CN111128963A - 一种显示基板母板及其制作方法 - Google Patents

一种显示基板母板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111128963A
CN111128963A CN201811279971.9A CN201811279971A CN111128963A CN 111128963 A CN111128963 A CN 111128963A CN 201811279971 A CN201811279971 A CN 201811279971A CN 111128963 A CN111128963 A CN 111128963A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panel
mark
film
pattern
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811279971.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111128963B (zh
Inventor
杜丽丽
龙跃
周宏军
宋二龙
曾超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811279971.9A priority Critical patent/CN111128963B/zh
Priority to JP2020564869A priority patent/JP2022503370A/ja
Priority to PCT/CN2019/103715 priority patent/WO2020088082A1/zh
Priority to EP19856415.5A priority patent/EP3876028A4/en
Priority to US16/649,787 priority patent/US11227839B2/en
Publication of CN111128963A publication Critical patent/CN111128963A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111128963B publication Critical patent/CN111128963B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示基板母板及其制作方法。本发明的技术方案通过设置显示基板母板上的标记图形为薄膜上形成的过孔,而不是小面积孤岛型的薄膜图形,从而克服了标记图形脱落的可能,进一步保证产品的可靠性和良率。

Description

一种显示基板母板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板母板及其制作方法。
背景技术
在小尺寸的显示基板母板的生产过程中,会在一张基板上制作多个显示基板母板,制作完成后,通过切割工艺切割成多个独立的显示基板母板。由于掩膜板的尺寸小于基板的尺寸,所以一张基板需要分多次曝光,掩膜板每曝光一次称为一个shot,同一张基板中判断两个shot曝光偏移量的是Stitch Mark,Stitch Mark在基板/掩膜板上的分布以及shot与shot之间的曝光关系为:
所述掩膜板的四周各分布6组Stitch Mark,结合图1和图2所示,掩膜板的上边框和左边框的Stitch Mark可在基板100'的一个显示面板区域200'(每一显示面板区域200'用于形成一个显示基板母板)周边的平坦层/像素界定层10'上曝光出如图1左、上所示的大环形的第一标记图形1',掩膜板的下边框和右边框的Stitch Mark可在基板100'的一个显示面板区域200'周边的平坦层/像素界定层10'上曝光出如图1右、下所示的小正方形的第二标记图形2',两次shot存在交叠,使得位于相邻的两个显示面板区域200的且位置对应的第一标记图形1'和第二标记图形2'组合成的小环形的第三标记图形3',结合图3所示。
获取两次shot的偏移量的具体原理为:如图3所示,相邻的两个显示面板区域200之间,平坦层/像素界定层10'上的Stitch Mark在前一次shot能够得到形状如图3所示的小正方形的第二标记图形2'(15um),后一次shot能够得到形状如图3所示的大环形的第一标记图形1'(内径:7.5um,外径:20um),当小正方形和大环形的位置对应时,最终形成的小环形(内径:7.5um,外径:15um),通过量取小环形孔的水平孔径d'就可以判断两次shot的偏移量。当两次shot的偏移量为零时,d=15-7.5=7.5um。
但是,平坦层/像素界定层因为本身材质原因,小面积孤岛型(环形、小正方形)存在时极易脱落,脱落后被冲洗液冲到背板电路或发光像素区,会影响发光,进而会影响产品良率,如图4所示。
发明内容
本发明提供一种显示基板母板及其制作方法,用以解决显示基板母板上的标记图形极易脱落的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种显示基板母板的制作方法,所述显示基板母板包括衬底,所述衬底上包括至少两个显示面板区域,每一所述显示面板区域外围具有标记区域,所述制作方法包括:
在所述标记区域中形成第一薄膜,对所述第一薄膜进行构图工艺,形成包括多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
可选的,还包括:
在所述衬底的显示面板区域中形成第二薄膜,对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形;
其中,所述在标记区域中形成第一薄膜和在衬底的显示面板区域形成第二薄膜,包括:
利用同一材料通过一次成膜工艺形成所述第一薄膜和第二薄膜。
显示面板区域可选的,对所述第一薄膜和第二薄膜进行构图工艺的步骤,包括:
利用一掩膜板采用一次构图工艺同时对所述显示面板区域的第二薄膜和对应的标记区域的第一薄膜进行构图,形成所述第二薄膜的图形,以及位于所述第一薄膜上的标记图形,并利用该掩膜板依次对所有显示面板区域的第二薄膜和对应的标记区域的第一薄膜进行构图工艺;
其中,形成的所述标记图形包括:位于所述显示面板区域的一侧的至少一个第一标记图形和相对的另一侧的至少一个第二标记图形,相邻的两个显示面板区域之间具有第一标记图形和第二标记图形以根据位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
可选的,所述显示基板母板为有机电致发光显示基板母板;
所述对第二薄膜进行构图工艺形成所述第二薄膜的图形,包括:
对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述有机电致发光显示基板母板的平坦层或像素界定层。
可选的,所述显示基板母板为液晶显示基板母板;
所述对第二薄膜进行构图工艺形成所述第二薄膜的图形,包括:
对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述液晶显示基板母板的平坦层。
可选的,所述第一薄膜和第二薄膜的材料为光刻胶。
可选的,所述对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形,包括:
在所述衬底的至少一个显示面板区域中的第二薄膜进行构图工艺时,通过所述标记图形对掩膜板和显示面板区域进行对位,利用所述掩膜板对所述第二薄膜进行构图工艺。
本发明实施例中还提供一种采用如上所述的制作方法制得的显示基板母板,所述显示基板母板包括衬底,所述衬底上包括至少两个显示面板区域,每一所述显示面板区域外围具有标记区域;
所述显示基板母板包括位于所述标记区域的第一薄膜,所述第一薄膜包括多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
可选的,所述显示基板母板还包括:
设置在所述衬底上的第二薄膜的图形,所述第二薄膜位于所述显示面板区域中;
所述第一薄膜和第二薄膜为同一薄膜。
显示面板区域可选的,所述标记图形包括位于所述显示面板区域的一侧的至少一个第一标记图形和位于相对的另一侧的至少一个第二标记图形,相邻的两个显示面板区域之间具有第一标记图形和第二标记图形,以根据位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量能够获取对该两个相邻的显示面板区域的第一薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
可选的,位于所述显示面板区域外围的第一标记图形和第二标记图形的位置一一对应,且位置对应的第一标记图形的中心和第二标记图形的中心的第一连线沿第一方向延伸;
所述衬底包括在第一方向上相邻的两个显示面板区域,该两个显示面板区域的中心的第二连线与所述第一连线平行,该两个显示面板区域的中心之间的距离与位于一显示面板区域的相对两侧且位置对应的第一标记图形的中心和第二标记图形的中心之间的距离相同,所述设定距离为零。
可选的,位于所述显示面板区域的相对两侧的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形,以该显示面板区域的垂直于所述第一连线的中心轴对称分布。
可选的,所述第一标记图形和第二标记图形的形状和孔径尺寸相同。
可选的,所述衬底包括至少四个显示面板区域,所述至少四个显示面板区域呈矩阵分布。
可选的,所述显示基板母板为有机电致发光显示基板母板;
所述第二薄膜为所述有机电致发光显示基板母板的平坦层或像素界定层。
可选的,所述显示基板母板为液晶显示基板母板;
所述第二薄膜为所述液晶显示基板母板的平坦层。
本发明实施例中还提供一种获取如上所述的显示基板母板的制作过程中的曝光偏移量的方法,包括:
根据位于相邻的两个显示面板区域之间标记区域的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,通过设置显示基板母板的显示面板区域外围的标记图形为薄膜上形成的过孔,而不是小面积孤岛型的薄膜图形,从而克服了标记图形脱落的可能,进一步保证产品的可靠性和良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-图2表示现有技术中基板上的用于获取相邻两个显示面板区域的曝光偏移量的标记图形的制作过程;
图3表示图2中位于相邻两个显示面板区域之间的标记图形的形成原理;
图4表示现有技术中基板上的用于获取相邻两个显示面板区域的曝光偏移量的标记图形发生脱落的示意图;
图5和图7表示本发明实施例中基板上的用于获取相邻两个显示面板区域的曝光偏移量的标记图形的制作过程;
图6表示本发明实施例中相邻两个显示面板区域无曝光偏移量时基板的结构示意图;
图8表示图7中位于相邻两个显示面板区域之间的标记图形的形成原理;
图9-图12表示本发明的实施例中基板的不同结构示意图。
具体实施方式
对于显示基板的生产线,是在一张显示基板母板上制作多个显示基板,即,一张基板包括多个显示面板区域,每一显示面板区域设置有显示基板的所有功能薄膜图形。在所有显示基板制作完成后,再通过切割工艺切割成多个独立的显示基板。在显示基板母板的制作过程中,需要在显示面板区域的周边上制作一些标记图形,用于对位、获取曝光偏移量等。现有的标记图形是小面积的薄膜图形,其形状可以为十字型、环形、正方形等。小面积的标记图形极易脱落,被冲洗到基板的显示面板区域,影响产品的性能,甚至导致产品不能正常工作。
为了解决上述技术问题,本申请提供一种显示基板母板的制作方法,所述显示基板母板包括衬底,所述衬底上包括至少两个显示面板区域,每一所述显示面板区域外围具有标记区域,所述制作方法包括:
在衬底所述标记区域中形成第一薄膜,对所述第一薄膜进行构图工艺,形成包括多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
通过上述制作方法制得的显示基板母板的标记图形为薄膜上形成的过孔,而不是小面积孤岛型的薄膜图形,从而克服了标记图形脱落的可能,进一步保证产品的可靠性和良率。
相应地,本发明还提供一种如上所述的制作方法制得的显示基板母板,所述显示基板母板包括位于所述标记区域的第一薄膜,所述第一薄膜包括衬底多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
由于显示基板母板的尺寸较大,受到曝光精度和成本的限制,用于对所述显示基板母板上的薄膜进行曝光的掩膜板的尺寸较小,因此,一张显示基板母板上的多个显示面板区域需要利用掩膜板进行多次曝光工艺才能完成相同功能薄膜图形的制作。以所述显示基板母板为液晶显示基板母板为例,所述相同功能薄膜图形为所有显示面板区域的像素电极、薄膜晶体管的栅电极、源电极或漏电极等。
为了获取对相邻两个显示面板区域的前后两次曝光工艺的偏移量,会在显示面板区域的周边制作标记图形,通过该标记图形来获取两次曝光的偏移量。
本实施例中,以一张掩膜板一次仅对一个显示面板区域的薄膜进行曝光为例来具体介绍本发明的技术方案。仅是为了举例来介绍本发明的技术方案,本发明的技术方案也适用于一张掩膜板一次对至少两个相邻的显示面板区域的薄膜进行曝光的情形,此时,只需将该至少两个相邻的显示面板区域看作是一个面积更大的显示面板区域,与一张掩膜板一次仅对一个显示面板区域的薄膜进行曝光的技术方案相同,不再详述。
需要说明的是,本实施例中前后两次曝光是指:在相邻两个显示面板区域制作相同功能薄膜图形时的两次曝光工艺。
以下内容中关于对显示面板区域进行构图工艺均是指对显示面板区域内的薄膜进行构图工艺,所述构图工艺包括利用掩膜板对显示面板区域内的薄膜进行曝光工艺。
结合图5和图7所示,本实施例中的显示基板母板包括衬底100,衬底100包括至少两个显示面板区域200,每一显示面板区域200的外围具有标记区域201。
本实施例中显示基板母板的制作方法包括:
在标记区域201中形成第一薄膜10,对第一薄膜10进行构图工艺,形成包括多个标记图形的图形,所述标记图形为第一薄膜10上形成的过孔;
在显示面板区域200中形成第二薄膜,对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形。
其中,所述在标记区域201中形成第一薄膜10和在显示面板区域200中形成第二薄膜,包括:
利用同一材料通过一次成膜工艺形成第一薄膜10和所述第二薄膜。
即,第一薄膜10和所述第二薄膜为同一薄膜,以简化制作工艺,降低成本。
进一步地,第一薄膜10和所述第二薄膜的材料可以为光刻胶,仅通过曝光工艺就可以在第一薄膜10上形成过孔(标记图形),以及第二薄膜的图形,进一步简化制作工艺。
其中,对所述第一薄膜和第二薄膜进行构图工艺的步骤,包括:
利用一掩膜板采用一次构图工艺同时对显示面板区域200的第二薄膜和对应的标记区域201的第一薄膜进行构图,形成所述第二薄膜的图形,以及位于第一薄膜10上的标记图形,并利用该掩膜板依次对所有显示面板区域200的第二薄膜和对应的标记区域201的第一薄膜10进行构图工艺;
上述步骤形成的标记图形包括:位于显示面板区域200的一侧的至少一个第一标记图形11和相对的另一侧的至少一个第二标记图形12,相邻的两个显示面板区域200之间具有第一标记图形11和第二标记图形12,以根据位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域200的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
上述制作方法利用位于相邻的两个显示面板区域之间的位置对应的标记图形来获取该两个相邻的显示面板区域的构图工艺中的曝光偏移量,由于标记图形为薄膜中的过孔,而不是小面积孤岛型的薄膜图形,从而克服了标记图形脱落的可能,进一步保证产品的可靠性和良率。
本实施例中,获取如上所述的显示基板母板的制作过程中的曝光偏移量的方法包括:
根据位于相邻的两个显示面板区域之间标记区域的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
本发明的技术方案其获取对相邻的两个显示面板区域200的前后两次曝光工艺的偏移量的具体的原理为:
由于显示面板区域200与其外围的标记图形利用同一掩膜板制得,则相邻两个显示面板区域200的构图工艺中的曝光偏移量与形成位于该相邻两个显示面板区域200外围的且位置对应的标记图形的构图工艺中的曝光偏移量相同,因此,可以利用位于该相邻两个显示面板区域200外围的且位置对应的标记图形相对设定距离的偏移量(即曝光偏移量),来获取对该两个相邻的显示面板区域200的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
另外,由于所有显示面板区域200外围的标记图形利用同一掩膜板制得,因此,所有显示面板区域200外围的标记图形的分布规则相同,则,通过设置相邻两个显示面板区域200的距离可以设置位于相邻两个显示面板区域200之间的第一标记图形11和第二标记图形12的设定距离。当相邻的两个显示面板区域200的曝光存在偏移量时,通过曝光工艺在两个显示面板区域200的外围形成的标记图形也会发生偏移,因此,根据位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12相对设定距离的偏移量(即曝光偏移量),能够获取对该两个相邻的显示面板区域200的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
通过利用位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的标记图形相对设定距离的偏移量,来获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量,由于距离较近,能够比较快速、准确得获取相邻的两个显示面板区域的曝光偏移量。
可选的,如图7所示,设置位于同一显示面板区域200的相对两侧的第一标记图形11和第二标记图形12的位置一一对应。当显示面板区域200的一侧设置多个标记图形时,位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12具有多组,通过测量多组位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12相对设定距离的偏移量,能够提高获取的相邻的两个显示面板区域200的构图工艺中的曝光偏移量的精度。
如图12所示,也可以设置位于显示面板区域200的一侧的第一标记图形11与位于相对的另一侧的两个第二标记图形12的位置对应,则,一组位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12能够获取两组相对设定距离的偏移量,进一步提高获取的两个相邻的显示面板区域200的构图工艺中的曝光偏移量的精度。
当然,位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形的组合关系并不局限于上述两种,例如:还可以设置一个第一标记图形和3个第二标记图形的位置对应,或位于相邻的两个显示面板区域之间的一第一标记图形与位于位置对应的多个第二标记图形的中心的设定距离为零,在此不再一一列举,其都属于本发明的保护范围。
其中,所述标记图形可以为规则形状的过孔,如图7和图9所示的方形孔,如图10所示的十字形孔,如图11所示的三角形孔。当然,所述标记图形还可以为其它规则形状的过孔,在此不再一一列举。或者,所述标记图形也可以为不规则形状的过孔。
优选的,设置所述标记图形为规则形状的过孔,方便获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的相对设定距离的偏移量。
进一步地,设置显示面板区域200外围的所有标记图形的形状和尺寸相同,根据标记图形的轮廓线上的同一参考点就可以获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的两个标记图形的偏移量,进一步方便获取这两个标记图形相对设定距离的偏移量,结合图7和图8所示。
位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形的设定距离可以根据需要任意设置,可以为大于零的值(在无曝光偏移量时,位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形错开),也可以小于零的值(在无曝光偏移量时,位于相邻的两个显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形部分交叠),或等于零(在无曝光偏移量时,位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的中心重合,如图6所示)。
本实施例中,设置所述设定距离等于零,更方便获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12相对设定距离的偏移量。
优选的,如图7所示,设置显示面板区域200外围的所有标记图形的形状和尺寸相同,且所述设定距离等于零,根据标记图形的轮廓线上的同一参考点就可以获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的轮廓线上的同一参考点之间的距离即为相对设定距离的偏移量。例如:当显示面板区域200外围的所有标记图形均为尺寸相同的正方形孔时,位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的同一位置的顶点(例如:如图7中的右上顶点)之间的距离即为相对设定距离的偏移量。
需要说明的是,本实施例中关于方位的描述,如:左、右、上、下,均是以附图中的方向来定义,仅是为了便于描述,不具有其它限定意义。
在一个具体的实施方式中,结合图5和图7所示,设置位于显示面板区域200外围的第一标记图形11和第二标记图形12的位置一一对应,且位置对应的第一标记图形11的中心和第二标记图形12的中心的第一连线沿第一方向延伸。
衬底100包括在第一方向上相邻的两个显示面板区域200,该两个显示面板区域200的中心的第二连线与所述第一连线平行(即该相邻的两个显示面板区域200沿第一方向排布),该两个显示面板区域200的中心之间的距离与位于一显示面板区域200的相对两侧且位置对应的第一标记图形11的中心和第二标记图形12的中心之间的距离相同,所述设定距离为零,即,在无曝光偏移量时,位于该两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12重合,参见图6所示。
如图7所示,如果该两个显示面板区域200的构图工艺中存在曝光偏移量,由于显示面板区域200与其外围的标记区域201利用同一掩膜板进行曝光工艺,因此,形成位于该两个显示面板区域200外围的标记图形的构图工艺中也存在曝光偏移量。则,位于该两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12不再重合,发生偏移。可以通过所述第一标记图形11和第二标记图形12在第一方向上的第一偏移量x和与所述第一方向垂直的第二方向上的第二偏移量y,来获取该两个显示面板区域200的构图工艺中的曝光偏移量:在第一方向上的偏移量为x,在与第一方向垂直的第二方向上的偏移量为y。
该实施方式中,设置显示面板区域200外围的所有标记图形为形状和尺寸相同的规则形状,以方便获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的相对设定距离的偏移量。
如图7所示,以标记图形为正方形的孔为例,设定标记图形的右上角的顶点为参考点,通过获取位于相邻的两个显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12的右上角的顶点相对设定距离的偏移量,即可获取该两个显示面板区域200的构图工艺中的曝光偏移量,该曝光偏移量可以分解为在第一方向上的偏移量为x,在与第一方向垂直的第二方向上的偏移量为y。
其中,位于一显示面板区域的相对两侧的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形,可以但并不局限于以该显示面板区域的垂直于所述第一连线的中心轴对称分布。
上述具体实施方式通过在显示面板区域的相对两侧设置位置一一对应的标记图形,能够在相邻的两个显示面板区域之间形成多组位置一一对应的第一标记图形和第二标记图形,便于获取位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,而且设置多组位置一一对应的第一标记图形和第二标记图形,能够提高精度。
上述具体实施方式中相邻两个显示面板区域沿第一方向排布,至于沿与第一方向垂直的第二方向排布的相邻两个显示面板区域,其对应的技术方案与上述相同。当所述衬底包括沿第一方向和第二方向,呈矩阵分布的至少四个显示面板区域时,其对应的技术方案是上述两者的结合,在此不再详述。
为了简化制作工艺,本实施例中用于制备标记图形的第一薄膜可以与显示面板区域200的第二薄膜为同一薄膜,利用同一材料通过一次成膜工艺制得。
例如:当本实施例中的显示基板母板为有机电致发光显示基板母板时,
所述有机电致发光显示基板母板的显示面板区域包括有机电致发光二极管的各功能膜层、像素界定层、平坦层等。
本实施例中的第二薄膜可以为有机电致发光显示基板母板的像素界定层或平坦层,用于制备标记图形的第一薄膜可以与像素界定层或平坦层利用同一材料通过一次成膜工艺制得。由于平坦层和像素界定层的厚度较厚,能够提供平坦表面,使得过孔的开口端位于同一平面内,有利于准确获取曝光偏移量。
同样地,当本实施例中的显示基板母板为液晶显示基板母板时,所述液晶显示基板母板的显示面板区域包括薄膜晶体管的各功能膜层、平坦层、像素电极等。
本实施例中的第二薄膜可以为液晶显示基板母板的平坦层,用于制备标记图形的第一薄膜可以与平坦层利用同一材料通过一次成膜工艺制得。由于平坦层的厚度较厚,能够提供平坦表面,使得过孔的开口端位于同一平面内,有利于准确获取曝光偏移量。
以显示基板母板为有机电致发光显示基板母板为例,本实施例中,所述显示基板母板的标记图形的制作方法具体包括:
首先,在衬底100上沉积平坦层10,平坦层10由正性光刻胶制得,利用掩膜板采用一次构图工艺同时对一显示面板区域200和位于其外围的标记区域的平坦层10进行曝光,显影后形成,在标记区域的平坦层10上形成位于该显示面板区域200的相对两侧的第一标记图形11和第二标记图形12,第一标记图形11和第二标记图形12为平坦层10上的过孔,如图5所示;
然后,利用同一掩膜板采用一次构图工艺同时对相邻的另一显示面板区域200和位于其外围的标记区域的平坦层10进行曝光,显影后形成,在标记区域的平坦层10上形成位于该显示面板区域200的相对两侧的第一标记图形11和第二标记图形12,如图7所示,这两个相邻的显示面板区域200的曝光存在偏移量,使得位于这两个相邻的显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12相对设定距离发生偏移,其中,所述设定距离为零。因此,在无曝光偏移量时,位于这两个相邻的显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12重合,如图6所示。在有曝光偏移量时,位于这两个相邻的显示面板区域200之间的且位置对应的第一标记图形11和第二标记图形12在第一方向上的第一偏移量x=20um和与所述第一方向垂直的第二方向上的第二偏移量y=20um,即为这两个相邻的显示面板区域200的曝光偏移量,如图8所示。
至此完成标记图形的制作,至于有机电致发光显示基板母板的其它功能膜层图形的制作方法在此不再一一详述。
上述实施例以用于获取对相邻的两个显示面板区域的前后两次曝光工艺的偏移量的标记图形为例来具体介绍了本发明的技术方案。
本发明的标记图形还可以为对位标记图形,通过所述对位标记图形对掩膜板和显示面板区域进行对位,以对所述显示面板区域进行构图工艺。具体为:所述对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形,包括:
在所述衬底的至少一个显示面板区域中的第二薄膜进行构图工艺时,通过所述标记图形对掩膜板和显示面板区域进行对位,利用所述掩膜板对所述第二薄膜进行构图工艺。
当然,本发明的标记图形也可以为具有其他功能的标记图形。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示基板母板的制作方法,其特征在于,所述显示基板母板包括衬底,所述衬底上包括至少两个显示面板区域,每一所述显示面板区域外围具有标记区域,所述制作方法包括:
在所述标记区域中形成第一薄膜,对所述第一薄膜进行构图工艺,形成多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底的显示面板区域中形成第二薄膜,对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形;
其中,所述在标记区域中形成第一薄膜和在衬底的显示面板区域形成第二薄膜,包括:
利用同一材料通过一次成膜工艺形成所述第一薄膜和第二薄膜。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,对所述第一薄膜和第二薄膜进行构图工艺的步骤,包括:
利用一掩膜板采用一次构图工艺同时对所述显示面板区域的第二薄膜和对应的标记区域的第一薄膜进行构图,形成所述第二薄膜的图形,以及位于所述第一薄膜上的标记图形,并利用该掩膜板依次对所有显示面板区域的第二薄膜和对应的标记区域的第一薄膜进行构图工艺;
其中,形成的所述标记图形包括:位于所述显示面板区域的一侧的至少一个第一标记图形和相对的另一侧的至少一个第二标记图形,相邻的两个显示面板区域之间的标记区域具有第一标记图形和第二标记图形,以根据位于相邻的两个显示面板区域之间标记区域的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
4.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板母板为有机电致发光显示基板母板;
所述对第二薄膜进行构图工艺形成所述第二薄膜的图形,包括:
对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述有机电致发光显示基板母板的平坦层或像素界定层。
5.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板母板为液晶显示基板母板;
所述对第二薄膜进行构图工艺形成所述第二薄膜的图形,包括:
对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述液晶显示基板母板的平坦层。
6.根据权利要求4或5所述的制作方法,其特征在于,所述第一薄膜和第二薄膜的材料为光刻胶。
7.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述对所述第二薄膜进行构图工艺,形成所述第二薄膜的图形,包括:
在所述衬底的至少一个显示面板区域中的第二薄膜进行构图工艺时,通过所述标记图形对掩膜板和显示面板区域进行对位,利用所述掩膜板对所述第二薄膜进行构图工艺。
8.一种采用权利要求1-7任一项所述的制作方法制得的显示基板母板,其特征在于,所述显示基板母板包括衬底,所述衬底上包括至少两个显示面板区域,每一所述显示面板区域外围具有标记区域;
所述显示基板母板包括位于所述标记区域的第一薄膜,所述第一薄膜包括多个标记图形,所述标记图形为所述第一薄膜上形成的过孔。
9.根据权利要求8所述的显示基板母板,其特征在于,所述显示基板母板还包括:
设置在所述衬底上的第二薄膜的图形,所述第二薄膜位于所述显示面板区域中;
所述第一薄膜和第二薄膜为同一薄膜。
10.根据权利要求9所述的显示基板母板,其特征在于,所述标记图形包括位于所述显示面板区域的一侧的至少一个第一标记图形和位于相对的另一侧的至少一个第二标记图形,相邻的两个显示面板区域之间具有第一标记图形和第二标记图形,以根据位于相邻的两个显示面板区域显示面板区域之间的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量能够获取对该两个相邻的显示面板区域的第一薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
11.根据权利要求10所述的显示基板母板,其特征在于,位于所述显示面板区域外围的第一标记图形和第二标记图形的位置一一对应,且位置对应的第一标记图形的中心和第二标记图形的中心的第一连线沿第一方向延伸;
所述衬底包括在第一方向上相邻的两个显示面板区域,该两个显示面板区域的中心的第二连线与所述第一连线平行,该两个显示面板区域的中心之间的距离与位于一显示面板区域的相对两侧且位置对应的第一标记图形的中心和第二标记图形的中心之间的距离相同,所述设定距离为零。
12.根据权利要求11所述的显示基板母板,其特征在于,位于所述显示面板区域的相对两侧的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形,以该显示面板区域的垂直于所述第一连线的中心轴对称分布。
13.根据权利要求12所述的显示基板母板,其特征在于,所述第一标记图形和第二标记图形的形状和孔径尺寸相同。
14.根据权利要求12所述的显示基板母板,其特征在于,所述衬底包括至少四个显示面板区域,所述至少四个显示面板区域呈矩阵分布。
15.根据权利要求9所述的显示基板母板,其特征在于,所述显示基板母板为有机电致发光显示基板母板;
所述第二薄膜为所述有机电致发光显示基板母板的平坦层或像素界定层。
16.根据权利要求9所述的显示基板母板,其特征在于,所述显示基板母板为液晶显示基板母板;
所述第二薄膜为所述液晶显示基板母板的平坦层。
17.一种获取权利要求3-7任一项所述的显示基板母板的制作过程中的曝光偏移量的方法,其特征在于,包括:
根据位于相邻的两个显示面板区域之间标记区域的且位置对应的第一标记图形和第二标记图形相对设定距离的偏移量,获取对该两个相邻的显示面板区域的第二薄膜进行的构图工艺中的曝光偏移量。
CN201811279971.9A 2018-10-30 2018-10-30 一种显示基板母板及其制作方法 Active CN111128963B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811279971.9A CN111128963B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 一种显示基板母板及其制作方法
JP2020564869A JP2022503370A (ja) 2018-10-30 2019-08-30 表示基板マザーボード及びその製造方法
PCT/CN2019/103715 WO2020088082A1 (zh) 2018-10-30 2019-08-30 显示基板母板及其制作方法
EP19856415.5A EP3876028A4 (en) 2018-10-30 2019-08-30 DISPLAY SUBSTRATE MOTHERBOARD AND METHOD OF MAKING THEREOF
US16/649,787 US11227839B2 (en) 2018-10-30 2019-08-30 Display substrate motherboard and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811279971.9A CN111128963B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 一种显示基板母板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111128963A true CN111128963A (zh) 2020-05-08
CN111128963B CN111128963B (zh) 2022-04-26

Family

ID=70463440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811279971.9A Active CN111128963B (zh) 2018-10-30 2018-10-30 一种显示基板母板及其制作方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11227839B2 (zh)
EP (1) EP3876028A4 (zh)
JP (1) JP2022503370A (zh)
CN (1) CN111128963B (zh)
WO (1) WO2020088082A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111816685A (zh) * 2020-07-22 2020-10-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其测试方法、显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111575648B (zh) * 2020-06-23 2022-07-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板组件及其制造方法
CN114236969A (zh) * 2021-11-12 2022-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光检测方法及装置
CN115097667B (zh) * 2022-07-20 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH116764A (ja) * 1997-04-23 1999-01-12 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線感知器
CN103605263A (zh) * 2013-09-17 2014-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种检测彩膜基板拼接曝光误差的方法以及掩膜板
CN103777364A (zh) * 2013-12-13 2014-05-07 北京维信诺科技有限公司 一种分划板的制造方法
CN103995433A (zh) * 2014-05-14 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及基板标记制作方法
CN104330912A (zh) * 2014-11-24 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种母板、对盒后的母板、对应制作方法及液晶显示面板

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI311369B (en) * 2006-03-24 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Method for fabricating identification code on a substrate
KR20080061569A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 삼성전자주식회사 표시 패널 제조용 모(母) 표시 패널
US9526167B2 (en) 2010-11-02 2016-12-20 Kyocera Corporation Many-up wiring substrate, wiring board, and electronic device
JP5893967B2 (ja) * 2011-06-28 2016-03-23 京セラ株式会社 多数個取り配線基板
KR102161586B1 (ko) * 2013-12-30 2020-10-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그의 제조방법
CN104735912B (zh) * 2015-03-10 2018-07-06 广州杰赛科技股份有限公司 一种台阶板的制作方法
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
KR102544481B1 (ko) * 2016-04-25 2023-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널의 제조 방법
CN105957867B (zh) * 2016-04-28 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板母板及其制作方法、显示装置
KR102322135B1 (ko) * 2017-09-15 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
CN207338364U (zh) * 2017-11-15 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、有机发光器件及显示装置
KR102395221B1 (ko) * 2017-12-05 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH116764A (ja) * 1997-04-23 1999-01-12 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線感知器
CN103605263A (zh) * 2013-09-17 2014-02-26 京东方科技集团股份有限公司 一种检测彩膜基板拼接曝光误差的方法以及掩膜板
CN103777364A (zh) * 2013-12-13 2014-05-07 北京维信诺科技有限公司 一种分划板的制造方法
CN103995433A (zh) * 2014-05-14 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及基板标记制作方法
CN104330912A (zh) * 2014-11-24 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种母板、对盒后的母板、对应制作方法及液晶显示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111816685A (zh) * 2020-07-22 2020-10-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其测试方法、显示装置
CN111816685B (zh) * 2020-07-22 2022-12-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其测试方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022503370A (ja) 2022-01-12
EP3876028A1 (en) 2021-09-08
CN111128963B (zh) 2022-04-26
EP3876028A4 (en) 2022-08-03
WO2020088082A1 (zh) 2020-05-07
US20210074649A1 (en) 2021-03-11
US11227839B2 (en) 2022-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111128963B (zh) 一种显示基板母板及其制作方法
CN103744214A (zh) 一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法
CN111051559B (zh) 蒸镀掩模、显示面板的制造方法以及显示面板
CN103197501B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
US11538883B2 (en) OLED display panel and OLED device with wire overlying step in via-holes, and manufacturing method thereof
TWI677089B (zh) 有機發光顯示裝置及其製備方法、製備支撐柱的掩膜板
CN113286916B (zh) 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件
WO2015149401A1 (zh) Tft lcd阵列对位标记设计及制造方法
CN111108229A (zh) 蒸镀掩模以及蒸镀掩模的制造方法
US11315882B2 (en) Alignment mark, substrate and manufacturing method therefor, and exposure alignment method
KR100315911B1 (ko) 액정 표시 장치 패널, 그 제조 방법 및 정렬 방법
US9057947B2 (en) Method for aligning substrate and mask and method for preparing semiconductor device
CN108183123B (zh) 有机发光显示面板及其制作方法
US20210184125A1 (en) Mask assembly and method of patterning semiconductor film using thereof
CN113196167B (zh) 对位标记、掩模板及显示基板母版
CN111199981B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20210120168A (ko) 포토 마스크, 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100935674B1 (ko) 그래듀얼 스티칭 노광공정에 사용되는 마스크
CN110716400A (zh) 显示装置
CN108598271B (zh) 彩色oled基板的制作方法及彩色oled基板
CN107447191A (zh) 一种金属掩膜及其制备方法
CN108761999A (zh) 掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置
US11864418B2 (en) Display panel, preparation method thereof and display device
CN110233146B (zh) 元件基板及其制造方法
US11322528B2 (en) Manufacturing method of thin film transistor pattern using different color masks and multilayer photoresists, thin film transistor, and mask thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant