CN111095485B - 描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、以及计算机可读取的记录介质 - Google Patents

描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、以及计算机可读取的记录介质 Download PDF

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Abstract

根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据。本实施方式涉及生成在多带电粒子束描绘装置中使用的描绘数据的方法。在该方法中,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线、且是分别由多个控制点定义的一对曲线,将上述多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成上述描绘数据。

Description

描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、 以及计算机可读取的记录介质
技术领域
本发明涉及描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、以及计算机可读取的记录介质。
背景技术
伴随着LSI的高集成化,半导体器件所要求的电路线宽逐年微细化。为了在半导体器件形成所期望的电路图案,采用使用缩小投影式曝光装置将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模、或者尤其是在步进式曝光装置或扫描式曝光装置中使用的原画图案也被称为中间掩模)缩小转印至晶片上的方法。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘,使用所谓的电子束曝光技术。
作为电子束描绘装置,例如公知有使用多粒子束一次照射多个粒子束,提高了通量的多粒子束描绘装置。在该多粒子束描绘装置中,例如从电子枪射出的电子束通过具有多个孔的光阑部件由此形成多粒子束,各粒子束在消隐板中被实施消隐控制。未被遮蔽的粒子束由光学系统缩小,并照射至作为描绘对象的掩模上的所期望的位置。
在使用多粒子束描绘装置进行电子束描绘的情况下,首先,设计半导体集成电路的布局,作为布局数据而生成设计数据。进而,将该设计数据所包含的多边形图形分割为多个梯形,由此来生成输入至多粒子束描绘装置的描绘数据。该描绘数据针对各梯形将1个顶点设为配置原点,具有该配置原点的坐标数据和表示从配置原点到其他的3个顶点为止的位移的数据。
当设计数据中包含椭圆形图形那样的具有曲线的图形的情况下,将该图形近似为多边形而制作描绘数据。若高精度地进行近似,则存在顶点数或图形数增加、描绘数据的数据量变得庞大的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-188000号公报
专利文献2:日本特开平6-215152号公报
专利文献3:日本特开平5-175107号公报
专利文献4:日本特开平5-267132号公报
专利文献5:日本特开平4-184392号公报
发明内容
本发明的课题在于提供一种根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据的描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、以及计算机可读取的记录介质。并且,本发明的课题在于提供一种能够生成抑制了数据量的描绘数据、提高处理效率的图案检查装置。
本发明的一个方式所涉及的描绘数据生成方法是生成在多带电粒子束描绘装置中使用的描绘数据的描绘数据生成方法,其中,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线、且是分别由多个控制点定义的一对曲线,将上述多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成上述描绘数据。
发明效果
根据本发明,能够根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的多带电粒子束描绘装置的简图。
图2是示出曲线表现的一例的图。
图3是示出描绘数据的数据构造的例子的图。
图4是示出基于比较例的图形分割处理的图。
图5是示出基于其他的实施方式的曲线表现的一例的图。
图6是示出基于其他的实施方式的曲线表现的一例的图。
图7是示出描绘数据的数据构造的例子的图。
图8a是示出标记的意思的表、图8b、图8c是示出直角型的例子的图。
图9是示出标记的意思的表。
图10是示出基于其他的实施方式的曲线表现的一例的图。
图11是图案检查装置的简要结构图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是基于本实施方式的使用描绘数据进行描绘的多带电粒子束描绘装置的简图。在本实施方式中,作为带电粒子束的一例,针对使用了电子束的结构进行说明。但是,带电粒子束并不限于电子束,也可以是离子束等其他的带电粒子束。
图1所示的描绘装置1具有:对掩模或晶片等对象物照射电子束而描绘所期望的图案的描绘部10;以及控制由描绘部10进行的描绘动作的控制部50。描绘部10具有电子束镜筒12以及描绘室30。
在电子束镜筒12内配置有电子枪14、照明透镜16、光阑部件18、消隐板20、缩小透镜22、限制光阑部件24、物镜26、以及偏转器28。在描绘室30内配置有XY工作台32。在XY工作台32上载置有成为描绘对象基板的掩模基底34。作为对象物,例如包含晶片或使用以准分子激光为光源的步进式曝光装置或扫描式曝光装置等缩小投影式曝光装置或极紫外曝光装置在晶片上转印图案的曝光用的掩模。并且,描绘对象基板例如也包含已经形成有图案的掩模。例如,相移掩模需要2次描绘,因此有时在1次描绘而在掩模上加工出的物品上描绘第2次的图案。在XY工作台32上,还配置有XY工作台32的位置测定用的反射镜36。
控制部50具有控制计算机52、偏转控制电路54、56、以及工作台位置检测器58。控制计算机52、偏转控制电路54、56、以及工作台位置检测器58经由总线相互连接。
从电子枪14射出的电子束40借助照明透镜16而大致垂直地对光阑部件18整体进行照明。在光阑部件18,以预定的排列间距呈矩阵状地形成有孔(开口部)。电子束40对包含光阑部件18的所有的孔的区域进行照明。电子束40的一部分分别通过上述多个孔,由此形成图1所示那样的多粒子束40a~40e。
在消隐板20,与光阑部件18的各孔的配置位置对应而形成有通过孔,在各通过孔分别配置有由成对的2个电极构成的消隐器。在各通过孔通过的电子束40a~40e分别独立地借助消隐器所施加的电压而偏转。通过上述偏转进行消隐控制。这样,多个消隐器进行在光阑部件18的多个孔通过后的多粒子束中的分别对应的粒子束的消隐偏转。
通过消隐板20后的多粒子束40a~40e由缩小透镜22缩小,并朝在限制光阑部件24形成的中心的孔前进。此处,借助消隐板20的消隐器而偏转后的电子束的位置从限制光阑部件24的中心的孔偏离,由限制光阑部件24遮蔽。另一方面,未由消隐板20的消隐器偏转的电子束通过限制光阑部件24的中心的孔。
这样,限制光阑部件24遮蔽借助消隐板20的消隐器以成为粒子束截止的状态的方式偏转后的各粒子束。进而,在从粒子束导通至粒子束截止为止的期间通过限制光阑部件24后的粒子束成为1次曝光的粒子束。通过限制光阑部件24后的多粒子束40a~40e由物镜26对焦,成为所期望的缩小率的图案像。通过限制光阑部件24后的各粒子束(多粒子束整体)借助偏转器28而朝相同方向一并偏转,照射至各粒子束的掩模基底34上的各自的照射位置。
当XY工作台32连续移动时,粒子束的照射位置由偏转器28控制以便追随XY工作台32的移动。XY工作台32的移动借助未图示的工作台控制部进行,XY工作台32的位置由工作台位置检测器58检测。
一次照射的多粒子束在理想状态下以对光阑部件18的多个孔的排列间距乘以上述的所期望的缩小率而得的间距排列。该描绘装置以连续地依次照射曝光粒子束的光栅扫描方式进行描绘动作,在描绘所期望的图案时,根据图案,所需要的粒子束通过消隐控制被控制为粒子束导通。当XY工作台32连续移动时,粒子束的照射位置由偏转器28控制以便追随XY工作台32的移动。
控制计算机52从存储装置60读出描绘数据D1,并进行多级数据变换处理而生成装置固有的曝光数据。曝光数据中定义有各曝光的照射量以及照射位置坐标等。例如,控制计算机52将描绘数据内定义的图形图案分配给对应的像素。进而,控制计算机52针对每个像素计算所被配置的图形图案的面积密度。
控制计算机52针对每个像素计算每1次曝光的电子束的照射量。例如,求出与像素的面积密度成比例的照射量,并考虑因接近效应、模糊效应、负载效应等而导致的尺寸变动而对照射量进行修正。
控制计算机52基于曝光数据而将各曝光的照射量朝偏转控制电路54输出。偏转控制电路54将所输入的照射量除以电流密度而求出照射时间t。进而,偏转控制电路54在进行对应的曝光时,对消隐板20的对应的消隐器施加偏转电压,以使得消隐器以照射时间t进行粒子束导通。
并且,控制计算机52将偏转位置数据朝偏转控制电路56输出,以使得各粒子束朝曝光数据所表示的位置(坐标)偏转。偏转控制电路56运算偏转量并对偏转器28施加偏转电压。由此,此次曝光的多粒子束一并偏转。
接着,对描绘数据D1的生成方法进行说明。首先,设计半导体集成电路的布局,生成作为布局数据的设计数据(CAD数据)D0。进而,设计数据D0由变换装置70变换,生成朝描绘装置1的控制计算机52输入的描绘数据D1。
设计数据D0中包含具有曲线的图形,变换装置70求出用于表现曲线(参数曲线表现)的多个控制点的位置或曲线种类的信息,生成包含这些信息的描绘数据D1。
图2示出具有曲线的图形的例子。该图形由沿着第1方向(Y方向)的平行的1组直线状的端边ES1、ES2、和沿与第1方向正交的第2方向(X方向)延伸的1组曲线C1、C2包围。
曲线C1是连结在端边ES1、ES2的下端的下边部,曲线C2是连结在端边ES1、ES2的上端的上边部。一对曲线C1、C2分别并不相对于行进方向(在图2中为+X方向)弯折90°以上。并且,曲线C1、C2不交叉。
在图2所示的例子中,曲线C1用由6个控制点P01、P11、P21、P31、P41、P51定义的B样条曲线表现(近似)。曲线C2用由6个控制点P02、P12、P22、P32、P42、P52定义的B样条曲线表现(近似)。控制点P11和控制点P12的横向的位置(X坐标)相同。同样,控制点P21、P31、P41分别与控制点P22、P32、P42的横向的位置(X坐标)相同。
变换装置70若算出了表现图形的曲线部的曲线的种类以及控制点,则将控制点的位置用从相邻的控制点起的位移表现,从而生成描绘数据D1。例如,在图2所示的例子中,端边ES1的下端的顶点(控制点)P01的坐标(x0、y0)被定义为该图形的图形配置原点。
曲线C1的控制点中的接续控制点P01(控制点P01的下一位)的控制点P11的位置用从控制点P01观察的曲线的行进方向(横向)的位移L1和纵向的位移δ11定义。
接续控制点P11的控制点P21的位置由从控制点P11观察的横向的位移L2和纵向的位移δ21定义。
接续控制点P21的控制点P31的位置由从控制点P21观察的横向的位移L3和纵向的位移δ31定义。以后同样,控制点P41、P51的位置依次由从前1个控制点观察的横向的位移以及纵向的位移定义。
端边ES1的上端的顶点(控制点)P02的位置由图形配置位置原点P01的坐标和从该原点垂直延伸的端边ES1的长度L0定义。
曲线C2的控制点中的接续控制点P02(控制点P02下一位)的控制点P12的位置由从控制点P02观察的曲线的行进方向(横向)的位移L1和纵向的位移δ12定义。
接续控制点P12的控制点P22的位置由从控制点P12观察的横向的位移L2和纵向的位移δ22定义。以后同样,控制点P32、P42、P52的位置依次由从前1个控制点观察的横向的位移以及纵向的位移定义。
这样,关于具有曲线的图形,能够利用图形配置位置原点P01的坐标(x0、y0)、端边ES1的长度L0、相邻的控制点的在曲线的行进方向(横向)上的位移L1~L5、从相邻的控制点观察的与曲线的行进方向正交的方向(纵向)上的位移δ11、δ12~δ51、δ52来定义其形状。另外,位移δ11、δ12~δ51、δ52是带符号的值。
图3中示出定义具有曲线的图形的描绘数据D1的数据构造的一例。描绘数据D1具有头部以及包含形状信息的主体部。头部定义有图形编码(Code)、要素数(N)、以及曲线信息。
图形编码是表示定义何种图形的信息。当为具有曲线的图形的情况下,在图形编码中记载有表示“曲线”的信息。
要素数表示由从前1个控制点起的位移来定义其位置的控制点的数量。在图2所示的例子中,要素数为5。
在曲线信息设定有曲线类型、次数、节点(knot)矢量信息、端点信息等用于决定参数曲线的参数。曲线类型例如为B样条曲线、贝塞尔曲线等。在图2所示的例子中设定为,曲线类型:B样条曲线、次数:3次、节点矢量信息:均匀、端点信息:夹持。
在主体部的形状信息中,首先记载有图形配置位置原点的坐标(x0、y0)以及端边ES1的长度L0。根据该信息来确定端边ES1的上下的顶点(控制点)的位置。接下来记载有用于确定曲线C1、C2的第2个控制点P11、P12的位置的位移L1、δ11、δ12。以后依次记载有用于确定曲线C1、C2的控制点的位置的横向的位移以及纵向的位移。
[比较例]
能够将具有曲线的图形近似为多边形图形,并将该多边形图形分割为多个梯形来制作描绘数据。例如,关于图2所示的具有曲线的图形,能够如图4所示那样用在横向连结的多个细长梯形T1~T11近似。在描绘数据中,各顶点的位置用从相邻的顶点观察的纵向的位移以及横向的位移定义。
如图4所示,关于具有曲线的图形,为了对曲线进行近似,用11个梯形T1~T11进行分割。用从相邻的顶点观察的纵向的位移以及横向的位移来定义位置的顶点在上侧以及下侧分别为11个。
另一方面,在本实施方式中,利用使用了多个控制点的参数曲线来表现图形的曲线部分。控制点的数量比像比较例那样的基于梯形分割的顶点数少。
例如,在图2所示的例子中,利用由从相邻的控制点观察的纵向的位移以及横向的位移来定义位置的控制点在曲线C1以及C2(上侧以及下侧)分别为5个。
这样,通过利用使用了多个控制点的参数曲线表现来表现图形的曲线部分,能够降低描绘数据D1的数据量。
控制计算机52读出描绘数据D1并重构图形。例如,控制计算机52根据描绘数据D1的坐标(x0、y0)算出成为图形配置位置原点的控制点P01的位置。接着,使用长度L0算出端边ES1的上端的控制点P02的位置。
使用所算出的控制点P01、P02的位置和在描绘数据D1中定义的位移L1、δ11、δ12来算出控制点P11、P12的位置。以后依次算出相邻的控制点的位置。在基于要素数N算出所有的控制点的位置后,参照曲线信息算出曲线C1、C2。由此,重构具有曲线的图形。
这样,关于利用参数曲线表现来表现图形的曲线部分的描绘数据D1,描绘装置1的控制计算机52内的数据处理变得容易,能够抑制计算量。
在上述实施方式中,也可以对描绘数据D1赋予由多个控制点生成的曲线与设计数据D0所包含的具有曲线的图形的曲线部之间的容许误差信息。
在上述实施方式中,曲线的行进方向为横向,但即便是纵向也能够同样地进行定义。曲线的行进方向是纵向还是横向能够在描绘数据D1的头部定义。
在上述实施方式中,曲线的行进方向(在图2的例子中为横向)上的控制点的间隔(位移)是任意的,但也可以如图5所示那样使控制点的间隔恒定。由此,能够进一步削减描绘数据D1的数据量。
在上述实施方式中,上下的控制点的横向的位置对齐,但如图6所示也可以并不对齐。在上边部和下边部,控制点的数量也可以不同。并且,上边部以及下边部也可以并非曲线而包含直线或直角部。图7中示出该情况下的描绘数据D1的数据构造。
在头部的曲线信息中设定有“边混杂类型”以及“控制点非对齐排列型”。“边混杂类型”表示包含曲线、直线、直角等多个类型的边。“控制点非对齐排列型”表示上下的控制点的横向的位置不同,并未对齐排列。
点信息(EP1~EPn)当在上边部以及下边部的至少任一方存在点(控制点或者顶点)的情况下定义。点信息包含flag1、L、flag2、Δya、flag3、Δyb。L定义从前1个点信息观察的横向的位移。
flag2以及Δya当在下边部存在点的情况下定义。Δya表示从前1个下边部的点观察的纵向的位移。flag2是表示与前1个点之间的边的类型的2比特的值,具有图8a所示那样的意思。即、flag2的值为“00”的情况下为图8b所示那样的类型I的直角,为“01”的情况下为图8c所示那样的类型II的直角。flag2的值为“10”的情况下为直线,为“11”的情况下为曲线。
flag3以及Δyb当在上边部存在点的情况下定义。Δyb表示从前1个上边部的点观察的纵向的位移。flag3是表示与前1个点之间的边的类型的2比特的值,具有图8a所示那样的意思。
flag1是表示是否包含下边部的点的信息、是否包含上边部的点的信息的2比特的值,具有图9所示那样的意思。即、flag1的值为“01”的情况下,点信息包含下边部的点的信息(flag2以及Δya)、不包含上边部的点的信息(flag3以及Δyb)。
flag1的值为“10”的情况下,点信息不包含下边部的点的信息(flag2以及Δya)、包含上边部的点的信息(flag3以及Δyb)。flag1的值为“11”的情况下,点信息包含下边部的点的信息(flag2以及Δya)以及上边部的点的信息(flag3以及Δyb)双方。
flag1的值为“00”的情况下,点信息不包含下边部的点的信息(flag2以及Δya)以及上边部的点的信息(flag3以及Δyb)的任一个,表示为没有纵向的位移的平坦部。
通过将描绘数据D1形成为这样的数据构造,能够提高表现图形的形状的自由度。
在上述实施方式中,在端边ES1与端边ES2之间设定多个控制点而对图形的曲线部进行近似,但如图10所示,也可以在相比端边ES1、ES2靠左右方向的外侧的位置设定控制点TPs、TPe。在该情况下,在曲线信息的曲线类型中设定有Catmull-Rom样条曲线、在端点信息中设定有未夹持。
在曲线的行进方向上位于两端的控制点TPs、TPe的位置分别由从相邻的控制点起的位移(Δx、Δy)表现,并在主体部设定。由此,也能够选择端点与图形的曲线部的端点不一致的曲线表现。
由基于上述实施方式的变换装置70生成的描绘数据D1也可以被输入至图案检查装置。例如,如图11所示,在图案检查装置80中输入有:由变换装置70生成的描绘数据D1(第1描绘数据);以及基于图1所示的描绘装置1根据描绘数据D1在描绘对象基板实际描绘的图案制作的描绘数据D2(第2描绘数据)。描绘数据D2从未图示的存储装置经由有线或无线网络输入至图案检查装置80。
图案检查装置80基于所输入的描绘数据D1、D2来检查由描绘装置1在描绘对象基板实际描绘的图案。在该检查中,例如进行对描绘数据D1和描绘数据D2进行比较那样的检查。另外,在检查之间还使用描绘条件等各种信息。
由于由变换装置70生成的描绘数据D1的数据量小、且数据处理容易,因此能够提高图案检查装置80的处理效率。
变换装置70也可以设置在图案检查装置80内。在该情况下,图案检查装置80具备:基于所输入的设计数据D0来生成描绘数据D1的变换部;以及对描绘数据D1和描绘数据D2进行比较来进行在描绘对象基板实际描绘的图案的检查的检查部。
基于上述实施方式的描绘数据D1的生成也可以在描绘装置1的控制计算机52内进行。关于控制计算机52,若被输入设计数据D0,则选定对图形的曲线部进行近似的曲线表现,算出多个控制点,将各控制点的位置用从相邻的控制点的位置起的位移来表示,从而生成描绘数据D1。
在上述的实施方式中说明了的生成描绘数据D1的变换装置70的至少一部分可以由硬件构成,也可以由软件构成。当由软件构成的情况下,可以将实现变换装置70的至少一部分的功能的程序收纳于软盘或CD-ROM等记录介质,并使计算机读取并执行。记录介质并不限于磁盘或光盘等可插拔的介质,也可以是硬盘装置或存储器等固定式的记录介质。
并且,也可以将实现变换装置70的至少一部分的功能的程序经由因特网等通信线路(也包含无线通信)发布。此外,也可以将该程序以加密、调制、或压缩后的状态经由因特网等有线线路或无线线路、或者收纳于记录介质而发布。
另外,本发明并不限定于上述实施方式自身,在实施阶段能够在不脱离其主旨的范围内对构成要素进行变形并具体化。并且,能够利用上述实施方式所公开的多个构成要素的适当组合来形成各种发明。例如,可以从实施方式所示的所有构成要素删除几个构成要素。此外,可以将不同的实施方式的构成要素适当组合。
以上使用特定的方式对本发明进行了详细说明,但本领域技术人员知晓,能够在不脱离本发明的意图和范围的情况下进行各种各样的变更。
本申请基于2017年9月20日提出申请的日本特许出愿2017-180067,并以引用的方式援引其全部内容。
附图标记说明
1 描绘装置
10 描绘部
12 电子束镜筒
14 电子枪
16 照明透镜
18 光阑部件
20 消隐板
22 缩小透镜
24 限制光阑部件
26 物镜
28 偏转器
30 描绘室
32 XY工作台
34 掩模基底
36 反射镜
50 控制部
52 控制计算机
54、56 偏转控制电路
58 工作台位置检测器
70 变换装置
80 图案检查装置

Claims (10)

1.一种多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线,该曲线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,
算出表现上述图形的、与上述曲线成对的线,该线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,
将上述曲线的多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,将上述线的多个控制点中的与第3控制点在上述线的行进方向上相邻的第4控制点的位置用从上述第3控制点起的上述线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成描绘数据,
控制多带电粒子束描绘装置,以由多带电粒子束照射掩模基底的方式使用上述描绘数据描绘图案。
2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
上述图形包含一对的第1曲线以及第2曲线,
定义上述第1曲线的多个控制点和定义上述第2曲线的多个控制点在上述行进方向上的坐标分别相同。
3.根据权利要求2所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
上述多个控制点在上述行进方向上位于隔开恒定间隔的位置。
4.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
上述图形包含一对的第1曲线以及第2曲线,
定义上述第1曲线的多个控制点中的至少一部分与定义上述第2曲线的多个控制点在上述行进方向上的坐标不同。
5.根据权利要求4所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
定义上述第1曲线的控制点的数量与定义上述第2曲线的控制点的数量不同。
6.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
上述多个控制点中的在上述行进方向上位于两端的控制点与上述图形的曲线部的端点不一致。
7.根据权利要求6所述的多带电粒子束描绘方法,其特征在于,
上述两端的控制点在上述行进方向上位于相比上述图形的曲线部的端点靠外侧的位置。
8.一种计算机可读取的记录介质,其特征在于,
存储有使计算机执行如下步骤的程序:
算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线的步骤,该曲线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上;
算出表现上述图形的、与上述曲线成对的线的步骤,该线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上;
将上述曲线的多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,将上述线的多个控制点中的与第3控制点在上述线的行进方向上相邻的第4控制点的位置用从上述第3控制点起的上述线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成描绘数据的步骤;以及
控制多带电粒子束描绘装置,以由多带电粒子束照射掩模基底的方式使用上述描绘数据描绘图案的步骤。
9.一种多带电粒子束描绘装置,其特征在于,具备:
描绘部,形成由多个带电粒子束构成的多粒子束,并针对上述多粒子束中的分别对应的粒子束相独立地进行粒子束的导通/截止,朝对象物上照射带电粒子束而描绘图案;以及
控制部,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线,该曲线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,算出表现上述图形的、与上述曲线成对的线,该线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,将上述曲线的多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,将上述线的多个控制点中的与第3控制点在上述线的行进方向上相邻的第4控制点的位置用从上述第3控制点起的上述线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成描绘数据,并基于该描绘数据来控制上述描绘部。
10.一种图案检查装置,其特征在于,具备:
变换部,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线,该曲线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,算出表现上述图形的、与上述曲线成对的线,该线由多个控制点定义,具有恒定的行进方向,且不会相对于该行进方向弯折90°以上,将上述曲线的多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,将上述线的多个控制点中的与第3控制点在上述线的行进方向上相邻的第4控制点的位置用从上述第3控制点起的上述线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成第1描绘数据;以及
检查部,将上述第1描绘数据与基于朝对象物上照射带电粒子束而描绘的图案制作的第2描绘数据进行比较,进行该图案的检查。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6756320B2 (ja) * 2017-09-20 2020-09-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP2022053208A (ja) * 2020-09-24 2022-04-05 株式会社ニューフレアテクノロジー データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム
JP2023025503A (ja) 2021-08-10 2023-02-22 株式会社ニューフレアテクノロジー データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム
CN116451384B (zh) * 2023-06-15 2023-09-05 合肥皖液液压元件有限公司 一种基于优化基准齿条齿形曲线的齿轮形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243921A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2016181668A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2017028284A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04184392A (ja) 1990-11-19 1992-07-01 Minolta Camera Co Ltd ベクターフォントのデータ表現方式及び描画方式
JPH05175107A (ja) 1991-12-24 1993-07-13 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法
JP2823418B2 (ja) 1992-03-24 1998-11-11 株式会社日立製作所 荷電粒子描画装置の図形分解装置
GB9223315D0 (en) 1992-11-06 1992-12-23 Canon Res Ct Europe Ltd Processing image data
DE4244462A1 (de) 1992-12-24 1994-06-30 Equicon Software Gmbh Jena Verfahren zur Generierung von ebenen technischen Kurven oder Konturen
JPH07160899A (ja) * 1993-12-07 1995-06-23 Fujitsu Ltd 多角形分割描画方法および装置
JP3239975B2 (ja) * 1994-11-29 2001-12-17 富士通株式会社 多角形描画装置
KR19990058418A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 윤종용 감시 제어 시스템의 제어 대상 애니메이션 방법
DE10011201A1 (de) * 2000-03-08 2001-09-13 Leica Microsys Lithography Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung eines gekrümmten Linienzuges auf einem strahlungsempfindlichen Resist
JP2003158064A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Konica Corp 基材の高さ検出方法、基材の描画方法、その方法にて描画された基材、測定装置、及び電子ビーム描画装置
JP2007316201A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Toppan Printing Co Ltd 電子線描画装置による描画方法
JP5216347B2 (ja) 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
JP5411464B2 (ja) * 2008-07-10 2014-02-12 株式会社アドバンテスト 電子線描画装置
JP2009009140A (ja) * 2008-07-14 2009-01-15 Konica Minolta Holdings Inc 基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置
JP5294313B2 (ja) 2008-11-07 2013-09-18 Necシステムテクノロジー株式会社 ベジェ曲線描画装置、ベジェ曲線描画方法およびプログラム
JP2016076654A (ja) 2014-10-08 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置
JP6756320B2 (ja) * 2017-09-20 2020-09-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びパターン検査装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012243921A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2016181668A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2017028284A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム描画装置、その制御方法および補正描画データ作成方法

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Publication number Publication date
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