CN111123596B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111123596B CN111123596B CN202010017539.3A CN202010017539A CN111123596B CN 111123596 B CN111123596 B CN 111123596B CN 202010017539 A CN202010017539 A CN 202010017539A CN 111123596 B CN111123596 B CN 111123596B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- metal layer
- area
- display panel
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 102
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置,通过在所述测试区设置静电释放区,并且在所述静电释放区设置通孔,使得所述静电释放区与所述主测试区相邻的部位设置成梳齿状,并且,梳齿的宽度小于测试线的宽度,使得静电释放区的电阻小于测试线的电阻,从而将测试区内积累的静电优先在静电释放区释放,从而避免测试区内积累的静电在测试线路上和主测试区释放,有效保护测试区。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及显示面板及显示装置。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
LCD(英文全称:Liquid Crystal Display,液晶显示器)。液晶显示器是以液晶材料为基本组件,在两块平行板之间填充液晶材料,通过电压来改变液晶材料内部分子的排列状况,以达到遮光和透光的目的来显示深浅不一,错落有致的图象,而且只要在两块平板间再加上三原色的滤光层,就可实现彩色图象的显示。
有源矩阵式薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)液晶显示是指使用TFT作为像素开关的液晶显示技术。对于TFT器件,起核心作用的是半导体有源层,目前主流的材料为非晶硅(Amorphous Silicon,a-Si)和多晶硅(Polycrystalline Silicon,p-Si)。其中,低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor,LTPS-TFT)具有制备温度低,载流子迁移率高,器件尺寸小等突出优点,是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。
为有效检出中小尺寸显示面板的显示功能,一般会在TFT基板端子区设置Testcircuit。Test circuit设计多组测试衬垫,当TFT基板和CF基板组立成盒后,利用探针将测试信号接入测试衬垫,即可对面板点亮,实现检测显示功能的目的。
LTPS-TFT阵列基板的制作需经历成膜、光刻、清洗等多道工艺,涉及多种制程机台。在生产过程中,阵列基板与制程机台的摩擦接触极易导致静电积累,由于测试衬垫结构上包含大面积金属和非金属叠层结构更容易发生静电积累和静电释放(ElectrostaticDischarge,ESD),由于测试衬垫的面积越大,抵抗静电释放损伤能力较强,但与之相连的测试线路很细,因此静电释放极易发生在与之相连的测试线路上,静电释放的瞬间热量很高,足以熔断测试线,进而导致测试功能失效。因此需要寻求一种新型的显示面板以解决上述问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种阵列基板,其能够避免静电释放发生在与测试衬垫相连的测试线路上,保护测试线路及测试衬垫不被熔断,进而实现测试功能。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括测试区,所述测试区包括主测试区和静电释放区。所述测试区包括:第一金属层,其包括测试线;第二金属层,设置于所述第一金属层上;以及ITO层,设置于所述第二金属层上;第一通孔,贯穿所述第一金属层,第二通孔,贯穿所述第二金属层,且与第一通孔相对设置;第三通孔,贯穿所述ITO层,且与第二通孔相对设置。
进一步的,其中所述第一通孔位于所述静电释放区内,且与所述主测试区相邻。
进一步的,其中所述第一通孔包括2个或2个以上的数量,所述第一通孔相互间隔排列。
进一步的,其中所述第一通孔排列在同一直线上。
进一步的,其中所述测试区还包括导电区,其为相邻两个所述第一通孔之间的测试区;所述导电区的宽度小于所述测试线的宽度。
进一步的,其中所述静电释放区的电阻小于所述测试线的电阻。
进一步的,其中所述静电释放区的第二金属层的电阻小于所述测试线的电阻。
进一步的,其中所述测试区还包括介电层,设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间,所述第二金属层穿过第一过孔连接于所述第一金属层上。
进一步的,其中所述测试区还包括钝化层,设置于所述第二金属层与所述ITO层之间,所述ITO层穿过第二过孔连接于所述第二金属层上。
本发明的一个目的是提供一种显示装置,其能够避免静电释放发生在与测试衬垫相连的测试线路上,保护测试线路及测试衬垫不被熔断,进而实现测试功能。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示装置,包括本发明所涉及的显示面板。
本发明的优点是:本发明提供一种显示面板及显示装置,通过在所述测试区设置静电释放区,并且在所述静电释放区设置通孔,使得所述静电释放区与所述主测试区相邻的部位设置成梳齿状,并且,梳齿的宽度小于测试线的宽度,使得静电释放区的电阻小于测试线的电阻,从而将测试区内积累的静电优先在静电释放区释放,从而避免测试区内积累的静电在测试线路上和主测试区释放,有效保护测试区。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明显示面板的测试区的平面示意图。
图2为图1中的A-A截面图。
图中部件标识如下:
100、测试区 101、主测试区
102、静电释放区 103、导电区
1、第一金属层 2、介电层
3、第二金属层 4、钝化层
5、ITO层 6、第一通孔
7、第二通孔 8、第三通孔
21、第一过孔 41、第二过孔
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例,以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容,以举例证明本发明可以实施,使得本发明公开的技术内容更加清楚,使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例,下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是附图中的方向,本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明,而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中,结构相同的部件以相同数字标号表示,各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外,为了便于理解和描述,附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的,本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
当某些组件,被描述为“在”另一组件“上”时,所述组件可以直接置于所述另一组件上;也可以存在一中间组件,所述组件置于所述中间组件上,且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时,二者可以理解为直接“安装”或“连接”,或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。
实施例
如图1所示,本发明提供了一种显示装置,包括显示面板。显示面板包括测试区100,测试区100包括主测试区101和静电释放区102。
如图2所示,所述测试区100包括:第一金属层1、介电层2、第二金属层3、钝化层4以及ITO层5。
如图2所示,第一金属层1包括若干条测试线,连接至显示面板的阵列基板上。第一金属层1的材质为铜Cu或钼Mo。
如图2所示,介电层2设置于第一金属层1上。介电层2的材质包括SiO2、SiNx中的一种或多种。
如图2所示,第二金属层3设置于介电层2上,且第二金属层3穿过第一过孔21连接于第一金属层1上。第二金属层3的材质为铜Cu或钼Mo。
如图2所示,钝化层4设置于第二金属层3上。钝化层4的材质包括SiO2、SiNx中的一种或多种。
如图2所示,ITO层5设置于钝化层4上,且ITO层5穿过第二过孔41连接于所述第二金属层3上。由此,ITO层5、第二金属层3以及第一金属层1形成电连接。探针(图未示)将测试信号传输至测试区100的ITO层5,通过ITO层5将测试信号传输至第二金属层3,通过第二金属层3将测试信号传输至第一金属层1,最终通过第一金属层1的测试线将测试信号传输至阵列基板的端子区,以测试显示面板的显示功能。
如图2所示,测试区100还包括:第一通孔6、第二通孔7以及第三通孔8。第一通孔6贯穿第一金属层1;第二通孔7贯穿所述第二金属层3,且与第一通孔6相对设置;第三通孔8贯穿ITO层5,且与第二通孔7相对设置。第一通孔6位于静电释放区102内,且与所述主测试区101相邻。
如图1、图2所示,第一通孔6包括2个或2个以上的数量,第一通孔6相互间隔排列,第一通孔6排列在同一直线上。第一通孔6的排列方向平行于主测试区101与静电释放区102相接的侧边。由此将静电释放区102与所述主测试区102相邻的部位设置成梳齿状。
如图1所示,测试区100还包括导电区103,其为相邻两个第一通孔6之间的测试区100;导电区103的宽度小于所述测试线的宽度,从而将测试区100内积累的静电优先在静电释放区102释放,从而避免测试区100内积累的静电在测试线上和主测试区101释放,进而有效保护测试区100的测试功能。
其中静电释放区102的电阻小于所述测试线的电阻。静电释放区102的第二金属层3的电阻小于所述测试线的电阻。从而将测试区100内积累的静电优先在静电释放区102释放,从而避免测试区100内积累的静电在测试线上和主测试区101释放,进而有效保护测试区100。
以上对本申请实施例所提供的显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括测试区,所述测试区包括主测试区和静电释放区,所述测试区包括:
第一金属层,其包括测试线;
第二金属层,设置于所述第一金属层上;以及
ITO层,设置于所述第二金属层上;
在所述主测试区,所述第二金属层通过第一过孔连接至所述第一金属层;所述ITO层通过第二过孔连接至所述第二金属层;
在所述静电释放区,所述第一金属层还设有第一通孔,所述第二金属层还设有第二通孔,所述ITO层还设有第三通孔;
所述第一通孔贯穿所述第一金属层,
所述第二通孔贯穿所述第二金属层,且与第一通孔相对设置;
所述第三通孔贯穿所述ITO层,且与第二通孔相对设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一通孔位于所述静电释放区内,且与所述主测试区相邻。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一通孔包括2个或2个以上的数量,所述第一通孔相互间隔排列。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一通孔排列在同一直线上。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述测试区还包括
导电区,其为相邻两个所述第一通孔之间的测试区;
所述导电区的宽度小于所述测试线的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放区的电阻小于所述测试线的电阻。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放区的第二金属层的电阻小于所述测试线的电阻。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试区还包括
介电层,设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间,所述第二金属层穿过第一过孔连接于所述第一金属层上。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述测试区还包括
钝化层,设置于所述第二金属层与所述ITO层之间,所述ITO层穿过第二过孔连接于所述第二金属层上。
10.一种显示装置,包括权利要求1-9中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010017539.3A CN111123596B (zh) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010017539.3A CN111123596B (zh) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111123596A CN111123596A (zh) | 2020-05-08 |
CN111123596B true CN111123596B (zh) | 2022-07-12 |
Family
ID=70487321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010017539.3A Active CN111123596B (zh) | 2020-01-08 | 2020-01-08 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111123596B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104122682A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN104238218A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN108400101A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示面板 |
CN109166851A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-01-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN109585440A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 三星电子株式会社 | 包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150089252A (ko) * | 2014-01-27 | 2015-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 표시 기판용 모기판의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-01-08 CN CN202010017539.3A patent/CN111123596B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104122682A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN104238218A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN109585440A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 三星电子株式会社 | 包括静电放电保护图案的半导体器件及其制造方法 |
CN108400101A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及oled显示面板 |
CN109166851A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-01-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111123596A (zh) | 2020-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11237421B2 (en) | Display device | |
US11209947B2 (en) | Touch structure and touch panel | |
KR101466556B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US10878764B2 (en) | Array substrate | |
CN108255354B (zh) | 内嵌式触控显示面板 | |
US7649586B2 (en) | Display device with floating transistor elements on alternating data lines | |
CN100587574C (zh) | 静电放电保护元件、具有该静电放电保护元件的液晶显示装置及其制造方法 | |
KR101359923B1 (ko) | 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
KR101601059B1 (ko) | 횡전계 방식 액정표시장치 | |
US20180196556A1 (en) | Advanced super dimension switch array substrate and method for manufacturing the same, display device | |
CN102636925A (zh) | 液晶显示器 | |
CN109725450B (zh) | 显示面板与其制造方法 | |
CN112859463A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN104252075A (zh) | 液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
KR20080112849A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
CN108254982B (zh) | 显示装置 | |
CN111123596B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR100835008B1 (ko) | 액정표시장치 | |
US11687189B2 (en) | Touch display device | |
KR20110003723A (ko) | 표시장치용 어레이 기판 | |
KR20030056537A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100690312B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 | |
KR20040048206A (ko) | 화소전극을 이용한 액정표시장치 패널의 화소부 주변회로연결구조 및 그 방법 | |
KR20070038345A (ko) | 박막트랜지스터 표시판 | |
KR20000009437A (ko) | 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |