中的相邻数据线之间，可以使由于发生上述耦合而引起的问题最小化。
在第一非显示区域NDA1中，第一扫描线至第六扫描线SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5和SWL6的绕行部分以及第一前一扫描线至第六前一扫描线SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5和SIL6的绕行部分可以位于与其上布置有第一发射控制线至第六发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4、EL5和EL6的绕行部分EL-C的层不同的层上。同时，在第一非显示区域NDA1中，第一扫描线至第六扫描线SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5和SWL6的绕行部分以及第一前一扫描线至第六前一扫描线SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5和SIL6的绕行部分可以彼此隔开，同时不与第一发射控制线至第六发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4、EL5和EL6的绕行部分EL-C叠置。
例如，如图10中所示，在彼此相邻的第四数据线DL4与第五数据线DL5之间的第二发射控制线EL2的绕行部分EL-C、第二扫描线SWL2和第二前一扫描线SIL2可以彼此间隔开。例如，当从与基底100的顶表面垂直的方向观看显示面板10时，第四数据线DL4可以与第二发射控制线EL2的绕行部分EL-C(例如，横向地)间隔开第一间隔d1，第二发射控制线EL2的绕行部分EL-C可以与第二扫描线SWL2间隔开第二间隔d2，第二扫描线SWL2可以与第二前一扫描线SIL2间隔开第三间隔d3，并且第二前一扫描线SIL2可以与第五数据线DL5间隔开第四间隔d4。
如图8中所示，每个像素P的初始化电压线VL可以在显示区域DA中沿x方向延伸，并且将初始化电压传输到布置在开口区域OA的左侧和右侧中的像素的初始化电压线VL可以在开口区域OA周围断开。在开口区域OA周围断开的初始化电压线VL可以通过第二接触孔CNT2连接到布置在第一非显示区域NDA1中的电极层VL-R。电极层VL-R可以具有围绕开口区域OA的环形形状。
如上面参照图7A和图7B描述的，初始化电压线VL可以布置在第一层间绝缘层2143上，并且电极层VL-R可以布置在平坦化绝缘层2180上。电极层VL-R可以通过第二接触孔CNT2连接到初始化电压线VL。
图11示出了根据实施例的显示面板10中的发射控制线和发射控制驱动器的平面图。图11的第一发射控制线至第四发射控制线EL1、EL2、EL3和EL4与上面参照图8至图10描述的第一发射控制线至第四发射控制线EL1、EL2、EL3和EL4对应。
第一发射控制线EL1可以从位于图11的右侧上的第二非显示区域NDA2中的第一发射控制驱动器120Aa接收发射控制信号，并且相关信号可以通过第一发射控制线EL1的延伸部分EL-E、绕行部分EL-C和另一延伸部分EL-E提供到分别布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素。同样地，第二发射控制线EL2可以从位于图11的右侧上的第二非显示区域NDA2中的第二发射控制驱动器120Ab接收发射控制信号，并且相关信号可以通过第二发射控制线EL2的延伸部分EL-E、绕行部分EL-C和另一延伸部分EL-E提供到分别布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素。
第三发射控制线EL3可以从位于图11的左侧上的第二非显示区域NDA2中的第三发射控制驱动器110Aa接收发射控制信号，并且相关信号可以通过第三发射控制线EL3的延伸部分EL-E、绕行部分EL-C和另一延伸部分EL-E提供到分别布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素。同样地，第四发射控制线EL4可以从位于图11的左侧上的第二非显示区域NDA2中的第四发射控制驱动器110Ab接收发射控制信号，并且相关信号可以通过第四发射控制线EL4的延伸部分EL-E、绕行部分EL-C和另一延伸部分EL-E提供到分别布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素。
在一些其他装置中，如果第一发射控制线EL1在开口区域OA周围彼此间隔开而不包括绕行部分EL-C(例如，第一发射控制线EL1仅包括延伸部分EL-E)，则需要分别位于显示区域DA的左侧和右侧上的第二非显示区域NDA2中的一对第一发射控制驱动器120Aa。同样地，在第二发射控制线至第四发射控制线EL2、EL3和EL4在开口区域OA周围彼此间隔开而不包括绕行部分EL-C的情况下，需要分别位于显示区域DA的左侧和右侧上的第二非显示区域NDA2中的一对第二发射控制驱动器至一对第四发射控制驱动器120Ab、110Aa和110Ab。在这种情况下，第二非显示区域NDA2的面积会增大。
相反，根据实施例，如图11中所示，第一发射控制线至第四发射控制线EL1、EL2、EL3和EL4中的每条可以包括连接到延伸部分EL-E的绕行部分EL-C，可以减小布置在图11的第二非显示区域NDA2中的发射控制驱动器的数量以及第二非显示区域NDA2的面积。
在实施方式中，如图11中所示，第一发射控制驱动器至第四发射控制驱动器120Aa、120Ab、110Aa和110Ab可以在显示区域DA周围的左侧和右侧上交替成对地布置。在实施方式中，第一发射控制驱动器至第四发射控制驱动器120Aa、120Ab、110Aa和110Ab可以交替地布置在分别位于显示区域DA周围的左侧和右侧上的第二非显示区域NDA2中。例如，第一发射控制驱动器120Aa和第二发射控制驱动器120Ab可以布置在位于显示区域DA的右侧上的第二非显示区域NDA2中，并且第三发射控制驱动器110Aa和第四发射控制驱动器110Ab可以布置在位于显示区域DA的左侧上的第二非显示区域NDA2中。
图12和图13示出了根据另一实施例的显示面板10中的开口区域OA周围的线的平面图。参照图12和图13，每个像素P包括电极电压线。关于此，图12和图13示出了第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6。为了便于描述，尽管图12和图13提取并示出了图8中示出的线之中的第一扫描线至第六扫描线SWL1、SWL2、SWL3、SWL4、SWL5和SWL6、第一前一扫描线至第六前一扫描线SIL1、SIL2、SIL3、SIL4、SIL5和SIL6、第一发射控制线至第六发射控制线EL1、EL2、EL3、EL4、EL5和EL6以及第一数据线至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6，但是在另一实施例中，图12和图13的显示面板10可以包括参照图8描述的所有元件。由于上面参照图8描述了图12和图13中示出的元件之中的与图8的元件相同的元件，因此可以省略其描述，并且下面主要描述不同之处。
参照图12，在实施例中，像素P的在显示区域DA中沿x方向延伸的第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以在第一非显示区域NDA1中彼此连接。彼此连接的第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以连接到在第一非显示区域NDA1中围绕开口区域OA的多个连接电极HL-R(或环形电极)。每个连接电极HL-R可以具有环形形状。
如图12中所示，连接电极HL-R可以布置为在开口区域OA周围形成同心圆形状并连接到第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6以形成径向网格形状。
如参照图7A和图7B描述的，第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以布置在第一层间绝缘层2143上。多个连接电极HL-R可以布置在与其上布置有第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6的层相同的层上，并且可以包括与第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6的材料相同的材料，并且可以与第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6形成为一体。
具有环形形状的连接电极HL-R可以在第一非显示区域NDA1中位于相邻数据线的绕行部分之间。具有恒定电压的电压电平的连接电极HL-R可以减小相邻数据线的绕行部分之间的耦合。
参照图13，在另一实施例中，第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6中的每条可以包括在开口区域OA的边缘周围绕行的绕行部分HL-C。第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6中的每条的绕行部分HL-C可以布置在相邻数据线的绕行部分之间，以减小它们之间的耦合。
图14示出了根据另一实施例的显示面板10中的开口区域OA周围的线的平面图，图15示出了沿图14的线XV-XV'截取的剖视图。当与参照图8至图10描述的线进行比较时，提供到图15的显示面板10的线在发射控制线的绕行部分EL-C的堆叠结构上是不同的，而其他线的描述与上面参照图8至图10进行的描述相同。
参照图14和图15，绕行部分EL-C可以布置在第一层间绝缘层2143上。例如，布置在栅极绝缘层2141上的第六发射控制线EL6的延伸部分EL-E可以通过第一接触孔CNT1连接到位于第一层间绝缘层2143上的绕行部分EL-C。绕行部分EL-C可以包括与第二存储电容器板Cst2的材料相同的材料。
参照图14，显示面板10可以包括电极电压线。关于此，图14示出了连接到开口区域OA周围的左侧和右侧上的像素的第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6。
第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以在开口区域OA周围彼此间隔开。如上面参照图7B描述的，彼此隔开的第一电极电压线至第六电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以与驱动电压线构成网格结构。因此，即使电极电压线HL在开口区域OA周围彼此间隔开，电极电压线HL也可以保持相同的电压电平。
参照图15描述的电极电压线的结构同样适用于上面参照图8描述的实施例以及下面将参照图16描述的实施例和/或由其衍生的实施例。
图16示出了根据另一实施例的显示面板10中的开口区域OA周围的线的平面图，图17示出了沿图16的线XVII-XVII'截取的剖视图。
参照图16，在第一非显示区域NDA1中，相邻像素中的一个像素的扫描线可以连接到另一像素的前一扫描线。例如，将扫描信号传输到布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素P的第一行上的第一扫描线SWL1可以在第一非显示区域NDA1中连接到第二行上的第二前一扫描线SIL2。例如，在第一非显示区域NDA1中，第二前一扫描线SIL2可以连接到第一扫描线SWL1的绕行部分。在另一方面，在第一非显示区域NDA1中，第一扫描线SWL1可以连接到第二前一扫描线SIL2的绕行部分。例如，第一扫描线SWL1和第二前一扫描线SIL2可以共享绕行部分。根据参照图8描述的实施例，第二前一扫描线SIL2的绕行部分和第一扫描线SWL1的绕行部分可以在开口区域OA的边缘周围单独地绕行。在图16中所示的实施例中，第二前一扫描线SIL2和第一扫描线SWL1可以沿一条绕行线(例如，一个绕行部分)在开口区域OA的边缘周围绕行。例如，可以减少穿过第一非显示区域NDA1的扫描线和前一扫描线的数量。
同样地，将扫描信号传输到布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素P的第二行上的第二扫描线SWL2可以在第一非显示区域NDA1中连接到第三行上的第三前一扫描线SIL3。第三行上的第三扫描线SWL3可以在第一非显示区域NDA1中连接到第四行上的第四前一扫描线SIL4，第四行上的第四扫描线SWL4可以在第一非显示区域NDA1中连接到第五行上的第五前一扫描线SIL5，第五行上的第五扫描线SWL5可以在第一非显示区域NDA1中连接到第六行上的第六前一扫描线SIL6。
在实施方式中，如图16中所示，第N前一扫描线可以连接到第(N-1)扫描线的绕行部分。在实施方式中，第(N-1)扫描线可以连接到第N前一扫描线的绕行部分(N是整数)。
在第一非显示区域NDA1中，相邻像素中的一个像素的发射控制线可以连接到另一像素的发射控制线。例如，将发射控制信号传输到布置在开口区域OA的左侧和右侧上的像素P的第一行上的第一发射控制线EL1可以在第一非显示区域NDA1中连接到第二行上的第二发射控制线EL2。例如，在第一非显示区域NDA1中，第二发射控制线EL2可以连接到第一发射控制线EL1的绕行部分EL-C。根据参照图8描述的实施例，第一发射控制线EL1的绕行部分EL-C和第二发射控制线EL2的绕行部分EL-C在开口区域OA的边缘周围单独地绕行。根据图16中示出的实施例，第一发射控制线EL1和第二发射控制线EL2可以沿一条绕行线(即，一个绕行部分EL-C)在开口区域OA的边缘周围绕行。例如，可以减少发射控制线的数量，也就是说，可以减少发射控制线的分别穿过第一非显示区域NDA1的绕行线的数量。
同样地，第三行上的第三发射控制线EL3可以在第一非显示区域NDA1中连接到第四行上的第四发射控制线EL4，第五行上的第五发射控制线EL5可以在第一非显示区域NDA1中连接到第六行上的第六发射控制线EL6。
在实施方式中，第N发射控制线可以连接到第(N-1)发射控制线的绕行部分。在实施方式中，第(N-1)发射控制线可以连接到第N发射控制线的绕行部分(N是整数)。如上所述，在第(N-1)扫描线和第N前一扫描线彼此连接，并且第(N-1)发射控制线和第N发射控制线彼此连接的情况下，可以交替地布置彼此连接的扫描线和前一扫描线的绕行部分以及彼此连接的发射控制线的绕行部分。参照图16和图17，彼此连接的发射控制线的绕行部分、彼此连接的扫描线和前一扫描线的绕行部分以及彼此连接的发射控制线的绕行部分可以从开口区域OA的中心沿径向方向顺序地布置在相邻数据线的绕行部分之间。
在实施方式中，如图16中所示，第(N-1)扫描线和第N前一扫描线可以彼此连接，第(N-1)发射控制线和第N发射控制线可以彼此连接。在实施方式中，第(N-1)扫描线和第N前一扫描线可以彼此连接，第(N-1)发射控制线和第N发射控制线可以不彼此连接。在另一实施方式中，第(N-1)发射控制线和第N发射控制线可以彼此连接，第(N-1)扫描线和第N前一扫描线可以不彼此连接。
在实施方式中，可以包括具有参照图12描述的环形形状的连接电极HL-R(见图12)，或者均包括具有弧形形状的绕行部分HL-C(见图13)的电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6可以被设置到图16，并且如参照图14描述的，可以设置彼此间隔开且开口区域OA位于其间的电极电压线HL1、HL2、HL3、HL4、HL5和HL6。
图18示出了根据另一实施例的显示面板10的一部分的平面图。
参照图18，如参照图16描述的，第一扫描线SWL1和第二前一扫描线SIL2可以彼此连接，因此一条绕行线(绕行部分)可以穿过第一非显示区域NDA1，并且第一发射控制线EL1和第二发射控制线EL2可以彼此连接，因此，一条绕行线(绕行部分)可以穿过第一非显示区域NDA1。在实施方式中，除了第一扫描线SWL1、第二前一扫描线SIL2、第一发射控制线EL1和第二发射控制线EL2之外，显示面板10还可以包括具有与上面参照图16描述的显示面板10的结构相同的结构的线。
布置在第一非显示区域NDA1的左侧上的两条或更多条初始化电压线可以彼此连接。例如，如图18中所示，将初始化电压传输到第一行上的像素P的第一初始化电压线VL1以及将初始化电压传输到第二行上的像素P的第二初始化电压线VL2可以连接到条(bar)型或线性型的电极层VL-CL。电极层VL-CL可以布置在与其上布置有第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2的层不同的层上。例如，布置在与其上布置有数据线的层相同的层上的电极层VL-CL可以通过第三接触孔CNT3连接到布置在其下方的第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。在实施方式中，布置在第一非显示区域NDA1的右侧上的两条或更多条初始化电压线也可以通过位于开口区域OA的右侧上的电极层彼此电连接。
作为增加可以与显示装置组合或相关联的各种功能的方式，一个或更多个实施例可以提供包括开口区域的显示面板以及包括该显示面板的设备，其中，在显示区域内部的相机、传感器等可以布置在开口区域中。
实施例可以有助于防止开口区域周围的线(布线)之间的干扰(例如，包括开口区域(或开口)的显示装置中的相邻数据线之间的耦合)，并且减小开口区域周围被线占据的非显示区域的面积。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是它们仅以一般性的和描述性的含义来使用并将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，除非另外具体指出，否则对于本领域普通技术人员将清楚的是，自提交本申请之时起，结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括围绕开口区域的显示区域以及位于所述开口区域与所述显示区域之间的非显示区域；
多个显示元件，位于所述显示区域中；
多条扫描线，在第一方向上延伸并在所述开口区域的边缘周围绕行；
多条数据线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述多条数据线在所述开口区域的所述边缘周围绕行；以及
多条发射控制线，在所述第一方向上延伸并在所述开口区域的所述边缘周围绕行。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多条发射控制线之中的第一发射控制线的绕行部分在所述非显示区域中位于所述多条数据线之中的相邻数据线的绕行部分之间。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多条扫描线之中的第一扫描线的绕行部分在所述非显示区域中位于所述多条数据线之中的所述相邻数据线的所述绕行部分之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一扫描线的所述绕行部分和所述第一发射控制线的所述绕行部分在所述相邻数据线的所述绕行部分之间彼此间隔开预定间隔。
5.根据权利要求3所述的显示面板，所述显示面板还包括：多条前一扫描线，在所述第一方向上延伸并在所述开口区域的所述边缘周围绕行，
其中，所述多条前一扫描线中的一条前一扫描线连接到所述第一扫描线的所述绕行部分。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多条发射控制线之中的与所述第一发射控制线相邻的第二发射控制线连接到所述第一发射控制线的所述绕行部分。
7.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述多个显示元件中的每个显示元件连接到像素电路，所述像素电路包括：
开关薄膜晶体管，连接到所述多条扫描线中的一条扫描线和所述多条数据线中的一条数据线；
驱动薄膜晶体管，电连接到所述开关薄膜晶体管，并且响应于所述开关薄膜晶体管的数据信号，驱动电流流过所述驱动薄膜晶体管；以及
控制薄膜晶体管，电连接到所述驱动薄膜晶体管，
其中，所述第一发射控制线电连接到所述控制薄膜晶体管的栅电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述控制薄膜晶体管包括发射控制薄膜晶体管，所述发射控制薄膜晶体管连接到所述驱动薄膜晶体管，并且被构造为将所述驱动电流传输到电连接到所述驱动薄膜晶体管的所述显示元件。
9.根据权利要求7所述的显示面板，所述显示面板还包括：多条电压线，在所述第二方向上延伸并向所述显示元件提供驱动电压，
其中，所述控制薄膜晶体管包括操作控制薄膜晶体管，所述操作控制薄膜晶体管将所述驱动薄膜晶体管与对应于所述驱动薄膜晶体管的所述电压线连接。
10.根据权利要求2所述的显示面板，其中：
所述第一发射控制线包括穿过所述显示区域的延伸部分，所述显示面板还包括位于所述第一发射控制线的所述绕行部分与所述延伸部分之间的绝缘层，并且
所述第一发射控制线的所述绕行部分通过所述绝缘层的接触孔与所述延伸部分接触。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述第一发射控制线的所述绕行部分位于与其上布置有像素电极的层相同的层上，针对所述多个显示元件中的每个显示元件设置所述像素电极。
12.根据权利要求10所述的显示面板，所述显示面板还包括：上绝缘层，位于所述第一发射控制线的所述绕行部分与所述多条数据线之间，
其中，所述第一发射控制线的所述绕行部分位于所述绝缘层与所述上绝缘层之间。
13.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括在所述开口区域周围彼此间隔开的多条初始化电压线。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述多条初始化电压线通过具有环形形状并位于所述非显示区域中的电极层彼此连接。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述多条初始化电压线之中的位于所述开口区域的第一侧上的初始化电压线在所述非显示区域中通过条型的电极层彼此连接。
16.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的显示区域以及位于所述开口区域与所述显示区域之间的非显示区域；
多个显示元件，位于所述显示区域中，每个显示元件包括像素电极、面对所述像素电极的对电极以及位于所述像素电极与所述对电极之间的发射层；
多条第一线，在第一方向上延伸并沿所述开口区域的边缘在周围绕行；
多条第二线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并沿所述开口区域的所述边缘在周围绕行；以及
多条第三线，在所述第一方向上延伸并沿所述开口区域的所述边缘在周围绕行，
其中，所述多条第三线中的至少一条第三线包括：延伸部分，在所述开口区域周围彼此间隔开；绝缘层，位于所述延伸部分上；以及绕行部分，通过所述绝缘层的接触孔连接到所述延伸部分，并且
其中，所述绕行部分在所述非显示区域中位于相邻的第二线的绕行部分之间。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，
所述多条第一线中的每条第一线包括扫描线，并且
所述多条第二线中的每条第二线包括数据线。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述多条第三线中的每条第三线包括发射控制线。
19.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述绕行部分包括与所述像素电极的材料相同的材料。
20.根据权利要求16所述的显示面板，其中：
所述多个显示元件中的每个显示元件连接到驱动薄膜晶体管、存储电容器和电压线，所述存储电容器包括第一存储电容器板和第二存储电容器板，所述电压线被配置为向所述第二存储电容器板提供电压，并且
所述绕行部分包括与所述第二存储电容器板的材料相同的材料。
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