CN104122682A - 一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种检测线路结构，包括阵列基板检测区域、电学检测区域、将阵列基板检测区域与电学检测区域相连接的导电区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域；其中，所述检测线路结构还包括薄膜晶体管区域；所述电学检测区域通过所述薄膜晶体管区域与阵列基板栅驱动区域连接；所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接。本发明还公开了一种上述检测线路结构的制造方法以及显示面板和显示装置，采用本发明能避免因AT区域、电学检测区域短路而导致的显示屏故障。

Description

一种检测线路结构及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及阵列基板技术，尤其涉及一种检测线路结构及制造方法、显示面板和显示装置。
背景技术
为了降低成本，现有液晶显示行业多采用阵列基板栅驱动(Gate Drive onArray，GOA)技术，而且，在整个GOA技术中，要经过阵列基板检测(Arraytest，AT)、对盒工艺检测(cell test，CT)、电学检测(Electrical test，ET)以及终检(FOG)等各种检测，因此在现有技术中存在许多检测线路结构；在阵列基板到FOG完成过程中，检测电路可能产生各种断路等问题，如AT区域之间、或者电学检测区域之间的静电环产生短路(如静电释放(ESD)造成)；由于集成电路(IC)区域与AT区域、电学检测区域连接，因此，检测线路的短路会造成显示屏故障。
现有技术，如图1所示，电学检测区域5通过导电区域2分别与AT区域1、IC区域7连接，而且电学检测区域5还与GOA区域9连接，在上述连接关系中，一旦AT区域1之间、或者电学检测区域5之间的静电环6产生短路(如ESD造成)，会导致IC区域7短路、IC信号发生短路，进而导致GOA无法正常工作；而且，由于电学检测区域5、AT区域1、IC区域7三者相互连接，排查短路点困难，导致该不良不能修复、进而导致显示屏故障。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种检测线路结构及制造方法、显示面板和显示装置，能避免因AT区域、电学检测区域短路而导致的显示屏故障。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明提供了一种检测线路结构，包括阵列基板检测区域、电学检测区域、将阵列基板检测区域与电学检测区域相连接的导电区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域；其中，所述检测线路结构还包括薄膜晶体管区域；所述电学检测区域通过所述薄膜晶体管区域与阵列基板栅驱动区域连接；所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接。
进一步的，所述薄膜晶体管区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应连接的多个薄膜晶体管；所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域；
进一步的，所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接包括：所述集成电路区域通过过孔和导体与所述阵列基板栅驱动区域连接；
进一步的，所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线；
进一步的，所述导电区域通过其自身区域中的第一过孔区域与阵列基板检测区域连接，且通过其自身区域中的第二过孔区域与所述电学检测区域连接；
进一步的，各所述电学检测区域之间形成有静电环。
本发明还提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括以上所述的任一检测线路结构。
本发明还提供了一种显示装置，其中，所述显示装置包括以上所述的显示面板。
本发明又提供了一种检测线路结构的制造方法，包括：
在基板上形成阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域；其中，所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接，所述电学检测区域与所述阵列基板检测区域以及所述阵列基板栅驱动区域三者相互电隔离；
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域的基板上形成绝缘层；
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域、阵列基板栅驱动区域以及绝缘层的基板上形成半导体有源层图案，所述半导体有源层图案用于连接所述阵列基板栅驱动区域中的测试引线和与所述测试引线对应的所述电学检测区域；并在各所述电学检测区域之间形成静电环；
形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；以及形成导电层，所述导电层将所述阵列基板检测区域与所述电学检测区域连接、将所述电学检测区域与对应的半导体有源层图案连接，将所述半导体有源层图案与对应的阵列基板栅驱动区域的引线连接。
进一步的，所述半导体有源层图案用于构造与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个薄膜晶体管；所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域；所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线。
本发明所提供的检测线路结构及制造方法、显示面板和显示装置，具有以下的优点和特点：
本发明检测线路结构不再直接将电学检测区域与AT区域、IC区域连接，而是通过薄膜晶体管(TFT)区域将电学检测区域与AT区域、IC区域连接，且本发明检测线路结构中，新增一个电学检测区域(即图2所示的第五检测区域)，如此，通过所述新增的电学检测区域(即TFT区域控制区域)控制TFT区域的导通和截止，即当所述TFT区域处于断开状态时，本发明检测线路结构中的AT区域、电学检测区域均与IC区域断开，IC区域发出的IC信号可直接发送至GOA区域，因此，能有效避免因AT区域、电学检测区域短路而导致的显示屏故障。
附图说明
图1为现有技术中检测线路结构的示意图；
图2为本发明检测线路结构的示意图；
图3至图5为本发明检测线路结构在制造过程中的示意图；
图6为本发明检测线路结构的剖面图。
附图标记说明
1、AT区域，11、AT区域中的引线，2、导电区域，3、第一过孔区域，4、第二过孔区域，5、电学检测区域，51、第一GOA电学检测区域，52、第二GOA电学检测区域，53、第三GOA电学检测区域，54、第四GOA电学检测区域，55、TFT区域控制区域，6、静电环，7、IC区域，8、TFT区域，81、第一TFT，82、第二TFT，83、第三TFT，84、第四TFT，9、GOA区域、91、GOA区域中的第一测试引线，92、GOA区域中的第二测试引线，93、GOA区域中的第三测试引线，94、GOA区域中的第四测试引线，10、第三过孔区域，11、第四过孔区域，12、玻璃基板
具体实施方式
下面将结合具体实施例及附图对本发明的实施方式进行详细描述。
图2为本发明检测线路结构的示意图，如图2所示，一种检测线路结构，包括AT区域1，电学检测区域(ET Pad)5、将AT区域1与电学检测区域5连接的导电区域2、IC区域7以及GOA区域9；其中，所述检测线路结构还包括TFT区域8；这里，所述电学检测区域5通过所述TFT区域8与GOA区域9连接；所述IC区域7直接与所述GOA区域9连接。
值得注意的是，图2仅给出了GOA区域中的测试引线为四条时的检测线路结构示意图，此结构并非用于限制本发明，在实际应用过程中，可以根据具体情况增删所述GOA区域中的测试引线的个数、以及相应的增删TFT区域中TFT的个数、AT区域中引线的个数等。
以图2为例，对本发明检测线路结构做进一步详细说明；如图2所示，所述GOA区域包括四条测试引线，分别为GOA区域中的第一测试引线91，GOA区域中的第二测试引线92、GOA区域中的第三测试引线93、GOA区域中的第四测试引线94、相应地，所述IC区域包括与各所述GOA区域中测试引线相对应连接的四条测试引线。
进一步的，所述半导体有源层图案用于构造与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个薄膜晶体管；这里，由于所述TFT区域包括半导体有源层图案，因此，所述半导体有源层图案用于构造与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个薄膜晶体管可以进一步理解为：所述TFT区域包括与GOA区域中的多条测试引线相对应连接的多个TFT；所述电学检测区域包括与GOA区域中的多条测试引线相对应的多个GOA电学检测区域、以及用于控制各所述TFT导通和截止的TFT区域控制区域；
具体的，所述TFT区域包括：第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83、第四TFT84；则所述TFT区域包括与GOA区域中的多条测试引线相对应的多个TFT为：
所述第一TFT81与GOA区域中的第一测试引线91连接，所述第二TFT82与GOA区域中的第二测试引线92连接、所述第三TFT83与GOA区域中的第三测试引线93连接、所述第四TFT84与GOA区域中的第四测试引线94连接；
所述电学检测区域5包括：第一GOA电学检测区域51、第二GOA电学检测区域52、第三GOA电学检测区域53、第四GOA电学检测区域54、TFT区域控制区域55；则所述电学检测区域通过所述TFT区域与GOA区域连接为：
所述第一GOA电学检测区域51通过所述第一TFT81与所述GOA区域中的第一测试引线91连接；所述第二GOA电学检测区域52通过所述第二TFT82与所述GOA区域中的第二测试引线92连接；所述第三GOA电学检测区域53通过所述第三TFT83与所述GOA区域中的第三测试引线93连接；所述第四GOA电学检测区域54通过所述第四TFT84与所述GOA区域中的第四测试引线94连接；所述TFT区域控制区域55直接与所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84连接，用于控制所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84的通断。
进一步的，所述IC区域7直接与所述GOA区域9连接包括：所述IC区域7通过过孔和导体与所述GOA区域9连接，即所述IC区域7通过第三过孔区域10和导体与所述GOA区域9连接；这里，所述导体为TFT区域中各TFT结构中的导电部分，其中，这里所述导电部分为：各所述TFT中未与所述电学检测区域5连接的导电部分；则所述IC区域7通过过孔和导体与所述GOA区域9连接进一步为：所述IC区域7通过第三过孔区域10、以及通过所述TFT区域8中各所述TFT未与所述电学检测区域5连接的导电部分与所述GOA区域9连接。
值得注意的是，由于所述电学检测区域5与TFT区域8连接，所以电学检测区域5与所述TFT区域8两个区域必然有重叠的部分，因此，所述IC区域7通过过孔和导体与所述GOA区域9连接为：所述IC区域7通过第三过孔区域10与所述GOA区域连接，而且，所述IC区域7不通过所述电学检测区域5，也不通过所述电学检测区域5与TFT区域8重叠的部分，而是通过所述TFT区域8中各所述TFT未与所述电学检测区域5连接的导电部分与所述GOA区域9连接；又由于所述电学检测区域5中的TFT区域控制区域55直接与所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84连接，因此，本发明检测线路结构能通过所述TFT区域控制区域55控制TFT区域8的通断，即当所述TFT区域8处于断开状态时，本发明检测线路结构中的AT区域1、电学检测区域5均与IC区域7断开，如此，当所述AT区域1和/或所述电学检测区域5短路时，并不会影响所述IC区域发出的IC信号传输至GOA区域，进而能有效避免因AT区域1和/或所述电学检测区域5短路而导致的显示屏故障。
进一步的，所述AT区域还包括用于连接TFT区域控制区域55的引线，由于在本发明检测线路结构的电学检测区域5中新增一TFT区域控制区域55，因此，相对应的，在所述AT区域中新增一条用于与TFT区域控制区域55连接的引线(如图2AT区域中的引线11所示)；这里，所述AT区域中的引线11与所述TFT区域控制区域55连接为：所述AT区域中的引线11通过所述导电区域2与所述TFT区域控制区域55连接。
进一步的，所述导电区域2通过其自身区域中的第一过孔区域3与AT区域1连接，同时所述导电区域2通过其自身区域中的第二过孔区域4与所述电学检测区域5连接；
进一步的，所述电学检测区域5之间形成有静电环6；即所述第一GOA电学检测区域51与第二GOA电学检测区域52之间形成有第一静电环61，所述第二GOA电学检测区域52与第三GOA电学检测区域53之间形成有第二静电环62，所述第三GOA电学检测区域53与第四GOA电学检测区域54之间形成有第三静电环63，所述第四GOA电学检测区域54与TFT区域控制区域55之间形成有第四静电环64。
值得注意的是，所述IC区域7与所述GOA区域9连接处形成有第三过孔区域10，所述第三过孔区域10将所述IC区域7、所述GOA区域9以及TFT区域8连接在一起。所述电学检测区域5与TFT区域8的连接处形成有第四过孔区域11；进一步的，所述电学检测区域5通过所述第三过孔区域10、第四过孔区域11以及TFT区域8与GOA区域9连接；所述导电区域2采用的材料可以为任何导电性能良好的薄膜，如铟锡氧化物(ITO)薄膜、或铟锌氧化物(IZO)薄膜等。
本发明检测线路结构不再直接将电学检测区域与AT区域、IC区域连接，而是通过TFT区域将电学检测区域与AT区域、IC区域连接，且本发明检测线路结构中，新增一个电学检测区域(即图2所示的第五检测区域)，如此，通过新增的电学检测区域(即TFT区域控制区域)控制TFT区域的通断，即当所述TFT区域处于断开状态时，本发明检测线路结构中的AT区域、电学检测区域均与IC区域断开，IC区域发出的IC信号可直接发送至GOA区域，因此，能有效避免因AT区域、电学检测区域短路而导致的显示屏故障。
本发明的实施例还提供了一种显示面板，其中，所述显示面板包括以上所述的任一检测线路结构。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，其中，所述显示装置包括以上所述的显示面板。
本发明的实施例还提供了一种上述检测线路结构的制造方法，其包括形成AT区域1、电学检测区域5、将AT区域1与电学检测区域5连接的导电区域2、IC区域7以及GOA区域9的步骤；其中，所述方法还包括下述步骤：形成TFT区域8，以使所述电学检测区域5通过所述TFT区域8与GOA区域9连接，同时使所述IC区域7直接与所述GOA区域9连接。
进一步的，形成TFT区域8的步骤中包括：形成与GOA区域中的多条测试引线相对应连接的多个TFT；形成所述电学检测区域5的步骤包括：形成与GOA区域中的多条测试引线相对应的多个GOA电学检测区域、以及形成用于控制各所述TFT导通和截止的TFT区域控制区域。
具体步骤包括：形成第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84、以及形成第一GOA电学检测区域51、第二GOA电学检测区域52、第三GOA电学检测区域53、第四GOA电学检测区域54以及TFT区域控制区域55；
通过形成上述电学检测区域5、以及形成第一TFT81至第四TFT84，使得所述第一GOA电学检测区域51通过所述第一TFT81与所述GOA区域中的第一测试引线91连接；所述第二GOA电学检测区域52通过所述第二TFT82与所述GOA区域中的第二测试引线92连接；所述第三GOA电学检测区域53通过所述第三TFT83与所述GOA区域中的第三测试引线93连接；所述第四GOA电学检测区域54通过所述第四TFT84与所述GOA区域中的第四测试引线94连接；所述TFT区域控制区域55直接与所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84连接，以使所述TFT区域控制区域55控制所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84的通断。
进一步的，在所述导电区域2中形成第一过孔区域3、第二过孔区域4，以使所述导电区域2通过其自身区域中的第一过孔区域3与AT区域1连接，同时使所述导电区域2通过其自身区域中的第二过孔区域4与所述电学检测区域5连接；
进一步的，在所述电学检测区域5之间形成静电环6，即在所述第一GOA电学检测区域51与第二GOA电学检测区域52之间形成第一静电环61，在所述第二GOA电学检测区域52与第三GOA电学检测区域53之间形成第二静电环62，在所述第三GOA电学检测区域53与第四GOA电学检测区域54之间形成第三静电环63，在所述第四GOA电学检测区域54与TFT区域控制区域55之间形成第四静电环64。
图3至图5为本发明检测线路结构在制造过程中的示意图，图6为本发明检测线路结构的剖面图(本剖面图为图2所示的结构沿A-A虚线做剖面得到图6所示的结构)，结合图3至图6详细说明本发明检测线路结构的制造过程。
上述检测线路结构的制造方法，其具体步骤包括：
步骤一：在基板12上形成AT区域1、电学检测区域5、IC区域7、GOA区域9(图6未给出GOA区域9)；其中，所述电学检测区域5与所述AT区域1以及所述GOA区域9三者相互电隔离；所述IC区域直接与所述GOA区域连接；
这里，所述电学检测区域5包括第一GOA电学检测区域51、第二GOA电学检测区域52、第三GOA电学检测区域53、第四GOA电学检测区域54以及TFT区域控制区域55；所述AT区域1中新增一引线，用于与新增的TFT区域控制区域55连接；所述GOA区域9包括GOA区域中的第一测试引线91、GOA区域中的第二测试引线92、GOA区域中的第三测试引线93、GOA区域中的第四测试引线94；所述IC区域7包括与所述GOA区域9中的测试引线相应连接的测试引线；如图3、图6所示；
步骤二：在已形成有所述AT区域、电学检测区域、IC区域以及GOA区域的基板上(即在步骤一所得的基板的基础上)形成绝缘层；并优选地通过刻蚀形成第三过孔区域10、以及第四过孔区域11；其中，所述第三过孔区域10用于将所述IC区域7、所述GOA区域9以及所述TFT区域8相连接；
所述第四过孔区域11用于连接所述电学检测区域5与TFT区域8；即所述第四过孔区域11用于连接所述第一GOA电学检测区域51与第一TFT81，连接所述第二GOA电学检测区域52与第二TFT82，连接所述第三GOA电学检测区域53与第三TFT83连接，所述第四GOA电学检测区域54与第四TFT84；如图2、图4、图6所示；
值得注意的是，所述绝缘层包括TFT区域中各TFT结构中的栅绝缘层、也包括除各TFT结构中的栅绝缘层以外的绝缘层；而且，所述TFT区域控制区域55不通过所述第四过孔区域11直接与所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84连接，如图2所示；
步骤三：在步骤二所得到的基板的基础上，在所述电学检测区域5之间形成静电环6，即在所述第一GOA电学检测区域51与第二GOA电学检测区域52之间形成第一静电环61，在所述第二GOA电学检测区域52与第三GOA电学检测区域53之间形成第二静电环62，在所述第三GOA电学检测区域53与第四GOA电学检测区域54之间形成第三静电环63，在所述第四GOA电学检测区域54与TFT区域控制区域55之间形成第四静电环64。
以及形成TFT区域8，具体为在TFT区域8中形成各个半导体有源层图案(所述半导体有源层图案为TFT区域8中各TFT结构中的一部分)，所述半导体有源层图案用于连接所述GOA区域9中的测试引线和与所述测试引线对应的所述电学检测区域5；由于半导体有源层图案属于TFT结构中的一部分，因此，所述半导体有源层图案用于连接所述GOA区域9中的测试引线和与所述测试引线对应的所述电学检测区域5可以进一步理解为：所述GOA区域9中的测试引线通过所述TFT区域8与所述测试引线对应的所述电学检测区域5连接；即
所述第一GOA电学检测区域51通过所述第一TFT81与所述GOA区域中的第一测试引线91连接；所述第二GOA电学检测区域52通过所述第二TFT82与所述GOA区域中的第二测试引线92连接；所述第三GOA电学检测区域53通过所述第三TFT83与所述GOA区域中的第三测试引线93连接；所述第四GOA电学检测区域54通过所述第四TFT84与所述GOA区域中的第四测试引线94连接；所述TFT区域控制区域55直接与所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84连接，用于控制所述第一TFT81、第二TFT82、第三TFT83以及第四TFT84的通断；
这里，由于所述第三过孔区域10、第四过孔区域11的存在，使得所述电学检测区域5能通过所述第三过孔区域10、第四过孔区域11以及TFT区域8而与GOA区域9连接；如图5、图6所示；
步骤四：在步骤三所得到的基板的基础上形成钝化层，并通过刻蚀工艺在所述钝化层上形成第一过孔区域3、以及第二过孔区域4、以及沉积导电层(如沉积导电材料ITO)，所述导电层将第一过孔区域3和第二过孔区域4相连接，并图形化形成导电区域2，使得所述导电区域2通过所述第一过孔区域3与所述AT区域1连接，并通过所述第二过孔区域4与所述电学检测区域5连接；如图2、图6所示；
这里，所述导电层包括TFT区域中各TFT结构中的导电层，以及包括除各TFT结构中的导电层以外的导电区域，即图2所示的导电区域2，因此，所述导电层既将所述AT区域与所述电学检测区域连接、又将所述电学检测区域与对应的所述TFT区域中各TFT中的半导体有源层图案连接，以及将所述TFT区域中各TFT中的半导体有源层图案与对应的GOA区域的引线连接。
需要注意的是，步骤二中通过刻蚀形成第三过孔区域10、以及第四过孔区域11的步骤只是优选方案，作为替代方案，也可以将形成第三过孔区域10、以及第四过孔区域11的步骤四中，与第一过孔区域3、以及第二过孔区域4同时形成，并利用图形化的导电层来实现它们应有的连接关系。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。本领域的技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神的情况下，可以做出各种变形、替代和改进，这些变形、替代和改进也将落入权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种检测线路结构，包括阵列基板检测区域、电学检测区域、将阵列基板检测区域与电学检测区域相连接的导电区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域，其特征在于，所述检测线路结构还包括薄膜晶体管区域；其中，所述电学检测区域通过所述薄膜晶体管区域与阵列基板栅驱动区域连接；所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接。
2.根据权利要求1所述的检测线路结构，其特征在于，所述薄膜晶体管区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应连接的多个薄膜晶体管；所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域。
3.根据权利要求1所述的检测线路结构，其特征在于，所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接包括：所述集成电路区域通过过孔和导体与所述阵列基板栅驱动区域连接。
4.根据权利要求1所述的检测线路结构，其特征在于，所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线。
5.根据权利要求1至4任一项所述的检测线路结构，其特征在于，所述导电区域通过其自身区域中的第一过孔区域与阵列基板检测区域连接，且通过其自身区域中的第二过孔区域与所述电学检测区域连接。
6.根据权利要求1至4任一项所述的检测线路结构，其特征在于，各所述电学检测区域之间形成有静电环。
7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至6任一项所述的检测线路结构。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7所述的显示面板。
9.一种检测线路结构的制造方法，包括：
在基板上形成阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域；其中，所述集成电路区域直接与所述阵列基板栅驱动区域连接，所述电学检测区域与所述阵列基板检测区域以及所述阵列基板栅驱动区域三者相互电隔离；
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域以及阵列基板栅驱动区域的基板上形成绝缘层；
在已形成有所述阵列基板检测区域、电学检测区域、集成电路区域、阵列基板栅驱动区域以及绝缘层的基板上形成半导体有源层图案，所述半导体有源层图案用于连接所述阵列基板栅驱动区域中的测试引线和与所述测试引线对应的所述电学检测区域；并在各所述电学检测区域之间形成静电环；
形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；以及形成导电层，所述导电层将所述阵列基板检测区域与所述电学检测区域连接、将所述电学检测区域与对应的半导体有源层图案连接，将所述半导体有源层图案与对应的阵列基板栅驱动区域的引线连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体有源层图案用于构造与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个薄膜晶体管；所述电学检测区域包括与阵列基板栅驱动区域中的多条测试引线相对应的多个阵列基板栅驱动电学检测区域、以及用于控制各所述薄膜晶体管导通和截止的薄膜晶体管区域控制区域；所述阵列基板检测区域还包括用于连接薄膜晶体管区域控制区域的引线。
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