CN112542493A - 显示面板 - Google Patents

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CN112542493A CN202010994731.8A CN202010994731A CN112542493A CN 112542493 A CN112542493 A CN 112542493A CN 202010994731 A CN202010994731 A CN 202010994731A CN 112542493 A CN112542493 A CN 112542493A
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全裕珍
李元世
张东玄
金修京
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Abstract

本发明涉及显示面板。显示装置包括具有提高的可靠性和减小的非显示区域的显示面板。显示面板包括：基板，包括非显示区域和在非显示区域外的显示区域，非显示区域围绕透射区域；设置在显示区域中的多个显示元件；沿第一方向延伸并包括迂回绕过透射区域边缘的迂回部分的多条第一线；以及设置在非显示区域的迂回部分之上以便与迂回部分重叠并包括对应于透射区域的孔的屏蔽层。

Description

显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2019年9月20日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2019-0116343号的优先权和权益，在此通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，且例如涉及一种具有提高的可靠性和减小的非显示区域的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途已经多样化。此外，随着显示装置已变得更薄和更轻，它们的使用范围已逐渐扩展。
当显示装置以各种方式使用时，它们的形状可以以各种方式设计。此外，越来越多的功能可以被组合或者与显示装置相关联。
发明内容
由于越来越多的功能可以被组合或者与显示装置相关联，本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置，该显示面板包括在显示区域内的、相机、传感器等可以设置在其内的透射区域。然而，应该理解，在此所述的实施例应该仅以说明性意义考虑，且不限于本公开。
附加的方面将部分地在以下描述中阐述，且部分地由描述而明显，或者可以通过本公开所提出实施例的实践而习得。
本公开的一个或多个示例实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：基板，包括非显示区域和在非显示区域外(例如，围绕非显示区域)的显示区域，非显示区域围绕透射区域；设置在显示区域中的多个显示元件(例如有机发光二极管)；沿第一方向延伸的多条第一线，各自包括迂回绕过透射区域边缘的迂回部分；以及与非显示区域的迂回部分重叠的屏蔽层，其中多条第一线的每条包括位于非显示区域中并包含迂回部分的第一导电线或第二导电线，且第一导电线和第二导电线交替地设置在不同层上。
屏蔽层可以具有恒定电压。
屏蔽层可以不与透射区域重叠(例如，可以不在透射区域之上)。
屏蔽层可以具有对应于透射区域的孔。
显示面板可以进一步包括多条第二线，多条第二线沿第一方向延伸并具有与屏蔽层的电压相同的电压。
屏蔽层和多条第二线可以包括相同材料。
显示面板可以进一步包括多条第三线，多条第三线在显示区域中沿与第一方向相交(例如交叉)的第二方向延伸并在非显示区域外断开。
彼此最靠近的第一导电线和第二导电线(例如相邻线)之间的距离可以小于第一导电线和第二导电线中的每条的宽度。
多条第一线中的每条可以进一步包括位于显示区域中的第三导电线。
第三导电线可以设置在第一导电线和第二导电线之上，绝缘层在第三导电线与第一导电线和所述第二导电线之间，且第三导电线可以通过限定在绝缘层中的接触孔连接至第一导电线或第二导电线。
显示面板可以进一步包括薄膜晶体管和存储电容器，薄膜晶体管和存储电容器中的每个设置在显示区域中并连接至多个显示元件中的每个，其中薄膜晶体管可以包括半导体层、栅电极和电极层，栅电极与半导体层的至少一部分重叠，且电极层连接至半导体层，并且存储电容器可以包括底电极和顶电极，底电极包括与栅电极的材料相同的材料，且顶电极设置在底电极和电极层之间。
第一导电线和栅电极可以包括相同材料或者由相同材料形成。
第二导电线和顶电极可以包括相同材料或者由相同材料形成。
第三导电线和电极层可以包括相同材料或者由相同材料形成。
屏蔽层和电极层可以包括相同材料或者由相同材料形成。
显示面板可以进一步包括第四导电线，第四导电线设置在第二导电线下方以便与第二导电线重叠。
第四导电线和半导体层可以包括相同材料或者由相同材料形成。
第四导电线的宽度可以大于第二导电线的宽度。
相同电压可以被施加至屏蔽层和第四导电线。
显示面板可以进一步包括覆盖多个显示元件并面对基板的封装基板以及在基板和封装基板之间围绕显示区域的密封材料。
显示面板可以进一步包括在基板和封装基板之间的材料层，材料层包括有机材料、无机材料和导电材料中的至少一种，其中材料层可以设置在透射区域之外。
本公开的一个或多个示例实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括基板，基板包括非显示区域和在非显示区域外(例如，围绕非显示区域)的显示区域，非显示区域围绕透射区域；设置在显示区域中的多个显示元件；沿第一方向延伸的多条第一线，每条第一线包括迂回绕过透射区域边缘的迂回部分；在非显示区域中设置在迂回部分之上的屏蔽层；以及包括与透射区域对应的电子元件的部件。
本公开的实施例的以上和其他方面、特征和优点将从以下描述、附图和权利要求更明显。
这些一般和特定方面可以由系统、方法、计算机程序或者某一系统、方法和计算机程序的组合执行。
附图说明
本公开某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将从结合附图的以下描述而更明显，其中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2A至图2D是沿着图1的线II-II’截取的、根据实施例的显示装置的截面图；
图3A至图3C是沿着图1的线II-II’截取的、根据其他实施例的显示装置的截面图；
图4A和图4B是根据实施例的显示面板的平面图；
图5是根据实施例的显示面板的像素中的一个的等效电路图；
图6A和图6B是根据实施例的显示面板的像素中的一个的平面图；
图7A是沿着图6A的线Aa-Aa’和Ba-Ba’截取的像素的截面图；
图7B是沿着图6B的线Ab-Ab’和Bb-Bb’截取的像素的截面图；
图8是根据实施例的透射区域周围布线的平面图；
图9A是沿着图8的线IXa-IXa’截取的布线的截面图；
图9B是沿着图8的线IXb-IXb’截取的布线的截面图；
图10A是沿着图8的线X-X’截取的布线的截面图；
图10B是图10A的修改示例且对应于图6B和图7B的截面图；
图11是根据另一实施例的开口区域周围的布线的平面图；
图12是沿着图11的线XII-XII’截取的布线的截面图；
图13A是沿着图11的线XIII-XIII’截取的布线的截面图；
图13B是图13A的修改示例且对应于图10B的截面图；以及
图14是图8的修改示例，示出了根据另一实施例的开口区域周围的布线的平面图。
具体实施方式
现在将更详细参照实施例，其示例在附图中说明，其中遍及附图相同的附图标记指的是相同元件，且可以不提供重复描述。在这点上，本实施例可以具有不同形式且不应解释为限定于在此所阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施例以解释本描述的方面。如在此所使用，术语“和/或”包括相关所列项的一个或多个的任意和全部组合。遍及本公开，表达“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变形。
将理解，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等以描述各个部件，但这些部件不应受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个部件与另一个。
如在此所使用，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文明确给出相反指示。进一步，当描述本公开的实施例时“可以”的使用指的是“本公开的一个或多个实施例”。
将进一步理解，在此所使用的术语“包括”和“包含”规定了所述特征或部件的存在，但是并未排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。如在此所使用，诸如“中的至少一个”、“中的一个”和“从……选择的”的表达在元件列表之后时修饰整个元件列表且并非修饰列表的个别元件。
将理解，当层、区域或部件称作“形成”在另一层、区域或部件“上”时，其可以直接地或间接地形成在另一层、区域或部件上。在一些实施例中，例如，可以存在中间层、区域或部件。
可以为了方便说明而夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于为了方便说明而任意地图示附图中部件的尺寸和厚度，以下实施例不限于此。
当可以不同地实施某一实施例时，可以与所述顺序不同地执行特定工艺。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以与所述顺序相反的顺序执行。
在本说明书中，“A和/或B”可以指的是A或B，或者A和B。在本说明书中，“A和B中的至少一个”意指A或B，或者A和B。
为了易于描述，本文可以使用空间相关术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“底部”和“顶部”等来描述如附图中图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。空间相关术语旨在涵盖装置在使用时或在操作时除附图中描绘的朝向以外的不同朝向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为位于其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后位于其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以包含上方和下方两种朝向。装置可以朝向别的方向(旋转90度或在其他朝向)，并且因此相应地解释本文中使用的空间相关描述符。
将理解，当层、区域或部件称作“连接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接连接”至另一层、区域或部件，和/或可以“间接连接”至另一层、区域或部件，其他层、区域或部件插入在两者之间。例如，将理解，当层、区域或部件称作“电连接”至另一层、区域或部件时，其可以“直接电连接”至另一层、区域或部件，和/或可以“间接电连接”至另一层、区域或部件，其他层、区域或部件插入在两者之间。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，且可以以更广泛意义解释。在一些实施例中，例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示并非彼此垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1包括通过其发射光的显示区域DA以及通过其不发射光的非显示区域NDA。显示装置1可以使用从设置在显示区域DA中的多个像素P(参见图4A)所发射的光来显示图像。
显示装置1包括开口区域OA作为透射区域。开口区域OA可以至少部分地由显示区域DA围绕。在图1的实施例中，开口区域OA由显示区域DA完全围绕。非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2，第一非显示区域NDA1围绕开口区域OA，且第二非显示区域NDA2围绕显示区域DA。例如，第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
开口区域OA可以是设置电子元件的场所或位置，如以下参照图2A等所述。开口区域OA可以是透射区域，从电子元件输出的光和/或声可以通过该透射区域而在电子元件与外界(例如沿任一方向)之间传递或传播。在实施例中，在光穿过开口区域OA的情形中，透光率可以是50％或更大、70％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大、或者90％或更大。
下文中，尽管根据实施例的显示装置1描述为有机发光显示装置作为示例，但本公开不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以是任何合适显示技术的显示装置，例如，无机发光显示器或量子点发光显示器。例如，显示装置1内的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
尽管在图1中示出了开口区域OA设置在具有矩形形状的显示区域DA的一侧(右上侧)，但实施例不限于此。显示区域DA的形状并未特别限制，且可以例如是圆形、椭圆形或多边形(诸如三角形或五边形)。进一步，开口区域OA相对于显示区域DA的位置可以改变为任何合适的位置。
图2A至图2D是沿着图1的线II-II’截取的、根据各个合适实施例的显示装置1的截面图。
参照图2A，显示装置1可以包括显示面板10和部件20(例如电子部件20)，显示面板10包括显示元件，且部件20对应于开口区域OA(例如位于开口区域OA内或者在开口区域OA的中间)。
显示面板10可以包括基板100、封装基板300和基板100与封装基板300之间的显示元件层200，封装基板300用作封装构件并面对基板100。覆盖显示元件层200的侧面(例如垂直侧面)的密封材料350(密封剂)可以设置在基板100和封装基板300之间。尽管图2A中示出密封材料350设置在开口区域OA的相对的两侧，当沿垂直于基板100的主表面的方向(例如在平面图中)观察时，开口区域OA可以由密封材料350完全围绕。
基板100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、多芳基化合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或醋酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括例如，包含以上聚合物树脂的层和/或无机层。封装基板300可以类似地包括玻璃和/或聚合物树脂。
显示元件层200可以包括电路层、有机发光二极管OLED以及电路层与有机发光二极管OLED之间的绝缘层IL，电路层包括薄膜晶体管TFT，且有机发光二极管OLED用作连接至薄膜晶体管TFT的显示元件。薄膜晶体管TFT和与其相连的有机发光二极管OLED可以设置在显示区域DA中。显示元件层200的一些布线WL可以位于第一非显示区域NDA1中。布线WL可以将设置或预定的信号或电压提供至彼此间隔开的像素，开口区域OA在像素之间。尽管图2A中所绘的实施例示出布线WL在第一非显示区域NDA1中不与密封材料350重叠，但在一些实施例中，密封材料350的一部分可以设置在布线WL之上。
显示面板10可以包括对应于开口区域OA(例如在开口区域OA之上)的贯穿孔10H。例如，基板100和封装基板300可以分别包括贯穿孔100H和300H，每个对应于开口区域OA。显示元件层200可以包括对应于开口区域OA的贯穿孔。
在一些实施例中，诸如输入感测构件、防反射构件和/或透明窗口的附加的元件可以进一步设置在显示面板10上，输入感测构件感测触摸输入，且防反射构件包括偏振器和延迟器，和/或滤色器和黑矩阵。
部件20可以位于开口区域OA中。部件20可以是使用(例如能够产生和/或处理)光或声的电子元件。例如，电子元件可以是传感器(诸如发射和/或接收光的红外传感器)，接收光并捕捉图像的相机，输出并感测光或声以测量距离或识别指纹的传感器，输出光的小灯，或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各个波段的光(诸如可见光、红外光和/或紫外光)。如图2A中所示，在显示面板10包括对应于开口区域OA的贯穿孔10H的情形中，可以更有效地利用从电子元件输出或者由电子元件所接收的光或声。
在一些实施例中，不同于图2A中所示包括对应于开口区域OA的贯穿孔10H的显示面板10，显示面板10的元件中的一些可以不包括贯穿孔。例如，如图2B中所示，封装基板300可以包括对应于开口区域OA的贯穿孔300H，但是基板100可以不包括贯穿孔。
在一些实施例中，如图2C和图2D中所示，基板100和封装基板300两者可以(例如同时地)不包括对应于开口区域OA的贯穿孔。如图2C中所示，密封材料350可以设置在第一非显示区域NDA1中以围绕开口区域OA。
在一些实施例中，不同于图2C，密封材料350可以不提供在开口区域OA周围，如图2D中所示。(第二)密封材料360可以位于第二非显示区域NDA2中，且可以通过将基板100结合至封装基板300来密封显示元件层200隔绝外部空气。在一些实施例中，图2A至图2C的显示装置1也可以包括围绕显示区域DA的密封材料360。
图2D的绝缘层IL可以具有对应于开口区域OA的开口IL-OP。在实施例中，元件可以不设置在基板100和封装基板300之间，且例如，可以没有元件对应于开口区域OA或位于开口区域OA内。在另一实施例中，一个或多个无机绝缘层(诸如缓冲层)的一部分可以保留在基板100的开口区域OA中。
如图2B至图2D中所示，甚至当基板100不包括贯穿孔100H时，由于移除了显示元件层200的对应于开口区域OA的部分，可以保证或提高电子元件的透光率。在显示装置1包括图2B至图2D中所示的显示面板10的情形中，采用使用(例如产生或接收)光的电子元件可以是合适的或可能的。
尽管图2A至图2D中示出部件20位于显示面板10下方，例如，位于基板100的一侧(例如下方)，但在一些实施例中部件20可以至少部分地插入贯穿孔10H并位于贯穿孔10H内，以便与图2A中显示面板10的限定了贯穿孔10H的侧面重叠。
在一些实施例中，部件20可以除了电子元件之外包括另一构件。在实施例中，例如在显示装置1用作智能手表或汽车仪表板的情形中，部件20可以是诸如时钟指针或指示了设置或预定信息(例如车辆速度等)的指针的构件。在一些实施例中，部件20可以包括诸如提高显示面板10的美感的附件的元件。
图3A至图3C是沿着图1的线II-II’截取的、根据其他实施例的显示装置1的截面图。
参照图3A，类似参照图2A所述的显示装置1，显示装置1可以包括显示面板10和部件20。在一些实施例中，显示装置1可以进一步包括设置在显示面板10上的感测触摸输入的输入感测构件、防反射构件、窗口等。
不同于以上参照图2A所述的包括作为封装构件的封装基板300以及密封材料350的显示面板10，根据本实施例的显示面板10可以包括薄膜封装层300’作为封装构件。在该情形中，可以进一步改进显示面板10的柔性。下文中，为了方便描述，描述将聚焦于相对之前所述实施例的差异。
薄膜封装层300’可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，图3A示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
显示面板10可以包括对应于开口区域OA的贯穿孔10H。例如，基板100、显示元件层200和薄膜封装层300’可以分别包括各自对应于开口区域OA的贯穿孔100H、200H和300H。第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320可以各自包括对应于开口区域OA的孔。有机封装层320的孔尺寸可以大于第一无机封装层310和第二无机封装层330的孔尺寸。因此，第一无机封装层310可以在开口区域OA周围接触第二无机封装层330。
不同于图3A中包括对应于开口区域OA的贯穿孔10H的显示面板10，显示面板10可以不包括贯穿孔。如图3B中所示，显示元件层200和薄膜封装层300’可以分别包括对应于开口区域OA的贯穿孔200H和300H，但是基板100可以不包括贯穿孔。
在一些实施例中，如图3C中所示，基板100、显示元件层200和薄膜封装层300’中的每个可以不包括对应于开口区域OA的贯穿孔。即使基板100如图3B和3C所示不包括贯穿孔100H，也可以移除显示元件层200的对应于开口区域OA的部分，且因此可以保证或提高作为部件20的电子元件的透光率。
在薄膜封装层300’不包括贯穿孔的情形中，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层可以各自在开口区域OA中覆盖基板100的一部分。在该情形中，可以移除基板100和薄膜封装层300’之间的显示元件层200的与开口区域OA相对应的部分。尽管图3A示出了移除与开口区域OA相对应的绝缘层IL的全部的实施例，但在一些实施例中可以仅移除多层绝缘层IL的一些层。
尽管图3A至图3C绘出了部件20位于显示面板10下方例如位于基板100的一侧(例如下方)的实施例，但在一些实施例中部件20可以至少部分地插入并位于贯穿孔10H内以便与图3A中显示面板10的限定了贯穿孔10H的侧面重叠。
图4A和图4B是根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图4A至图4B，显示面板10包括设置在显示区域DA中的多个像素P。每个像素P可以包括显示元件(诸如有机发光二极管)。每个像素P可以从有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，像素P可以是如上所述发射红光、绿光、蓝光或白光的子像素。由于显示区域DA由参照图2A至图3C所述的封装构件密封，可以保护显示区域DA隔绝外部空气或湿气等。
开口区域OA可以设置在显示区域DA内侧或内部，且多个像素P可以设置在开口区域OA周围。多个像素P可以围绕开口区域OA，且第一非显示区域NDA1可以位于开口区域OA和显示区域DA之间，其中像素P并未设置在第一非显示区域NDA1内。布线可以迂回绕过第一非显示区域NDA1，且可以将设置或预定的信号或电力施加至在开口区域OA周围隔开的像素P。以下结合图8描述其相关结构。
在一些实施例中，如图4A中所示，开口区域OA可以设置在显示区域DA的右上端。在另一实施例中，如图4B中所示，开口区域OA可以设置在显示区域DA的上部中端。在另一实施例中，开口区域OA可以不受限设置，诸如在显示区域DA的左上端等，只要开口区域OA设置在显示区域DA内侧(内部)即可。
每个像素P可以电连接至设置于非显示区域例如第二非显示区域NDA2中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、第一电源线160和第二电源线170可以设置在第二非显示区域NDA2中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL施加扫描信号至每个像素P。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL提供发射控制信号至每个像素P。第二扫描驱动电路120可以平行于第一扫描驱动电路110，显示区域DA在第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间。设置在显示区域DA中的一些像素P可以电连接至第一扫描驱动电路110，且剩余的像素P可以连接至第二扫描驱动电路120。在另一实施例中，第二扫描驱动电路120可以省略。
端子140可以设置在基板100的一侧。端子140可以通过并未由绝缘层所覆盖而暴露并电连接至印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接至显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器的信号或电力传输至显示面板10。由控制器所产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB分别传输至第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171将第一电力ELVDD和第二电力ELVSS(以下参见图5)分别提供至第一电源线160和第二电源线170。第一电力ELVDD(也称作驱动电压)可以通过连接至第一电源线160的驱动电压线PL提供至每个像素P，且第二电力ELVSS(也称作公共电压)可以提供至像素P的连接至第二电源线170的对置电极。
数据驱动电路150可以电连接至数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接至端子140的连接线151和连接至连接线151的数据线DL而提供至每个像素P。尽管图4A和图4B绘出数据驱动电路150设置在印刷电路板PCB上的实施例，但在一些实施例中，数据驱动电路150可以设置在基板100上。在一些实施例中，例如，数据驱动电路150可以在端子140和第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括彼此平行且沿x方向延伸的第一子线162和第二子线163，显示区域DA在第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以具有环形形状，该环形形状具有一个开放侧并部分地围绕显示区域DA。
图5是根据实施例的显示面板10的像素P中的一个的等效电路图。
参照图5，像素P可以包括像素电路PC以及连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。多个薄膜晶体管和存储电容器可以连接至信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
尽管图5中示出每个像素P独立地连接至一组信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但实施例不限于此。在另一实施例中，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由彼此邻接的像素P共用。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线可以包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL可以传输扫描信号Sn，前一扫描线SL-1可以将前一扫描信号Sn-1传输至第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL可以将发射控制信号EM传输至操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，且数据线DL可以与扫描线SL相交(例如交叉)并传输数据信号Dm。驱动电压线PL可以将驱动电压ELVDD传输至驱动薄膜晶体管T1，且初始化电压线VL可以传输初始化电压Vint以初始化驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管OLED的像素电极。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可以通过操作控制薄膜晶体管T5而连接至驱动电压线PL，且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可以通过发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，且可以将驱动电流IOLED供给至有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可以连接至扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可以连接至数据线DL，且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可以连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并通过操作控制薄膜晶体管T5而并行地(例如同时地)连接至驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，且可以执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可以连接至扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可以连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1且通过发射控制薄膜晶体管T6并行地(例如同时地)连接至有机发光二极管OLED的像素电极，且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可以连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，且可以通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1电连接至驱动漏电极D1而将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以连接至前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可以连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可以连接至存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，且可以将初始化电压Vint传输至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，由此执行将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可以连接至发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5可以连接至驱动电压线PL，且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5可以连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可以连接至发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可以连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可以连接至第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号EM而并行地(例如同时地)导通以由此允许将驱动电压ELVDD传输至有机发光二极管OLED，以便驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可以连接至前一扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可以连接至发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可以连接至第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，且可以由此初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图5示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接至前一扫描线SL-1的情形，但实施例不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接至前一扫描线SL-1并响应于前一扫描信号Sn-1而驱动，且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接至单独的信号线(例如下一扫描线)并响应于通过该单独的信号线传输的信号而驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2可以连接至驱动电压线PL，且有机发光二极管OLED的对置电极可以连接至公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED并发射光以由此显示图像。
尽管图5描绘了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4各自具有双栅电极的实施例，但在一些实施例中补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以每个具有一个栅电极。
图6A和图6B是根据实施例的显示面板10的单个像素的平面图，图7A是沿着图6A的线Aa-Aa’和Ba-Ba’截取的像素的截面图，且图7B是沿着图6B的线Ab-Ab’和Bb-Bb’截取的像素的截面图。
参照图6A和图7A，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7可以沿着半导体层1130设置。如图7A至图7B中所示，半导体层1130可以位于基板100之上。缓冲层IL1可以形成在半导体层1130之下，缓冲层IL1包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。
半导体层1130的一些(不同的、设置的)区域可以对应于驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和/或第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层。换言之，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和/或第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层可以彼此连接且可以具有沿各个方向弯曲的形状。
图7A和图7B示出了各自对应于半导体层1130的不同区域的驱动薄膜晶体管T1的驱动半导体层1130a、补偿薄膜晶体管T3的补偿半导体层1130c和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制半导体层1130f。
半导体层1130可以对于每个晶体管包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区在沟道区的相对的两侧。源区和漏区可以分别对应于相关薄膜晶体管的源电极和漏电极。下文中，为了方便描述，源区和漏区分别称作源电极和漏电极。
驱动薄膜晶体管T1包括驱动栅电极G1、驱动源电极S1和驱动漏电极D1，驱动栅电极G1与驱动沟道区重叠，且驱动源电极S1和驱动漏电极D1在驱动沟道区的相对的两侧。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区可以通过具有以各个合适形状弯曲的结构而在狭窄空间中具有长的沟道长度。在驱动沟道区的长度长的情形中，可以扩大栅电压的驱动范围，且可以更容易地控制从有机发光二极管OLED所发射光的灰度，以便可以提高显示品质。
开关薄膜晶体管T2可以包括开关栅电极G2、开关源电极S2和开关漏电极D2，开关栅电极G2与开关沟道区重叠，且开关源电极S2和开关漏电极D2在开关沟道区的相对的两侧。开关漏电极D2可以连接至驱动源电极S1。
补偿薄膜晶体管T3可以是双薄膜晶体管，且可以包括补偿栅电极G3、补偿源电极S3和补偿漏电极D3，补偿栅电极G3与两个补偿沟道区重叠，且补偿源电极S3和补偿漏电极D3在补偿沟道区的相对的两侧。补偿薄膜晶体管T3可以通过以下所述的节点连接线1174而连接至驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
第一初始化薄膜晶体管T4可以是双薄膜晶体管且可以包括第一初始化栅电极G4、第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4，第一初始化栅电极G4与两个第一初始化沟道区重叠，且第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4在第一初始化沟道区的相对的两侧。
操作控制薄膜晶体管T5可以包括操作控制栅电极G5、操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5，操作控制栅电极G5与操作控制沟道区重叠，且操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5在操作控制沟道区的相对的两侧。操作控制漏电极D5可以连接至驱动源电极S1。
发射控制薄膜晶体管T6可以包括发射控制栅电极G6、发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6，发射控制栅电极G6与发射控制沟道区重叠，且发射控制源电极S6和发射控制漏电极D6在发射控制沟道区的相对的两侧。发射控制源电极S6可以连接至驱动漏电极D1。
第二初始化薄膜晶体管T7可以包括第二初始化栅电极G7、第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7，第二初始化栅电极G7与第二初始化沟道区重叠，且第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7在第二初始化沟道区的相对的两侧。
上述薄膜晶体管可以连接至信号线SL、SL-1、EL和/或DL、初始化电压线VL和/或驱动电压线PL。
栅绝缘层IL2(参见图7A)可以设置在半导体层1130上。扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1可以设置在栅绝缘层IL2上。栅绝缘层IL2可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1可以每个独立地包括金属(诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或其合金)。
扫描线SL可以沿x方向延伸。扫描线SL的一些区域可以分别对应于开关栅电极G2和补偿栅电极G3。例如，扫描线SL的与开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3重叠的区域可以分别是(例如对应于)开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
前一扫描线SL-1可以沿x方向延伸，且前一扫描线SL-1的一些区域可以分别对应于第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。例如，前一扫描线SL-1的与第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的沟道区重叠的区域可以分别是(例如对应于)第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
发射控制线EL可以沿x方向延伸。发射控制线EL的一些区域可以分别对应于操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。例如，发射控制线EL的与操作控制薄膜晶体管T6和发射控制薄膜晶体管T7的沟道区重叠的区域可以分别是(对应于)操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。
驱动栅电极G1可以是浮置电极，且可以通过节点连接线1174连接至补偿薄膜晶体管T3。
初始化电压线VL可以沿x方向延伸。初始化电压线VL可以通过初始化连接线1173而连接至第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图6A描绘了初始化电压线VL设置在第一平坦化绝缘层IL5上使得初始化电压线VL设置在与像素电极210设置其上的层相同的层上的实施例，但在一些实施例中初始化电压线VL可以设置在栅绝缘层IL2上以便包括与扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1相同的材料。
在另一实施例中，如图6B中所示，初始化电压线VL可以设置在第一平坦化绝缘层IL5上使得初始化电压线VL在与接触金属1176相同的层上。在该情形中，像素电极210如图7B中所示设置在第二平坦化绝缘层IL6上。
在一些实施例中，电极电压线HL可以设置在扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1之上，包括无机材料的第一层间绝缘层IL3(参见图7A)在电极电压线HL与扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1之间。
如图6A中所示，电极电压线HL可以沿x方向延伸以便与数据线DL和驱动电压线PL相交(例如交叉)。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，且可以与驱动栅电极G1协作构成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1(例如底电极)，且电极电压线HL的一部分可以用作存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2(例如顶电极)。
驱动电压线PL和第二存储电容器板Cst2可以电连接。例如，图6A中示出电极电压线HL通过接触孔1158连接至设置在电极电压线HL上的驱动电压线PL。电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL的电压电平相同的电压电平(恒定电压，例如+5V)。可以理解，电极电压线HL是沿横向的一种驱动电压线。
由于驱动电压线PL沿y方向延伸，且电连接至驱动电压线PL的电极电压线HL沿与y方向相交(例如交叉)的x方向延伸，多条驱动电压线PL和电极电压线HL可以在显示区域DA中构成网格结构。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以每个设置在第二存储电容器板Cst2和电极电压线HL上(例如之上)，包括无机材料的第二层间绝缘层IL4(参见图7A)在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174与第二存储电容器板Cst2和电极电压线HL之间。数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以每个是或包括包含铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的单层或多层结构。在实施例中，例如，驱动电压线PL和数据线DL可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL可以沿y方向延伸且可以通过接触孔1154而连接至开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以是开关源电极S2(例如电极层)。
如上所述，驱动电压线PL可以沿y方向延伸且可以通过接触孔1158而连接至电极电压线HL。此外，驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接至操作控制薄膜晶体管T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155而连接至操作控制漏电极D5。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接至第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，且初始化连接线1173的另一端可以通过接触孔1151连接至初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接至补偿漏电极D3，且节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接至驱动栅电极G1。
包括有机绝缘材料的第一平坦化绝缘层IL5可以位于数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上。像素电极210可以设置在第一平坦化绝缘层IL5上。
像素电极210可以连接至发射控制薄膜晶体管T6。像素电极210可以通过接触孔CH连接至连接金属1175，且连接金属1175可以通过接触孔1153而连接至发射控制漏电极D6。
在另一实施例中，如图6B和图7B中所示，第一平坦化绝缘层IL5和第二平坦化绝缘层IL6可以位于数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173、节点连接线1174和连接金属1175上。在该情形中，接触金属1176可以位于第一平坦化绝缘层IL5上，且像素电极210可以设置在第二平坦化绝缘层IL6上。在该情形中，初始化电压线VL可以设置在与接触金属1176设置其上的层相同的层上，且可以包括与接触金属1176相同的材料。
像素电极210可以连接至发射控制薄膜晶体管T6。像素电极210可以通过接触孔CH连接至接触金属1176，接触金属1176可以通过接触孔1163连接至连接金属1175，且连接金属1175可以通过接触孔1153连接至发射控制漏电极D6。
参照图7A，像素电极210的边缘可以由第一平坦化绝缘层IL5上的像素限定层PDL所覆盖，且像素电极210的中心区域可以通过像素限定层PDL的开口而暴露。像素电极210可以包括反射层，该反射层包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其化合物。在另一实施例中，像素电极210可以进一步包括在反射层上/下的包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)的层。中间层220可以设置在像素电极210的通过像素限定层PDL的开口所暴露的部分上。
中间层220可以包括发射层222，发射层222在像素电极210的通过像素限定层PDL开口所暴露的部分上。发射层222可以包括发射设置或预定颜色的光的聚合物有机材料和/或低分子量有机材料。在实施例中，如图7A中所示，中间层220可以包括在发射层222下的第一功能层221和/或在发射层222上的第二功能层223。
第一功能层221可以是或包括单层或多层结构。例如，在第一功能层221包括聚合物材料的情形中，第一功能层221可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。第一功能层221可以包括聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在第一功能层221包括低分子量有机材料的情形中，第一功能层221可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。
在一些实施例中，第二功能层223可以省略。在一些实施例中，例如，在第一功能层221和发射层222包括聚合物材料的情形中，可以形成第二功能层223以改进有机发光二极管OLED的特性。第二功能层223可以包括单层或多层结构。第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对置电极230可以面对像素电极210，中间层220在对置电极230与像素电极210之间。对置电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对置电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)和/或其合金的(半)透明层。对置电极230可以进一步包括在包括以上材料的(半)透明层上/下的包含ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。
在一些实施例中，例如包括从缓冲层IL1至对置电极230的层的显示元件层200可以设置在基板100上，且可以由结合图3A至图3C以上所述的封装构件所覆盖。
图8是描绘了根据实施例的开口区域OA周围布线(例如布线布局)的平面图，图9A是沿着图8的线IXa-IXa’截取的布线的截面图，且图9B是沿着图8的线IXb-IXb’截取的布线的截面图。
参照图8，数据线DL0、DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7可以沿y方向延伸，且驱动电压线PL0、PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6和PL7可以沿y方向延伸。驱动电压线PL0、PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6和PL7之中的一些驱动电压线PL0和PL7可以基本上连续延伸以便穿过显示区域DA，但是开口区域OA周围的其他驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6可以在开口区域OA周围断开(例如并未作为一体基本上连续)。驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6之中断开且位于开口区域OA上方的驱动电压线可以连接至以上参照图4A至4B所述的第二子线163，且驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6之中断开且位于开口区域OA下方的驱动电压线可以连接至第一子线162。
断开(例如并未基本上连续)的驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6可以基本上连接至屏蔽层SDL。驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6之中断开且位于开口区域OA上方的驱动电压线可以通过屏蔽层SDL而电连接至驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6之中断开且位于开口区域OA下方的驱动电压线。在实施例中，驱动电压线PL0、PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6和PL7可以设置在与屏蔽层SDL设置其上的层相同的层上，且断开的驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6可以连接至在同一层上的屏蔽层SDL。
一些数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6可以迂回(例如可以以曲线延伸)绕过开口区域OA。例如，第一至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6可以分别包括沿y方向延伸的延伸部分DL1-SP、DL2-SP、DL3-SP、DL4-SP、DL5-SP和DL6-SP以及沿着开口区域OA边缘迂回的迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP。分别与第一至第六数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6相关联的迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP可以位于第一非显示区域NDA1中。数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之中分别与邻接开口区域OA的数据线DL3和DL4相关联的延伸部分DL3-SP和DL4-SP可以比分别与邻接显示区域DA的数据线DL1和DL6相关联的延伸部分DL1-SP和DL6-SP长。
位于开口区域OA上方和下方的像素P可以电连接至迂回开口区域OA的数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6，且可以从相关的数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6接收信号。(在数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之中)第一至第三数据线DL1、DL2和DL3可以沿着开口区域OA的左边缘弯曲，且第四至第六数据线DL4、DL5和DL6可以沿着开口区域OA的右边缘弯曲。尽管图8为了方便图示和描述而描绘了在开口区域OA的左侧和右侧各设置三条数据线，但在一些实施例中数据线的数目可以基本上多于三个。
参照图8、图9A和图9B，数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6可以分别包括第一导电线CL1或第二导电线CL2等，在非显示区域NDA1中包括迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP，第一导电线CL1和第二导电线CL2交替地设置在不同层上(例如设置在交替的层上)。例如，数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之中彼此最靠近的数据线(例如相邻数据线，诸如第一数据线DL1和第二数据线DL2)可以包括在第一非显示区域NDA1中设置在不同层上的导电线。例如，在图9A至图9B中，第一导电线CL1在栅绝缘层IL2上，且第二导电线CL2在第一层间绝缘层IL3上，但是本公开的实施例不限于此，且各个导电线可以在各个绝缘层中的任意绝缘层上，只要它们如上所述交替设置。通过该配置，可以减小数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之间的间距以便可以有效地减小开口区域OA周围的非显示区域(例如所谓的死区)。
参照示出第一数据线DL1作为参考的图9A，第一数据线DL1可以包括第一导电线CL1和第三导电线CL3，第一导电线CL1位于第一非显示区域NDA1中，且第三导电线CL3位于显示区域DA中。第一导电线CL1可以设置在栅绝缘层IL2上，且可以包括与图7A和图7B的栅电极(例如驱动栅电极G1)的材料相同的材料。第三导电线CL3可以设置在第二层间绝缘层IL4上且可以包括与图7A和图7B的电极层(例如节点连接线1174和连接金属1175)的材料相同的材料。在该情形中，电极层可以是电连接至薄膜晶体管(例如发射控制薄膜晶体管T6)的漏电极(例如发射控制漏电极D6)的层。
第一导电线CL1可以通过接触孔CNT接触并电连接至第三导电线CL3。图9A的接触孔CNT可以限定在第一层间绝缘层IL3和第二层间绝缘层IL4中。通过第一数据线DL1传输的第一数据信号可以在开口区域OA上方从第三导电线CL3提供至第一导电线CL1，并随后在开口区域OA下方传输至第三导电线CL3。
参照示出第二数据线DL2作为参考的图9B，第二数据线DL2可以包括第二导电线CL2和第三导电线CL3，第二导电线CL2位于第一非显示区域NDA1中，且第三导电线CL3位于显示区域DA中。第二导电线CL2可以设置在第一层间绝缘层IL3上且可以包括与图7A和图7B的第二存储电容器板Cst2的材料相同的材料。第三导电线CL3可以设置在第二层间绝缘层IL4上且可以包括与图7A和图7B的电极层(例如节点连接线1174和连接金属1175)的材料相同的材料。
第二导电线CL2可以通过接触孔CNT接触并电连接至第三导电线CL3。图9B的接触孔CNT可以限定在第二层间绝缘层IL4中。通过第二数据线DL2传输的第二数据信号可以在开口区域OA上方从第三导电线CL3提供至第二导电线CL2，并随后在开口区域OA下方传输至第三导电线CL3。
供参考，图9A的第三导电线CL3和图9B的第三导电线CL3是设置在同一层上的不同信号线。图9A的第三导电线CL3可以是第一数据线DL1的一部分，且图9B的第三导电线CL3可以是第二数据线DL2的一部分。
尽管图9A和图9B示出并描述了第一数据线DL1和第二数据线DL2作为代表(示例)，但其结构可适用于彼此邻接的数据线DL3、DL4、DL5和DL6。例如，第三数据线DL3和第五数据线DL5可以具有基本上类似于第一数据线DL1的截面结构，且第四数据线DL4和第六数据线DL6可以具有基本上类似于第二数据线DL2的截面结构。
再次参照图8，屏蔽层SDL可以设置在第一非显示区域NDA1中，且可以包括对应于开口区域OA的孔SDL-H。在实施例中，孔SDL-H的直径可以大于开口区域OA的直径。屏蔽层SDL可以与数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6的迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP(每个迂回绕过开口区域OA)以及延伸部分DL1-SP、DL2-SP、DL3-SP、DL4-SP、DL5-SP和DL6-SP的各部分重叠。
尽管图8中示出屏蔽层SDL在第一非显示区域NDA1中提供为一体，但实施例不限于此。如图14中所示，在一些实施例中屏蔽层SDL可以与数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6的位于第一非显示区域NDA1中的部分重叠(例如，且可以不与图8中所描绘实施例中被覆盖的剩余部分重叠)。在另一实施例中，屏蔽层SDL可以划分为多个图案，且图案可以分别与数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6的迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP以及延伸部分DL1-SP、DL2-SP、DL3-SP、DL4-SP、DL5-SP和DL6-SP的各部分重叠。在该情形中，屏蔽层SDL中所包括的多个图案可以彼此间隔开，且多个图案之间的分隔距离可以小于数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之间的间隔。多个图案可以彼此间隔开，且可以通过电连接多个图案的连接导电层而接收相同的恒定电压。
如图9A和图9B中所示，屏蔽层SDL可以在第一非显示区域NDA1中与第一导电线CL1和第二导电线CL2的至少一部分重叠。屏蔽层SDL可以设置在第二层间绝缘层IL4上且可以包括与第三导电线CL3的材料相同的材料。屏蔽层SDL可以与第三导电线CL3电分离。第一平坦化绝缘层IL5可以位于屏蔽层SDL和第三导电线CL3上。
扫描线SL0、SL1、SL2、SL3、SL4和SL5可以沿与数据线DL0、DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7相交(例如交叉)的x方向延伸。(扫描线SL0、SL1、SL2、SL3、SL4和SL5之中)一些扫描线SL0和SL5可以基本上连续延伸以便穿过显示区域DA，而开口区域OA周围的扫描线SL1、SL2、SL3和SL4可以在开口区域OA周围断开(例如基本上不连续)。扫描线SL1、SL2、SL3和SL4在开口区域OA左侧断开的部分可以连接至参照图4所述的第一扫描驱动电路110，且扫描线SL1、SL2、SL3和SL4在开口区域OA右侧断开的部分可以连接至第二扫描驱动电路120。
类似于扫描线SL0、SL1、SL2、SL3、SL4和SL5，电极电压线HL0、HL1、HL2、HL3和HL4可以沿与数据线DL0、DL1、DL2、DL3、DL4、DL5、DL6和DL7相交(例如交叉)的x方向延伸。(电极电压线HL0、HL1、HL2、HL3和HL4之中)一些电极电压线HL0和HL4可以基本上连续地延伸以便穿过显示区域DA，而开口区域OA周围的电极电压线HL1、HL2和HL3可以在开口区域OA周围断开。电极电压线HL1、HL2和HL3在开口区域OA右侧和左侧断开的部分可以分别连接至邻接参照图4A和图4B所述的第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120的驱动电路。
如图8中所示，第一非显示区域NDA1中彼此邻接的数据线之间的例如由迂回部分之间的间隔d所表示的第一间距小于如由显示区域DA中彼此邻接的数据线之间的间隔D所表示的第二间距。当邻接的数据线在显示区域DA内具有第一间距d时，位于显示区域DA中的像素P中的一些的显示品质可以由数据线之间的寄生电容而恶化。
然而，根据实施例的显示面板10和包括显示面板10的显示装置1，由于被施加恒定电压的屏蔽层SDL提供在数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6之上，可以减少寄生电容的发生。
屏蔽层SDL可以设置在第一非显示区域NDA1中，且可以包括对应于开口区域OA的孔SDL-H。在实施例中，孔SDL-H的直径可以大于开口区域OA的直径。屏蔽层SDL可以位于数据线DL1、DL2、DL3、DL4、DL5和DL6的迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP之上以便与迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP重叠。参照图9A和图9B，屏蔽层SDL可以位于每个包括迂回部分DL1-CP、DL2-CP、DL3-CP、DL4-CP、DL5-CP和DL6-CP的第一导电线CL1和第二导电线CL2之上。
恒定电压可以施加至屏蔽层SDL。在图8中，开口区域OA周围的驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6可以在开口区域OA周围断开并连接至屏蔽层SDL以与屏蔽层SDL通信。因此，屏蔽层SDL可以具有与驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6的电压电平相同的电压电平。在实施例中，可以施加+5V的恒定电压至驱动电压线PL1、PL2、PL3、PL4、PL5和PL6，且屏蔽层SDL可以具有+5V的相同恒定电压。
图10A是沿着图8的线X-X’截取的布线的截面图，且图10B是图10A的修改示例。图10B是对应于图6B和图7B的截面图。
图10A示出了位于开口区域OA右侧的第四至第六数据线DL4、DL5和DL6。参照图10A，第四数据线DL4和第六数据线DL6可以设置在第一层间绝缘层IL3上，且第五数据线DL5可以设置在栅绝缘层IL2上。如上所述，彼此最靠近的第四至第六数据线DL4、DL5和DL6可以在第一非显示区域NDA1中交替地(例如交替性地)设置在不同层上。
在实施例中，第四数据线DL4和第五数据线DL5可以以第一宽度W1提供且可以具有相同宽度。第四数据线DL4和第五数据线DL5之间的间隔d1可以小于第一宽度W1。例如，第四至第六数据线DL4、DL5和DL6的第一宽度W1可以是第四至第六数据线DL4、DL5和DL6之间的间隔d1的大约两倍。第一宽度W1可以是大约2μm至大约2.4μm。
在比较例中，在所有数据线设置在同一层上的情形中，由于数据线的宽度和它们之间的寄生电容，可能非常难以将数据线之间的间隔(间距)减小至设置或预定距离之下。因此，可能存在对减小开口区域OA周围的非显示区域(死区)的限制。
相比之下，根据实施例，由于彼此最靠近的第四至第六数据线DL4、DL5和DL6交替地设置在不同层上，可以减小第四至第六数据线DL4、DL5和DL6之间的间隔d1而不论第四至第六数据线DL4、DL5和DL6的第一宽度W1。在第四至第六数据线DL4、DL5和DL6之间的间隔d1减小至设置或预定距离以下的情形中，可以在它们之间出现寄生电容。为了防止或减少该效应，可以在第四至第六数据线DL4、DL5和DL6之上提供屏蔽层SDL，且可以将恒定电压施加至屏蔽层SDL。
屏蔽层SDL可以在第一非显示区域NDA1中与第四至第六数据线DL4、DL5和DL6重叠。屏蔽层SDL可以由第一平坦化绝缘层IL5覆盖。
在图10A的开口区域OA中可以在基板100的一部分上不设置层。材料层可以位于基板100上，材料层包括有机材料、无机材料和导电材料(例如绝缘层IL1、IL2、IL3、IL4和IL5和/或导电层DL4、DL5、DL6和SDL)中的至少一种。可以移除对应于开口区域OA的材料层。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，一些绝缘层可以保留在开口区域OA中。
在另一实施例中，参照图10B，第四数据线DL4可以设置在栅绝缘层IL2上，第五数据线DL5可以设置在第一层间绝缘层IL3上，且第六数据线DL6可以设置在第二层间绝缘层IL4上。如上所述，彼此最靠近的第四至第六数据线DL4、DL5和DL6可以在第一非显示区域NDA1中交替地设置在不同层上。尽管图10中示出了第四至第六数据线DL4、DL5和DL6可以交替地设置在三个不同层上(例如栅绝缘层IL2、第一层间绝缘层IL3和第二层间绝缘层IL4)，但实施例不限于此。第四至第六数据线DL4、DL5和DL6可以交替地设置在三个层之中的两个层上。
屏蔽层SDL可以在第一非显示区域NDA1中与第四至第六数据线DL4、DL5和DL6重叠。屏蔽层SDL可以设置在第一平坦化绝缘层IL5上，且可以由第二平坦化绝缘层IL6覆盖。图10B的屏蔽层SDL可以包括与接触金属1176的材料相同的材料，且可以设置在与接触金属1176相同的层上。
图11是根据另一实施例的开口区域OA周围布线的平面图，图12是沿着图11的线XII-XII’截取的布线的截面图，图13A是沿着图11的线XIII-XIII’截取的布线的截面图，且图13B是图13A的修改示例。图13B示出了对应于图10B的截面图。
图11至图12的实施例不同于图8的实施例之处在于，导电层(下文称作第四导电线CL4)设置在数据线DL2、DL4和DL6下方。因为配置的其他方面基本上类似于图8的那些，以下说明将聚焦于与第四导电线CL4相关的差异。
参照图12，第四导电线CL4可以设置在一些数据线DL2、DL4和DL6下方。第四导电线CL4可以沿着数据线DL2、DL4和DL6的形状而提供。例如，第四导电线CL4也可以包括在开口区域OA周围弯曲的迂回部分。第四导电线CL4可以沿着数据线DL2、DL4和DL6的延伸部分DL2-SP、DL4-SP和DL6-SP延伸至显示区域DA的一部分。在另一实施例中，第四导电线CL4可以不延伸至显示区域DA，且可以仅位于第一非显示区域NDA1内。
可以施加恒定电压至第四导电线CL4。施加至第四导电线CL4的恒定电压可以具有与屏蔽层SDL的电压电平相同的电压电平。如图11中所示，第四导电线CL4可以通过经由接触孔CNT1和CNT2电接触邻接数据线DL2、DL4和DL6的驱动电压线PL2、PL4和PL6而具有与驱动电压线PL2、PL4和PL6的电压电平相同的电压电平。尽管图11描绘了第四导电线CL4接触驱动电压线PL2、PL4和PL6的实施例，但在一些实施例中第四导电线CL4可以通过接触屏蔽层SDL而具有相同的恒定电压。
参照图12，第四导电线CL4可以位于缓冲层IL1上。第四导电线CL4可以包括与图7A(或图6B和图7B)的半导体层1130的材料相同的材料。第二导电线CL2可以位于第四导电线CL4之上。如图12中所述，第二导电线CL2可以通过限定在第二层间绝缘层IL4中的接触孔CNT1接触并电连接至第三导电线CL3。
参照图13A，第四导电线CL4可以仅位于设置在第一层间绝缘层IL3上的第四数据线DL4和第六数据线DL6下方。当第四导电线CL4位于第四数据线DL4和第六数据线DL6下方时，可以有效地减小在彼此邻接的数据线之间的耦合电容。
第四导电线CL4的宽度W0可以大于第四数据线DL4和第六数据线DL6中的每个的第一宽度W1。例如，可以形成大量数据线，且因此，在形成数据线的间隔和宽度时需要精细控制。在该情形中，即使可能出现数据线对准扭曲的缺陷，由于下部中第四导电线CL4的宽度W0比第四数据线DL4和第六数据线DL6中的每个的第一宽度W1宽，可以稳定地形成第四数据线DL4和第六数据线DL6。
同样，屏蔽层SDL可以在数据线DL2、DL4和DL6之上(上)且可以与数据线DL2、DL4和DL6重叠。当屏蔽层SDL和第四导电线CL4如图13A所示具有相同恒定电压时，数据线DL2、DL4和DL6之间的耦合电容可以减小至少一半。
在另一实施例中，参照图13B，第四导电线CL4可以仅位于设置在第一层间绝缘层IL3上的第五数据线DL5下方。当第四导电线CL4位于第五数据线DL5下方时，可以有效地减小彼此邻接的数据线之前的耦合电容。
根据实施例，可以提供一种具有提高的可靠性和减小的非显示区域的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。然而，本公开的范围不限于该效果。
应该理解，在此所述的实施例应该仅以描述性意义考虑且并非为了限制的目的。每个实施例内特征或方面的描述通常应该视作可适用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图说明了一个或多个实施例，本领域技术人员将理解，可以做出形式和细节上的各种改变而不脱离由以下权利要求及其等同物所限定的精神和范围。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
基板，包括非显示区域和围绕所述非显示区域的显示区域，所述非显示区域围绕透射区域；
多个显示元件，在所述显示区域中；
沿第一方向延伸的多条第一线，各自包括迂回绕过所述透射区域的边缘的迂回部分；以及
屏蔽层，在所述非显示区域中与所述迂回部分重叠，
其中所述多条第一线的每条包括位于所述非显示区域中并包含所述迂回部分的第一导电线或第二导电线，所述第一导电线和所述第二导电线交替地设置在不同层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述屏蔽层具有恒定电压。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述屏蔽层不与所述透射区域重叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述屏蔽层具有对应于所述透射区域的孔。
5.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括多条第二线，所述多条第二线沿所述第一方向延伸并具有与所述屏蔽层的电压相同的电压。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述屏蔽层和所述多条第二线包括相同材料。
7.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括多条第三线，所述多条第三线在所述显示区域中沿与所述第一方向相交的第二方向延伸并在所述非显示区域外断开。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，彼此最靠近的所述第一导电线和所述第二导电线之间的距离小于所述第一导电线和所述第二导电线中的每条的宽度。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多条第一线中的每条进一步包括在所述显示区域中的第三导电线。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第三导电线在所述第一导电线和所述第二导电线两者之上，绝缘层在所述第三导电线与所述第一导电线和所述第二导电线之间，且所述第三导电线通过限定在所述绝缘层中的接触孔连接至所述第一导电线或所述第二导电线。
11.根据权利要求9所述的显示面板，进一步包括在所述显示区域中的薄膜晶体管和存储电容器，所述薄膜晶体管和所述存储电容器中的每个连接至所述多个显示元件中的对应显示元件，
其中所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极和电极层，所述栅电极与所述半导体层的至少一部分重叠，且所述电极层连接至所述半导体层，并且
所述存储电容器包括底电极和顶电极，所述底电极包括与所述栅电极的材料相同的材料，且所述顶电极在所述底电极和所述电极层之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一导电线和所述栅电极由相同材料形成。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第二导电线和所述顶电极由相同材料形成。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第三导电线和所述电极层由相同材料形成。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述屏蔽层和所述电极层由相同材料形成。
16.根据权利要求11所述的显示面板，进一步包括第四导电线，所述第四导电线在所述第二导电线下方并与所述第二导电线重叠。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述第四导电线和所述半导体层由相同材料形成。
18.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述第四导电线的宽度大于所述第二导电线的宽度。
19.根据权利要求16所述的显示面板，其中，相同的电压被施加至所述屏蔽层和所述第四导电线。
20.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
封装基板，覆盖所述多个显示元件并面对所述基板；以及
密封材料，在所述基板和所述封装基板之间围绕所述显示区域。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200017012A (ko) * 2018-08-07 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220000440A (ko) * 2020-06-25 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220019882A (ko) * 2020-08-10 2022-02-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220020478A (ko) 2020-08-11 2022-02-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8054669B2 (en) * 2008-08-12 2011-11-08 International Business Machines Corporation Non-volatile programmable optical element employing F-centers
KR101869056B1 (ko) 2012-02-07 2018-06-20 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102490891B1 (ko) 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102526110B1 (ko) 2016-04-12 2023-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102464900B1 (ko) * 2016-05-11 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102568924B1 (ko) * 2016-06-14 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 룸미러 모듈
KR102659422B1 (ko) * 2016-10-17 2024-04-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP6642614B2 (ja) * 2018-04-16 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
KR102167102B1 (ko) 2018-06-12 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN109119447B (zh) 2018-08-29 2020-11-13 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102619290B1 (ko) * 2018-12-04 2023-12-28 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치

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