CN111133837A - 有机电子器件的制造方法 - Google Patents

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下河原匡哉
森岛进一
藤井贵志
增山学
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Ajinomoto Co Inc
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Abstract

本发明的一个实施方式的有机电子器件的制造方法具备：器件基材形成工序，形成在基板(41)上依次设置第1电极(42)、包含有机层的器件功能部(43)、和第2电极(44)而得的器件基材(40)；脱水工序，将带有保护膜的密封构件(10)脱水，所述带有保护膜的密封构件(10)是在密封基材(21)层叠粘接层(22)、并在所得的密封构件(20)经由粘接层层叠保护膜(30)而得；和密封构件贴合工序，从经过脱水工序的带有保护膜的密封构件剥离保护膜，经由粘接层将密封构件贴合于器件基材，带有保护膜的密封构件的粘接层相对于保护膜的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。

Description

有机电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机电子器件的制造方法。
背景技术
有机电子器件具有在基板上依次设置第1电极、器件功能部(包含有机层)及第2电极而得的器件基材、和密封上述器件功能部的密封构件。作为密封构件，例如已知有像专利文献1中记载的那样的在密封基材(支承体)层叠粘接层(树脂组合物层)而得的构件。此种密封构件经由粘接层贴合于器件基材。专利文献1中记载的技术中，直至密封构件被贴合于器件基材为止，在密封构件的粘接层设有保护膜(覆盖膜)。由于密封构件是用于防止器件功能部所具有的有机层的由水分造成的劣化的构件，因此优选密封构件自身也被脱水。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/152756号
发明内容
发明所要解决的问题
当将设有保护膜的密封构件(带有保护膜的密封构件)脱水时，例如会因来自粘接层的水分放出而有产生气泡的情况。在将保护膜从粘接层剥离时，有在粘接层产生剥离痕迹(例如表面的凹凸)的情况。
因而，本发明的目的在于，提供一种有机电子器件的制造方法，所述制造方法抑制带有保护膜的密封构件的脱水工序中的气泡产生，并且在从粘接层剥离保护膜时不易在粘接层产生剥离痕迹。
用于解决问题的方法
本发明的一个方面的有机电子器件的制造方法具备：器件基材形成工序，形成在基板上依次设置第1电极、包含有机层的器件功能部、和第2电极而得的器件基材；脱水工序，将带有保护膜的密封构件脱水，所述带有保护膜的密封构件是在密封基材层叠粘接层而得到密封构件、并在所得的密封构件经由上述粘接层层叠保护膜而得；和密封构件贴合工序，从经过上述脱水工序的上述带有保护膜的密封构件剥离上述保护膜，并经由上述粘接层将上述密封构件贴合于上述器件基材。上述带有保护膜的密封构件的上述粘接层相对于上述保护膜的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。
通过使上述粘接层相对于上述保护膜的剥离强度为上述范围，可以抑制上述脱水工序中的气泡产生，并且在密封构件贴合工序中从粘接层剥离保护膜时，不易在粘接层产生剥离痕迹。
上述脱水工序中，可以通过向上述带有保护膜的密封构件照射红外线而将上述带有保护膜的密封构件脱水。该情况下，由于可以利用红外线将水分直接加热，因此可以有效地脱水。
上述粘接层可以包含吸湿剂。该情况下，在所制造出的有机电子器件中，可以进一步防止水分向有机层的浸入。
上述保护膜的厚度可以为50μm以下。该情况下，可以将带有保护膜的密封构件有效地脱水。
在一个实施方式中，上述保护膜的厚度可以为7μm以上且25μm以下，上述剥离强度可以为0.06N/20mm～0.18N/20mm。
上述密封基材的材料的例子包括铝或铜。在密封基材的材料包含铝或铜的情况下，在脱水工序中产生气泡时，密封基材容易因气泡的影响、剥离痕迹的影响而变形。由此，如前所述不易产生气泡及剥离痕迹的本发明在密封基材的材料包含铝或铜的情况下更加有效。
发明效果
根据本发明，可以提供一种有机电子器件的制造方法，所述制造方法抑制带有保护膜的密封构件的脱水工序中的气泡产生，并且在从粘接层剥离保护膜时不易在粘接层产生剥离痕迹。
附图说明
图1是一个实施方式的带有保护膜的密封构件的侧视图。
图2是表示使用了图1所示的带有保护膜的密封构件的有机EL器件(有机电子器件)的制造方法的流程图。
图3是表示欲制造的有机EL器件所具有的器件基材的构成的一例的剖视图。
图4是用于说明图2所示的准备工序的图。
图5是用于说明有机EL器件(有机电子器件)的制造方法的密封构件贴合工序的图。
具体实施方式
以下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。对于相同的要素使用相同的符号，省略重复的说明。附图的尺寸比率不一定与说明的尺寸一致。
图1是一个实施方式的有机EL器件(有机电子器件)的制造中所使用的带有保护膜的密封构件10的侧视图。图1示意性地表示出带有保护膜的密封构件10的构成。带有保护膜的密封构件10具备密封构件20和保护膜30。带有保护膜的密封构件10可以是带状，也可以是纸张状。以下，只要没有特别指出，则带有保护膜的密封构件10呈带状。
密封构件20是用于防止有机EL器件中所含的有机层的劣化的构件。密封构件20具有密封基材21、粘接层22、和树脂膜23。
密封基材21具有水分屏蔽功能。密封基材21的水分透过率的例子是在温度40℃、湿度90％RH的环境下为5×10－5g/(m2·24hr)以下。密封基材21也可以具有气体屏蔽功能。作为密封基材21的例子，可以举出金属箔、在透明的塑料膜的一面或其两面形成屏蔽功能层而得的屏蔽膜、或在具有柔性的薄膜玻璃、塑料膜上层叠具有屏蔽性的金属而得的膜等。密封基材21的厚度的例子为10μm～300μm。作为金属箔的材料，从屏蔽性的观点出发，优选包含铜、铝、或不锈钢，更优选包含铜或铝。在密封基材21为金属箔的情况下，从抑制针孔的观点出发，金属箔的厚度越厚越优选，然而若也考虑柔性的观点，则优选为10μm～50μm。
粘接层22层叠于密封基材21的一个面。粘接层22是为了将相邻的至少2层相互粘接而配置的层。粘接层22具有能够埋设有机EL器件的欲用密封构件20密封的部分的厚度。粘接层22的厚度的例子为5μm～100μm。
粘接层22的材料的例子包括压敏型粘接剂。即，粘接层22也可以是粘合层。作为粘接层22的材料，例如可以举出光固化性或热固性的丙烯酸酯树脂、光固化性或热固性的环氧树脂等。可以使用其他一般所用的能够用脉冲热封机熔融的树脂膜、例如乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜、聚丁二烯膜等热熔融性膜作为粘接层22。也可以将热塑性树脂用于粘接层22的材料。作为热塑性树脂，例如可以举出烯烃系弹性体或苯乙烯系弹性体、丁二烯系弹性体等。
粘接层22可以包含吸湿剂。吸湿剂是吸收水分的试剂。除了水分以外，吸湿剂还可以吸收氧等。作为吸湿剂的例子，可以举出氧化钙、氧化镁、氧化锶、氧化铝、氧化钡、五氧化二磷、氧化锂、氧化钠等金属氧化物等。可以使用金属氧化物的混合物或固溶物等作为吸湿剂。作为金属氧化物的混合物或固溶物的例子，可以举出煅烧白云石(包含氧化钙及氧化镁的混合物)、煅烧水滑石(氧化钙与氧化铝的固溶物)等。市售的吸湿剂的例子包括煅烧白云石(吉泽石灰工业公司制“KT”等)、氧化钙(三共精粉公司制“Moistop#10”等)、氧化镁(协和化学工业公司制“Kyowamag MF－150”、“Kyowamag MF－30”、Tateho化学工业公司制“Puremag FNMG”等)、轻烧氧化镁(Tateho化学工业公司制的“#500”、“#1000”、“#5000”等)、煅烧水滑石(户田工业公司制“N41S”、协和化学工业公司制“KW－2100”、“KW－2200”等)、半煅烧水滑石(协和化学工业公司制“DHT－4C”、“DHT－4A－2”等)等。
树脂膜23层叠于密封基材21的另一个面(与接触粘接层22的面相反的一侧的面)。作为树脂膜23的材料，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)等。图1中，例示出具备树脂膜23的密封构件20。然而，密封构件20只要具备密封基材21和粘接层22，则也可以不具备树脂膜23。
保护膜30层叠于粘接层22中的与接触密封基材21的面相反的一侧的面。即，保护膜30经由粘接层22层叠于密封构件20。保护膜30是用于在制造有机EL器件以前防止杂物向粘接层22的附着、以及防止粘接层22向后述的运送辊R的附着的构件。保护膜30可以是能够从粘接层22剥离的剥离膜。
作为保护膜30的材料的例子，可以举出聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、PET、PP、PE、PI、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物等。保护膜30的厚度优选为50μm以下，例如可以举出7μm～50μm。
可以在保护膜30中的接触粘接层22的面形成涂布层。涂布层的材料的例子为硅树脂系脱模剂、氟系脱模剂、醇酸树脂系脱模剂、丙烯酸系脱模剂等。
在带有保护膜的密封构件10中，粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。上述剥离强度可以为0.06N/20mm～0.25N/20mm，进一步可以为0.06N/20mm～0.2N/20mm，进一步可以为0.06N/20mm～0.18N/20mm。上述剥离强度是依照JISZ0237测定的180度剥离强度。粘接层22相对于保护膜30的剥离强度例如可以通过变更保护膜30向粘接层22的贴合条件(温度、压力等)来调整。在保护膜30中的接触粘接层22的面形成上述涂布层的实施方式中，剥离强度也可以通过改变涂布层的材料结构来调整。
下面，对使用了图1所示的带有保护膜的密封构件10的有机EL器件的制造方法的一例进行说明。如图2所示，有机EL器件的制造方法具备器件基材形成工序S10、带有保护膜的密封构件10的准备工序S20、和密封构件贴合工序S30。只要没有指出，就是对欲制造的有机EL器件为底发射型的情况进行说明，然而有机EL器件也可以是顶发射型。
[器件基材形成工序]
器件基材形成工序S10中，如图3所示，通过在基板41上依次层叠阳极(第1电极)42、有机EL部(包含有机层的器件功能部)43及阴极(第2电极)44而形成器件基材40。对器件基材40进行说明。
[基板]
基板41对所制造的有机EL器件射出的光(包含波长400nm～800nm的可见光)具有透光性。本实施方式中，有机EL器件的制造中所使用的基板41呈带状。基板41的厚度的例子为30μm～700μm。
基板41可以具有挠曲性。所谓挠曲性，是即使对基板施加给定的力也能够不剪切或断裂地弯曲基板的性质。基板41的例子是塑料膜或高分子膜。基板41可以还具备具有水分屏蔽功能的屏蔽层。屏蔽层可以在具有屏蔽水分的功能的基础上，还具有屏蔽气体(例如氧)的功能。
[阳极]
阳极42设于基板41上。作为阳极42，使用显示出透光性的电极。作为显示出透光性的电极，可以使用包含电导率高的金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜，可以合适地使用透光率高的薄膜。阳极42可以具有包含导体(例如金属)的网络结构。阳极42的厚度可以考虑光的透过性、电导率等来确定。阳极42的厚度通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
作为阳极42的材料，例如可以举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(IndiumTin Oxide：缩略语ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide：缩略语IZO)、金、铂、银、铜等。它们当中，优选ITO、IZO、或氧化锡。阳极42可以以包含例示的材料的薄膜的形式来形成。作为阳极42的材料，也可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机物。该情况下，阳极42可以以透明导电膜的形式来形成
阳极42可以利用干式成膜法、镀敷法、涂布法等来形成。作为干式成膜法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD法等。作为涂布法，例如可以举出喷墨印刷法、模缝涂布法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法及喷嘴印刷法等，它们当中优选喷墨印刷法。
[有机EL部]
有机EL部43是根据施加于阳极42及阴极44的电压来参与电荷的迁移及电荷的复合等有机EL器件的发光的功能部。有机EL部43具有发光层等有机层。
发光层是具有发出光(包括可见光)的功能的功能层。发光层通常包含主要发出荧光及磷光的至少一方的有机物、或包含该有机物与辅助它的掺杂剂材料。因而，发光层为有机层。掺杂剂材料例如为了提高发光效率、改变发光波长而加入。上述有机物可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物。发光层的厚度例如为约2nm～200nm。
作为主要发出荧光及磷光的至少一方的有机物，例如可以举出以下的色素系材料、金属络合物系材料及高分子系材料。
(色素系材料)
作为色素系材料，例如可以举出环喷他明衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳撑衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。
(金属络合物系材料)
作为金属络合物系材料，例如可以举出作为中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土金属、或Al、Zn、Be、Ir、Pt等、作为配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。作为金属络合物系材料，例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物、羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。
(高分子系材料)
作为高分子系材料，例如可以举出聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素系材料、金属络合物系发光材料高分子化而得的材料等。
(掺杂剂材料)
作为掺杂剂材料，例如可以举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮等。
发光层可以利用干式成膜法、涂布法等来形成。干式成膜法及涂布法的例子与阳极42的情况相同。发光层优选利用喷墨印刷法来形成。
有机EL部43可以在发光层以外还具有各种功能层。配置于阳极42与发光层之间的功能层的例子为空穴注入层、空穴传输层等。配置于阴极44与发光层之间的功能层的例子为电子注入层、电子传输层等。电子注入层可以是阴极44的一部分。这些功能层可以是包含有机物的有机层。
将有机EL部43的层构成的例子表示如下。下述层构成的例子中，为了表示阳极42与阴极44与各功能层的配置关系，将阳极及阴极也用括号进行了记载。
(a)(阳极)/发光层/(阴极)
(b)(阳极)/空穴注入层/发光层/(阴极)
(c)(阳极)/空穴注入层/发光层/电子注入层/(阴极)
(d)(阳极)/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极)
(e)(阳极)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/(阴极)
(f)(阳极)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/(阴极)
(g)(阳极)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极)
(h)(阳极)/发光层/电子注入层/(阴极)
(i)(阳极)/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极)
记号“/”表示记号“/”的两侧的层之间接合。
空穴注入层是具有提高从阳极向发光层注入空穴的效率的功能的功能层。空穴传输层是具有提高从阳极、空穴注入层或空穴传输层当中的更靠近阳极的部分向发光层注入空穴的效率的功能的功能层。电子传输层是具有提高从阴极、电子注入层或电子传输层当中的更靠近阴极的部分向发光层注入电子的效率的功能的功能层。电子注入层是具有提高从阴极向发光层注入电子的效率的功能的功能层。
作为有机EL部43所具有的发光层以外的功能层(例如空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等)的材料可以使用公知的材料。有机EL部43所具有的功能层的厚度的最佳值根据所用的材料而不同，可以考虑电导率、耐久性等来设定。有机EL部43所具有的发光层以外的功能层也可以利用与发光层相同的方法来形成。
[阴极]
阴极44设于有机EL部43上。也可以将阴极44的一部分设于基板41上。阴极44的厚度的最佳值根据所用的材料而不同，可以考虑电导率、耐久性等来设定。阴极44的厚度通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
为了使来自有机EL部43的光(具体而言是来自发光层的光)在阴极44反射并前进到阳极42侧，阴极44的材料优选为对于来自有机EL部43所具有的发光层的光(特别是可见光)而言反射率高的材料。作为阴极44的材料，例如可以举出碱金属、碱土金属、过渡金属及周期表的第13族金属等。作为阴极44，可以使用包含导电性金属氧化物及导电性有机物等的透明导电性电极。
阴极44例如可以利用与阳极42的情况相同的方法来形成。阴极44也可以利用将金属薄膜热压接的层压法来形成。
器件基材形成工序S10中，一边将带状的基板41以卷对卷方式沿长度方向运送，一边在假想地设定于基板41上的多个器件形成区域上分别依次层叠阳极42、有机EL部43及阴极44，由此形成器件基材40。各器件形成区域的尺寸可以设定为所制造的有机EL器件的所期望的尺寸(例如产品尺寸)。阳极42、有机EL部43及阴极44可以利用前述的方法来形成。在有机EL部43具有多层结构的情况下，从阳极42侧起依次形成各层即可。
[带有保护膜的密封构件的准备工序]
带有保护膜的密封构件10的准备工序S20(以下称作准备工序S20)中，以卷对卷方式将带有保护膜的密封构件10脱水。如图2所示，准备工序S20具有卷出工序S21、脱水工序S22、和卷绕工序S23。
图4是说明带有保护膜的密封构件的准备工序S20的图。图4中，示意性地用粗实线表示带有保护膜的密封构件10。准备工序S20中，一边用运送辊R将带有保护膜的密封构件10沿其长度方向运送，一边进行脱水。本实施方式中，以使保护膜30接触运送辊R的方式运送带有保护膜的密封构件10，然而也可以树脂膜23接触运送辊R。
(卷出工序)
卷出工序S21中，如图4所示，在将卷筒状的带有保护膜的密封构件10安放于配置在卷出室51内的卷出部61后，将带有保护膜的密封构件10卷出。被卷出的带有保护膜的密封构件10由运送辊R运送至加热室52。卷出室51与加热室52可以由连结部54连结，也可以直接连结。
(脱水工序)
脱水工序S22中，一边将从卷出室51运送来的带有保护膜的密封构件10用运送辊R运送，一边进行脱水。脱水方法不受限定，然而在本实施方式中，只要没有特别指出，就是对通过利用红外线加热带有保护膜的密封构件10来脱水(加热脱水)的实施方式进行说明。具体而言，本实施方式的脱水工序S22中，从配置于带有保护膜的密封构件10的运送路径上的红外线照射部56向带有保护膜的密封构件10照射红外线而将带有保护膜的密封构件10加热脱水。
红外线照射部56具有能够输出加热脱水中所使用的红外线的构成。红外线照射部56例如为红外线加热器。红外线照射部56例如可以以从保护膜30侧向带有保护膜的密封构件10照射红外线的方式相对于带有保护膜的密封构件10配置。
为了将带有保护膜的密封构件10有效地加热脱水，向带有保护膜的密封构件10照射的红外线优选包含水的吸收波长的中红外线(波长1.8μm～3.0μm)。根据带有保护膜的密封构件10中所用的构件来调整脱水工序S22时的加热温度(带有保护膜的密封构件10的表面温度)、加热时间。
(卷绕工序)
卷绕工序S23中，将在加热室52中被加热脱水了的带有保护膜的密封构件10用设于加热室52的后段的卷绕室53内的卷绕部62卷绕成卷筒状。卷绕室53内，将从加热室52运送来的带有保护膜的密封构件10用运送辊R朝向卷绕部62运送。加热室52与卷绕室53可以由连结部55连结，也可以将它们直接连结。
[密封构件贴合工序]
密封构件贴合工序S30中，从经过脱水工序S22的带有保护膜的密封构件10剥离保护膜30，如图5所示，经由粘接层22将密封构件20贴合于器件基材40，由此得到有机EL器件。可以一边将带有保护膜的密封构件10及器件基材40分别沿长度方向运送，一边以卷对卷方式实施密封构件贴合工序S30。
具体而言，在配置在密封构件贴合工序S30用的带有保护膜的密封构件10的卷出室的卷出部，安放经过加热脱水的卷筒状的带有保护膜的密封构件10。其后，将带有保护膜的密封构件10卷出，一边沿长度方向运送，一边连续地从带有保护膜的密封构件10剥离保护膜30。
然后，一边将从带有保护膜的密封构件10剥离保护膜30而得的密封构件20沿长度方向运送，一边连续地贴合于沿长度方向运送的器件基材40。具体而言，在使密封构件20的粘接层22如图5所示地与器件基材40相对的状态下，对密封构件20和器件基材40沿其厚度方向进行加压及加热，由此将密封构件20贴合于器件基材40。
沿长度方向运送的器件基材40可以是在器件基材形成工序S10中形成阴极44后接着连续地运送来的器件基材40。或者沿长度方向运送的器件基材40也可以是将形成阴极44后暂时卷绕成卷筒状的器件基材40安放于器件基材40用的卷出部后卷出的器件基材40。
图3及图5中，简化地示意性图示出器件基材40。阳极42及阴极44分别可以如下所示地构成，即，为了能够对阳极42及阴极44施加电压，可以从密封构件20引出阳极42及阴极44各自的一部分。或者也可以如下所示地形成，即，预先在基板41上形成与阳极42及阴极44分别对应地设置、并且一部分配置于密封构件20的外侧的电极部，再将阳极42及阴极44与对应的电极部电连接。
通过经过密封构件贴合工序S30，在每个器件形成区域形成有机EL器件。因此，有机EL器件的制造方法可以具备将经过密封构件贴合工序S30的基板41在每个器件形成区域单片化的单片化工序。单片化工序中，通过将基板41在每个器件形成区域加以分割，可以得到所期望的尺寸(例如产品尺寸)的有机EL器件。
上述有机EL器件的制造方法中，由于具有脱水工序S22，因此可以除去密封构件20的水分后将密封构件20贴合于器件基材40。因此，能够实现良好的密封性能，可以抑制有机EL器件内的有机层的由水分造成的劣化。
在粘接层22包含吸湿剂的实施方式中，在所制造出的有机EL器件中，可以进一步防止水分向有机EL器件内的有机层的浸入。
在脱水工序S22中实施利用红外线的加热脱水的实施方式中，由于可以利用红外线将带有保护膜的密封构件10内、特别是粘接层22内的水分直接加热，因此可以将带有保护膜的密封构件10有效地脱水。此外，通过利用红外线，易于在运送带有保护膜的密封构件10的同时实施脱水工序S22。由此，可以缩短脱水工序S22所需的时间，其结果是，可以实现有机EL器件的生产率的提高。
本实施方式的有机EL器件的制造方法中，由于将带有保护膜的密封构件10脱水，因此可以一边用运送辊R运送带有保护膜的密封构件10一边实施准备工序S20。此外，可以在防止杂物等向粘接层22的附着的同时实施准备工序S。
在保护膜30的厚度为50μm以下的实施方式中，在脱水工序S22中，例如从粘接层22放出的水分易于穿过保护膜30向带有保护膜的密封构件10的外部放出。因此，可以在抑制保护膜30与粘接层22之间的气泡的产生的同时，有效地将带有保护膜的密封构件10脱水。若保护膜30过薄，则保护膜30发生破损、或保护膜30自身的处置困难，因此保护膜30的厚度例如为7μm以上。在一个实施方式中，保护膜30的厚度为7μm以上且25μm以下。
本实施方式的有机EL器件的制造方法中所使用的带有保护膜的密封构件10中，粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。
若上述剥离强度为0.06N/20mm以上，则不易在脱水工序S22中在保护膜30与粘接层22之间实质性地产生由来自粘接层22的水分放出引起的气泡。由此，可以防止由气泡引起的密封基材21的变形、保护膜30的剥离等带有保护膜的密封构件10的变形。若上述剥离强度为0.3N/20mm以下，则在密封构件贴合工序S30中将保护膜30从粘接层22剥离时，不会在粘接层22的表面(粘接层22的保护膜30侧的面)实质性地产生剥离痕迹，也不会产生由剥离痕迹引起的密封基材21的变形。
如上所述，通过使粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm，可以防止由气泡引起的带有保护膜的密封构件10的变形，并且还可以防止将保护膜30从粘接层22剥离时的剥离痕迹。因此，可以将密封构件20以所期望的状态贴合于器件基材40，并且还可以防止气泡向密封构件20与器件基材40的贴合部分的混入等。其结果是，在所制造出的有机EL器件中，例如从密封构件20向有机层的水分浸入得到抑制，能够实现良好的密封性能。
在保护膜30的厚度例如如前所述为7μm以上且25μm以下的实施方式中，与保护膜30的厚度小于7μm的情况相比，从粘接层22放出的水分更不易穿过保护膜30向带有保护膜的密封构件10的外部放出。该情况下，易于在保护膜30与密封基材21之间产生间隙，易于产生气泡。然而，若粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm以上，则不易在脱水工序S22中在保护膜30与粘接层22之间实质性地产生由来自粘接层22的水分放出引起的气泡。若粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.3N/20mm以下、进一步为0.18N/20mm以下，则即使将保护膜30从粘接层22剥离，也不会在粘接层22的表面(粘接层22的保护膜30侧的面)实质性地产生剥离痕迹。
在密封基材21的材料包含铝的实施方式中，假设在脱水工序S22中产生气泡的情况下，密封基材21易于因气泡的影响、剥离痕迹的影响而变形。因而，本实施方式中说明的有机EL器件的制造方法在密封基材21的材料为铝的情况下更加有效。
下面将说明对粘接层22相对于保护膜30的剥离强度验证了效果的实验例1、实验例2、比较实验例1及比较实验例2。为了省略重复的说明，实验例及比较实验例均对与此前的说明的构成要素对应的构成要素使用相同的符号。
[实验例1]
实验例1中，准备以10cm见方切出的带有保护膜的密封构件10。带有保护膜的密封构件10具备密封基材21、粘接层22、和保护膜30。
密封基材21是35μm厚的铜箔(福田金属箔粉工业株式会社制的CF－T8G－STD－35)。粘接层22是使用了压敏型粘接剂的粘合层。粘接层22的厚度为30μm。保护膜30的厚度为25μm。在保护膜30的粘接层22侧的面，形成包含硅树脂系脱模剂的涂布层。
带有保护膜的密封构件10是通过如下操作来制造，即，准备在密封基材21层叠粘接层22而得的密封构件20，其后，在粘接层22中与密封基材21相反的一侧的面贴合保护膜30而制造。通过在0.5MPa的真空环境下对粘接层22及保护膜30在80℃加热30秒，而进行保护膜30向粘接层22的贴合。
在所准备的带有保护膜的密封构件10中，粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.18N/20mm。对具有与所准备的带有保护膜的密封构件10相同的构成、并且在相同制造条件下制造的宽20mm的试验片，使用协和界面化学公司制的轻载荷型粘合-被膜剥离分析装置VPA－3S，依照JIS Z0237进行剥离强度的测定。测定剥离强度时的剥离速度为50mm/min。
通过向所准备的上述带有保护膜的密封构件10在真空(1×10－5Pa)条件下进行红外线照射，而将上述带有保护膜的密封构件10在160℃加热脱水。其结果是，在加热脱水时，在保护膜30与粘接层22之间没有产生气泡。
在如上所述地将带有保护膜的密封构件10加热脱水后，将保护膜30从粘接层22剥离。目视观察剥离了保护膜30的粘接层22的表面，其结果是，没有产生剥离痕迹。
[实验例2]
实验例2中，除了粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm这一点以外，使用了与实验例1相同构成的带有保护膜的密封构件10。实验例2中也使用了包含硅树脂系脱模剂的涂布层。通过改变形成于保护膜30的粘接层22侧的面的包含硅树脂系脱模剂的涂布层的材料结构而调整了剥离强度。除了使用具有与实验例2中准备的带有保护膜的密封构件10相同的构成、并且在相同的制造条件下制造的宽20mm的试验片这一点以外，在与实验例1相同的条件下测定出剥离强度。
实验例2中，将所准备的带有保护膜的密封构件10在与实验例1相同的条件下加热脱水。其结果是，在实验例2中，在加热脱水时也没有在保护膜30与粘接层22之间产生气泡。
在如上所述地将带有保护膜的密封构件10加热脱水后，将保护膜30从粘接层22剥离。目视观察剥离了保护膜30的粘接层22的表面，其结果是，没有产生剥离痕迹。
[比较实验例1]
比较实验例1中，除了粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.35N/20mm这一点以外，使用了与实验例1相同构成的带有保护膜的密封构件10。比较实验例1中也使用了包含硅树脂系脱模剂的涂布层。通过改变形成于保护膜30的粘接层22侧的面的包含硅树脂系脱模剂的涂布层的材料结构而调整了剥离强度。除了使用具有与比较实验例1中准备的上述带有保护膜的密封构件10相同的构成、并且在相同的制造条件下制造的宽20mm的试验片这一点以外，在与实验例1相同的条件下测定出剥离强度。
比较实验例1中，将所准备的带有保护膜的密封构件10在与实验例1相同的条件下加热脱水。其结果是，在比较实验例1中，在加热脱水时，没有在保护膜30与粘接层22之间产生气泡。
在如上所述地将带有保护膜的密封构件10加热脱水后，将保护膜30从粘接层22剥离。目视观察剥离了保护膜30的粘接层22的表面，其结果是，产生了剥离痕迹。
[比较实验例2]
比较实验例2中，除了粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.02N/20mm这一点以外，使用了与实验例1相同构成的带有保护膜的密封构件10。比较实验例2中也使用了包含硅树脂系脱模剂的涂布层。通过改变形成于保护膜30的粘接层22侧的面的包含硅树脂系脱模剂的涂布层的材料结构而调整了剥离强度。除了使用具有与比较实验例2中准备的带有保护膜的密封构件10相同的构成、并且在相同的制造条件下制造的宽20mm的试验片这一点以外，在与实验例1相同的条件下测定出剥离强度。
比较实验例2中，将所准备的带有保护膜的密封构件10在与实验例1相同的条件下加热脱水。其结果是，比较实验例2中，在加热脱水时，在保护膜30与粘接层22之间产生气泡。
如上所述地将带有保护膜的密封构件10加热脱水后，将保护膜30从粘接层22剥离。目视观察剥离了保护膜30的粘接层22的表面，其结果是，产生了由气泡痕造成的凹凸。
根据上述实验例1、实验例2、比较实验例1及比较实验例2中的带有保护膜的密封构件10的加热脱水的实验结果可以验证，若粘接层22相对于保护膜30的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm的范围，则可以在脱水时防止气泡的产生，并且在将保护膜30从粘接层22剥离时，不产生剥离痕迹。
以上，对本发明的各种实施方式进行了说明。然而，本发明不一定限定于上述的各种实施方式，可以在不脱离其主旨的范围中进行各种变更。
虽然对带有保护膜的密封构件为带状的情况进行了说明，然而带有保护膜的密封构件也可以是纸张状。同样地，器件基材(或器件基材所具有的基板)也可以是纸张状。
对包括卷出工序及卷绕工序的带有保护膜的密封构件的准备工序进行了说明。然而，带有保护膜的密封构件的准备工序也可以不具备卷出工序及卷绕工序的至少一方。
图2所示的脱水工序S22中，对利用红外线将带有保护膜的密封构件加热脱水的情况进行了说明，然而将带有保护膜的密封构件脱水的方法不限定于使用红外线的方法。例如，也可以实施向带有保护膜的密封构件吹送热风而脱水的方法。
利用有机EL器件的制造方法制造的有机EL器件不限定于从基板侧发出光的方式，也可以应用于从与基板相反的一侧发出光的有机EL器件。虽然对器件基材的第1电极及第2电极为阳极及阴极的方式进行了说明，然而也可以第1电极为阴极、第2电极为阳极。本发明也可以应用于有机EL器件以外的有机电子器件，例如有机太阳能电池、有机光探测器、有机晶体管等。
符号说明
10带有保护膜的密封构件，20密封构件，21密封基材，22粘接层，23树脂膜，30保护膜，40器件基材，41基板，42阳极(第1电极)，43有机EL部(包含有机层的器件功能部)，44阴极(第2电极)，56红外线照射部。

Claims (6)

1.一种有机电子器件的制造方法，所述制造方法具备：
器件基材形成工序，形成在基板上依次设置第1电极、包含有机层的器件功能部、和第2电极而得的器件基材；
脱水工序，将带有保护膜的密封构件脱水，所述带有保护膜的密封构件是在密封基材层叠粘接层而得到密封构件、并在所得的密封构件经由所述粘接层层叠保护膜而得；以及
密封构件贴合工序，从经过所述脱水工序的所述带有保护膜的密封构件剥离所述保护膜，经由所述粘接层将所述密封构件贴合于所述器件基材，
所述带有保护膜的密封构件的所述粘接层相对于所述保护膜的剥离强度为0.06N/20mm～0.3N/20mm。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述脱水工序中，通过向所述带有保护膜的密封构件照射红外线而将所述带有保护膜的密封构件脱水。
3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述粘接层包含吸湿剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述保护膜的厚度为50μm以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述保护膜的厚度为7μm以上且25μm以下，
所述剥离强度为0.06N/20mm～0.18N/20mm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电子器件的制造方法，其中，
所述密封基材的材料包含铝或铜。
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