KR20000009437A - 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치 - Google Patents

정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000009437A
KR20000009437A KR1019980029864A KR19980029864A KR20000009437A KR 20000009437 A KR20000009437 A KR 20000009437A KR 1019980029864 A KR1019980029864 A KR 1019980029864A KR 19980029864 A KR19980029864 A KR 19980029864A KR 20000009437 A KR20000009437 A KR 20000009437A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
static electricity
gate
film transistor
dummy thin
Prior art date
Application number
KR1019980029864A
Other languages
English (en)
Inventor
곽상기
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980029864A priority Critical patent/KR20000009437A/ko
Publication of KR20000009437A publication Critical patent/KR20000009437A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시장치는 표시 영역밖에 형성되며, 데이터선에 드레인 전극이 연결되고, 게이트 단자에 게이트 전극이 형성되고, 화소 전극에 소스 단자가 연결된 다수개의 더미 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어져 있다. 그로 인해, 패드를 통해 액티브 영역으로 유입되는 정전기를 방지할 수 있으며, 특히 각각의 채널의 폭과 길이의 비가 서로 다르게 더미 박막 트랜지스터를 설계하므로, 정전기의 방지 효율을 증대시킬 수 있다.

Description

정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치
이 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면, 액정 표시 장치에서 발생하는 정전기를 제거하기 위한 액정 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치의 일종인 액정 표시 장치는 전압에 따라 빛의 투과도가 변하는 액정의 특성을 이용한 것으로써, 낮은 전압으로 구동이 가능하고 전력의 소모가 작아 널리 이용되고 있다.
이러한 액정 표시 장치의 제작 공정의 대부분은 유리 기판(glass) 위에서 수행된다. 유리 기판은 부도체이므로 순간적으로 발생하는 전하가 기판 아래로 분산될 수 없어서 정전기에 매우 취약하다. 따라서 유리 기판에 형성된 절연막이나 소자 등이 정전기에 의해 손상될 가능성이 높아, 결국 액정 표시 장치의 불량을 일으키거나 오동작을 발생시킨다.
이와 같은 정전기에 의한 문제를 해결하기 위하여 유리 기판 위의 모든 금속 배선을 묶어주거나, 정전기를 효과적으로 분산하는 다이오드를 이용한다.
그러나 다이오드를 이용하여 정전기를 방지할 경우, 정전기 전류의 분산 효과는 뛰어나지만 액정 표시 장치의 액티브 영역(active area)으로 유입되는 정전기를 모두 차단할 수 없는 문제가 발생한다.
그러므로 이 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액티브 영역으로 유입되는 정전기를 차단하는 것이다.
도 1는 이 발명의 실시예에 따른 정전기 보호를 위한 더미 트랜지스터의 등가 회로도이고,
도 2은 이 발명의 실시예에 따른 정전기 보호를 위한 더미 트랜지스터의 평면도이고,
도 3는 도 2에서 A-A'의 방향의 단면도이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 이 발명에서는 표시 영역밖에 정전기를 차단하기 위한 다수개의 더미 박막 트랜지스터를 형성하는 것이다.
바람직하게, 더미 박막 트랜지스터는 표시 영역밖에 형성되며, 상기 데이터선에 드레인 전극이 연결되고, 게이트 단자에 게이트 전극이 형성되고, 화소 전극에 소스 단자가 연결된다.
또한 바람직하게, 더미 박막 트랜지스터는, 게이트 전극과 화소 전극 사이에 커패시터를 형성하여 그라운드로 작용한다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 이 발명의 실시예에 따른 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치에 대하여 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 정전기 보호를 위하여 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터의 구조와 동일한 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)를 데이터 패드(1)와 액티브 영역(A) 사이의 팬 아웃(fanout) 부분에 형성한다.
그러나, 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)는 액티브 영역(A) 내부에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)의 채널 넓이와 길이의 비(W/L 비)와 다른 채널의 넓이와 길이의 비를 갖는다. 도 2에 도시한 것처럼, 다수개의 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)의 게이트 전극을 이루는 게이트 메탈(200)과 화소 전극(700) 사이에 커패시터를 형성하여, 이것이 그라운드(ground)로 작용할 수 있도록 한다.
또한, 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)는 하나의 데이터 선(6)과 하나의 게이트 선에 의해 형성된 영역내 하나씩 형성될 수도 있고, 하나의 데이터 선(6)과 하나의 게이트 선에 의해 형성된 영역내에 다수개씩 형성될 수도 있다.
그러면, 도 3를 참고로 하여 이 발명의 실시예에 따른 정전기 방지를 위한 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)의 구조를 설명한다.
도 3에 도시한 것처럼, 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)는 기판(100) 위에 가로 방향으로 길게 게이트 선(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 게이트 선으로부터 게이트 전극(200)이 연장되어 있으며, 게이트 선의 끝에는 외부 신호의 인가를 위한 게이트 패드(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
게이트 선, 게이트 전극(200) 및 게이트 패드 등의 게이트 배선을 게이트 절연막(300)이 덮고 있으며, 게이트 전극(200)의 게이트 절연막(300) 위에는 반도체층인 비정질 규소층(400)이 게이트 전극(200)을 덮는 형태로 형성되어 있다.
또한 게이트 절연막(300) 위에 데이터 선(6)이 세로 방향으로 길게 형성되어 있고, 데이터 선(6)의 끝에는 화상 신호의 인가를 위한 데이터 패드(1)가 형성되어 있다. 데이터 선(6)으로부터 연정된 소스 전극(510)이 게이트 전극(200)의 한쪽 가장 자리와 중첩되고 있으며, 게이트 전극(200)을 중심으로 소스 전극(510)의 반대쪽에 드레인 전극(520)이 게이트 전극(200)과 중첩하고 있다.
반도체층인 비정질 규소층(400)과 소스 및 드레인 전극(510,520)이 접촉하는 면 사이에는 접촉 저항 특성을 향상시키기 위해 도핑된 비정질 규소층(410,420)이 형성되어 있다.
데이터 선(6), 데이터 패드(1), 소스 및 드레인 전극(510,520) 등의 데이터 배선 및 반도체층(400)을 보호막(600)이 덮고 있다. 데이터 선(6)과 게이트 선이 교차하여 구획되는 영역 내의 보호막(600) 위에는 ITO와 같은 투명 물질로 이루어진 화소 전극(700)이 형성되어 있다.
이와 같은 구조로 이루어진 정전기 보호를 위한 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)는 데이터 패드(1)와 액티브 영역(A) 사이에 형성된다.
이때, 이 발명의 실시예에 따른 정전기 보호를 위한 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)를 형성할 경우, 위의 단계에서, 보호막(600)을 형성한 후 소스 전극(510)이 외부의 전원 공급 단자와 접촉할 수 있는 홀(710)을 형성하고, 마지막으로 투명 도전막(700)을 형성할 때 게이트 전극(200)과 커패시터를 형성하여 이것이 그라운드(ground)로 작용할 수 있도록 한다.
이 때, 커패시터의 작용을 가장 효율적으로 할 수 있도록, 게이트 전극(200) 간의 커패시터를 최대로 늘러주면, 데이터 패드(1)를 통해 유입되는 정전기의 차단 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고 이 발명의 실시예에 따른 정전기 방지를 위한 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)의 채널의 폭과 넓이의 비는 박막 트랜지스터(TFT) 채널의 폭과 넓이의 비보다 크게 설계하고, 하나 이상의 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)가 형성된다.
또한 데이터 패드(1)와 액티브 영역(A) 사이의 팬아웃 영역에 형성된 다수개의 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)는 버퍼 역할을 하며, 도 3에 도시한 한 것처럼 각각 서로 다른 채널폭과 채널 길이(W/L비)를 갖고 있다.
그로 인해, 데이터 패드(1)를 통해 정전기가 유입될 경우 액티브 영역(A)으로 정전기가 유입되기 전에 팬아웃 영역에 형성된 버퍼 역할을 하는 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)에 의해 화소 전극과 연결되어 있는 소스 단자를 통해 차단된다.
이 때, 각 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)의 체널의 넓이와 길이의 비가 서로 다르게 형성하여, 액티브 영역(100)에 근접할수록 용량이 큰 더미 트랜지스터를 형성한다. 그로 인해, 액티브 영역(100)쪽으로 근접할수록 더미 박막 트랜지스터(T1∼Tn)를 통해 외부로 방전되는 정전기의 용량이 증가하므로, 액티브 영역(100)으로 유입되는 정전기의 차단 효과를 증대시킬 수 있도록 한다.
따라서, 이와 같이 동작하는 이 발명의 효과는 액정 표시 장치의 액티브 영역밖에서 다수개의 더미 박막 트랜지스터를 형성하므로, 패드를 통해 액티브 영역으로 유입되는 정전기를 방지할 수 있다. 특히 각각의 채널의 폭과 길이의 비가 서로 다르게 더미 박막 트랜지스터를 설계하므로, 정전기의 방지 효율을 증대시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 다수개의 데이터 선과, 다수개의 게이트 선과, 다수개의 화소 전극과, 다수개의 박막 트랜지스터를 포함하고 있는 액정 표시 장치에서,
    표시 영역밖에 형성되며, 상기 데이터선에 드레인 전극이 연결되고, 게이트 단자에 게이트 전극이 형성되고, 화소 전극에 소스 단자가 연결된 다수개의 더미 박막 트랜지스터를 더 포함하여 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 더미 박막 트랜지스터는,
    게이트 전극과 화소 전극 사이에 커패시터를 형성하여 그라운드로 작용할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
KR1019980029864A 1998-07-24 1998-07-24 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치 KR20000009437A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980029864A KR20000009437A (ko) 1998-07-24 1998-07-24 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980029864A KR20000009437A (ko) 1998-07-24 1998-07-24 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000009437A true KR20000009437A (ko) 2000-02-15

Family

ID=19545089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980029864A KR20000009437A (ko) 1998-07-24 1998-07-24 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000009437A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843478B1 (ko) * 2002-06-15 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 라인 온 글래스형 액정패널 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843478B1 (ko) * 2002-06-15 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 라인 온 글래스형 액정패널 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4439163B2 (ja) 液晶表示素子の静電放電防止回路及びその防止方法
CN109427817B (zh) 薄膜晶体管基板以及显示器
KR100848099B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR20010056590A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
US6599787B2 (en) Method of manufacturing an active matrix substrate
KR100286049B1 (ko) 정전기 보호 회로를 가지는 액정 표시 장치
KR20080020168A (ko) 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
JP4410912B2 (ja) 静電保護回路
KR100271077B1 (ko) 표시장치,전자기기및표시장치의제조방법
KR100286489B1 (ko) 액티브 매트릭스형 표시장치
CN108254982B (zh) 显示装置
US20030133054A1 (en) Substrate for display device and display device equipped therewith
JP3459560B2 (ja) 半導体装置及び表示装置
JP3251401B2 (ja) 半導体装置
KR100980012B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR20000009437A (ko) 정전기 보호 기능을 갖는 액정 표시 장치
KR20030056537A (ko) 액정표시장치의 제조방법
JP2000267137A (ja) 液晶表示装置
KR100303447B1 (ko) 정전기보호회로를가지는액정표시장치
JP5148032B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2003043523A (ja) 薄膜トランジスタパネル
KR100234860B1 (ko) Cmos 반도체 장치
KR100299683B1 (ko) 액정표시장치
KR20140031143A (ko) 금속 산화물 반도체 층을 차광하는 광 흡수층을 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4468626B2 (ja) 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination