JP2009009140A - 基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、光ピックアップ装置の生産性の低下を防止しながらも、部材点数を低減して装置の小型化並びにコストダウンに寄与でき、それらに用いられる光学素子などの基材に対して、サブミクロンオーダーでの３次元的に変化する基材の加工を可能とした基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の面に曲面部を有し、他方の面側に入射する入射光を、一方の面側から出射光として出射することの可能な光学素子（対物レンズ２）である。少なくとも前記一方の面側（２ａ）に、前記入射光を互いに異なる回折次数（１次・０次・―１次）の各方向に分光して前記一方の面（２ａ）側から各々出射することの可能なホログラム構造（３）を設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置に関し、特に、射出成形で作成される対物レンズにおいてホログラム構造や複屈折位相構造などを備えたものに関する。

従来、情報記録媒体として、例えばＣＤ、ＤＶＤ等が広く使用されており、これらの記録媒体を読み取る読取装置（光磁気ディスク装置）などの精密機器には、多くの光学素子が利用されている。

このような光学素子例えば光レンズなどを利用した読取装置などの光ピックアップ装置の一例として、例えば図３６に示すようなものが挙げられる。

同図に示す光ピックアップ装置９００では、不図示の半導体レーザーからのレーザー光は、対物レンズ９０２よって回折限界まで集光されて光磁気ディスク９０１（光磁気記録媒体）に照射され、記録信号をピックアップして反射される。光磁気ディスク９０１からのレーザー反射光は、対物レンズ９０２に入光して平行光となり、１／４波長板９０３を透過し偏光方位を変えた後、ホログラム板９０４に入射し、このホログラム板９０４にて常光は０次回折光として透過し、入射する入射光の偏光光は１次回折光、―１次回折光として回折して３つの光束に分光され、多分割光検出器９０５に入射する。

多分割光検出器９０５の分離受光領域（受光素子）には、各々のスポットが形成され、１次回折光により焦点誤差を検出し、０次光およびー１次回折光によりトラッキング誤差を検出するように構成される。

特開２００１−５９８７２号公報

ところで、従来の光ピックアップ装置では、使用される光学素子として、対物レンズ、ホログラム板、１／４波長板などの取り付け部材点数が多く、コストが高くなるという問題があった。

特に、対物レンズなどは、ガラス製の光レンズを用いることが多く、前記コスト高を招く主たる原因となっている。

しかも、ホログラム板や波長板などを製造するためには、基材の表面に対して所定の形状を得るためのプロセスを行う必要があるが、ホログラム板や波長板の１つ１つに対し、当該プロセスを行う必要があり、量産化の観点から好ましくなく、生産性の低下を招いていた。

さらに、前記ホログラム板や波長板、対物レンズが各々別々に構成されているために、アライメントの際にこれら全部を移動させなければならず、これらを移動させるための機構が大型化するとともに、これらの各種光学部材が配置される占有空間が大きくなり、当該光ピックアップ装置などの小型化に寄与できないという問題があった。

加えて、これらの機器に利用される光学素子、例えば光レンズなどは、低コスト化並びに小型化の観点から、ガラス製の光レンズよりも樹脂製の光レンズを用いることが考えられるが、このような樹脂製の光レンズを製造するためには、射出成形用の成形型をも形成しなければならない。この際、従来は、一般的な切削加工や、光露光などの手法を用いた露光装置などによって、光学機能面や成形型に微細構造を形成することを行われるが、現在用いていられるような成形技術や加工技術の切削バイトにて、成形型に微細構造を形成しようとすると、加工精度が劣るとともに、バイトの強度、寿命の点で限界があり、サブミクロンオーダーあるいはそれ以下の精密な加工を行うことができず、また、基材の加工深さは、露光エネルギー量で制御するため、特に、光学素子の精密加工、あるいはフォトニック結晶の作成などでは、非平面上に照射される光の波長より短い構造を正確に形成する必要が生じるため、平坦な材料しか加工することができないという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光ピックアップ装置、光学素子などの生産性の低下を防止しながらも、部材点数を低減して装置の小型化並びにコストダウンに寄与でき、それらに用いられる光学素子などの基材に対して、サブミクロンオーダーでの３次元的に変化する基材の加工を可能とした光学素子、基材、その金型、光ピックアップ装置、光学素子加工方法、その方法にて加工された基材、及び電子ビーム描画装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明に係る基材は、ビームを走査することにより描画パターンが形成される被描画面を、少なくとも一方の面に有する基材であって、前記被描画面は、該被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有することを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明に係る基材は、ビームを走査することにより第１の描画パターンが描画され一方の面に形成される第１の被描画面と、前記第１の被描画面と反対側の他方の面に形成され、前記第１の描画パターンと異なる第２の描画パターンが描画される第２の被描画面と、を備えた基材であって、前記第１の被描画面は、該第１の被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有し、前記第２の被描画面は、該光の進行方向と交差する面内で少なくとも互い垂直な方向に振動する各直線偏光のうち、一方の直線偏光と他方の直線偏光とに位相差を生じせしめる複屈折位相構造を有することを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項３に記載の発明に係る基材は、電子ビームを走査することにより第１の描画パターンが描画され一方の面に形成された第１の被描画面と、前記第１の被描画面と反対側の他方の面に形成され、前記第１の描画パターンと異なる第２の描画パターンが描画される第２の被描画面と、を備えた基材であって、前記第１の被描画面は、該第１の被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有し、前記第２の被描画面は、前記第１の被描画面に入射し前記第２の被描画面より出者する光を回折する回折格子構造を有することを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明に係る光ピックアップ装置は、光磁気記録媒体と、レーザー供給源からのレーザー光を集光し、集光された前記レーザー光を前記光磁気記録媒体照射するとともに、前記光磁気記録媒体上の反射光を分光する光学素子と、分光された各光に基づいて、トラッキング誤差、焦点誤差の各誤差検出を行うための各検出部を備えた多分割光検出器と、を有し、前記光学素子は、その一方の面側には、前記反射光を互いに異なる０次、１次、―１次の３方向の各回折光に分光して前記一方の面側から各々出射するとともに、前記一方の面側から入射する入射光を透過して他方の面側から出射することの可能なホログラム構造を有し、前記他方の面側には、光の進行方向と交差する面内で少なくとも互い垂直な方向に振動する各直線偏光のうち、一方の直線偏光と他方の直線偏光とに位相差を生じせしめる複屈折位相構造を有することを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項５に記載の発明に係る光ピックアップ装置は、光磁気記録媒体と、レーザー供給源からのレーザー光を平行光にする第１の光学素子と、前記平行光を収束させて前記光磁気記録媒体に照射する第２の光学素子と、前記光磁気記録媒体にて反射された前記レーザー光を前記第２の光学素子を介して受光する光検出器と、を含み、前記光検出器の出力に基づいて光磁気記録媒体上の記録情報を読み出し、前記第１の光学素子は、その一方の面側には、前記レーザー光を互いに異なる０次、１次、―１次の３方向の各回折光に分光して前記一方の面側から各々出射することの可能なホログラム構造を有することを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明に係る電子ビーム描画装置は、電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビーム照射手段にて照射された電子ビームの焦点位置を可変とするための電子レンズと、前記電子ビームを照射することで描画される被描画面に曲面部を有する基材を載置する載置台と、前記基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する際に、前記基材上に描画される描画位置を測定するための測定手段と、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する制御手段と、を含むことを特徴としている。

また、上記目的を達成するために、請求項７に記載の発明に係る電子ビーム描画装置は、電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームを照射することで描画される被描画面に曲面部を有する基材を載置する載置台と、前記載置台を駆動する駆動手段と、前記基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する際に、前記基材上に描画される描画位置を測定するための測定手段と、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記駆動手段により前記載置台を昇降させて、前記電子ビーム照射手段にて照射された電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する制御手段と、を含むことを特徴としている。

本発明によれば、３次元的な描画で曲面部を描画する際にあわせ、基材にホログラム構造を形成することにより、最終的に、一面にホログラム構造を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来のホログラム板に変えて各種機器に適用することもできる。

これにより、基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品としてホログラム構造を有した素子を、順次量産できる。従って、従来のように、ホログラム板を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

また、基材に複屈折位相構造を形成することにより、最終的に、一面に複屈折位相構造たる波長板機能を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来の波長板に変えて各種機器等に適用することもできる。

これにより、前記基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品として波長板機能を有した素子を、順次量産できる。従って、従来のように、波長板を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

また、基材を金型を用いて射出成形により製造できるため、製造にかかるコストダウンを図ることができる。この基材を射出成形する際には、同時にホログラム機能や波長板としての機能の附加を行うことができ、プロセスの追加の必要がない。このため、従来のようにホログラム板や波長板１つ１つを製造する場合に比べると大幅な製造コストの低減並びに、工数の低減を図ることができ、光学部品の低コスト化につながる。

なお、これらに加えて、他方側の面に回折格子構造を形成した基材によれば、ＤＶＤ、ＣＤ互換等での、収差補正を好適に実施できる。

また、光ピックアップ装置において、一面にホログラム構造を備えた（一体形成された）光学素子を用いることにより、従来のような専用のホログラム板を使用する必要がなく部材点数、取付部品数を低減して大幅なコストダウンを図ることができる。

さらに、ホログラム板や波長板などの配設が不要となるために、部材配設の占有空間が低減され、光ピックアップ装置の小型化を図ることができ、さらには、ピックアップ装置の光学系にかかる小型一体化を容易にし、トラッキング機構を単純化できる。

以下、本発明の好適な実施の形態の一例について、図面を参照して具体的に説明する。

［第１の実施の形態］
（光学素子の構成説明）
先ず、本発明の光ピックアップ装置に用いられる光学素子の概略構成について、図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態に光学素子の構成を説明するための説明図である。

本実施の形態の光学素子においては、光レンズの一方の面にホログラム構造を形成し、光レンズの他方の面に複屈折位相構造を形成したことに特徴を有するものである。

具体的には、図１に示すように、光学素子の一例である対物レンズ２は、他方の面２ｄ側に入射する入射光Ｓ１を、一方の面２ａ側から出射光Ｓ２として出射することの可能な樹脂製の部材であり、前記一方の面２ｄ側には、前記入射光Ｓ１を互いに異なる０次、１次、―１次の３方向の各回折光に分光して前記一方の面２ａ側から各々出射するとともに、前記一方の面２ａ側から入射する入射光を透過して前記他方の面２ｄ側から出射することの可能なホログラム構造３が形成されている。

また、対物レンズ２の前記他方の面２ｄ側には、光の進行方向と交差する面内で少なくとも互い垂直な方向に振動する各直線偏光ＴＥ波、ＴＭ波のうち、一方の直線偏光ＴＥ波と他方の直線偏光ＴＭ波とに位相差を生じせしめる複屈折位相構造の一例である（光の偏光方向を所定の角度回転させる）波長板構造４が形成されている。

ホログラム構造３では、一方の面２ａ側から入射する入射光のうちＴＭ波（進行方向に垂直な面内において電界成分を有しない磁界成分のみ波）は透過して集光し、他方の面２ｄ側から入射する入射光のうちＴＥ波（進行方向に垂直な面内において磁界成分を有しない電界成分のみの波）は、平行光にされたのち０次、１次、―１次に偏光する。

波長板構造４では、一方の面２ａ側から入射する入射光のうち例えばＴＭ波は、所定の角度に振動方向が回転するようにして偏光し、特定の箇所で反射した当該偏光光が他方の面２ｄ側より入射すると、前記振動方向が回転するようにして偏光し、ＴＭ波として出射する。

なお、波長板構造としては、例えば１／４波長板等の機能を形成することが好ましい。つまり、波長板の前で複屈折し、波長板に入れて１／４回転させて、返ってきてまた１／４回転させる。

このような樹脂製の対物レンズ２によれば、ホログラム構造３および波長板構造４が一体的に形成されているので、例えば光ピックアップ装置などの光学系に用いる際に、一つ部材で対物レンズ、波長板、ホログラム板の３つの機能を有することができ、部材点数を低減して光学部材の占有領域を小さくして装置の小型化に寄与できる。

また、波長板構造およびホログラム構造のいずれも、対物レンズ上に微細構造を造って一括して射出成形により形成することができ、樹脂にて一体的に形成されていることから、コストダウンを図ることができ、成型型などを用いることにより装置の量産化に寄与できる。

さらに、光ピックアップ装置などにおいては、対物レンズ上にトラッキングやフォーカシングの機能を含めることができ、トラッキングをする際に、従来のように対物レンズおよびホログラム板などの全体を動作させる必要がなく、対物レンズのみを動作させるだけでよく、一部材であることから前記光ピックアップ装置などのアライメント動作が行いやすくなる。

なお、具体的には、例えば、検出信号は０次光、フォーカス用の信号と、トラッキング用の信号は＋１と−１に割り当てることが好ましい。

ここで、本実施の形態のホログラム構造３においては、３つの各光を出射したり球面波を生成することとなるが、０次光しか出射されない点で通常の偏光板と異なる。

なお、対物レンズの一方の面にホログラム構造があるだけでもよく、波長板はなくてもよい。但し、波長板がある方が効率の観点から好ましい。

さらに、前述の例では、波長板構造として例えば１／４波長板等の機能を形成したが、これに限らず、１／２波長板や他の種々の波長板を必要に応じて形成するようにしてもよい。

（基材について）
本発明の基材では、光レンズの一面にホログラム構造を形成したことに特徴を有する。また、本発明の基材の他の態様では、光レンズの他方の面に波長板の機能（複屈折位相構造）を形成したことに特徴を有する。

（ホログラム構造）
先ず、このような特徴を有する電子ビームにより描画される基材について、図２〜図１０を参照しつつ説明する。図２には、基材上に描画される描画パターン並びにその細部の描画形状が開示されている。

同図に示すように、本実施形態の基材の一例である対物レンズ２上に描画される描画パターンの一例として円描画が開示されており、被描画面に曲面部２ａを有する基材の一例である対物レンズ２の描画部分の一部であるＥ部分を拡大してみると、基材の対物レンズ２は、複数の凹凸からなるホログラム構造３が形成されている。なお、基材の対物レンズ２としては、光学素子例えば、ピックアップレンズ等にて構成することが好ましい。

ホログラム構造３は、該曲面部２ａに入射する光もしくは出射する光を、該光の進行方向と交差する面内で少なくとも互いに垂直な方向に振動する二つの偏光成分、ＴＥ波、ＴＭ波に偏光分離し、特にＴＥ波は１次回折光とー１次回折光として偏光され、ＴＭ波は０次回折光として直進する機能を有し、凸部３ａと凹部３ｂにより凹凸部（バイナリーパターンの回折格子構造）を形成している。

より詳細には、図１に示すＦ部を拡大した図に示すように、ホログラム構造３は、第１の幅ｄ１を有する凸部３ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部３ｂが高さｄ３にて複数形成される。

なお、周期内の構造を非対称にすることにより、垂直に入射する光に対しても偏光分離を行うことができる。

本実施の形態の基材では、曲面部２ａ上にこのような周期構造を構成することにより、当該構造を透過する光を、ＴＥ波（進行方向に垂直な面内において磁界成分を有しない電界成分のみの波）の１次回折光、―１次回折光、ＴＭ波（進行方向に垂直な面内において電界成分を有しない磁界成分のみ波）の０次回折光に分離することが可能となる。

ここに、図２におけるｄ１、ｄ２、ｄ３の具体的な数値としては、例えば、基材（対物レンズ）２の屈折率ｎ＝１．４７５、波長を４００ｎｍとすると、ｄ１＝２００―０．３６×２００ｎｍ、ｄ２＝０．３６×２００ｎｍ、ｄ３＝２３２０ｎｍとするのが好ましい。

なお、要は、「進行波を０次回折光、―１次回折光、１次回折光に分離する」というホログラム構造（偏光ビームスプリッター）としての機能を達成できるものであれば、そのホログラム構造における寸法ｄ１〜ｄ３の寸法設定、ないしは、その凹凸構造は、上述した例に限定されるものではないことは言うまでもない。

このように、曲面部２ａ上において、図２に示すような形状の凹凸によるホログラム構造３を構成することにより、光を０次回折光、１次回折光、―１次回折光に偏光分離することが可能になる。

（複屈折位相構造）
次に、複屈折位相構造を備えた基材について、図３を参照して説明する。図３には、基材上に描画される描画パターン並びにその細部の描画形状が開示されている。

同図に示すように、基材の一例である対物レンズ２上に描画される描画パターンの一例として円描画が開示されており、被描画面に曲面部２ｄを有する基材の一例である対物レンズ２の描画部分の一部であるＥ部分を拡大してみると、基材（対物レンズ）２は、複数の凹凸（バイナリーパターンの回折格子構造）からなる複屈折位相構造４が形成されている。なお、基材（対物レンズ）２としては、光学素子例えば、ピックアップレンズ等にて構成することが好ましい。

複屈折位相構造４は、該曲面部２ｄに入射する光もしくは出射する光である、該光の進行方向と交差する面内で少なくとも互いに垂直な方向に振動する二つの偏光成分ＴＥ波、ＴＭ波のうち、一方の偏光であるＴＥ波と、他方の偏光であるＴＭ波との間に位相差φを生じせしめる機能を有し、凸部４ａと凹部４ｂとを有する。

より詳細には、図３に示すＦ部を拡大した図に示すように、複屈折位相構造４は、前記第１の幅ｄ５を有する凸部４ａと、前記第１の幅ｄ５より短い第２の幅ｄ６を有する凹部５ｂとが交互に位置することで形成される周期構造を有する。なお、凸部４ａの高さはｄ７にて形成されているものとする。

本実施の形態の基材（対物レンズ）２では、曲面部２ｄ上にこのような周期構造を構成することにより、当該構造を透過する光のうち、ＴＥ波と、ＴＭ波との間に位相差φを生じさせることが可能となる。

ここに、図３におけるｄ５、ｄ６、ｄ７の具体的な数値としては、例えば、基材（対物レンズ）４の屈折率ｎ＝２、波長をλとすると、ｄ５：ｄ６＝７：３、ｄ７＝１λとするのが好ましい。なお、この場合は、例えば１／４波長板と同等の機能を有する場合を想定しているがこれに限定されるものではなく、１／２波長板、１波長板等と同等の機能を有するよう構成しても構わない。

このようにした場合における複屈折位相構造４にて位相差が生じ得るＴＭ波、ＴＥ波の波の様子を、入射角を各々変えた場合におけるＦＤＴＤ法等により解析した結果を図４（Ａ）（Ｂ）、図５（Ａ）（Ｂ）、図６（Ａ）（Ｂ）にそれぞれ示す。図４（Ａ）では、入射角が０度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＭ波の様子が開示されており、一方、図４（Ｂ）では、入射角が０度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＥ波の様子が開示されている。

また、図５（Ａ）では、入射角が２４度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＥ波の様子が開示されており、一方、図４（Ｂ）では、入射角が２４度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＭ波の様子が開示されている。

さらに、図６（Ａ）では、入射角が４６度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＭ波の様子が開示されており、一方、図６（Ｂ）では、入射角が４６度における前記複屈折位相構造４によって生じ得たＴＥ波の様子が開示されている。

但し、これらの図においては、いずれも、図中の下方向から上方向に向けて光が入るものとし（基材を想定した場合は、基材の曲面部から出射する光のＴＥ波、ＴＭ波に位相差が生じる場合）、上方側に向かって無限に広がる平面波を想定している。なお、横軸は、複屈折位相構造Ｇ１の横方向に沿った位置を示し（単位×２０ｎｍ）、縦軸は、複屈折位相構造Ｇ１に垂直な上方向に沿った位置を示している。また、この図においては、波長λが５００ｎｍである場合を想定している。

これらの図に示すように、図３に示すような形状の凹凸による複屈折位相構造４（図４（Ａ）（Ｂ）においては複屈折位相構造Ｇ１）を形成した場合には、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、ＴＭ波Ａ１、ＴＥ波Ａ２を所定の位相差にて各々良好に生成することが可能となる。従って、上記ｄ５〜ｄ７を、上述にて示した数値に設定することが、ＴＥ波、ＴＭ波に対する位相差を良好に生成する上で好ましいと言える。

このように、直進する光と斜めの光を入射し、波長板としての効果があるか否かを検討した場合のシミュレーション結果においては、斜めに入れたとしても位相がずれるので、同じ構造で波長板の機能を有する。なお、入射角の限界値は、例えば５０度か６０度位まで可能である。

しかしながら、要は、「ＴＥ波、ＴＭ波に位相差を生じさせる」という複屈折位相構造としての機能を達成できるものであれば、その複屈折構造における寸法ｄ５〜ｄ７の寸法設定、ないしは、その凹凸構造は、上述した例に限定されるものではないことは言うまでもない。

また、対物レンズのような曲面上に形成した場合には、入射角も傾斜することとなるが、このような場合にも、例えば、図５に示す入射角２４度の場合には、ＴＭ波Ａ３、ＴＥ波Ａ４を所定の位相差にて各々良好に生成することが可能となり、図６に示す入射角４６度の場合であっても、ＴＭ波Ａ５、ＴＥ波Ａ６を所定の位相差にて各々良好に生成することが可能となる。従って、対物レンズ上に形成するような場合にも前記設定で問題とはならない。

このように、曲面部２ｄ上において、図２に示すような形状の凹凸による複屈折位相構造４を構成することにより、ＴＥ波、ＴＭ波に位相差を生じさせることが可能になる。

（ホログラム構造の他の形態Ｉ）
なお、前記ホログラム構造３の態様としては、図２に示すような凹凸構造のものに限らず、図７に示すような凹凸構造の態様にて形成するようにしてもよい。

具体的には、図７（Ｂ）に示すように、ホログラム構造３は、第１の幅ｐ１―ｑｐ１を有する凸部と第２の幅ｑｐ１を有する凹部とからなる凹凸部と平面部とによる周期構造を形成している。

ここで、１つの凹凸部と１つの平面部からなる１周期を幅ｐ２とし、１つの凸部の高さをｔ１とし、平面部から凸部頂部までの高さをｔ２としている。

この際、レンズの屈折率ｎ＝１．４７５、入射光の波長λ＝４００ｎｍとした場合には、前記図７（Ｂ）における構造の具体的な数値としては、例えば、ｔ１＝２３２０ｎｍ、ｔ２＝１１６０ｎｍ、ｑ＝０．３６、ｐ１＝２００ｎｍ、ｐ２＝２０００ｎｍとするのが好ましい。

このように構成される場合であっても、図７（Ａ）に示すように、ホログラム構造においては、光が入射すると、０次透過光（入射光）、＋１次回折光（例えばトラッキング用）、―１次回折光（フォーカシング用）に各々偏光することとなる。

このようにした場合におけるホログラム構造３にて生じ得るＴＭ波、ＴＥ波の波の様子をＦＤＴＤ法等により解析した結果を図８、図９にそれぞれ示す。図８では、前記ホログラム構造３によって生じ得たＴＥ波の様子が開示されており、一方、図１０では、前記ホログラム構造３によって生じ得たＴＭ波の様子が開示されている。

但し、これらの図においては、いずれも、図中の下方向から上方向に向けて光が入るものとし、上方側に向かって無限に広がる平面波を想定している。なお、横軸は、ホログラム構造Ｇ２の横方向に沿った位置を示し（単位×４０ｎｍ）、縦軸は、複屈折位相構造Ｇ１に垂直な上方向に沿った位置（単位×４０ｎｍ）を示している。また、この図においては、波長λが５００ｎｍである場合を想定している。

これらの図に示すように、図７（Ｂ）に示すような形状の凹凸によるホログラム構造３（図８、９においてはホログラム構造Ｇ２）を形成した場合には、図８、図９に示すように、ＴＭ波Ａ１、ＴＥ波Ａ２による所定の偏光を良好に生成することが可能となる。従って、上記ｐ１、ｐ２、ｔ１、ｔ２、ｑを、上述にて示した数値に設定することが、０次透過光、１次回折光、―１次回折光を良好に生成する上で好ましいと言える。

しかしながら、要は、「０次透過光、１次回折光、―１次回折光を生じさせる」というホログラム構造としての機能を達成できるものであれば、その構造における寸法ｐ１、ｐ２、ｔ１、ｔ２、ｑの寸法設定、ないしは、その凹凸構造は、上述した例に限定されるものではないことは言うまでもない。

このように、図７（Ｂ）に示すような形状の凹凸によるホログラム構造３を構成することにより、光を０次回折光、１次回折光、―１次回折光に偏光分離することが可能になる。

（ホログラム構造の他の形態ＩＩ）
さらに、前記シミュレーションにおいては、平面上にホログラム構造を形成する場合を想定したが、実際には、ホログラム構造としては、図１０に示すように、基材８０の曲面部８０ａ上にホログラム構造８２を形成することとなる。

ホログラム構造８２は、第１の凸部８２ａａ、第１の凹部８２ａｂよりなる周期構造からなる第１の凹凸部８２ａと第２の凹部８２ｂとからなる。このように、前記ホログラム構造を曲面部に形成することにより、光を０次、１次、―１次に回折して各部に光を供給することが可能となる。

以上のようにして、一面にホログラム構造３を、他方の面に複屈折位相構造４を形成した基材（対物レンズ２）を構成することにより、例えば、図１のような光学系において、対物レンズ２の一方の面２ａ側からの平行光のレーザー光Ｓ３は、対物レンズ２により集束して光Ｓ４となり、特定箇所で反射した他方の面２ｄからの光Ｓ１は、対物レンズ２により平行光に戻る。

この際、ホログラム構造３は、一方の面２ａ側から入射するレーザー光Ｓ３は、透過するが、他方の面２ｄから入射する光Ｓ１は、回折されて一方の面２ａから出射する際には０次、―１次、１次の各光に偏光されることとなる。

また、波長板構造４により、一方の面２ａ側から入射するレーザー光Ｓ３の進行方向に垂直な面内において一の特定方向の振動を、他の特定方向の振動に偏光しつつ集束され、特定箇所（光磁気記録媒体等）にて反射した光Ｓ１は、前記波長板構造４により、他の特定方向の振動を、前記一の特定方向の振動に再度偏光しつつ平行光とする。

これにより、０次、―１次、１次の各光は、後述する光ピックアップ装置などにおいて各々トラッキングやフォーカシングなどの際に利用することができる。

以上のように、３次元的な描画で曲面部を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーの凹凸による周期構造を描画し、前記基材にホログラム構造および複屈折位相構造を形成することにより、最終的に、一面にホログラム構造、他方の面に複屈折位相構造を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来の波長板、ホログラム板に変えて各種機器に適用することもできよう。

というのも、前記基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品としてホログラム構造を有した素子を、順次量産できるからである。従って、従来のように、ホログラム板や波長板を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

以下、このようなホログラム構造、波長板機能を有する基材を形成するための前提となる電子ビーム描画装置の具体的構成について説明することとする。

（電子ビーム描画装置の全体構成）
次に、電子ビーム描画装置の全体の概略構成について、図１１を参照して説明する。図１１は、本例の電子ビーム描画装置の全体構成を示す説明図である。

本実施形態例の電子ビーム描画装置１０００は、図１１に示すように、大電流で高解像度の電子線プローブを形成して高速に電子ビームを描画対象の基材１００２上を走査するものであり、高解像度の電子線プローブを形成し、電子ビームを生成してターゲットに対してビーム照射を行う電子ビーム生成手段である電子銃１０１２と、この電子銃１０１２からの電子ビームを通過させるスリット１０１４と、スリット１０１４を通過する電子ビームの前記基材１００２に対する焦点位置を制御するための電子レンズ１０１６と、電子ビームが出射される経路上に配設された仕切弁１０１８・ブランキング補正用のコイル１０１９と、電子ビームを偏向させることでターゲットである基材１００２上の走査位置等を制御する偏向器１０２０と、非点補正を行うための電子レンズ１０２２と、対物レンズ１０２３と、を含んで構成されている。なお、これらの各部は、鏡筒１０１０内に配設されて電子ビーム出射時には真空状態に維持される。

電子レンズ１０１６は、高さ方向に沿って複数箇所に離間して設置される各コイル１０１７ａ、１０１７ｂ、１０１７ｃの各々の電流値によって電子的なレンズが複数生成されることで各々制御され、電子ビームの焦点位置が制御される。

さらに、電子ビーム描画装置１０００は、描画対象となる基材１００２を載置するための載置台であるＸＹＺステージ１０３０と、このＸＹＺステージ１０３０上の載置位置に基材１００２を搬送するための搬送手段であるローダ１０４０と、ＸＹＺステージ１０３０上の基材１００２の表面の基準点を測定するための測定手段である測定装置１０８０と、ＸＹＺステージ１０３０を駆動するための駆動手段であるステージ駆動手段１０５０と、ローダを駆動するためのローダ駆動装置１０６０と、鏡筒１０１０内及びＸＹＺステージ１０３０を含む筐体１０１１内を真空となるように排気を行う真空排気装置１０７０と、基材１００２への電子ビームの照射に基づいて発生した例えば２次電子を検出して描画ライン等を観察するための２次電子検出器１０９１と、ＸＹＺステージ１０３０の微小電流を計測する微小電流計１０９２と、これらの制御を司る制御手段である電気操作排気制御系１１０１・描画制御系１１２０と、各種コンピュータを備えた制御用の情報処理ユニット１１８０と、不図示の電源等を含んで構成されている。

なお、前記２次電子検出器９１に変えて電子顕微鏡等の観察系を備えたり、不図示の他の観察光学系備えたりしてもよく、これらを利用して基材の状態を観察してもよい。

測定装置１０８０は、基材１００２の高さ位置を検出するためのものであり、基材１００２に対してレーザーを照射することで基材２を測定する第１のレーザー測長器１０８２と、第１のレーザー測長器１０８２にて発光されたレーザー光（第１の照射光）が基材１００２を反射し当該反射光を受光する第１の受光部１０８４と、前記第１のレーザー測長器１０８２とは異なる照射角度から照射を行う第２のレーザー測長器１０８６と、前記第２のレーザー測長器１０８６にて発光されたレーザー光（第２の照射光）が基材１００２を反射し当該反射光を受光する第２の受光部１０８８と、を含んで構成されている。

ステージ駆動手段１０５０は、ＸＹＺステージ１０３０をＸ方向に駆動するＸ方向駆動機構１０５１と、ＸＹＺステージ１０３０をＹ方向に駆動するＹ方向駆動機構１０５２と、ＸＹＺステージ１０３０をＺ方向に駆動するＺ方向駆動機構１０５３と、ＸＹＺステージ１０３０をθ方向に駆動するθ方向駆動機構１０５４と、を含んで構成されている。なお、この他、Ｙ軸を中心とするα方向に回転駆動可能なα方向駆動機構１０５５、Ｘ軸を中心とするψ方向に回転駆動可能なψ方向駆動機構１０５６を設けて、ステージをピッチング、ヨーイング、ローリング可能に構成してもよい。これによって、ＸＹＺステージ１０３０を３次元的に動作させたり、アライメントを行うことができる。

電気操作排気制御系１１０１は、電子銃１０１２に電源を供給する電子銃電源部での電流、電圧などを調整制御するＴＦＥ電子銃制御部１１０２と、電子レンズ１０１６（複数の各電子的なレンズを各々）を動作させるためのレンズ電源部での各電子レンズに対応する各電流を調整制御して電子銃の軸合わせを制御する電子銃軸合わせ制御部１１０３と、電子レンズ１０１６（複数の各電子的なレンズを各々）の各レンズに対応する各電流を調整制御する集束レンズ制御部１１０４と、非点補正用のコイル１０２２を制御するための非点補正制御部１１０５と、対物レンズ１０２３を制御するための対物レンズ制御部１１０６と、偏向器１０２０に対して基材１００２上の走査を行う際のスキャン信号を発生せしめるスキャン信号発生部１１０８と、２次電子検出器１０９１からの検出信号を制御する２次電子検出制御部１１１１と、２次電子検出制御部１１１１からの検出信号に基づいてイメージ信号を表示するための制御を行うイメージ信号表示制御部１１１２と、真空排気装置１０７０の真空排気を制御する真空排気制御回路１１１３と、これら各部の制御並びに微小電流計１０９２の制御を司る制御部１１１４と、を含んで構成される。

描画制御系１１２０は、偏向器１０２０にて成形方向の偏向を行う成形偏向部１１２２ａと、偏向器１０２０にて副走査方向の偏向を行うための副偏向部１１２２ｂと、偏向器１０２０にて（主）走査方向の偏向を行うための主偏向部１１２２ｃと、成形偏向部１１２２ａを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高速Ｄ／Ａ変換器１１２４ａと、副偏向部１１２２ｂを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高速Ｄ／Ａ変換器１１２４ｂと、主偏向部１１２２ｃを制御するためにデジタル信号をアナログ信号に変換制御する高精度Ｄ／Ａ変換器１１２４ｃと、を含んで構成される。

また、描画制御系１１２０は、第１のレーザー測長器１８２のレーザー照射位置の移動及びレーザー照射角の角度等の制御を行う第１のレ−ザー測定制御回路１１３１と、第２のレーザー測長器１０８６のレーザー照射位置の移動及びレーザー照射角の角度等の制御を行う第２のレ−ザー測定制御回路１３２と、第１のレーザー測長器８２でのレーザー照射光の出力（レーザーの光強度）を調整制御するための第１のレーザー出力制御回路１１３４と、第２のレーザー測長器１８６でのレーザー照射光の出力を調整制御するための第２のレーザー出力制御回路１１３６と、第１の受光部１０８４での受光結果に基づき、測定結果を算出するための第１の測定算出部１１４０と、第２の受光部１０８８での受光結果に基づき、測定結果を算出するための第２の測定算出部１１４２と、ステージ駆動手段１０５０を制御するためのステージ制御回路１１５０と、ローダ駆動装置１０６０を制御するローダ制御回路１１５２と、上述の第１、第２のレーザー測定制御回路１１３１、１１３２・第１、第２のレーザー出力制御回路１１３４、１１３６・第１、第２の測定算出部１１４０、１１４２・ステージ制御回路１１５０・ローダ制御回路１１５２を制御する機構制御回路１１５４と、を含んで構成される。

さらに、描画制御系１１２０は、コイル１０１９での電流値を制御することで一の描画ラインから次の描画ラインまでのブランキング区間であるビームブランキングを制御するビームブランキング制御部１１６１と、描画フィールドを制御するためのフィールド回転制御部１１６２と、描画パターンに応じた各種描画モード（円＋ラスタ等）を組み合わせて利用する等を制御するマルチモード制御部１１６３と、基材２上に電子ビームをラスタスキャン（走査）するように制御するためのラスタスキャン制御部１１６４と、円パターンを描画するように制御する円パターン制御部１１６５と、オングストロームパターンを描画するように制御するオングストロームパターン制御部１１６６と、各種偏向を制御するＥＢ偏向制御部１１６７と、２次電子検出器１０９１に関連するビデオアンプ１１６８と、基準クロックに基づいて各種制御信号（パルス信号）を生成制御するためのマスタークロックカウント部１１７１と、情報処理ユニット１１８０からの情報を各部に適合する形の制御信号とするための制御を行う制御系１３００と、これら各部への制御信号の入出力を制御するＣＰＧインターフェース１１６９と、を含んで構成される。

情報処理ユニット１１８０は、各種情報を操作入力するためのキーボード・マウス・トラックボール等からなる操作入力部１１５８と、後述する校正用描画や通常描画などのモード切換ないしはモード設定等の各種設定・基材２の表面状態や断層像（基材の特定箇所の各断面）、走査像などのモニタや３次元グラフィック画像等の表示・各種描画のシミュレーション等の各種ソフトウエアの表示等各種表示が可能なディスプレイ等の表示部１１８２と、入力された情報や各種制御を行うための制御プログラムなどの各種プログラム・測定結果・補正テーブル・各種ソフトウエア等や他の複数の情報を記憶するための記憶手段であるハードディスク１１８３と、外部記録媒体であるＭＯ１１８４などに記録された情報をリードライト可能な装置（符号なし）と、各種情報を印字出力可能な印刷手段ないしは画像形成可能な画像形成装置であるプリンタ１１８５と、これらの制御を司るホストコンピュータである制御部１１８６と、を含んで構成されている。

また、本実施形態の電子ビーム描画装置１０００では、操作入力部１１８１などを含むいわゆる「操作系」ないしは「操作手段」においては、アナログスキャン方式、デジタルスキャン方式の選択、基本的な形状の複数の各描画パターンの選択等の各種コマンドの選択等の基本的な操作が可能となっていることは言うまでもない。

ハードディスク１１８３（ディスク装置）には、例えば、描画パターンに関する情報や、描画ソフトウエア（専用ＣＡＤ）１１９１、描画パターンや基材１００２の３次元形状を設計するための一般的な３次元ＣＡＤ機能を有するソフトウエアであるＣＡＤ１１９２や、このＣＡＤ１１９２にて作成された例えばファイル形式を前記専用の描画ソフトウエア１１９１にて読み込めるファイル形式にフォーマット変換（コンバート）するためのフォーマット変換ソフトウエア１１９３などを記憶させておくことが好ましい。なお、記憶手段としては、例えば、半導体メモリなどの記憶装置の一領域として形成してもよい。

制御部１１８６は、基材１００２やその走査像等を観察認識するための各種画像処理を行う画像処理部１１８６ｂを含んで構成される。

画像処理部１１８６ｂは、例えば２次電子検出器１０９１からの検出信号を受け取って２次電子検出制御部１１１１およびイメージ信号表示制御部１１１２を介して画像データを形成する。さらに、特定箇所を表示するために、各画像データおよび位置データに基づいて、例えば画像等を表示部１１８２に表示するよう処理する。この際、画像処理部１１８６ｂは、前記画像データから、任意のＸ、Ｙ、Ｚ座標のデータを読み出し、所望の視点から見た立体的な画像を表示部１１８２に表示可能としてもよい。また、該画像データに対して、輝度の変化による輪郭抽出などの画像処理を行い、電子ビームによって形成された孔、線など、基材の表面の特徴的な部分の大きさや位置を認識し、ＸＹＺステージ１０３０が基材１００２を所望の位置に配されているか否かや、電子ビームによって、所望の大きさの孔、線が基材２に形成されたか否かを判定できようにしてよい。

制御部１１８６は、操作入力部１１８１の指示、あるいは、画像データなどに基づいて、各部へ各種条件を設定する。さらに、操作入力部１１８１などから入力される使用者の指示などに応じて、ＸＹＺステージ１０３０および電子ビーム照射のための各部を制御できる。

また、上記制御部１１８６は、２次電子検出器制御部１１１１によってデジタル値に変換された２次電子検出器１０９１からの全ての検出信号を受け取る。該検出信号は、電子ビームが走査している位置、すなわち、電子ビームの偏向方向に応じて変化する。したがって、偏向方向と該検出信号とを同期させることにより、電子ビームの各走査位置における基材の表面形状を検出できる。制御部１１８６は、これらを走査位置に対応して再構成して、基材の表面の画像データを表示部１１８２上に表示できる。

上述のような構成を有する電子ビーム描画装置１０００において、ローダ１０４０によって搬送された基材１００２がＸＹＺステージ１０３０上に載置されると、真空排気装置１０７０によって鏡筒１０１０及び筐体１０１１内の空気やダストなどを排気したした後、電子銃１０１２から電子ビームが照射される。

使用者は、例えば、操作入力部１１８１などを用いて、例えば描画領域、描画時間、電圧値等の描画の条件設定を指定することが好ましい。

描画が開始されると、電子銃１０１２から照射された電子ビームは、電子レンズ１０１６を介して偏向器１０２０により偏向され、偏向された電子ビームＢ（以下、この電子レンズ１０１６を通過後の偏向制御された電子ビームに関してのみ「電子ビームＢ」と符号を付与することがある）は、ＸＹＺステージ１０３０上の基材１００２の表面、例えば曲面部（曲面）１００２ａ上の描画位置に対して照射されることで描画が行われる。

この際に、測定装置１０８０によって、基材１００２上の描画位置（描画位置のうち少なくとも高さ位置）、もしくは後述するような基準点の位置が測定され、電気操作制御系１１０１・描画制御系１１２０は、当該測定結果に基づき、電子レンズ１０１６のコイル１０１７ａ、１０１７ｂ、１０１７ｃなどに流れる各電流値などを調整制御して、電子ビームＢの焦点深度の位置、すなわち焦点位置を制御し、当該焦点位置が前記描画位置となるように移動制御される。

あるいは、測定結果に基づき、電気操作制御系１１０１・描画制御系１１２０は、ステージ駆動手段１０５０を制御することにより、前記電子ビームＢの焦点位置が前記描画位置となるようにＸＹＺステージ１０３０を移動させる。

また、本例においては、電子ビームの制御、ＸＹＺステージ１０３０の制御のいずれか一方の制御によって行っても、双方を利用して行ってもよい。

そして、走査により、基材２の表面より放出される２次電子を検出し、検出結果に基づいて、画像処理部１１８６ｂにより画像処理を施し、該領域の表面形状を示す像を表示部１１８２に表示する。

なお、装置としては、このような例に限らず、電子ビームによる描画と表面観測とを同時に行い、基材の表面に平行な平面の画像を順次取得し、３次元画像データとして蓄積すると共に、画像変換により任意の断面を得る構成を有してもよい。

次に、測定装置１０８０では、図１３に示すように、第１のレーザー測長器１０８２により電子ビームと交差する方向から基材１００２に対して第１の光ビームＳ１を照射し、基材１００２を透過する第１の光ビームＳ１の受光によって、第１の光強度分布が検出される。

この際に、第１の光ビームＳ１は、基材１００２の底部にて反射されるため、第１の強度分布に基づき、基材１００２の平坦部１００２ｂ上の（高さ）位置が測定算出されることになる。しかし、この場合には、基材１００２の曲面部１００２ａ上の（高さ）位置を測定することができない。

そこで、本例においては、さらに第２のレーザー測長器１０８６を設けている。すなわち、第２のレーザー測長器１０８６によって、第１の光ビームＳ１と異なる電子ビームとほぼ直交する方向から基材１００２に対して第２の光ビームＳ２を照射し、基材１００２を透過する第２の光ビームＳ２が第２の受光部１０８８を介して受光されることによって、第２の光強度分布が検出される。

この場合、図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、第２の光ビームＳ２が曲面部１００２ａ上を透過することとなるので、前記第２の強度分布に基づき、基材１００２の平坦部より突出する曲面部１００２ａ上の（高さ）位置を測定算出することができる。

具体的には、第２の光ビームＳ２がＸＹ基準座標系における曲面部１００２ａ上のある位置（ｘ、ｙ）の特定の高さを透過すると、この位置（ｘ、ｙ）において、図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、第２の光ビームＳ２が曲面部１００２ａの曲面にて当たることにより散乱光が生じ、この散乱光分の光強度が弱まることとなる。このようにして、第２の受光部１０８８にて検出された第２の光強度分布に基づき、位置が測定算出される。

そして、この基材の高さ位置を、例えば描画位置として、前記電子ビームの焦点位置の調整が行われ描画が行われることとなる。

（描画位置算出の原理の概要）
次に、電子ビーム描画装置１０００における、描画を行う場合の原理の概要について、説明する。

先ず、基材１００２は、図１２（Ａ）（Ｂ）に示すように、例えば樹脂等による光学素子例えば光レンズ等にて形成されることが好ましく、断面略平板状の平坦部１００２ｂと、この平坦部１００２ｂより突出形成された曲面をなす曲面部１００２ａと、を含んで構成されている。この曲面部１００２ａの曲面は、球面に限らず、非球面などの他のあらゆる高さ方向に変化を有する自由曲面であってよい。

このような基材１００２において、予め基材１００２をＸＹＺステージ１０３０上に載置する前に、基材１００２上の複数例えば３個の基準点Ｐ００、Ｐ０１、Ｐ０２を決定してこの位置を測定しておく（測定Ａ）。これによって、例えば、基準点Ｐ００とＰ０１によりＸ軸、基準点Ｐ００とＰ０２によりＹ軸が定義され、３次元座標系における第１の基準座標系が算出される。ここで、第１の基準座標系における高さ位置をＨｏ（ｘ、ｙ）（第１の高さ位置）とする。これによって、基材２の厚み分布の算出を行うことができる。

一方、基材１００２をＸＹＺステージ１０３０上に載置した後も、同様の処理を行う。すなわち、図１２（Ａ）に示すように、基材１００２上の複数例えば３個の基準点Ｐ１０、Ｐ１１、Ｐ１２を決定してこの位置を測定しておく（測定Ｂ）。これによって、例えば、基準点Ｐ１０とＰ１１によりＸ軸、基準点Ｐ１０とＰ１２によりＹ軸が定義され、３次元座標系における第２の基準座標系が算出される。

さらに、これらの基準点Ｐ００、Ｐ０１、Ｐ０２、Ｐ１０、Ｐ１１、Ｐ１２により第１の基準座標系を第２の基準座標系に変換するための座標変換行列などを算出して、この座標変換行列を利用して、第２の基準座標系における前記Ｈｏ（ｘ、ｙ）に対応する高さ位置Ｈｐ（ｘ、ｙ）（第２の高さ位置）を算出して、この位置を最適フォーカス位置、すなわち描画位置として電子ビームの焦点位置が合わされるべき位置とすることとなる。これにより、上述の基材１００２の厚み分布の補正を行うことができる。

なお、上述の測定Ｂは、電子ビーム描画装置１０００の測定手段である測定装置１０８０を用いて測定することができる。

そして、測定Ａは、予め別の場所において他の測定装置を用いて測定しおく必要がある。このような、基材１００２をＸＹＺステージ１０３０上に載置する前に予め基準点を測定するための測定装置としては、上述の測定装置１０８０と全く同様の構成の測定装置を採用することができる。

この場合、測定結果は、不図示のネットワークを介してデータ転送されて、メモリハードディスク１１８３などに格納されることとなる。もちろん、この測定装置が不要となる場合も考えられる。

上記のようにして、描画位置が算出されて、電子ビームの焦点位置が制御されて描画が行われることとなる。

具体的には、図１２（Ｃ）に示すように、電子ビームの焦点深度ＦＺ（ビームウエストＢＷ）の焦点位置を、３次元基準座標系における単位空間の１フィールド（ｍ＝１）内の描画位置に調整制御する。（この制御は、上述したように、電子レンズ１０１６による電流値の調整もしくはＸＹＺステージ１０３０の駆動制御のいずれか一方又は双方によって行われる。）なお、本例においては、１フィールドの高さ分を焦点深度ＦＺより長くなるように、フィールドを設定してあるがこれに限定されるものではない。ここで、焦点深度ＦＺとは、電子レンズを介して照射される電子ビームＢにおいて、ビームウエストＢＷが有効な範囲の高さを示す。

なお、電子ビームＢの場合、電子レンズの幅Ｄ、電子レンズよりビームウエスト（ビーム径の最も細い所）ＢＷまでの深さｆとすると、Ｄ／ｆは、０．０１程度であり、例えば５０ｎｍ程度の解像度を有し、焦点深度は例えば数十μ程度ある。

そして、図１２（Ｃ）に示すように、例えば１フィールド内をＹ方向にシフトしつつ順次Ｘ方向に走査することにより、１フィールド内の描画が行われることとなる。さらに、１フィールド内において、描画されていない領域があれば、当該領域についても、上述の焦点位置の制御を行いつつＺ方向に移動し、同様の走査による描画処理を行うこととなる。

次に、１フィールド内の描画が行われた後、他のフィールド、例えばｍ＝２のフィールド、ｍ＝３のフィールドにおいても、上述同様に、測定や描画位置の算出を行いつつ描画処理がリアルタイムで行われることとなる。このようにして、描画されるべき描画領域について全ての描画が終了すると、基材１００２の表面における描画処理が終了することとなる。なお、本例では、この描画領域における曲面部の表面の曲面に該当する部分を被描画面としている。

さらに、上述のような各種演算処理、測定処理、制御処理などの処理を行う処理プログラムは、ハードディスク１１８３に予め制御プログラムとして格納されることとなる。

また、電子ビーム描画装置１１００のハードディスク１１８３には、形状記憶テーブルを有し、この形状記憶テーブルには、例えば基材１００２の曲面部１００２ａに回折格子を傾けて各ピッチ毎に形成する際の走査位置に対するドーズ量の分布情報等を予め定義したドーズ分布の特性などに関するドーズ分布情報、各ピッチ毎に表面反射防止用の凹凸を形成する際に、当該凹凸部分のドーズ量に関するドーズ分布情報、ドーズ分布を補正演算したドーズ分布補正演算情報、その他の情報、これらの処理を行う処理プログラム（より詳細には、例えば後述する図１６〜図１８のＳ１０１〜Ｓ１１８までの一連の処理など）、前記ドーズ分布情報やドーズ分布補正演算情報などの情報をもとに、曲面部上の所定の傾斜角度におけるドーズ分布特性など演算により算出するためのドーズ分布演算プログラム、その他の処理プログラムなどを有している。

このような構成を有する制御系において、ドーズ分布情報は予めハードディスク１１８３の形状記憶テーブルなどに格納され、処理プログラムに基づいて、描画時に当該ドーズ分布情報を抽出し、そのドーズ分布情報によって種々の描画が行われることとなる。

なお、前記実施の形態のハードディスクによる本発明にいう格納手段を構成でき、制御部、描画制御系、電気操作・排気制御系により本発明にいう「制御手段」を構成できる。

この制御手段は、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びにホログラム構造部分の描画を行うように制御する。

また、制御手段は、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する。

さらに、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記駆動手段により前記載置台を昇降させて、前記電子ビーム照射手段にて照射された電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する。

くわえて、測定手段が、前記第１の基材上にホログラム構造を形成する際には、前記第１の基材上に描画される描画位置を測定し、前記第２の基材上に複屈折位相構造を形成する際には、前記第２の基材上に描画される描画位置を測定する場合に、前記格納手段は、前記第２の基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する際に、曲面部上の傾斜位置に応じて傾斜する回折格子の各ピッチ部分のドーズ量を加味した走査位置に対するドーズ量分布を予め定義したドーズ分布の特性を格納する。

この際、制御手段は、前記第１の基材に曲面部並びにホログラム構造を描画する場合には、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御し、前記第２の基材に曲面部並びに複屈折位相構造を描画する場合には、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御するとともに、前記焦点位置における焦点深度内について、前記格納手段の前記ドーズ分布の特性に基づいて、当該ドーズ量を算出しつつ前記基材の曲面部上並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する。これにより、前記第１、第２の基材を各々独立して描画し、描画後の工程にて前記第１、第２の基材を１つの基材として生成する。

さらに、測定手段が前記第１の基材上にホログラム構造を形成する際には、前記第１の基材上に描画される描画位置を測定し、前記第２の基材上に回折格子構造を形成する際には、前記第２の基材上に描画される描画位置を測定する場合には、前記格納手段は、前記第２の基材の曲面部上に回折格子構造を形成する際に、曲面部上の傾斜位置に応じて傾斜する回折格子の各ピッチ部分のドーズ量を加味した走査位置に対するドーズ量分布を予め定義したドーズ分布の特性を格納する。

この際、制御手段は、前記第１の基材に曲面部並びにホログラム構造を描画する場合には、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御し、前記第２の基材に曲面部並びに回折格子構造を描画する場合には、前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御するとともに、前記焦点位置における焦点深度内について、前記格納手段の前記ドーズ分布の特性に基づいて、当該ドーズ量を算出しつつ前記基材の曲面部上並びに回折格子構造部分の描画を行うように制御する。これにより、前記第１、第２の基材を各々独立して描画し、描画後の工程にて前記第１、第２の基材を１つの基材として生成する。

（他の制御系の構成）
次に、描画ラインを描画する際に、例えば、前記円描画を正多角形で近似して直線的に走査する場合の各種処理を行なうための制御系の具体的構成について、図１５を参照しつつ説明する。図１５には、本実施の形態の電子ビーム描画装置の制御系の詳細な構成が開示されている。

電子ビーム描画装置においては、図１５に示すように、例えば円描画時に正多角形（不定多角形を含む）に近似するのに必要な（円の半径に応じた）種々のデータ（例えば、ある一つの半径ｋｍｍの円について、その多角形による分割数ｎ、各辺の位置各点位置の座標情報並びにクロック数の倍数値、さらにはＺ方向の位置などの各円に応じた情報等）、さらには円描画に限らず種々の曲線を描画する際に直線近似するのに必要な種々のデータ、各種描画パターン（矩形、三角形、多角形、縦線、横線、斜線、円板、円周、三角周、円弧、扇形、楕円等）に関するデータを記憶する描画パターン記憶手段である描画パターンデータ１１８３ａと、前記描画パターンデータ１１８３ａの描画パターンデータに基づいて、描画条件の演算を行う描画条件演算手段１１８６ｃと、前記描画条件演算手段１１８６ｃから（２ｎ＋１）ライン（（ｎ＝０、１、２・・）である場合は（２ｎ＋１）であるが、（ｎ＝１、２、・・）である場合は（２ｎ−１）としてもよい）乃ち奇数ラインの描画条件を演算する（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄと、前記描画条件演算手段１１８６ｃから（２ｎ）ライン乃ち偶数ラインの描画条件を演算する（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅと、を有する。

なお、描画パターンデータ１１８３ａはハードディスク１１８３に、描画条件演算手段１１８６ｃ・（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄ・（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅ等は制御部１１８６に構成することが好ましい。

電子ビーム描画装置の制御系１３００は、図１５に示すように、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄに基づいて１ラインの時定数を設定する時定数設定回路１３１２と、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄに基づいて１ラインの始点並びに終点の電圧を設定する始点／終点電圧設定回路１３１３と、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄに基づいてカウンタ数を設定するカウンタ数設定回路１３１４と、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄに基づいてイネーブル信号を生成するイネーブル信号生成回路１３１５と、奇数ラインの偏向信号を出力するための偏向信号出力回路１３２０と、を含んで構成されている。

さらに、制御系１３００は、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅに基づいて１ラインの時定数を設定する時定数設定回路１３３２と、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅに基づいて１ラインの始点並びに終点の電圧を設定する始点／終点電圧設定回路１３３３と、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅに基づいてカウンタ数を設定するカウンタ数設定回路１３３４と、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅに基づいてイネーブル信号を生成するイネーブル信号生成回路１３３５と、偶数ラインの偏向信号を出力するための偏向信号出力回路１３４０と、描画条件演算手段１１８６ａでの描画条件と、奇数ラインの偏向信号出力回路１３２０並びに偶数ラインの偏向信号出力回路１３４０からの情報とに基づいて、奇数ラインの処理と偶数ラインの処理とを切り換える切換回路１３６０と、を含んで構成されている。

奇数ラインの偏向信号出力回路１３２０は、走査クロックと、カウンタ数設定回路３１４からの奇数ラインカウント信号と、イネーブル信号発生回路１３１５のイネーブル信号とに基づいてカウント処理を行う計数手段であるカウンタ回路１３２１と、カウンタ回路１３２１からのカウントタイミングと、始点／終点電圧設定回路１３１３での奇数ライン描画条件信号とに基づいて、ＤＡ変換を行うＤＡ変換回路１３２２と、このＤＡ変換回路１３２２にて変換されたアナログ信号を平滑化する処理（偏向信号の高周波成分を除去する等の処理）を行う平滑化回路１３２３と、を含んで構成される。

偶数ラインの偏向信号出力回路１３４０は、走査クロックと、カウンタ数設定回路１３３４からの偶数ラインカウント信号と、イネーブル信号発生回路１３３５のイネーブル信号とに基づいてカウント処理を行う計数手段であるカウンタ回路１３４１と、カウンタ回路１３４１からのカウントタイミングと、始点／終点電圧設定回路１３３３での偶数ライン描画条件信号とに基づいて、ＤＡ変換を行うＤＡ変換回路１３４２と、このＤＡ変換回路１３４２にて変換されたアナログ信号を平滑化する処理を行う平滑化回路１３４３と、を含んで構成される。

また、これら制御系１３００は、Ｘ偏向用の制御系とＹ偏向用の制御系を各々形成する構成としてもよい。

上記のような構成を有する制御系１３００は、概略次のように作用する。すなわち、描画条件演算手段１１８６ｃが描画パターンデータ１１８３ａから直線近似による走査（描画）に必要な情報を取得すると、所定の描画条件の演算処理を行ない、例えば一つの円に対して正多角形の各辺に近似された場合の各辺のうち最初の辺、奇数番目のラインに関する情報は、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１８６ｄへ、次の辺、偶数番目のラインに関する情報は、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１８６ｅへ各々伝達される。

これにより、例えば、（２ｎ＋１）ライン描画条件演算手段１１８６ｄは、奇数ラインに関する描画条件を生成し、走査クロックと生成された奇数ライン描画条件生成信号とに基づいて、偏向信号出力回路１３２０から奇数ライン偏向信号を出力する。

一方、例えば、（２ｎ）ライン描画条件演算手段１１８６ｅは、偶数ラインに関する描画条件を生成し、走査クロックと生成された偶数ライン描画条件生成信号とに基づいて、偏向信号出力回路１３４０から偶数ライン偏向信号を出力する。

これら奇数ライン偏向信号と偶数ライン偏向信号は、描画条件演算手段１１８６ｃのもとに切換回路１３６０によって、その出力が交互に切り換わる。したがって、ある一の円について、正多角形に近似され、各辺が算出されると、ある一つの辺、奇数番目の辺が描画されると、次の辺、偶数番目の辺が描画され、さらに次ぎの辺、奇数番目の辺が描画される、という具合に交互に各辺が直線的に描画（走査）されることとなる。

そして、ある一の円について描画が終了すると、描画条件演算手段１１８６ｃは、その旨をブランキング制御部１１６１に伝達し、他の次の円を描画するように促す処理を行なう。このようにして、各円について多角形で近似した描画を行うこととなる。

このようにして、電子ビームにて描画される第１の基材に対して、前記電子ビームを走査することにより前記第１の基材の描画を行い、前記第１の基材の一面に曲面部を形成し、かつ、当該曲面部に対してホログラム構造となる断面略凹凸形状の平面略円状の描画ラインを、前記第１の基材に対する前記電子ビームの焦点位置の相対移動による高さ方向の位置調整を行いつつ、面方向の位置調整を行いながら描画を行う。

さらには、電子ビームにて描画される第２の基材に対して、前記電子ビームを走査することにより前記第２の基材の描画を行い、前記第２の基材の一面に曲面部を形成し、かつ、当該曲面部に対して波長板構造（複屈折位相構造）となる回折格子構造たる断面略凹凸形状の平面略円状の描画ラインを、前記第１の基材に対する前記電子ビームの焦点位置の相対移動による高さ方向の位置調整を行いつつ、面方向の位置調整を行いながら描画を行う。

これにより、第１、第２の基材を各々独立して描画し、描画後の工程にて前記第１、第２の基材を１つの基材として生成することができる。なお、第１の基材上にホログラム構造を形成し、第２の基材上に回折格子構造を形成する場合も同様である。

（処理手順について）
次に、上述のような構成を有する基材を、３次元的に描画可能な電子ビーム描画装置を用いて作成する際の処理手順について、図１６〜図１８を参照しつつ説明する。

先ず、母型材（基材）をＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｉｎｔ Ｄｉａｍｏｎｄ Ｔｕｒｎｉｎｇ：超精密加工機によるダイアモンド切削）により非球面の加工を行う際に、同心円マークの同時加工を実施する（ステップ、以下「Ｓ」１０１）。この際、光学顕微鏡で、例えば±１μ以内の検出精度の形状が形成されることが好ましい。

次に、ＦＩＢにて例えば３箇所にアライメントマークを付ける（Ｓ１０２）。ここに、十字形状のアライメントマークは、電子ビーム描画装置内で±２０ｎｍ以内の検出精度を有することが好ましい。

さらに、前記アライメントマークの、同心円マークとの相対位置を光学顕微鏡にて観察し、非球面構造の中心に対する位置を測定し、データベース（ＤＢ）（ないしはメモリ（以下、同））へ記録しておく（Ｓ１０３）。なお、この測定精度は、±１μ以内であることが好ましく、中心基準とした３つのアライメントマークの位置、ｘ１ｙ１、ｘ２ｙ２、ｘ３ｙ３をデータベース（ＤＢ）へ登録する。

また、レジスト塗布／ベーキング後の母型（基材）の各部の高さとアライメントマークの位置（Ｘｎ、Ｙｎ、Ｚｎ）を測定しておく（Ｓ１０４）。ここで、中心基準で補正した母型（基材）：位置テーブルＴｂｌ１（ＯＸ、ＯＹ、ＯＺ）、アライメントマーク：ＯＡ（Ｘｎ、Ｙｎ、Ｚｎ）（いずれも３＊３行列）を、データベース（ＤＢ）へ登録する。

次に、斜面測定用の測定装置（高さ検出器）の測定ビームの位置に電子線のビームをフォーカスしておく等その他各種準備処理を行う（Ｓ１０５）。

この際、ステージ上に取り付けたＥＢ（電子ビーム）フォーカス用針状の較正器に高さ検出用の測定ビームを投射すると共に、ＳＥＭモードにて電子ビーム描画装置で観察し、フォーカスを合わせる。

次いで、母型（基材）を電子ビーム描画装置内へセットし、アライメントマークを読み取る（ＸＸｎ、ＹＹｎ、ＺＺｎ）（Ｓ１０６）。この際に、電子ビーム描画装置内においては、Ｓ１０６に示されるような各値をデータベース（ＤＢ）に登録することとなる。

さらに、母型（基材）の形状から、最適なフィールド位置を決定する（Ｓ１０７）。ここで、フィールドは同心円の扇型に配分するフィールド同士は、若干重なりを持たせる。そして、中央で第一輪帯内はフィールド配分しない。

そして、各フィールドについて、隣のフィールドのつなぎアドレスの計算を行う（Ｓ１０８）。この計算は平面として計算を行う。なお、多角形の１つの線分は、同一フィールド内に納める。ここに、「多角形」とは、上述の制御系の項目で説明したように、円描画を所定のｎ角形で近似した場合の少なくとも１本の描画ラインをいう。

次に、対象とするフィールドについて、焦点深度領域の区分として、同一ラインは、同じ区分に入るようにする。また、フィールドの中央は、焦点深度区分の高さ中心となる（Ｓ１０９）。ここに、高さ５０μ以内は、同一焦点深度範囲とする。

次いで、対象とするフィールドについて、同一焦点深度領域内での（ｘ、ｙ）アドレスの変換マトリクス（Ｘｃ、Ｙｃ）を算出する（Ｓ１１０）。このＸｃ、Ｙｃは各々図示の式（１６）の通りとなる。

さらに、対象とするフィールドについて、となりとのつなぎアドレスを換算する（Ｓ１１１）。ここで、Ｓ１０８にて算出したつなぎ位置をＳ１１０の式（１６）を用いて換算する。

そして、対象とするフィールドについて、中心にＸＹＺステージを移動し、高さをＥＢ（電子ビーム）のフォーカス位置に設定する（Ｓ１１２）。つまり、ＸＹＺステージにてフィールド中心にセットする。また、測定装置（高さ検出器）の信号を検出しながら、ＸＹＺステージを移動し、高さ位置を読み取る。

また、対象とするフィールドについて、一番外側（ｍ番目）の同一焦点深度内領域の高さ中心に電子ビーム（ＥＢ）のフォーカス位置に合わせる（Ｓ１１３）。具体的には、テーブルＢを参照し、ＸＹＺステージを所定量フィールド中心の高さ位置との差分を移動する。

次に、対象とする同一焦点深度内について、一番外側（ｎ番目）のラインのドーズ量及び多角形の始点、終点の計算をする（Ｓ１１４）。そして、一定のドーズにて線描画することとなる（Ｓ１１５）。そして、上記Ｓ１１３からＳ１１５を規定回数実施する（Ｓ１１６）。

次に、ＸＹＺステージの移動、次のフィールドの描画を行う準備を行う（Ｓ１１７）。この際、フィールド番号、時間、温度などデータベース（ＤＢ）への登録を行う。

このようにして、前記Ｓ１０９からＳ１１７を規定回数実施する（Ｓ１１８）ことで、電子ビームにより曲面部に偏光分離構造を有する基材、ないしは、複屈折位相構造を有する基材の形成を行うことができる
以上のように本実施の形態によれば、３次元的な描画で曲面部を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーの凹凸による周期構造を描画し、前記基材にホログラム構造を形成することにより、最終的に、一面にホログラム構造を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来のホログラム板に変えて各種機器に適用することもできよう。

前記基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品としてホログラム構造を有した素子を、順次量産できるからである。従って、従来のように、ホログラム板を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

また、前記基材に複屈折位相構造を形成することにより、最終的に、一面に複屈折位相構造たる波長板機能を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来の波長板に変えて各種機器に適用することもできよう。

前記基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品として波長板機能を有した素子を、順次量産できるからである。従って、従来のように、波長板を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明にかかる第２の実施の形態について、図１９〜図２１に基づいて説明する。なお、以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。

上述の第１の実施の形態では、電子ビームにより基材上にホログラム構造などの精密加工を施す工程を開示したが、本実施の形態では、上記工程を含むプロセス全体の工程、特に、光学素子等の光レンズを射出成形によって製造するための金型等を製造する工程を説明する。

（ホログラム構造を有する金型の作成工程）
先ず、機械加工により金型（無電解ニッケル等）の非球面加工を行う（加工工程）。次に、図１９（Ａ）に示すように、金型により前記半球面を有する基材２００の樹脂成形を行う（樹脂成形工程）。さらに、基材２００を洗浄した後に乾燥を行う。

次いで、樹脂の基材２００の表面上の処理を行う（樹脂表面処理工程）。具体的には、図１９（Ｂ）に示すように、基材２００の位置決めを行い、塗布材であるレジストＬを滴下しつつスピナーを回転させて、スピンコートを行う。また、プリペークなども行う。

スピンコーティングの後には、当該レジスト膜の膜厚測定を行い、レジスト膜の評価を行う（レジスト膜評価工程）。そして、図１９（Ｃ）に示すように、基材２００の位置決めを行い、当該基材２００をＸ、Ｙ、Ｚ軸にて各々制御しつつ前記第１の実施の形態のように３次元の電子ビームによりホログラム構造２０２を有する曲面部の描画を行う（描画工程）。

次に、基材２００上のレジスト膜Ｌの表面平滑化処理を行う（表面平滑化工程）。さらに、図１９（Ｄ）に示すように、基材２００の位置決めなどを行いつつ、現像処理を行う（現像工程）。さらにまた、表面硬化処理を行う。

次いで、ＳＥＭ観察や膜厚測定器などにより、レジスト形状を評価する工程を行う（レジスト形状評価工程）。さらに、その後、ドライエッチングなどによりエッチング処理を行う。

この際、ホログラム構造２０２のＪ部を拡大すると、凸部２０２ａと凹部２０２ｂとを有し、さらにＦ部を拡大した図においては、ホログラム構造２０２は、第１の幅ｄ１を有する凸部２０２ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部２０２ｂを有し間隔をおいて複数形成される。

次に、表面処理がなされた基材２００に対する金型２０４を作成するために、図２０（Ａ）に示すように、金型電鋳前処理を行った後、電鋳処理などを行い、図２０（Ｂ）に示すように、基材２００と金型２０４とを剥離する処理を行う。

表面処理がなされた基材と剥離した金型２０４に対して、表面処理を行う（金型表面処理工程）。そして、金型２０４の評価を行う。

この際、金型２０４には、Ｋ部を拡大して示すと、前記基材２００の凸部、凹部に対応するように、凹部２０５ａ、凸部２０５ｂからなる構造２０５が形成されることとなる。

（複屈折位相差構造の金型の作成工程）
次に、ホログラム構造を形成する場合と同様にして、複屈折位相構造たる波長板の機能を有する基材を構成するための金型を作成する。

そして、図２１に示すように、曲面部上にホログラム構造を形成可能な金型２０４と、曲面部上に複屈折位相構造を形成可能な金型２２４とを互いに対向配設した上で、射出成形を行う。

この際、一方の金型２０４には、Ｋ部を拡大して示すと、ホログラム構造として機能するように寸法設定された基材上の凸部、凹部に対応するように、凹部２０５ａ、凸部２０５ｂからなる構造２０５が形成されることとなる。

他方の金型２２４も同様にして、複屈折位相構造として機能するように寸法設定された基材上の凸部、凹部に対応するように、凹部凸部からなる構成が形成される。

このようにして、評価後、当該金型２２４、２０４を用いて、図２１に示すように、射出成形により成形品を作成する。その後、当該成形品の評価を行う。

この際、図２１に示すように、射出成形品２５０には、前記第１の実施の形態の基材同様の構成が完成され、一方の曲面部上に複数の非対称の凹凸からなるホログラム構造２５２が形成される。そして、Ｊ部を拡大して示すと、凸部２５２ａと凹部２５２ｂとを有し、さらにＦ部を拡大した図においては、ホログラム構造２５２は、第１の幅ｄ１を有する凸部２５２ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部２５２ｂを有して間隔をおいて複数形成される。

加えて、射出成形品２５０には、他方の曲面部上に複数の凹凸からなる複屈折位相構造２５６が形成される。そして、Ｕ部を拡大して示すと、第１の幅ｄ５を有する凸部２５６ａと、前記第１の幅ｄ５より短い第２の幅ｄ６を有する凹部２５６ｂとが交互に位置することで形成される周期構造を有する。なお、凸部２５６ａの高さはｄ７にて形成されているものとする。

以上のように、本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態の基材として光学素子（例えばレンズ）を形成する場合に、３次元描画装置を用いて曲面部を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーの凹凸からなるホログラム構造を描画し、金型形状としてホログラム構造を成形させる様にし、当該光学素子を金型を用いて射出成形により製造できるため、製造にかかるコストダウンを図ることができる。

また、金型としてホログラム機能を持った構造を附加することにより、レンズを射出成形する際に、同時に機能附加でき、プロセスの追加の必要がない。このため、金型自体のコストアップ、ショット可能数（１００万回程度）が増大するものの、従来のようにホログラム板たる偏光ビームスプリッタ等の基材１つ１つにプロセスを実施する場合に比べると大幅なコストダウン、工数の低減を図ることができる。

さらに、プラスチックレンズの射出成型の過程で、ホログラム構造を同時に作り込むことができるので、偏光分離素子の作成工程が不要になり、光学部品の低コスト化につながる。

特に、曲面部構造を持たない、射出成形で作成されるレンズにも適用でき、各種のステップを除くことにより、大幅なコスト低減を行うことが可能である。

加えて、前記第１の実施の形態の基材として光学素子（例えばレンズ）を形成する場合に、３次元描画装置を用いて曲面部を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーの凹凸からなる複屈折位相構造を描画し、金型形状として複屈折位相離構造を成形させる様にし、当該光学素子を金型を用いて射出成形により製造できるため、製造にかかるコストダウンを図ることができる。

また、金型として波長板機能を持った構造を附加することにより、レンズを射出成形する際に、同時に機能附加でき、プロセスの追加の必要がない。このため、金型自体のコストアップ、ショット可能数（１００万回程度）が増大するものの、従来のように波長板等の基材１つ１つにプロセスを実施する場合に比べると大幅なコストダウン、工数の低減を図ることができる。

さらに、プラスチックレンズの射出成型の過程で、波長板機能を同時に作り込むことができるので、波長板の作成工程が不要になり、光学部品の低コスト化につながる。

特に、曲面部構造を持たない、射出成形で作成されるレンズにも適用でき、各種のステップを除くことにより、大幅なコスト低減を行うことが可能である。

［第３の実施の形態］
次に、本発明にかかる第３の実施の形態について、図２２に基づいて説明する。

上述の実施の形態では、一方の曲面部にバイナリーパターンの凹凸部からなる回折格子構造たるホログラム構造を形成し、他方の曲面部にバイナリーパターンの凹凸部からなる回折格子構造たる複屈折位相構造を有する光学素子について説明したが、本実施の形態においては、一方の曲面部にバイナリーパターンの凹凸部からなる回折格子構造たるホログラム構造を形成、他方の曲面部にブレーズ状の回折格子構造を有する光学素子を形成する場合の例について開示している。

具体的には、基材４２０の一方側の曲面部４２０ａ上においては、図２２に示すように、描画される描画パターンの一例として円描画が開示されており、被描画面に描画部分の一部であるＥ部分を拡大してみると、基材４２０は、複数の凹凸からなるホログラム構造４２２が形成されている。なお、基材４２０としては、光学素子例えば、ピックアップレンズ等にて構成することが好ましい。

ホログラム構造４２２は、該曲面部４２０ａに入射する光は透過し、出射する光を、０次、１次、―１次の各光に回折偏光分離する機能を有し、凸部４２２ａと凹部４２２ｂとを有する。

より詳細には、図２２に示すＦ部を拡大した図に示すように、ホログラム構造４２２は、第１の幅ｄ１を有する凸部４２２ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部４２２ｂを有し、間隔をおいて複数形成される。なお、周期内の構造を非対称にすることにより、垂直に出射する光に対して偏光分離を行うことができる。

本実施の形態の基材４２０では、曲面部４２０ａ上にこのような周期構造を構成することにより、当該構造を透過する光を、０次透過光、１次回折光、―１次回折光に分離することが可能となる。

ここに、図２２におけるｄ１、ｄ２、ｄ３の具体的な数値としては、例えば、基材２の屈折率ｎ＝１．４７５、波長を４００ｎｍとすると、ｄ１＝２００―０．３６×２００ｎｍ、ｄ２＝０．３６×２００ｎｍ、ｄ３＝２３２０ｎｍとするのが好ましい。

ここまでは、第１の実施の形態同様である。本実施の形態においては、さらに、基材４２０の他方の面側の曲面部４２０ｂに回折格子構造であるブレーズ４２６を構成している。

具体的には、基材４２０の他方の曲面部４２０ｂ側の一部を拡大してみると、基材４２０は、複数のブレーズ４２６からなる回折格子構造が形成されている。

ブレーズ４２６は、傾斜部４２６ｂ及び側壁部４２６ａを形成し、当該側壁部４２６ｂは、周方向に沿って平面状に複数形成されている。

より詳細には、基材４２０の他方の面側（裏面）は、少なくとも一面に形成された曲面部４２０ｂを有し、回折格子を傾けて各ピッチＬ１毎に形成し、この回折格子の少なくとも１ピッチＬ１に、当該ピッチの区切り目位置にて前記曲面部４２０ａより立ち上がる側壁部４２６ａと、隣接する各側壁部４２６ａ、４２６ａ間に形成された傾斜部４２６ｂと、側壁部４２６ａと傾斜部４２６ｂとの境界領域に形成された溝部４２６ｃとが形成されている。そして、ブレーズ形状は、曲面部４２０ｂの周囲に向かうに従い傾斜する構成となることが好ましい。なお、この回折格子構造は、後述するように、曲面部４２０ｂ上に塗布された塗布剤（レジスト）を描画することにより形成されることが好ましい。なお、傾斜部４２６ｂには、該傾斜部４２６ｂより入射する光の反射を防止する反射防止構造を形成してもよい。

以上のように本実施の形態においては、基材の一方の面にホログラム構造を形成し、他方の面に回折格子構造たる複数のブレーズを形成することにより、ＣＤ、ＤＶＤ互換で光ピックアップ装置を適用できる。また、ブレーズが曲面部の周囲に向かうに従い、急となる構成とすることにより、格子密度による入射角度の増大に起因するピックアップ機能の低下を取り除くことができる。

［第４の実施の形態］
次に、本発明にかかる第４の実施の形態について、図２３〜図２５に基づいて説明する。

上述の第３の実施の形態では、基材の一方の曲面部上にホログラム構造を、他方の面にブレーズ状の回折格子構造を構成した例について開示したが、本実施の形態では、上記構造を製造するためのプロセス全体の工程、特に、光学素子等の光レンズを射出成形によって製造するための金型等を製造する工程を説明する。

なお、基材の一方の曲面部上に、ホログラム構造を構成する場合のプロセスについては、上記第２の実施の形態と同様であるので省略し、基材の他方の曲面部に回折格子構造を形成するための製造プロセスを中心に説明することとする。

先ず、機械加工により金型（無電解ニッケル等）の非球面加工を行う（加工工程）。次に、図２３（Ａ）に示すように、金型により前記半球面を有する基材４３０の樹脂成形を行う（樹脂成形工程）。さらに、基材４３０を洗浄した後に乾燥を行う。

次いで、樹脂の基材４３０の表面上の処理を行う（樹脂表面処理工程）。具体的には、図２３（Ｂ）に示すように、基材４３０の位置決めを行い、塗布材たるレジストＬを滴下しつつスピナーを回転させて、スピンコートを行う。また、プリペークなども行う。

スピンコーティングの後には、当該レジスト膜の膜厚測定を行い、レジスト膜の評価を行う（レジスト膜評価工程）。そして、図２３（Ｃ）に示すように、基材４３０の位置決めを行い、当該基材４３０をＸ、Ｙ、Ｚ軸にて各々制御しつつ前記第１の実施の形態のように３次元の電子ビームにより回折格子構造を有する曲面部の描画を行う（描画工程）。

この際、回折格子構造たるブレーズを形成する際には、第１の実施の形態に示した図１８のＳ１１４、Ｓ１１５を以下のように行うことが好ましい。

具体的には、対象とする同一焦点深度内について、一番外側（ｎ番目）のラインのドーズ量及び多角形の始点、終点の計算をする。なお、スタート（始点）、エンド（終点）は、隣のフィールドとのつなぎ点とする（Ｓ１１４）。この際、始点、終点は整数にするものとし、ドーズ量は、ラジアル位置（入射角度）で決まった最大ドーズ量と格子の位置で決められた係数に最大ドーズ量を掛け合わせたもので表される。

次いで、Ｓ１１４で与えられたドーズによって決定されるドーズ分布ＤＳ（ｘ、ｙ）にて描画を行う（Ｓ１１５）。この際、斜面（傾斜部）のうち浅い部分（頂部）については、ドーズ分布ＤＳは、ブロード、深い部分（溝部）はシャープにすることが好ましい。これにより、当該ドーズ分布を与えることにより、回折格子構造の描画の描画を（１回の走査によって）描画することができる。そして、Ｓ１１３からＳ１１５を規定回数実施し（Ｓ１１６）、ＸＹＺステージの移動、次のフィールドの描画を行う準備を行い（Ｓ１１７）、前記Ｓ１０９からＳ１１７を規定回数実施する（Ｓ１１８）ことで、電子ビームにより曲面部に回折格子構造を有する基材の形成を行うことができる。

図２３に説明を戻すと、次に、基材４３０上のレジスト膜Ｌの表面平滑化処理を行う（表面平滑化工程）。さらに、図２３（Ｄ）に示すように、基材４３０の位置決めなどを行いつつ、現像処理を行う（現像工程）。さらにまた、表面硬化処理を行う。

次いで、ＳＥＭ観察や膜厚測定器などにより、レジスト形状を評価する工程を行う（レジスト形状評価工程）。さらに、その後、ドライエッチングなどによりエッチング処理を行う。

この際、回折格子構造４３２のＷ１部を拡大すると、傾斜部４３２ｂ及び側壁部４３２ａからなる複数のブレーズにて回折格子構造が形成されている。このブレーズは、周辺部に向かうに従い回折格子面の角度が急となるように形成することが好ましい。

次に、表面処理がなされた基材４３０に対する金型４３４を作成するために、図２４（Ａ）に示すように、金型電鋳前処理を行った後、電鋳処理などを行い、図２４（Ｂ）に示すように、基材４３０と金型４３４とを剥離する処理を行う。

表面処理がなされた基材と剥離した金型４３４に対して、表面処理を行う（金型表面処理工程）。そして、金型４３４の評価を行う。

この際、金型４３４には、Ｗ２部を拡大して示すと、前記基材４３０のブレーズに対応するように、凹部４３６が形成され、これら各凹部４３６には、前記基材４３０の回折格子構造４３２のブレーズの孔部形状（傾斜部および側壁部）に対応するように、側壁部４３６ａおよび傾斜部４３６ｂが形成されることとなる。

ここで、基材の一方の曲面部にホログラム構造、基材の他方の曲面部にブレーズ状の回折格子構造を有する場合には、前記評価後、当該金型４３４と前記第２の実施の形態の金型２０４とを相対向して配置し、図２４（Ｃ）に示すように、射出成形により成形品を作成する。その後、当該成形品の評価を行う。

この際、図２５に示すように、射出成形品４５０には、前記第３の実施の形態の基材同様の構成が完成される。具体的には、図２５に示すように、基材４５０の一方の曲面部にホログラム４５２、基材４５０の他方の曲面部にブレーズ状の回折格子構造４５６が形成される。そして、Ｊ部を拡大して示すと、ホログラム構造４５２を構成する凹部４５２ｂ、凸部４５２ａが各々構成されることとなる。

さらに、Ｆ部を拡大した図においては、ホログラム構造４５２の凸部４５２ａは、第１の幅ｄ１を有する凸部４５２ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部４５２ｂを有し、間隔をおいて複数形成される。

また、他方の曲面部上においては、回折格子構造たるブレーズ４５６が形成されており、Ｗ３部を拡大して示すと、側壁部４５６ａ及び傾斜部４５６ｂよりなるブレーズ４５６が構成されることとなる。

以上のように本実施の形態によれば、３次元描画装置を用いて第１の基材の曲面部に対してホログラム構造を描画し、この第１の基材に基づいて第１の金型を作成する一方、第２の基材の曲面部に対して回折格子構造たるブレーズ形状を描画し、この第２の基材に基づいて第２の金型を作成し、この第１、第２の金型を相対応して配置して射出成形を行うことにより、基材の一方の曲面部上にホログラム構造を形成し、基材の他方の曲面部上に回折格子構造たるブレーズ形状を形成した一つの基材を構成することができる。

なお、上記実施の形態においては、回折格子構造を形成する形成面を曲面部上としてが、平面部上に回折格子構造を構成する場合であってもよい。また、ホログラム構造を平面部上に構成する場合であってもよい。

このようにして、光学素子を金型を用いて射出成形により製造できるため、製造にかかるコストダウンを図ることができる。また、金型としてホログラム構造、回折格子構造を持った構造を附加することにより、レンズを射出成形する際に、同時に機能附加でき、プロセスの追加の必要がない。このため、金型自体のコストアップ、ショット可能数（１００万回程度）が増大するものの、従来のようにレンズ１つ１つに蒸着プロセスを実施する場合に比べると大幅なコストダウン、工数の低減を図ることができる。

さらに、プラスチックレンズの射出成型の過程で、ホログラム構造、回折格子構造を同時に作り込むことができるので、光学部品の低コスト化につながる。

［第５の実施の形態］
次に、本発明にかかる第５の実施の形態について、図２６〜図２７に基づいて説明する。図２７は、本発明に係る第５の実施の形態を示す図である。

本実施の形態においては、上述の第１又は第３の実施の形態にて開示された基材（ないしは射出成形により樹脂成形された成形品である光学素子）の一方の面、あるいは他方の面、もしくは一方および他方の面に反射防止構造を形成する場合について開示してある。つまり、一方の曲面部のホログラム構造に反射防止構造を設け、他方の曲面部のブレーズ状の回折格子構造に反射防止構造を設けた場合を例示している。

（構成説明）
具体的には、図２６に示すように、基材４６０の一方側の曲面部上においては、Ｊ部分を拡大してみると、基材４６０は、複数の凹凸からなるホログラム構造４６２が形成されている。なお、基材４６０としては、光学素子例えば、ピックアップレンズ等にて構成することが好ましい。

ホログラム構造４６２は、該曲面部４６０ａに入射する光は透過し、出射する光を、０次、１次、―１次の各光に回折偏光分離する機能を有し、凸部４６２ａと凹部４６２ｂとを有する。

より詳細には、図２６に示すＦ部を拡大した図に示すように、ホログラム構造４６２は、第１の幅ｄ１を有する凸部４６２ａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する凹部４６２ｂを有し、間隔をおいて複数形成される。なお、周期内の構造を非対称にすることにより、垂直に出射する光に対して偏光分離を行うことができる。

本実施の形態の基材４６０では、曲面部４６０ａ上にこのような周期構造を構成することにより、当該構造を透過する光を、０次透過光、１次回折光、―１次回折光に分離することが可能となる。

ここに、図２６におけるｄ１、ｄ２、ｄ３の具体的な数値としては、例えば、基材２の屈折率ｎ＝１．４７５、波長を４００ｎｍとすると、ｄ１＝２００―０．３６×２００ｎｍ、ｄ２＝０．３６×２００ｎｍ、ｄ３＝２３２０ｎｍとするのが好ましい。

さらに加えて、凸部４６２ａの頂部ならびに凹部４６２ｂの底壁部には、各々曲面部４６０ａより入射する光の反射を防止する反射防止構造４６２ｂａが各々形成されている。この反射防止構造４６２ｂａは、構造性複屈折される複数の凹凸からなる形状とすることが好ましく、本実施の形態においては、例えば、複数の孔部４６２ｂｂにより形成されている。この孔部４６２ｂｂは、深さ方向に向かうに従い先細る形状であり、孔部４６２ｂｂの開口径は、サブミクロン単位に形成され、曲面部４６０ａの面積に対する孔部４６２ｂｂの面積比は、略３０％程度に形成されている。

なお、本実施の形態では、反射防止構造として、複数の孔部を設ける例について説明したが、このような形状に限定されるものではなく、反射防止構造を例えば複数の凸部形状にて形成する場合は、前記孔部と凸部とを組み合わせた例であってもよい。

一方、基材４６０の他方の曲面部側には、複数のブレーズからなる回折格子構造４６４が形成されている。

回折格子構造４６４のブレーズは、傾斜部４６４ｂ及び側壁部４６４ａを形成し、当該側壁部４６４ｂは、周方向に沿って平面状に複数形成されている。

より詳細には、図２７に示すように、基材４６０の他方の曲面部上には、回折格子を傾けて各ピッチＬ１毎に形成し、この回折格子の少なくとも１ピッチＬ１に、当該ピッチの区切り目位置にて前記曲面部より立ち上がる側壁部４６４ａと、隣接する各側壁部４６４ａ、４６４ａ間に形成された傾斜部４６４ｂと、側壁部４６４ａと傾斜部４６４ｂとの境界領域に形成された溝部４６４ｃとが形成されている。なお、この回折格子構造は、曲面部上に塗布された塗布剤（レジスト）を描画することにより形成されることが好ましい。

図２６に説明を戻すと、傾斜部４６４ｂには、該傾斜部４６４ｂより入射する光の反射を防止する反射防止構造４６４ｂａが形成されている。この反射防止構造４６４ｂａは、構造性複屈折される複数の凹凸からなる形状とすることが好ましく、本実施の形態においては、例えば、複数の孔部４６４ｂｂにより形成されている。この孔部４６４ｂｂは、深さ方向に向かうに従い先細る形状であり、孔部４６４ｂｂの開口径は、サブミクロン単位に形成され、傾斜部４６４ｂの面積に対する孔部４６４ｂｂの面積比は、略３０％程度に形成されている。

なお、本実施の形態では、反射防止構造として、複数の孔部を設ける例について説明するが、このような形状に限定されるものではなく、反射防止構造を例えば複数の凸部形状で形成する場合は、前記孔部と凸部とを組み合わせた例であってもよい。

ここで、サブ波長構造をもつ周期格子は光波の透過、反射特性に強く影響するが、微小凹凸により反射防止効果を引き出すことができる。すなわち、光の反射は、屈折率の急激な変化により生じるが、平均屈折率は、前記テーパにより基材２の厚さ方向に対して徐々に変わっているため、連続的に屈折率は変化し、光が殆ど反射されない構成となる。

これにより、高密度な回折格子構造はそのままでは表面反射が大きくなるが、サブ波長オーダーの光の集団的な作用により、前記反射防止構造４６４ｂａ、４６２ｂａとして、連続的な屈折率分布をもたせる事により、反射を防止させることができる。

このように、３次元的な描画で回折格子を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーのクラスター構造を描画し、前記基材２に表面反射を防止する構造を形成することにより、金型形状として反射防止構造を成形させる際に、コストを大幅に低減させることを可能にする。

また、高密度化に伴い、曲面部の曲率が大きくなったとしても、周辺部での表面反射を低減し、偏向の向きによる透過率の違いも低減できる。これにより、検出信号の読み取り処理においてピックアップ機能の低下が生じない。

さらに、ＤＶＤ、ＣＤ互換、収差補正のために、回折格子を付与したものに関しても、格子密度による入射角度の増大に起因するピックアップ機能の低下を取り除くことができる。

（処理工程）
次に、前記のような構造を有する基材において、曲面部上のホログラム構造に反射防止構造を電子ビームにより描画する場合の処理手順について、図２８ないし図２９を用いて説明する。

なお、基材の曲面部上にホログラム構造を形成する場合や、基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する場合の基本的な描画手順に関しては、前記第１の実施の形態と同様なので、ここでは、反射防止構造を形成する点を中心に説明することとする。

つまり、前記第１の実施の形態の図１６のＳ１０１から図１８のＳ１１３までは同様であり、前記第１の実施の形態に示したＳ１１４、Ｓ１１５を以下のように行うことが好ましい。

すなわち、対象とする同一焦点深度内について、一番外側（ｎ番目）のラインのドーズ量及び多角形の始点、終点の計算をする。なお、スタート（始点）、エンド（終点）は、隣のフィールドとのつなぎ点とする（Ｓ２１４）。この際、始点、終点は整数にするものとし、ドーズ量は、ラジアル位置（入射角度）で決まった最大ドーズ量と格子の位置で決められた係数に最大ドーズ量を掛け合わせたもので表される。

次いで、Ｓ２１４で与えられたドーズによって決定される、ドーズ分布ＤＳ（ｘ、ｙ）で、面積比Ｓ％の領域にドーズを重ねて与える（Ｓ２１５）。この際、近接効果を含め、この追加ドーズの広がりは、ブレーズの斜面（傾斜部）に収まるようにする。また、斜面（傾斜部）のうち浅い部分（頂部）については、ドーズ分布ＤＳは、ブロード、深い部分（溝部）はシャープにし、例えば、図２９（Ｂ）に示すようなドーズ分布とするのが好ましい。

これにより、当該ドーズ分布を与えることにより、回折格子構造の描画と反射防止構造の描画とをほぼ同時に（１回の走査によってともに）描画することができる。そして、上記Ｓ２１３からＳ２１５を規定回数実施する（Ｓ２１６）。

次に、ＸＹＺステージの移動、次のフィールドの描画を行う準備を行う（Ｓ２１７）。この際、フィールド番号、時間、温度などデータベース（ＤＢ）への登録を行う。

このようにして、前記Ｓ１０９、Ｓ１１０（図１８）、Ｓ２１１からＳ２１７を規定回数実施する（Ｓ２１８）ことで、電子ビームにより曲面部に回折格子構造を有する基材への反射防止構造（クラスター）の形成を行うことができる
以上のように本実施の形態によれば、高密度な回折格子構造はそのままでは表面反射が大きくなるが、サブ波長オーダーの光の集団的な作用により、曲面部上にホログラム構造、あういは回折格子構造を有する基材上に前記反射防止構造として、連続的な屈折率分布をもたせる孔部を形成することにより、反射を防止させることができる。

また、高密度化に伴い、曲面部の曲率が大きくなったとしても、周辺部での表面反射を低減し、偏向の向きによる透過率の違いも低減できる。これにより、検出信号の読み取り処理においてピックアップ機能の低下が生じない。

さらに、ＤＶＤ、ＣＤ互換、収差補正のために、回折格子を付与したものに関しても、格子密度による入射角度の増大に起因するピックアップ機能の低下を取り除くことができる。

なお、前記反射防止構造としては、上述したように種々のものが考えられるが、特に深さ方向に向かうに従い先細るテーパを有する孔部を複数形成し、面積比を傾斜部の３０％程度とすることが、表面反射率の低減に顕著となる。

［第６の実施の形態］
次に、本発明にかかる第６の実施の形態について、図３０〜図３１に基づいて説明する。

上述の第５の実施の形態では、電子ビームにより基材上に反射防止構造を含むホログラム構造、回折格子構造などの精密加工を施す工程を開示したが、本実施の形態では、上記工程を含むプロセス全体の工程、特に、光学素子等の光レンズを射出成形によって製造するための金型等を製造する工程を説明する。

先ず、機械加工により金型（無電解ニッケル等）の非球面加工を行う（加工工程）。次に、図３０（Ａ）に示すように、金型により前記半球面を有する基材５００の樹脂成形を行う（樹脂成形工程）。さらに、基材５００を洗浄した後に乾燥を行う。

次いで、樹脂の基材５００の表面上の処理を行う（樹脂表面処理工程）。具体的には、図３０（Ｂ）に示すように、基材５００の位置決めを行い、レジストＬを滴下しつつスピナーを回転させて、スピンコートを行う。また、プリペークなども行う。

スピンコーティングの後には、当該レジスト膜の膜厚測定を行い、レジスト膜の評価を行う（レジスト膜評価工程）。そして、図３０（Ｃ）に示すように、基材５００の位置決めを行い、当該基材５００をＸ、Ｙ、Ｚ軸にて各々制御しつつ前記第５の実施の形態のように３次元の電子ビームにより反射防止構造含むブレーズ状の回折格子構造５０２を有する曲面部の描画を行う（描画工程）。

次に、基材５００上のレジスト膜Ｌの表面平滑化処理を行う（表面平滑化工程）。さらに、図３０（Ｄ）に示すように、基材５００の位置決めなどを行いつつ、現像処理を行う（現像工程）。さらにまた、表面硬化処理を行う。

次いで、ＳＥＭ観察や膜厚測定器などにより、レジスト形状を評価する工程を行う（レジスト形状評価工程）。

さらに、その後、ドライエッチングなどによりエッチング処理を行う。この際、回折格子構造５０２のＤ部を拡大すると、傾斜部５０２ｂ及び側壁部５０２ａからなる複数のブレーズにて回折格子構造が形成されており、さらに傾斜部５０２ｂには、深さ方向に向かうに従い先細るテーパを有した複数の孔部５０２ｂｂからなる反射防止構造が形成される。この複数の孔部５０２ｂｂは、傾斜部５０２ｂの面積の約３０％（さらに好ましくは、ほぼ２０％〜４０％の範囲）を形成している。このブレーズは、周辺部に向かうに従い回折格子面の角度が急となるため、孔部のテーパの角度も回折格子面の角度変化に応じて変化する角度にて形成することが好ましい。

次に、表面処理がなされた基材５００に対する金型５０４を作成するために、図３１（Ａ）に示すように、金型電鋳前処理を行った後、電鋳処理などを行い、図３１（Ｂ）に示すように、基材５００と金型５０４とを剥離する処理を行う。

表面処理がなされた基材と剥離した金型５０４に対して、表面処理を行う（金型表面処理工程）。そして、金型５０４の評価を行う。

この際、金型５０４には、Ｗ４部を拡大して示すと、前記基材４００のブレーズに対応するように、凹部５０５が形成され、これら各凹部５０５には、前記基材４００の傾斜部５０２ｂの孔部形状に対応するように、複数の凸部５０６が形成されることとなる。

このようにして、評価後、当該金型５０４を用いて、図３１に示すように、射出成形により成形品を作成する。その後、当該成形品の評価を行う。

この際、図３１（Ｃ）に示すように、射出成形品５１０には、前記第５の実施の形態の基材同様の構成が完成され、曲面部上に複数のブレーズからなる回折格子構造５１１が形成される。そして、Ｗ５部を拡大して示すと、回折格子の１つのピッチが側壁部５１２ｂ及び傾斜部５１２ａからなるブレーズを構成し、この傾斜部５１２ａには、サブミクロン単位の径を有する複数の孔部５１３からなる反射防止構造が構成される。

以上のように本実施の形態によれば、前記第５の実施の形態の基材として光学素子（例えばレンズ）を形成する場合に、３次元描画装置を用い回折格子を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーのクラスター構造を描画し、金型形状として反射防止構造を成形させる様にし、当該光学素子を金型を用いて射出成形により製造できるため、製造にかかるコストダウンを図ることができる。

また、金型として反射防止機能を持った構造を附加することにより、レンズを射出成形する際に、同時に機能附加でき、プロセスの追加の必要がない。このため、金型自体のコストアップ、ショット可能数（１００万回程度）が増大するものの、従来のようにレンズ１つ１つに蒸着プロセスを実施する場合に比べると大幅なコストダウン、工数の低減を図ることができる。

さらに、プラスチックレンズの射出成型の過程で、反射防止用の微細構造を同時に作り込むことができるので、誘電体の蒸着工程が不要になり、光学部品の低コスト化につながる。

特に、回折格子構造を持たない、射出成形で作成されるレンズにも適用でき、蒸着などのステップを除くことにより、大幅なコスト低減を行うことが可能である。

［第７の実施の形態］
次に、本発明にかかる第７の実施の形態について、図３２に基づいて説明する。上述の実施の形態では、一方の曲面部にホログラム構造が形成されることを前提として、他方の平面又は曲面部に凹凸からなる複屈折位相構造たる波長板機能を形成する場合、ブレーズ状の回折格子構造を形成する場合について例示したが、他方の面側に、偏光分離構造を形成する場合であってもよい。

具体的には、図３２に示すように、一方の曲面部上にホログラム構造を有する基材６０２上に描画される描画パターンの一例として円描画が開示されており、被描画面に曲面部６０２ａを有する描画部分の一部であるＥ部分を拡大してみると、基材６０２は、複数の凹凸からなる偏光分離構造６０３が形成されている。

偏光分離構造６０３は、該曲面部６０２ａに入射する光もしくは出射する光を、該光の進行方向と交差する面内で少なくとも互いに垂直な方向に振動する二つの偏光成分、ＴＥ波、ＴＭ波に偏光分離する機能を有し、凸部６０３ａと凹部６０３ｂとを有する。

より詳細には、図３２に示すＦ部を拡大した図に示すように、偏光分離構造６０３の凸部６０３ａは、第１の幅ｄ１を有する第１の凸部６０３ａａと、前記第１の幅ｄ１と異なる第２の幅ｄ２を有する第２の凸部６０３ａｂを有し、第１、第２の凸部６０３ａａ、６０３ａｂとが間隔をおいて複数形成される。そして、第１の凸部６０３ａａと第２の凸部６０３ａｂの間には、幅狭の第１の凹部６０３ｂａ、幅広の第２の凹部６０３ｂｂが形成され、この第１、第２の凹部６０３ｂａ、６０３ｂｂとで凹部６０３ｂを構成する。なお、これら第１、第２の凸部６０３ａａ、６０３ａｂは、各々高さｄ４に形成され、第１の凸部６０３ａａ、第２の凸部６０３ａｂ、第１の凹部６０３ｂａ、第２の凹部６０３ｂｂを一つの長さｄ３を単位として、複数の周期構造が構成されることとなる。なお、周期内の構造を非対称にすることにより、垂直に入射する光に対しても偏光分離を行うことができる。

本実施の形態の基材６０２では、曲面部６２ａ上にこのような周期構造を構成することにより、当該構造を透過する光を、ＴＥ波（進行方向に垂直な面内において磁界成分を有しない電界成分のみの波）、ＴＭ波（進行方向に垂直な面内において電界成分を有しない磁界成分のみ波）、に分離することが可能となる。

ここに、図３２におけるｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の具体的な数値としては、例えば、基材６０２の屈折率ｎ＝１．９２、波長をλとすると、ｄ１＝０．２５λ、ｄ２＝０．３９λ、ｄ３＝２λ、ｄ４＝１．２２λとするのが好ましい。

このように、曲面部６０２ａ上において、図３２に示すような形状の凹凸による偏光分離構造６０３を構成することにより、光をＴＥ波、ＴＭ波に偏光分離することが可能になる。なお、厳密には、ＴＥ波、ＴＭ波の透過率の配分比は、例えば、１次では、ＴＥ波が０．５７５で、ＴＭ波が０．０３６となり、０次では、ＴＥ波が０．０３１で、ＴＭ波が０．５７４となり、―１次では、ＴＥ波が０．０３６で、ＴＭ波が０．０１６となるが、―１次は無視し得るほど小さいので問題とはならない。

以上のように、３次元的な描画で曲面部を描画する際にあわせ、サブ波長オーダーの凹凸による周期構造を描画し、前記基材に偏光分離構造を形成することにより、最終的に、一面に偏光分離構造を備えた光レンズなどを形成することも可能となることから、従来の偏光分離素子に変えて各種機器に適用することもできよう。

というのも、前記基材に基づいて金型を構成することにより、射出成形による最終成形品として偏光分離構造を有した素子を、順次量産できるからである。従って、従来のように、偏光分離素子を一つ一つ形成する際の各プロセスにおける手間、時間を鑑みると、製造コストの大幅な低減並びに生産性の向上を図ることができる。

［第８の実施の形態］
次に、本発明にかかる第８の実施の形態について、図３３に基づいて説明する。図３３は、本発明に係る第８の実施の形態を示す機能ブロック図である。

本実施の形態においては、上述の電子ビーム描画装置にて描画された被描画基材（基材）（ないしは射出成形により樹脂成形された成形品である光学素子）を用いた電子機器の一例である光ピックアップ装置の一例を開示している。

図３３において、光ピックアップ装置７００は、不図示の半導体レーザー、ＤＶＤ、ＣＤ等の光磁気ディスク７０１（光磁気記録媒体）、一方の面にホログラム構造７０３他方の面に複屈折位相構造たる波長板構造７０４を備えた樹脂製の前記第１の実施の形態と同様の構成の対物レンズ７０２、多分割光検出器７１０を有する。

なお、対物レンズ７０２の波長板構造７０４は、例えば１／４波長板と同等の機能を備えている。

上記のような構成を有する光ピックアップ装置７００において、不図示の半導体レーザーからのレーザー光は、対物レンズ７０２よって回折限界まで集光されて光磁気ディスク７０１（光磁気記録媒体）に照射され、記録信号をピックアップして反射される。光磁気ディスク７０１からのレーザー反射光は、対物レンズ７０２に入光して平行光となり、波長板構造７０４を透過し偏光方位を変えた後、ホログラム構造７０３に入射し、このホログラム構造７０３にて常光は０次回折光として透過し、波長板構造７０４を透過してホログラム構造７０３に入射する入射光の偏光光は１次回折光、―１次回折光として回折して、０次、１次、―１次の各回折次数の３つの光束に分光され、多分割光検出器７１０に各々入射する。

多分割光検出器７１０の分離受光領域（受光素子）には、各々のスポットＦ、Ｔ、Ｓが形成され、１次回折光がＦ領域に入力することで焦点誤差（フォーカシング：ＦＥ＜Ｆｏｃｕｓｉｎｇ Ｅｒｒｏｒ＞）を検出し、０次透過光がＴ領域に入力することおよびー１次回折光がＳ領域に入力することによりトラッキング誤差を検出するように構成される。

なお、３つの各検出系は、具体的には、Ｆ領域（焦点誤差検出部）において、前記＋１次回折光に基づいて、ＳＳＤ法によりＦ１とＦ２の差動信号であるＦＥ＝Ｆ１―Ｆ２なる焦点誤差信号が算出され、これに基づいて焦点誤差が算出される。

さらに、Ｔ領域（第１トラッキング誤差検出部）においては、０次透過光に基づいて、ＦＦ法によりＴＥ１＝Ｔ１＋Ｔ２―（Ｔ３＋Ｔ４）なる第１トラッキング誤差信号が算出される。

一方、Ｓ領域（第２トラッキング誤差検出部）においては、―１次回折光に基づいて、ＣＦＦ法によりＴＥ２＝Ｓ１―Ｓ２なる第２トラッキング誤差信号が算出される。

そして、以上の第１トラッキング誤差信号ＴＥ１と、第２トラッキング誤差信号ＴＥ２とに基づいて、演算部にてＭＣＦＦ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｃｏｒｒｅｃｔ ＦａｒＦｉｅｌｄ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）法によりＴＥ＝（ＴＥ１―ＴＥ２）／ｍなるトラッキング誤差信号が算出され、これに基づいてトラッキング誤差が算出される。

このように、０次、―１次、１次の各回折次数の光が各々焦点誤差、トラッキング誤差それぞれの誤差検出信号に用いられる。

以上のように本実施の形態においては、一面にホログラム構造、他方の面に波長板構造を備えた（一体形成された）光レンズを用いることにより、従来のような専用のホログラム板や波長板を使用する必要がなく部材点数、取付部品数を低減して大幅なコストダウンを図ることができる。

また、ホログラム板や波長板などの配設が不要となるために、部材配設の占有空間が低減され、光ピックアップ装置の小型化を図ることができ、さらには、ピックアップ装置の光学系にかかる調整が不要となる。

さらには、光ピックアップ装置においては、小型一体化を容易にし、トラッキング機構を単純化できる。

なお、上述の実施の形態においては、対物レンズの他方の面側に波長板構造を構成する場合について例示したが、前記波長板構造を設けない構成としてもよい。

また、０次光、―１次光をトラッキング、１次光をフォーカシングに利用する構成としたが、０次、―１次、１次の各光をいずれの機能に割り当てるかは任意である。

さらに、焦点誤差およびトラッキング誤差に限らず、カー信号読み取りと焦点誤差およびトラッキング誤差を検出するような他の種々の手法による光検出器の構成であってもよい。

［第９の実施の形態］
次に、本発明にかかる第９の実施の形態について、図３４に基づいて説明する。図３４は、本発明に係る第９の実施の形態を示す機能ブロック図である。

本実施の形態においては、上述の各実施の形態ないしはその変形例による基材（ないしは射出成形により樹脂成形された成形品である光学素子）を用いた電子機器の一例である光ピックアップ装置の一例を開示している。

図３４において、光ピックアップ装置８６０は、半導体レーザー８６１、コリメートレンズ８６２（第１の光学素子）、分離プリズム８６３、対物レンズ８６４（第２の光学素子）、ＤＶＤ、ＣＤ等の光磁気ディスク８６５（光磁気記録媒体）、集光レンズ８６６、分割光検出器８６８を有する。

このうち、本実施の形態においては、前記実施の形態のホログラム構造を含む光学素子を、（曲面部の有無は問わない）例えば、コリメータレンズ８６２に、上述の実施の形態の一面に複屈折位相構造（波長板の機能）を含む光学素子を、例えば、対物レンズ８６４に適用している。すなわち、コリメータレンズ８６２は、ホログラム構造８６２ａを有し、対物レンズ８６４は、波長板構造８６４ａを有する。

上記のような構成を有する光ピックアップ装置８６０において、半導体レーザー８６１からのレーザー光は、コリメータレンズ８６２で平行光となる。この際、ホログラム構造８６２ａにて、０次、１次、―１次の各回折次数の光に分離される。これら光を含む平行光は、分離プリズム８６３を透過し、対物レンズ８６４によって回折限界まで集光されて光磁気ディスク８６５（光磁気記録媒体）に照射される。

この際、光磁気ディスク８６５には、図３５に示すような、０次、１次、―１次の各光がピット又はランド上に照射される。

光磁気ディスク８６５からの０次、１次、―１次のレーザー反射光は、対物レンズ８６４に入光して再び平行光となる。この際、波長板構造８６４ａにより、偏光方位を所定角度にて回転した後、分離プリズム８６３にて反射され、それぞれ集光レンズ８６６によって集光されて、０次、１次、―１次の各回折次数の光が分割光検出器８６８の分離受光領域（受光素子）にそれぞれのスポットを形成する。

このようにフォーカシング、トラッキングの各制御などに利用する各光を生成するための光学系に前記構造を利用することができる。

なお、対物レンズ８６４に回折格子構造をも構成することにより、互換性のあるＣＤ、ＤＶＤ互換における収差補正を行うことも可能である。この場合、回折格子構造たるブレーズが曲面部の周囲に向かうに従い、急となる構成とすることにより、格子密度による入射角度の増大に起因するピックアップ機能の低下を取り除くことができる。

以上のように本実施の形態においては、一面にホログラム構造、他方の面に波長板構造を備えた（一体形成された）光レンズを用いることにより、従来のような専用のホログラム板や波長板を使用する必要がなく部材点数、取付部品数を低減して大幅なコストダウンを図ることができる。

また、ホログラム板や波長板などの配設が不要となるために、部材配設の占有空間が低減され、光ピックアップ装置の小型化を図ることができ、さらには、ピックアップ装置の光学系にかかる調整が不要となる。

さらには、光ピックアップ装置においては、小型一体化を容易にし、トラッキング機構を単純化できる。

なお、本発明にかかる装置と方法は、そのいくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、当業者は本発明の主旨および範囲から逸脱することなく本発明の本文に記述した実施の形態に対して種々の変形が可能である。

例えば、上述の各実施の形態では、一面に曲面部を有する基材の曲面部上にホログラム構造あるいは複屈折位相構造を形成する場合について説明したが、一面が平面の基材上に形成する場合であってももちろんよい。さらに、これに限らず、平面部上に回折格子を形成する場合も含む。

さらに、上述の実施の形態では、光レンズ等の光学素子の基材を、直接描画する場合について説明したが、樹脂等の光レンズを射出成形により形成するための成形型（金型）を加工する場合に、上述の原理や処理手順、処理手法を用いてもよい。

また、基材としては、ＤＶＤやＣＤなどに用いられるピックアップレンズの例を開示したが、一方の一面に回折格子のない対物レンズ、回折格子ピッチ２０μのＤＶＤ―ＣＤ互換レンズ、回折格子ピッチ３μの高密度ブルーレーザー互換対物レンズなどに適用することも可能である。

さらに、基材として光学素子を用いる場合に、当該基材を有する電子機器としては、上述したＤＶＤ、ＣＤ等の読取装置に限らず、多の種々の光学機器ないしは電子機器であってもよい。つまり、前記のような構成の光ピックアップ装置に限らず、種々の光学機器ないしは電子機器にも応用することが可能であり、対物レンズに限定されるものではなく、他の種々のレンズ、例えば、集光レンズ、シリンドリカルレンズ等に各種のホログラム構造、あるいは、波長板構造、回折格子構造を形成する場合であってももちろんよい。この場合、光ピックアップ装置を含む光磁気ディスク装置に利用される光学系の構成としては、再生専用形、追記形、書換形等のいずれであってもよい。またさらに、フォーカシング誤差信号の検出には、非点収差法、フーコー法（ナイフエッジ法）、ビームサイズ法、臨界角法などにいずれであってもよい。トラッキング誤差信号の検出も３ビーム方式であっても、連続サーボ方式やサンプルサーボ方式のいずれでも構わない。

また、少なくとも曲面部を有する基材に対して、回折格子の少なくとも１ピッチ部分を傾けて形成する場合、基材に少なくとも溝部（あるいは稠密なピッチで溝部が形成される場合）を有する構成であってもよい。さらに、基材としては、曲面部を有しなくとも、少なくとも傾斜面が形成されているものであってもよい。また、基材が平面あるいは傾斜面であって、電子ビームを所定角度で傾斜した状態で照射する場合であってもよい。

また、基材上の複数の基準点を測定し、この測定結果に基づき基準座標系を算出し、この座標系をもとに基材の厚み分布を測定するステップを、電子ビーム照射中に行う構成としてもよい。さらに、厚み分布に基づき、最適焦点位置を算出する算出ステップ並びに描画位置に当該焦点位置を合わせるように調整するステップを、電子ビーム照射中に行う構成としてもよい。この場合、ある一の描画位置にて描画を行っている電子ビーム照射中に、他の描画位置での前記焦点位置の算出等の演算処理を行いつつ、次に電子ビーム照射に備える構成とすることが好ましい。また、電子ビーム照射中に算出ステップにて算出できるものとしては、基材の厚み分布の他、厚み分布の補正等の処理も含まれる。

また、基材の一方の面にホログラム構造、基材の他方の面に複屈折位相構造ないしは回折格子構造を形成する際に、第１、第２の基材、第１、第２の金型を用いる場合について例示したが、一つの厚みのある基材に対して一方の面に描画した後他方の面を描画し、一つに基材に対して金型を作成して製造する場合であってもよい。

また、上述の実施の形態では、一方の曲面部上にホログラム構造を形成し、他方の曲面部上にブレーズ状の回折格子構造を形成した場合において、前記ホログラム構造および前記回折格子構造上に各々反射防止構造を含む構成としたが、これに限らず、一方の曲面部上にホログラム構造を形成し、他方の曲面部上に複屈折位相構造たる波長板機能を形成した場合において、前記ホログラム構造および前記複屈折位相構造のいずれか一方又は双方に前記反射防止構造を含む構成としてもよい。特に、ブレーズにあっては傾斜部に、該傾斜部より入射する光の反射を防止する反射防止構造を形成し、バイナリーにあっては、凸部頂部および凹部底壁部に各々反射防止構造を形成することが好ましい。

なお、前記実施の形態においては、基材の一方の面にホログラム構造、基材の他方の面に回折格子構造を構成する場合について例示したが、当然のことながら、基材の一方の面に複屈折位相構造、基材の他方の面に回折格子構造を構成する場合であっても、もちろんよい。

さらに、一方の面は曲面で他方の面は平面でもよい。また、上述の各実施の形態では、一面に曲面部を有する基材の曲面部上に回折格子構造を形成する場合について説明したが、一面が平面の基材上に回折格子構造を形成する場合であってももちろんよい。

また、凹凸は、両面ともバイナリー構造であることが好ましいが、他方の面は、ブレーズであってもよい。

くわえて、少なくとも一方の面は曲面で、その曲面には何らかの微細構造を有し、表裏いずれかの面にホログラム構造を有すればよい。この際、光学素子としては、一面にホログラム構造を有していればよく、他方の面は、通常の曲面、平面、あるいは、回折格子構造、偏光板機能、波長板機能、等を有する面を備えた光学素子として形成するかは任意である。

当然のことながら、これら基材ないしは光学素子の形状に応じて金型の形状もそれに対応すうよう変更する必要がある。

加えて、上述した電子ビーム描画装置に限らず、複数の各電子ビームにより各々独立して多重描画可能に構成した場合であってもよい。例えば、基材上の一方の描画線を描画しつつ、他方の描画線を描画可能に形成する構成において、上述の描画手法を適用してもよい。

また、本発明において、「ホログラム構造」として、０次、―１次、１次の３つの回折次数に偏光分離するような場合を例に説明したが、任意の回折次数（例えば３以上）に偏光分離するように構成してももちろんよい。その場合、回折次数をｍ、格子の面内ピッチｄ、入射光の進行方向が格子面の法線となす角をθｉ、ｍ次回折光の進行方向が格子面の法線となす角θｄである際に、ｍ＝ｄ（ｃｏｓθｉ＋ｃｏｓθｄ）／λとすることが好ましい。なお、本発明にいう「ホログラム構造」とは、いわゆるホログラム板（０次、１次、―１次光を偏光分離する）としての機能のみならず、上述したような任意の回折次数の偏光分離を行う機能や球面波などを生成する機能等を含んでよい。

また、ホログラム構造を、バイナリーパターンとブレーズとを組み合わせて構成する（例えば、傾斜部及び側壁部と・凹部底壁・傾斜部及び側壁部が繰り返される構成）ようにしてもよい。

さらに、上記実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含むことは言うまでもない。この場合において、本実施形態において特に記載しなくとも、各実施の形態及び変形例に開示した各構成から自明な作用効果については、当然のことながらその例においても当該作用効果を奏することができる。また、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成であってもよい。

そして、これまでの記述は、本発明の理解を容易にするために、本発明の実施の形態の一例を開示したものであり、前記実施の形態は例証するものであり制限するために記載されたものではなく、所定の範囲内で適宜変形及び／又は変更が可能である。従って、上記の実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物を含む趣旨である。

本発明の実施の形態にかかる基材（光学素子）の概略構成の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態にかかる基材（光学素子）のホログラム構造の概略構成の一例を示す説明図である。 本発明の実施の形態にかかる基材（光学素子）の複屈折位相構造（波長板構造）の概略構成の一例を示す説明図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、波長板構造によって生成される入射角０度のＴＭ波、ＴＥ波の特性を示す説明図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、波長板構造によって生成される入射角２４度のＴＭ波、ＴＥ波の特性を示す説明図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、波長板構造によって生成される入射角４６度のＴＭ波、ＴＥ波の特性を示す説明図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、ホログラム構造の他の態様例を説明するための説明図であり、（Ａ）は光学系の回折次数を説明するための原理説明図、（Ｂ）は、構造断面図である。 図７のホログラム構造によって生成されるＴＥ波の特性を示すための説明図である。 図７のホログラム構造によって生成されるＴＭ波の特性を示すための説明図である。 ホログラム構造のさらに他の態様例を説明するための説明図である。 本発明の電子ビーム描画装置の全体の概略構成を示す機能ブロック図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、図１１の電子ビーム描画装置にて描画される基材を示す説明図であり、同図（Ｃ）は、描画原理を説明するための説明図である。 測定装置の原理を説明するための説明図である。 同図（Ａ）〜（Ｃ）は、基材の面高さを測定する手法を説明するための説明図である。 電子ビーム描画装置のさらに詳細な制御系の構成の一例を示す機能ブロック図である。 本発明の電子ビーム描画装置にて基材を描画する場合の処理手順を示すフローチャートである。 本発明の電子ビーム描画装置にて基材を描画する場合の処理手順を示すフローチャートである。 本発明の電子ビーム描画装置にて基材を描画する場合の処理手順を示すフローチャートである。 同図（Ａ）〜（Ｄ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 同図（Ａ）（Ｂ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 同図は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態にかかる基材の概略構成の一例を示す説明図である。 同図（Ａ）〜（Ｄ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 同図（Ａ）〜（Ｃ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 同図は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態にかかる基材の概略構成の一例を示す説明図である。 図２６の基材の詳細を示す説明図である。 本発明の電子ビーム描画装置にて基材を描画する場合の処理手順を示すフローチャートである。 同図（Ａ）は、描画パターンを示し、同図（Ｂ）は、ドーズ分布を示す説明図である。 同図（Ａ）〜（Ｄ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 同図（Ａ）〜（Ｃ）は、基材を用いて成形用の金型を形成し、基材を製造する場合の全体の処理手順を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態にかかる基材の一面における概略構成の一例を示す説明図である。 本発明の基材（光学素子）を利用した光ピックアップ装置の概略構成の一例を示す説明図である。 本発明の基材（光学素子）を利用した光ピックアップ装置の概略構成の一例を示す説明図である。 図３４の光ピックアップ装置内の光磁気ディスクと照射されるレーザー光との位置関係を示す説明図である。 従来の光ピックアップ装置の概略構成を概念的に示した説明図である。

符号の説明

２ 対物レンズ（光学素子ないしは基材）
２ａ 曲面部（一方の面側）
２ｄ 曲面部（他方の面側）
３ ホログラム構造
３ａ 凸部
３ｂ 凹部
４ 波長板構造
４ａ 凸部
４ｂ 凹部
８０ 基材
４２０ 基材
４６０ 基材
７００ 光ピックアップ装置
７０１ 光磁気ディスク
７０２ 対物レンズ（光学素子）
７０３ ホログラム構造
７０４ 波長板構造
７１０ 多分割光検出器
８６０ 光ピックアップ装置
８６２ コリメートレンズ（第１の光学素子）
８６３ 分離プリズム
８６４ 対物レンズ（第２の光学素子）
８６５ 光磁気ディスク
８５５ 集光レンズ
８６８ 分割光検出器
１０００ 電子ビーム描画装置 １００２ 基材（被描画基材）
１００２ａ 曲面部
１０１０ 鏡筒
１０１２ 電子銃
１０１４ スリット
１０１６ 電子レンズ
１０１８ 仕切弁
１０１９ コイル
１０２０ 偏向器 １０２２ 電子レンズ
１０２３ 対物レンズ
１０３０ ＸＹＺステージ（載置台）
１０４０ ローダ
１０５０ ステージ駆動手段
１０６０ ローダ駆動装置
１０７０ 真空排気装置
１０８０ 第２の測定装置
１０８２ 第１のレーザー測長器
１０８４ 第１の受光部
１０８６ 第２のレーザー測長器
１０８８ 第２の受光部
１０９１ ２次電子検出器
１０９２ 微小電流計
１１０１ 電気操作排気制御系
１１０２ ＴＦＥ電子銃制御部
１１０４ 集束レンズ制御部
１１０５ 非点補正制御部
１１０６ 対物レンズ制御部
１１０８ スキャン信号発生部
１１１１ ２次電子検出制御部
１１１２ イメージ信号表示制御部
１１１３ 真空排気制御回路
１１１４ 制御部
１１２０ 描画制御系
１１２２ａ 成形偏向部
１１２２ｂ 副偏向部
１１２２ｃ 主偏向部
１１３１ 第１のレーザー測定制御回路
１１３２ 第２のレーザー測定制御回路
１１４０ 第１の測定算出部
１１４２ 第２の測定算出部
１１５０ ステージ制御回路
１１５２ ローダ制御回路
１１５４ 機構制御回路
１１６１ ビームブランキング制御部
１１６７ ＥＢ偏向制御部
１１６９ ＣＰＧインターフェース
１３００ 制御系
１１８０ 情報処理ユニット
１１８１ 操作入力部
１１８２ 表示部
１１８３ ハードディスク
１１８６ 制御部

Claims (7)

1. ビームを走査することにより描画パターンが形成される被描画面を、少なくとも一方の面に有する基材であって、
   前記被描画面は、該被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有することを特徴とする基材。
2. ビームを走査することにより第１の描画パターンが描画され一方の面に形成される第１の被描画面と、
   前記第１の被描画面と反対側の他方の面に形成され、前記第１の描画パターンと異なる第２の描画パターンが描画される第２の被描画面と、
   を備えた基材であって、
   前記第１の被描画面は、該第１の被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有し、
   前記第２の被描画面は、該光の進行方向と交差する面内で少なくとも互い垂直な方向に振動する各直線偏光のうち、一方の直線偏光と他方の直線偏光とに位相差を生じせしめる複屈折位相構造を有することを特徴とする基材。
3. 電子ビームを走査することにより第１の描画パターンが描画され一方の面に形成された第１の被描画面と、
   前記第１の被描画面と反対側の他方の面に形成され、前記第１の描画パターンと異なる第２の描画パターンが描画される第２の被描画面と、
   を備えた基材であって、
   前記第１の被描画面は、該第１の被描画面より出射する光を、互いに異なる０次、１次、―１次の３方向に分光して各々出射するとともに、前記被描画面側から入射する入射光を透過するためのホログラム構造を有し、
   前記第２の被描画面は、前記第１の被描画面に入射し前記第２の被描画面より出者する光を回折する回折格子構造を有することを特徴とする基材。
4. 光磁気記録媒体と、
   レーザー供給源からのレーザー光を集光し、集光された前記レーザー光を前記光磁気記録媒体照射するとともに、前記光磁気記録媒体上の反射光を分光する光学素子と、
   分光された各光に基づいて、トラッキング誤差、焦点誤差の各誤差検出を行うための各検出部を備えた多分割光検出器と、
   を有し、
   前記光学素子は、
   その一方の面側には、前記反射光を互いに異なる０次、１次、―１次の３方向の各回折光に分光して前記一方の面側から各々出射するとともに、前記一方の面側から入射する入射光を透過して他方の面側から出射することの可能なホログラム構造を有し、
   前記他方の面側には、光の進行方向と交差する面内で少なくとも互い垂直な方向に振動する各直線偏光のうち、一方の直線偏光と他方の直線偏光とに位相差を生じせしめる複屈折位相構造を有する、
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
5. 光磁気記録媒体と、
   レーザー供給源からのレーザー光を平行光にする第１の光学素子と、
   前記平行光を収束させて前記光磁気記録媒体に照射する第２の光学素子と、
   前記光磁気記録媒体にて反射された前記レーザー光を前記第２の光学素子を介して受光する光検出器と、
   を含み、前記光検出器の出力に基づいて光磁気記録媒体上の記録情報を読み出し、
   前記第１の光学素子は、
   その一方の面側には、前記レーザー光を互いに異なる０次、１次、―１次の３方向の各回折光に分光して前記一方の面側から各々出射することの可能なホログラム構造を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
6. 電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
   前記電子ビーム照射手段にて照射された電子ビームの焦点位置を可変とするための電子レンズと、
   前記電子ビームを照射することで描画される被描画面に曲面部を有する基材を載置する載置台と、
   前記基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する際に、前記基材上に描画される描画位置を測定するための測定手段と、
   前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記電子レンズの電流値を調整して前記電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する制御手段と、
   を含むことを特徴とする電子ビーム描画装置。
7. 電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
   前記電子ビームを照射することで描画される被描画面に曲面部を有する基材を載置する載置台と、
   前記載置台を駆動する駆動手段と、
   前記基材の曲面部上に複屈折位相構造を形成する際に、前記基材上に描画される描画位置を測定するための測定手段と、
   前記測定手段にて測定された前記描画位置に基づき、前記駆動手段により前記載置台を昇降させて、前記電子ビーム照射手段にて照射された電子ビームの焦点位置を前記描画位置に応じて可変制御して前記基材の曲面部並びに複屈折位相構造部分の描画を行うように制御する制御手段と、
   を含むことを特徴とする電子ビーム描画装置。

Images