JP2016181668A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
Description
位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する拡大パターン作成部と、
ずらし数に応じて、図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する縮小パターン作成部と、
拡大パターンと縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する照射係数演算部と、
照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に図形パターンを描画する描画部と、
備えたことを特徴とする。
位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する工程と、
ずらし数に応じて、図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する工程と、
拡大パターンと縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する工程と、
照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する工程と、
備えたことを特徴とする。
位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数以下の値に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する拡大パターン作成部と、
ずらし数以下の値に応じて、図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する縮小パターン作成部と、
拡大パターンと縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する照射係数演算部と、
照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に図形パターンを描画する描画部と、
備えたことを特徴とする。
位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数以下の値に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する工程と、
ずらし数以下の値に応じて、図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する工程と、
拡大パターンと縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する工程と、
照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する工程と、
備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ部材203、ブランキングアパーチャアレイ部204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスクブランクス等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングアパーチャアレイ部のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、制御電極24と対向電極26と制御回路41,43の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ部204は、図3に示すように、支持台33上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域30(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域30を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域32(第2の領域)となる。メンブレン領域30の上面と外周領域32の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域32の裏面で支持台33上に保持される。支持台33の中央部は開口しており、メンブレン領域30の位置は、支持台33の開口した領域に位置している。
(1) s=w/(2・m)
(2) dx(y−v1y)=dy(y−v1x)
(3) FL12(x,y)=dy(y−v1x)−dx(y−v1y)
(4−1) LY(x,y)=y−v1y−(dy/dx)(x−v1x)
(4−2) LX(x,y)=x−v1x−(dx/dy)(y−v1y)
(5−1) LY(x,y)=FL12(x,y)/dx
(5−2) LX(x,y)=FL12(x,y)/dy
(6) k=f=m・(FL拡(x,y)−FL縮(x,y))/max.(|dx|,|dy|)
実施の形態1では、ずらし数mをそのまま用いて関数f(=照射係数k)を演算する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態2では、ずらし数mを含むそれ以外の値を用いる場合について説明する。描画装置100の構成は、図1と同様である。また、描画方法の構成は、図6と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態1と同様である。図形パターン設定工程(S102)と、シフト方向演算工程(S104)との内容は実施の形態1と同様である。
(7) s=w/(2・M)
22 穴
24,44 制御電極
25,45 通過孔
26,46 対向電極
31 描画領域
34 照射領域
35 ストライプ領域
36,37 画素
39 代表位置
40 図形パターン
41 制御回路
42 拡大パターン
44 縮小パターン
47 個別ブランキング機構
48 図形パターン
50 設定部
52 シフト方向演算部
54 シフト量演算部
56 拡大パターン作成部
58 縮小パターン作成部
60 判定部
62 照射係数演算部
64 kマップ作成部
66 照射量演算部
68 照射時間演算部
70 描画制御部
71 設定部
72 ドーズマップ作成部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
139 ステージ位置検出器
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ部材
204 ブランキングアパーチャアレイ部
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
210 ミラー
Claims (10)
- 位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する拡大パターン作成部と、
前記ずらし数に応じて、前記図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する縮小パターン作成部と、
前記拡大パターンと前記縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する照射係数演算部と、
前記照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する描画部と、
備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記照射係数演算部は、小領域毎に、当該小領域の代表位置が前記縮小パターン内に入る場合に前記照射係数を1と演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記照射係数演算部は、小領域毎に、当該小領域の代表位置が前記拡大パターンの外側に位置する場合に前記照射係数を0と演算することを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記照射係数演算部は、小領域毎に、当該小領域の代表位置が前記拡大パターンの内側であって前記縮小パターンの外側に位置する場合に、前記ずらし数を用いて前記照射係数を演算することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する工程と、
前記ずらし数に応じて、前記図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する工程と、
前記拡大パターンと前記縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する工程と、
前記照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する工程と、
備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数以下の値に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する拡大パターン作成部と、
前記ずらし数以下の値に応じて、前記図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する縮小パターン作成部と、
前記拡大パターンと前記縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する照射係数演算部と、
前記照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する描画部と、
備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記照射係数演算部は、小領域毎に、当該小領域の代表位置が前記拡大パターンの内側であって前記縮小パターンの外側に位置する場合に、前記ずらし数以下の値を用いて前記照射係数を演算することを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記x方向にずれた複数の描画位置の個数と前記y方向にずれた複数の描画位置の個数とが異なる場合には、小さい個数で前記ずらし数が定義され、
前記小さい個数で定義される前記ずらし数以下の値が用いられることを特徴とする請求項6又は7記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ずらし数以下の値は、1以上の値が用いられることを特徴とする請求項6〜8いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 位置をずらしながら行う多重描画における複数回の描画位置のうちx方向とy方向のうちの1つの方向にずれた複数の描画位置の個数で定義されるずらし数以下の値に応じて、描画対象の図形パターンを拡大した拡大パターンを作成する工程と、
前記ずらし数以下の値に応じて、前記図形パターンを縮小した縮小パターンを作成する工程と、
前記拡大パターンと前記縮小パターンとを用いて、描画領域がメッシュ状に分割された複数の小領域のそれぞれに照射される荷電粒子ビームの照射量を変調する照射係数を演算する工程と、
前記照射係数を用いて小領域毎に得られる照射量の荷電粒子ビームを用いて、位置をずらしながら行う多重描画法によって、試料に前記図形パターンを描画する工程と、
備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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