CN111048273B - 一种r-t-b系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。该R‑T‑B系永磁材料包括以下组分：R：29‑31.0wt％；RH大于1wt％；B：0.905‑0.945wt％；C：0.04‑0.15wt％；N：0.1‑0.4wt％；Fe：67‑69wt％；N包括Cu和/或Ga；R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；RH为重稀土元素；R‑T‑B系永磁材料的晶界处存在(RL1‑yRHy)2T17Cx相，x：2‑3，y：0.15‑0.35；T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。本发明中的永磁材料在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj。
Description
技术领域
本发明涉及一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
背景技术
永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。
为了提升R-T-B系烧结磁铁的剩磁，通常需要降低B含量，但是当B含量低于5.88at％时，由Nd-Fe-B三元相图可知易形成R2T17，而R2T17不具有室温单轴各向异性，磁体性能下降；现有技术中，通过添加高含量的Cu、Al和Ga中的一种或多种使其生成R6-T13-X(X指Cu、Al和/或Ga)提升性能，但R6-T13-X相对热处理温度和时间敏感(如WO2013008756以及WO0124203中记载)，在大热处理炉中进行大量处理时，根据装载位置的不同，烧结磁铁的性能会发生大的变动，不利于批量生产。
因此，亟需一种既能保证R-T-B系永磁材料磁性能，又能便于批量生产的R-T-B系永磁材料。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有的R-T-B系永磁材料中，当B含量低于5.88at％时，通过生成R6-T13-X提升磁性能导致磁体对热处理温度和时间敏感、不利于批量生产磁性能优异的R-T-B系永磁材料的缺陷，而提供了一种R-T-B系永磁材料、原料组合物、制备方法、应用。
本发明提供了一种R-T-B系永磁材料，以重量百分比计，其包括以下组分：
R：29-31.0wt％；
RH大于1wt％；
B：0.905-0.945wt％；
C：0.04-0.15wt％；
N：0.1-0.4wt％；
Fe：67-69wt％；
wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
所述R-T-B系永磁材料还包括Co和Ti；
所述N包括Cu和/或Ga；
所述R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL至少包括Nd的一种；所述RH为重稀土元素；
所述R-T-B系永磁材料的晶界处存在(RL1-yRHy)2T17Cx相，x：2-3，y：0.15-0.35；所述T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。
本发明中，所述RH的种类可包括Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和Sc中的一种或多种。
本发明中，所述RL的种类还可包括La、Ce、Pr、Pm、Sm和Eu中的一种或多种。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料的晶界处是指邻接两颗或两颗以上主相晶粒间的位置。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料还可包括M，所述M包括Al、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、Zr、Nb和Hf中一种或多种元素。
其中，所述M的含量范围优选地为0-3wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，当所述N包括Cu时，所述Cu的含量范围优选地为0.05-0.20wt％，例如0.12wt％、0.08wt％或0.15wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，当所述N包括Ga时，所述Ga的含量范围优选地为0.05-0.20wt％，例如0.12wt％、0.12wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料还可包括O，所述O的含量范围可为0.08-0.12wt％，例如0.09或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相中，x可为2-2.8，例如2.6或2.7。y可为0.15-0.3，例如0.18、0.22、0.23或0.28。例如，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相为(RL0.77RH0.23)2-T17-C2.7、(RL0.78RH0.22)2-T17-C2.6、(RL0.77RH0.23)2-T17-C2.8、(RL0.81RH0.18)2-T17-C2.7或(RL0.72RH0.28)2-T17-C2.8。
本发明中，优选地，所述R的含量范围为30.2-31.0wt％或29-30.4wt％，例如30wt％、30.4wt％或31wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述RH的种类包括Dy和/或Tb。
本发明中，优选地，所述RH的含量范围为1-2.5wt％、且不为1wt％，例如1.9wt％、2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述B的含量范围为0.905-0.93wt％，例如0.93wt％、0.905wt％或0.915wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述C的含量范围为0.1wt％-0.15wt％或0.04-0.12wt％，例如0.12wt％、0.07wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，所述Ti的含量可为本领域常规用量。优选地，所述Ti的含量范围为0.05-0.2wt％或0.1-0.25wt％，例如0.16wt％、0.08wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
本发明中，所述Co的含量可为本领域常规用量。优选地，所述Co的含量范围为0.5-1.5wt％或1-2wt％，例如0.8wt％、1.2wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：R 30.2-31.0wt％，RH 1-2.5wt％，B 0.905-0.93wt％，C 0.1wt％-0.15wt％，Ti 0.05-0.2wt％，Co 0.5-1.5wt％，O 0.08-0.12wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：R 29-30.4wt％，RH 1-2.5wt％，B 0.905-0.93wt％，C 0.04-0.12wt％，Ti 0.1-0.25wt％，Co 1-2wt％，O 0.08-0.12wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：Nd 28.5wt％，Dy 0.6wt％，Tb 1.3wt％，B 0.93wt％，C 0.12wt％，Cu 0.12wt％，Ga0.12wt％，Ti 0.16wt％，Co 0.8wt％，O 0.08wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：PrNd 29wt％，Dy 1.5wt％，Tb 0.5wt％，B 0.905wt％，C 0.04wt％，Cu 0.2wt％，Ga0.2wt％，Ti 0.08wt％，Co 1.2wt％，O 0.09wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：Nd 27.5wt％，Dy 1wt％，Tb 0.5wt％，B 0.945wt％，C 0.15wt％，Cu 0.05wt％，Ga0.12wt％，Ti 0.05wt％，Co 1wt％，O 0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：PrNd 29.5wt％，Dy 1wt％，Tb 0.5wt％，B 0.905wt％，C 0.07wt％，Cu 0.08wt％，Ga0.1wt％，Ti 0.1wt％，Co 1.5wt％，O 0.12wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料包括以下组分：Nd 28.5wt％，Dy 1wt％，Tb 0.5wt％，B 0.915wt％，C 0.1wt％，Cu 0.15wt％，Ga0.05wt％，Ti 0.2wt％，Co 2wt％，O 0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种R-T-B系永磁材料的原料组合物，以重量百分比计，其包括以下组分：
R：28.5-30.5wt％；
B：0.905-0.945wt％；
N：0.1-0.4wt％
Fe：67-69wt％；
wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括Ti和Co；
所述N包括Cu和/或Ga；
所述R包括RL和RH；所述RL为稀土元素，所述RL包括Nd的至少一种；所述RH为重稀土元素。
本发明中，当所述N包括Cu时，所述Cu的含量范围优选地为0.05-0.20wt％，例如0.12wt％、0.08wt％或0.15wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，当所述N包括Ga时，所述Ga的含量范围优选地为0.05-0.20wt％，例如0.12wt％、0.12wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述R的含量范围为29.7-30.5wt％或28.5-29.9wt％，例如29.5wt％、29.9wt％或30.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述RH的种类包括Dy和/或Tb。
本发明中，优选地，所述RH的含量范围为0.5-2wt％，且不为0.5wt％，例如1.4wt％、1.5wt％或1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述B的含量范围为0.905-0.93wt％，例如0.93wt％、0.905wt％或0.915wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述Ti的含量范围为0.05-0.2wt％或0.1-0.25wt％，例如0.16wt％、0.08wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
本发明中，优选地，所述Co的含量范围为0.5-1.5wt％或1-2wt％，例如0.8wt％、1.2wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：R 29.7-30.5wt％，RH 0.5-2wt％，B 0.905-0.93wt％，C 0.1wt％-0.15wt％，Ti 0.05-0.2wt％，Co 0.5-1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：R 28.5-29.9wt％，RH 0.5-2wt％，B 0.905-0.93wt％，C 0.04-0.12wt％，Ti 0.1-0.25wt％，Co 1-2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：Nd 28.5wt％，Dy 0.1wt％，Tb 1.3wt％，B 0.93wt％，C 0.12wt％，Cu0.12wt％，Ga 0.12wt％，Ti 0.16wt％，Co 0.8wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：PrNd 29wt％，Dy 1.5wt％，B 0.905wt％，C 0.04wt％，Cu 0.2wt％，Ga0.2wt％，Ti 0.08wt％，Co 1.2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：Nd 27.5wt％，Dy 0.5wt％，Tb 0.5wt％，B 0.945wt％，C 0.15wt％，Cu0.05wt％，Ga 0.12wt％，Ti 0.05wt％，Co 1wt％wt％，是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：PrNd 29.5wt％，Dy 0.5wt％，Tb 0.5wt％，B 0.905wt％，C 0.07wt％，Cu0.08wt％，Ga 0.1wt％，Ti 0.1wt％，Co 1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一优选实施方式中，以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：Nd 28.5wt％，Dy 0.5wt％，Tb 0.5wt％，B 0.915wt％，C 0.1wt％，Cu0.15wt％，Ga 0.05wt％，Ti 0.2wt％，Co 2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比，余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种R-T-B系永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：将所述R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、破碎、粉碎、成形、烧结、晶界扩散处理以及热处理，即可。
本发明中，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液可按本领域常规方法制得，例如：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可。所述熔炼炉的真空度可为5×10-2Pa。所述熔炼的温度可为1500℃以下。
本发明中，所述铸造的工艺可为本领域常规的铸造工艺，例如：在Ar气气氛中(例如5.5×104Pa的Ar气气氛下)，以102℃/秒-104℃/秒的速度冷却，即可。
本发明中，所述破碎的工艺可为本领域常规的破碎工艺，例如经吸氢、脱氢、冷却处理，即可。
其中，所述吸氢可在氢气压力0.15MPa的条件下进行。
其中，所述脱氢可在边抽真空边升温的条件下进行。
本发明中，所述粉碎的工艺可为本领域常规的粉碎工艺，例如气流磨粉碎。
其中，优选地，所述粉碎的工艺在氧化气体含量100ppm以下的气氛下进行。其中，所述粉碎的工艺中的氧含量按照本领域常规的低氧工艺进行控制。
所述氧化气体指的是氧气或水分含量。
其中，所述气流磨粉碎的粉碎室压力可为0.38MPa。
其中，所述气流磨粉碎的时间可为3小时。
其中，所述粉碎后，可按本领域常规手段添加润滑剂，例如硬脂酸锌。所述润滑剂的添加量可为所述粉碎后粉末重量的0.05～0.15％，例如0.12％、0.06％、0.15％或0.08％。
其中，在所述粉碎过程中，可通过调节硬脂酸锌的添加量来调节所述R-T-B系永磁材料的C含量。
本发明中，所述成形的工艺可为本领域常规的成形工艺，例如磁场成形法或热压热变形法。
本发明中，所述烧结的工艺可为本领域常规的烧结工艺，例如，在真空条件下(例如在5×10-3Pa的真空下)，经预热、烧结、冷却，即可。
其中，所述预热的温度可为300-600℃。所述预热的时间可为1～2h。优选地，所述预热为在300℃和600℃的温度下各预热1h。
其中，所述烧结的温度可为本领域常规的烧结温度，例如900℃～1100℃，再例如1040℃。
其中，所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间，例如2h。
其中，所述冷却前可通入Ar气体使气压达到0.1MPa。
本发明中，所述晶界扩散处理中的重稀土元素包括Dy和/或Tb。
本发明中，所述晶界扩散处理可按本领域常规的工艺进行处理，例如Dy蒸汽扩散。
其中，所述晶界扩散处理的温度可为800～900℃，例如850℃。
其中，所述晶界扩散处理的时间可为12～48h，例如24h。
其中，所述晶界扩散处理后，还可进行热处理。所述热处理的温度可为470-510℃、460-500℃或480-520℃。所述热处理的时间可为3h。
本发明还提供了一种由上述制备方法制得的R-T-B系永磁材料。
本发明还提供了一种R-T-B系永磁材料作为电子元器件的应用。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
1)本申请中的R-T-B系永磁材料性能优异，在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj：Br≥13.92kGs，Hcj≥25.7kOe；
2)本申请中的R-T-B系永磁材料热处理温度范围较宽，均有40℃的范围(470-510℃，460-500℃以及480-520℃)。
附图说明
图1为实施例1制得的R-T-B系永磁材料中Nd元素FE-EPMA面分布图，其中，点1为(RL0.77RH0.23)2-T17-C2.7。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
表1 R-T-B系永磁材料的原料组合物的配方和含量(wt％)
注：“/”是指不含有该元素。
表2实施例1-5以及对比例1-7的工艺条件
注：硬脂酸锌中的％是指在混合后粉末中的重量百分比；“/”是指不含有该元素。
实施例1-5以及对比例1-7中R-T-B系烧结磁铁制备方法如下：
(1)熔炼过程：按表1所示配方以及表2的对应工艺条件，取配制好的原料放入氧化铝制的坩埚中，在高频真空感应熔炼炉中在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼。
(2)铸造过程：在真空熔炼后的熔炼炉中通入Ar气体使气压达到5.5万Pa后，进行铸造，以102℃/秒-104℃/秒的冷却速度获得急冷合金。
(3)氢破粉碎过程：在室温下，将放置急冷合金的氢破用炉抽真空，而后向氢破用炉内通入纯度为99.9％的氢气，维持氢气压力0.15MPa，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分脱氢，之后进行冷却，取出氢破粉碎后的粉末。
(4)微粉碎工序：氮气气氛中的氧化气体含量在100ppm以下，在粉碎室压力为0.38MPa的条件下对氢破粉碎后的粉末进行3小时的气流磨粉碎，得到细粉。氧化气体指的是氧或水分。
(5)在气流磨粉碎后的粉末中添加硬脂酸锌，硬脂酸锌的添加量如表2所示，再用V型混料机充分混合。
(6)磁场成形过程：使用直角取向型的磁场成型机，在1.6T的取向磁场中，在0.35ton/cm2的成型压力下，将上述添加了硬脂酸锌的粉末一次成形成边长为25mm的立方体，一次成形后在0.2T的磁场中退磁。为使一次成形后的成形体不接触到空气，将其进行密封，再使用二次成形机(等静压成形机)在1.3ton/cm2的压力下进行二次成形。
(7)烧结过程：将各成形体搬至烧结炉进行烧结，烧结在5×10-3Pa的真空下，在300℃和600℃的温度下各保持1小时后，以1040℃的温度烧结2小时，之后通入Ar气体使气压达到0.1MPa后，冷却至室温。
(8)晶界扩散处理过程：将金属Dy或Tb以及经过烧结之后的R-T-B系永磁材料放置于炉内，并高温加热使得Dy或Tb金属高温蒸发并在外来稀有气体的诱导下沉积在磁体表面并沿着晶界向磁体内部扩散(具体按照表2所示的条件)。
(9)热处理过程：烧结体在高纯度Ar气中，以表2所示的热处理的温度进行3小时热处理后，冷却至室温后取出，得到R-T-B系永磁材料。
效果实施例
分别取实施例1-5和对比例1-7制得的R-T-B系烧结磁铁，测定其磁性能和成分，FE-EPMA观察其磁体的相组成。
(1)R-T-B系永磁材料的各成分使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)进行测定，其中(RL1-yRHy)2T17Cx(x：2-3，y：0.15-0.35)相根据FE-EPMA测试得到。下表3所示为成分检测结果。
表3 R-T-B系永磁材料的组分和含量(wt％)
注：上述永磁材料均在氧含量低于100ppm的工艺条件下进行制备，终产品中O含量的差异可视为常规波动；“/”是指不含有该元素。
(2)FE-EPMA检测：对烧结磁铁的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。首先进行面扫描，然后对不同对比度的相进行定量分析确定相组成，测试条件为加速电压15kV，探针束流50nA。
取实施例1-5制得的R-T-B系永磁材料进行FE-EPMA检测，结果如下表4所示，其中图1对应实施例1制得的R-T-B系永磁材料(其中点1的成分如下表4中的实施例1)。
表4
(3)磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测；下表5所示为磁性能检测结果。
表5 R-T-B系永磁材料的性能
由表5可知：
1)本申请中的R-T-B系永磁材料性能优异，在不同的热处理温度下，均保持较高的Br和Hcj：Br≥13.92kGs，Hcj≥25.7kOe(实施例1-5)；
2)基于本申请的配方，即使调整R、B、Cu和Ga的含量，均不能生成(RL1-yRHy)2T17Cx(x：2-3，y：0.15-0.35)相，R-T-B系永磁材料的Br和Hcj不能同时保持在较高值，且热处理温度范围明显下降(对比例1和对比例3)；
3)基于本申请的配方，即使调整C、Ti和Ga的含量，但是若其他组分含量不在本申请限定的范围内，R-T-B系永磁材料的矫顽力也下降，同时热处理温度范围也下降(对比例4)；
4)基于本申请的配方，保持RH含量不变，但是在制备过程中不进行晶界扩散，不引入RH，其无法生成(RL1-yRHy)2T17Cx(x：2-3，y：0.15-0.35)相，矫顽力明显下降，同时热处理温度范围也下降(对比例5)；
5)基于本申请的配方，将高熔点金属Ti分别替换为Zr和Nb，含量不变，R-T-B系永磁材料的Br和Hcj下降，同时热处理温度范围也下降(对比例6～7)。
Claims (15)
1.一种R-T-B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：
R：29-31.0wt％；
RH大于1wt％；
B：0.905-0.945wt％；
C：0.04-0.15wt％；
N：0.1-0.4wt％；
Fe：67-69wt％；
wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
所述R-T-B系永磁材料还包括Co和Ti；
所述N包括Cu和/或Ga；
所述R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；所述RH为重稀土元素；
所述R-T-B系永磁材料的晶界处存在(RL1-yRHy)2T17Cx相，x：2-3，y：0.15-0.35；所述T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料还包括M元素，所述M元素包括Al、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、Zr、Nb和Hf中一种或多种；
和/或，当所述N包括Cu时，所述Cu的含量范围为0.05-0.20wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，当所述N包括Ga时，所述Ga的含量范围为0.05-0.20wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述R-T-B系永磁材料还包括O；
和/或，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相中，x为2-2.8；
和/或，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相中，y为0.15-0.3。
3.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述Cu的含量范围为0.12wt％、0.08wt％或0.15wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.12wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相中，x为2.6或2.7；
和/或，所述(RL1-yRHy)2T17Cx相中，y为0.18、0.22、0.23或0.28。
4.如权利要求2所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述M的含量范围0-3wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述O的含量范围为0.08-0.12wt％。
5.如权利要求4所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述O的含量范围为0.09wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
6.如权利要求1～5中任一项所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量范围为30.2-31.0wt％或29-30.4wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述RH的种类包括Dy和/或Tb；
和/或，所述RH的含量范围为1-2.5wt％、且不为1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.905-0.93wt％或0.915-0.945wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述C的含量范围为0.1wt％-0.15wt％或0.04-0.12wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0.05-0.2wt％或0.1-0.25wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5-1.5wt％或1-2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
7.如权利要求6所述的R-T-B系永磁材料，其特征在于，所述R的含量范围为30wt％、30.4wt％或31wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为1.9wt％、2wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.93wt％、0.905wt％或0.915wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述C的含量范围为0.12wt％、0.07wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0.16wt％、0.08wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.8wt％、1.2wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料中所占重量百分比。
8.一种R-T-B系永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将所述R-T-B系永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、破碎、粉碎、成形、烧结、晶界扩散处理以及热处理，即可；
所述R-T-B系永磁材料的晶界处存在(RL1-yRHy)2T17Cx相，x：2-3，y：0.15-0.35；所述T必须包括Fe，还包括Co、Ti和N中的一种或多种，所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；所述RH为重稀土元素；
以重量百分比计，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括以下组分：
R：28.5-30.5wt％；
B：0.905-0.945wt％；
N：0.1-0.4wt％；
Fe：67-69wt％；
所述R-T-B系永磁材料的原料组合物包括Ti和Co；
wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
所述N包括Cu和/或Ga；
所述R包括RL和RH；所述RL为轻稀土元素，所述RL包括Nd；所述RH为重稀土元素。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料的原料组合物还包括M元素，所述M元素包括Al、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、Zr、Nb和Hf中一种或多种；
和/或，当所述N包括Cu时，所述Cu的含量范围为0.05-0.20wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，当所述N包括Ga时，所述Ga的含量范围为0.05-0.20wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述R的含量范围为29.7-30.5wt％或28.5-29.9wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述RH的种类包括Dy和/或Tb；
和/或，所述RH的含量范围为0.5-2wt％，且不为0.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.905-0.93wt％或0.915-0.945wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0.05-0.2wt％或0.1-0.25wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.5-1.5wt％或1-2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述M元素的含量范围为0-3wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.12wt％、0.08wt％或0.15wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Ga的含量范围为0.12wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述R的含量范围为29.5wt％、29.9wt％或30.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为1.4wt％、1.5wt％或1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.93wt％、0.905wt％或0.915wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0.16wt％、0.08wt％或0.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比；
和/或，所述Co的含量范围为0.8wt％、1.2wt％、1wt％或1.5wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料的原料组合物中所占重量百分比。
11.如权利要求8～10任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粉碎的工艺在氧化气体含量100ppm以下的气氛下进行；
和/或，经所述粉碎后，添加润滑剂；
和/或，所述热处理的温度为470-510℃、460-500℃或480-520℃。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述润滑剂的添加量为所述粉碎后的粉末重量的0.05～0.15％。
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述润滑剂的添加量为所述粉碎后的粉末重量的0.12％、0.06％、0.15％或0.08％。
14.一种如权利要求8～13任一项所述的制备方法制得的R-T-B系永磁材料。
15.一种如权利要求1～7和14中任一项所述的R-T-B系永磁材料作为电子元器件的应用。
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