CN111033768A - 透明密封构件及光学部件 - Google Patents
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 49
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 21
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003178 Mo2C Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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Abstract
本发明涉及透明密封构件及光学部件。透明密封构件(10)是在用于容纳至少一个光学元件(14)的封装(20)中使用的,且通过树脂粘接剂(50)与安装有所述光学元件(14)的安装基板(16)接合的透明密封构件(10)。透明密封构件(10)具有固定于与所述安装基板(16)的接合面(30a)的多个粒子(32)。
Description
技术领域
本发明涉及作为用于例如LED(发光二极管)、LD(半导体激光器)等的光学部件的构成构件的透明密封构件、以及具有该透明密封构件的光学部件。
背景技术
通常,对于具有射出紫外线的光学元件(例如LED、LD等)的光学部件,为了保护光学元件不受外气、水分的影响,需要透明密封构件。在安装有光学元件的安装基板与透明密封构件的接合中,使用金属化处理或树脂粘接剂。
在日本特开2001-237335号公报中,公开了一种由安装有半导体元件的金属制散热板、在该散热板的上表面通过银焊料等焊料接合而成的金属制的框体、和通过焊料接合于框体的上表面的陶瓷制盖体构成的箱体。
在日本特开2007-311707号公报中,公开了一种利用粘接剂将由石英等玻璃构成的聚光透镜接合于透镜保持构件的紫外线发光元件用的封装。
发明内容
另外,在安装基板与透明密封构件的接合中使用环氧等树脂粘接剂的情况下,树脂粘接剂受到从光学元件射出的紫外线的影响而劣化,有时无法得到良好的密封性。
本发明是考虑到这样的课题而完成的,本发明的目的在于提供一种透明密封构件,其能够抑制从光学元件射出的紫外线对于树脂粘接剂的影响,能够抑制与安装基板的密封性劣化。
另外,本发明的目的在于提供一种光学部件,其能够抑制紫外线对于将透明密封构件与安装基板接合的树脂粘接剂的影响,能够实现使用期间的长寿命化。
[1]本发明的第一方面涉及的透明密封构件为在用于容纳至少1个光学元件的封装中使用的,且通过树脂粘接剂与安装有所述光学元件的安装基板接合的透明密封构件。而且,所述透明密封构件的特征在于,具有固定于与所述安装基板的接合面的多个粒子。
即,从光学元件射出的紫外光会透过透明密封构件而射出到外部,而部分紫外光在透明密封构件内进行传导,前往透明密封构件的接合部分。以往,在透明密封构件内进行了传导的紫外线照射到树脂粘接剂,其结果有时会导致树脂粘接剂的劣化、以及封装的耐久性的劣化(光学部件的劣化)。
与此相对,本发明的透明密封构件具有固定于与安装基板的接合面的多个粒子。因此,在透明密封构件内传导过来的紫外线由于粒子而衰减或反射,因此不会直接入射到树脂粘接剂。即,光学部件能够抑制紫外线对于将透明密封构件与安装基板接合的树脂粘接剂的影响,能够实现使用期间的长寿命化。
[2]本发明的第一方面中,其特征在于,所述多个粒子埋设固定在所述透明密封构件中,或者借助与所述透明密封构件的反应层而固定。
[3]本发明的第一方面中,也可以用于具有所述光学元件和所述安装基板的光学部件,与所述安装基板一起构成容纳所述光学元件的所述封装。
[4]本发明的第一方面中,所述透明密封构件优选由石英玻璃、光学玻璃或蓝宝石构成。
[5]本发明的第一方面中,所述粒子的熔点优选比所述透明密封构件的熔点高。
[6]本发明的第一方面中,所述粒子优选为氮化物、碳化物或硼化物的陶瓷粒子。
[7]本发明的第一方面中,所述陶瓷粒子的构成材料优选为AlN(氮化铝)、Si3N4(氮化硅)、SiC(碳化硅)、WC(碳化钨)、Mo2C(碳化钼)、BN(氮化硼)、B4C(碳化硼)、MoB(硼化钼)或WB(硼化钨)。
[8]本发明的第一方面中,所述粒子可以是金属粒子。
[9]本发明的第一方面中,所述金属粒子的构成材料优选为Mo(钼)、W(钨)、Ti(钛)、Zr(锆)、Pt(铂)、B(硼)、Cr(铬)或Ir(铱)。
[10]本发明的第一方面中,所述粒子可以是金属间化合物粒子。
[11]所述金属间化合物粒子的构成材料优选为硅化物。
[12]此时,金属间化合物粒子的构成材料优选为MoSi2或WSi2。
[13]本发明的第一方面中,所述粒子的平均粒径优选为0.05~15μm的范围。
[14]本发明的第一方面中,与所述安装基板接合的部分的表面粗糙度Ra优选为0.05~10μm。
[15]本发明的第一方面中,所述接合面与所述多个粒子优选通过在所述透明密封构件与所述粒子之间发生反应的温度以上进行热处理来固定。
[16]本发明的第一方面中,所述接合面与所述多个粒子优选通过在所述透明密封构件软化的温度进行热处理来固定。
[17]本发明的第二方面涉及的光学部件的特征在于,具有上述本发明的第一方面涉及的透明密封构件。
由此,能够抑制从光学元件射出的紫外光对于树脂粘接剂的影响,能够抑制与安装基板的密封性的劣化。
如以上说明的那样,根据本发明涉及的透明密封构件,能够抑制从光学元件射出的紫外线对于树脂粘接剂的影响,能够抑制与安装基板的密封性的劣化。
另外,根据本发明涉及的光学部件,能够抑制紫外线对于将透明密封构件与安装基板接合的树脂粘接剂的影响,能够实现使用期间的长寿命化。
附图说明
[图1]图1是表示本实施方式涉及的透明密封构件和具有该透明密封构件的光学部件的纵截面图。
[图2]图2A是示意性地表示在透明密封构件的端面固定有陶瓷粒子的状态的放大截面图,图2B是示意性地表示在透明密封构件的端面固定有金属粒子的状态的放大截面图,图2C是示意性地表示在透明密封构件的端面固定有金属间化合物粒子的状态的放大截面图。
[图3]图3A是表示通过切出加工或高温模塑成型制作透明体的状态的工序图,图3B是表示通过粉末烧结法制作透明体的状态的工序图。
[图4]图4A是表示在板材上配置了陶瓷粉末的状态的工序图,图4B是表示在陶瓷粉末上载置了透明体的前体或透明体的状态的工序图,图4C是表示在低于陶瓷粉末的熔点的温度进行了热处理的状态的工序图,图4D是表示将板材取下而制成了固定有陶瓷粒子的透明密封构件的状态的工序图。
[图5]图5A表示在透明体的前体的端面或透明体的端面涂布了糊剂化的陶瓷粉末的状态的工序图,图5B是表示在板材上载置了透明体的前体或透明体的状态的工序图,图5C是表示在低于陶瓷粉末的熔点的温度进行了热处理的状态的工序图,图5D是表示将板材取下而制成了固定有陶瓷粒子的透明密封构件的状态的工序图。
[图6]图6A是表示第一变形例涉及的透明密封构件和具有该透明密封构件的光学部件的纵截面图,图6B是表示第二变形例涉及的透明密封构件和具有该透明密封构件的光学部件的纵截面图。
[图7]图7是表示第三变形例的透明密封构件和具有该透明密封构件的光学部件的纵截面图。
[图8]图8是表示实施例1~15和比较例涉及的光学部件的详情和不合格率的表1。
具体实施方式
以下,参照图1~图8对本发明涉及的透明密封构件及光学部件的实施方式例进行说明。
如图1所示,本实施方式涉及的透明密封构件10例如用于具有射出紫外光12的至少一个光学元件14和安装有光学元件14的安装基板16的光学部件18,与安装基板16一起构成容纳光学元件14的封装20。透明密封构件10例如由石英玻璃、光学玻璃或蓝宝石构成,安装基板16例如由AlN(氮化铝)构成。
如上述那样,光学元件14安装于安装基板16。光学元件14虽未图示,但例如在蓝宝石基板(热膨胀系数:7.7×10-6/℃)上层叠具备量子阱结构的GaN系结晶层而构成。作为光学元件14的安装方法,例如采用使光出射面与透明密封构件10相对来进行安装的、所谓的面朝上(face up)安装。即,利用例如接合线(未图示)将从光学元件14导出的端子(未图示)与形成于安装基板16上的电路配线(未图示)电连接。
透明密封构件10形成为上表面封闭、下表面开口的筒状,例如具有将安装于平板状的安装基板16上的光学元件14包围的凹部22。透明密封构件10的外形形状例如为圆筒状、多棱柱状等。
作为透明密封构件10的尺寸,高度为0.5~10mm,外径为3.0~10mm。此外,作为光学元件14的尺寸,厚度为0.005~0.5mm,虽未图示,但从上表面观察时的纵向尺寸为0.5~2.0mm,横向尺寸为0.5~2.0mm。
而且,透明密封构件10具有透明体30和固定于该透明体30中的与安装基板16的接合面30a(也称为端面30a)的多个粒子32。
例如,如图2A所示,粒子32可以选择氮化物、碳化物或硼化物的陶瓷粒子32a。在该情况下,作为陶瓷粒子32a的构成材料,例如可以选择AlN(熔点:2200℃)、Si3N4(熔点:1900℃)、SiC(熔点:2730℃)、WC(熔点:2870℃)、或Mo2C(熔点:2687℃)、BN(熔点:2730℃)、B4C(熔点:2763℃)、MoB(熔点:2823℃)或WB(熔点:3073℃)等。陶瓷粒子32a的平均粒径优选为0.1~10μm的范围。
在此,参照图3A~图5D对透明密封构件10的制造方法进行说明。
首先,制作透明体30。透明体30的制作方法有(a)对于块体母材的切出加工、(b)高温模塑成型、(c)粉末烧结法。
切出加工中,从透明体30的块体母材进行切出加工,如图3A所示,制作透明体30。在高温模塑成型中,在高温下使材料注入模具,或者在模具中放入材料片,在高温下使其变形为模具形状,如图3A所示,制作透明体30。
粉末烧结法例如在成型模具中浇铸包含二氧化硅粉末和有机化合物的成型浆料,通过有机化合物相互的化学反应,例如分散介质与固化剂、或固化剂相互的化学反应使其固化后,从成型模具脱模,从而如图3B所示制作透明体30的前体34。然后,对前体34进行热处理,制作透明体30。
接着,将粒子32固定于透明体30的端面30a(参照图3A)。作为在透明体30的端面30a固定陶瓷粒子32a的方法,例如可举出以下两种方法。
即,第一方法如图4A所示那样,在熔点高的板材,例如钼制板材40上配置陶瓷粉末42,然后,如图4B所示,在其上将透明体30的前体34的端面34a或透明体30的端面30a朝下载置(优选静置)。然后,如图4C所示,在低于陶瓷粉末42的熔点的温度(优选低于板材40的熔点的温度。以下同样。)进行热处理。通过该热处理,构成透明体30的石英玻璃软化,在透明体30的端面30a,陶瓷粉末42的一部分被埋设固定。或者,在透明体30的端面30a与陶瓷粉末42的接触面,它们的一部分发生反应而被固定。即,热处理的温度只要设为至少在陶瓷粉末42与石英玻璃之间发生反应的温度、或者比构成透明体30的石英玻璃软化的温度高的温度即可。在图4B的工序中使用前体34的情况下,前体34烧结而成为透明体30。之后,如图4D所示,通过取下板材40,从而得到在接合面30a固定有陶瓷粒子32a的透明密封构件10。
第二方法中,首先如图5A所示,将糊剂化的陶瓷粉末42用印刷、或浸渍、或喷雾、或刷涂等方法涂布在透明体30的前体34的端面34a或透明体30的端面30a上。然后,如图5B所示,干燥后,在熔点高的板材,例如钼制板材40上载置(优选静置)透明体30的前体34或透明体30。之后,如图5C所示,在低于陶瓷粒子32a的熔点的温度进行热处理。在透明体30为石英玻璃的情况下,例如设为1200℃以上即可。在图5B的工序中使用前体34的情况下,前体34烧结而成为透明体30。之后,如图5D所示,通过取下板材40,从而得到在接合面30a固定有陶瓷粒子32a的透明密封构件10。
在上述的例子中,示出了使用陶瓷粒子32a作为粒子32的例子,但除此之外,也可以如图2B所示那样是金属粒子32b。在该情况下,作为金属粒子32b的构成材料,例如可以选择Mo(熔点:2623℃)、W(熔点:3422℃)、Ti(熔点:1668℃)、Zr(熔点:1855℃)、Pt(熔点:1768℃)、B(熔点:2476℃)、Cr(熔点:1907℃)或Ir(熔点:2447℃)等。
如图2C所示,上述粒子32也可以是金属间化合物粒子32c。此时,作为金属间化合物粒子32c的构成材料,优选为硅化物,例如MoSi2(熔点:2030℃)、WSi2(熔点:2160℃)等。
对于透明密封构件10,在用扫描电子显微镜(倍率3000倍)观察与安装基板16接合的部分时,能够确认多个固定的陶瓷粒子32a或金属粒子32b。由于陶瓷粒子32a或金属粒子32b向后述的树脂粘接剂50侧突出,因此通过所谓锚定效应,能够提高与树脂粘接剂50的接合强度。
固定于透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的陶瓷粒子32a或金属粒子32b的粒径为0.05~15μm,更优选为0.1~10μm,进一步优选为1~5μm。另外,优选的是固定有该陶瓷粒子32a或金属粒子32b的表面的表面粗糙度Ra为0.05~10μm,更优选为0.1~5μm,进一步优选为0.5~3μm的状态。在此,所谓与安装基板16接合的部分的表面粗糙度,不是接合面30a自身的表面粗糙度,而是表示在接合面30a固定了陶瓷粒子32a、或金属粒子32b、或金属间化合物粒子32c后的表面粗糙度。
即使固定有陶瓷粒子32a或金属粒子32b,在它们的粒径小于0.05μm的情况下,锚定效应也变小,与树脂粘接剂50的接合强度的提高效果也变小。另外,是因为若粒径为15μm以上,则陶瓷粒子32a或金属粒子32b容易从透明密封构件10脱离。另外,在表面粗糙度Ra小于0.05μm的情况下,锚定效应变小,在Ra大于10μm的情况下,有时无法与安装基板16接合。
然后,如上述那样,利用树脂粘接剂50将在接合面30a上固定有陶瓷粒子32a、或金属粒子32b、或金属间化合物粒子32c的透明密封构件10粘接在安装基板16上。作为树脂粘接剂50,例如能够使用有机硅树脂系、环氧树脂系、氟树脂系的粘接剂。
这样,透明密封构件10具有固定于与安装基板16的接合面30a的多个粒子32(陶瓷粒子32a、金属粒子32b或金属间化合物粒子32c),因此起到以下那样的作用效果。
即,如图1所示,从光学元件14射出的紫外光12透过透明密封构件10而向外部射出,但部分紫外光12在透明密封构件10内进行传导,前往透明密封构件10的接合部分。以往,在透明密封构件10内进行了传导的紫外光12照射到树脂粘接剂50,其结果有时会导致树脂粘接剂50的劣化、以及封装20的耐久性的劣化(光学部件的劣化)。
与此相对,本实施方式涉及的透明密封构件10具有固定于与安装基板16的接合面30a的多个粒子32(陶瓷粒子32a、金属粒子32b或金属间化合物粒子32c)。因此,在透明密封构件10内进行了传导的紫外光12因粒子32而衰减、或折射、反射等而不直接入射到树脂粘接剂50。
即,本实施方式涉及的光学部件18能够抑制紫外光12对于将透明密封构件10与安装基板16接合的树脂粘接剂50的影响,能够实现使用期间的长寿命化。
另外,本实施方式涉及的透明密封构件10能够抑制从光学元件14射出的紫外光12对于树脂粘接剂50的影响,能够抑制与安装基板16的密封性的劣化。
作为透明密封构件10的变形例,例如可以举出图6A~图7所示的构成。
即,图6A所示的第一变形例涉及的透明密封构件10a具有与上述透明密封构件10同样的构成,但在透明体30的上部一体地具有透镜体60这一点上不同。
图6B所示的第二变形例涉及的透明密封构件10b具有与上述透明密封构件10同样的构成,但在以下方面不同。即,透明体30的下表面是平坦的。需要说明的是,安装基板16在其周部一体地形成有向上方立起的侧壁62(周壁),具有用于安装光学元件14的凹部64。
图7所示的第三变形例涉及的透明密封构件10c具有与第二变形例涉及的透明密封构件10b同样的构成,但在形状为板状这一点上不同。
对于这些透明密封构件10a、10b以及10c,由于也具有固定于与安装基板16的接合面30a的多个粒子32,因此在透明密封构件10a、10b以及10c内传导过来的紫外光12因粒子32而衰减、或反射等,不直接入射到树脂粘接剂50。由此,光学部件18能够抑制紫外光12对于将透明密封构件10a、10b以及10c与安装基板16接合的树脂粘接剂50的影响,能够实现使用期间的长寿命化。
实施例
对于实施例1~15和比较例,评价了透明密封构件10对安装基板16的密封性。
[实施例1]
实施例1涉及的光学部件具有与图1所示的光学部件18同样的构成。
(透明密封构件的制作)
实施例1涉及的透明密封构件10的制造方法如下。即,对由石英玻璃构成的块体母材进行切出加工而得到透明体30。透明体30的外径为3.5mm见方,高度为1mm。
之后,在透明体30的端面30a(接合面30a)固定陶瓷粒子32a。在该固定方法中,首先,在钼制的板上将平均粒径为0.1μm的陶瓷粒子32a(SiC粒子)铺设厚1mm左右,并在其上将透明体30以端面30a朝下的方式静置。然后,通过在低于陶瓷粒子32a的熔点且为1200℃以上的温度进行热处理,从而在透明体30的端面30a固定陶瓷粒子32a,得到实施例1涉及的透明密封构件10。需要说明的是,陶瓷粒子32a的平均粒径使用堀场制作所制造的激光衍射散射式粒度分布测定装置LA-750进行测定。
透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.1μm。
然后,利用环氧系树脂的粘接剂将安装有紫外线发光元件的安装基板16与透明密封构件10接合,制作了实施例1涉及的光学部件18。
[实施例2~4]
实施例2、3和4中,作为固定于透明密封构件10的接合面30a的陶瓷粒子32a,使用了平均粒径为1.0μm、5.0μm及10.0μm的陶瓷粒子(SiC粒子)32a,除这一点以外,与实施例1同样地制作了实施例2、3及4涉及的光学部件18。需要说明的是,实施例2、3及4中,透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.5μm、2.5μm、5.0μm。
[实施例5]
实施例5中,除了在透明密封构件10的接合面30a固定有平均粒径为0.1μm的金属粒子(钼粒子)32b这一点以外,与实施例1同样地制作了实施例5涉及的光学部件18。透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.1μm。
[实施例6~8]
实施例6、7及8中,作为固定于透明密封构件10的接合面30a的金属粒子32b,使用了平均粒径为1.0μm、5.0μm及10.0μm的金属粒子(钼粒子)32b,除了这一点以外,与实施例5同样地制作了实施例6、7及8涉及的光学部件18。实施例6、7及8中,透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.5μm、2.5μm、5.0μm。
[实施例9]
实施例9中,除了在透明密封构件10的接合面30a固定了平均粒径为0.1μm的金属间化合物粒子(MoSi2粒子)32c这一点以外,与实施例1同样地制作了实施例9涉及的光学部件18。透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.1μm。
[实施例10~12]
实施例10、11及12中,作为固定于透明密封构件10的接合面30a的金属间化合物粒子32c,使用了平均粒径为1.0μm、5.0μm及10.0μm的金属间化合物粒子(MoSi2粒子)32c,除了这一点以外,与实施例9同样地制作了实施例10、11及12涉及的光学部件18。需要说明的是,实施例10、11及12中,透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.5μm、2.5μm、5.0μm。
[实施例13]
实施例13通过上述粉末烧结法制作了透明体30。即,调制了含有二氧化硅粉体和有机化合物的浆料。将浆料在室温下注入成型模具内,在室温下放置一定时间。接着,从成型模具脱模。进而,使其干燥一定时间,得到二氧化硅粉末成型体。需要说明的是,原料粉末的平均粒径使用堀场制作所制造的激光衍射散射式粒度分布测定装置LA-750进行测定。
在钼制的板上将平均粒径为0.1μm的陶瓷粒子32a(SiC粒子)铺设厚1mm左右,在其上将二氧化硅粉末成型体以端面朝下的方式静置。然后,将二氧化硅粉末成型体与陶瓷粒子32a一起在大气中以400~1200℃进行脱脂后,在非活性气氛中以1500~1700℃进行热处理,使其致密化和透明化,制作了透明体30。并且,在透明体30的端面30a(接合面30a)固定了陶瓷粒子32a。透明密封构件10的外径为3.5mm见方,高度为1mm。另外,与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra与实施例1同样地,为0.1μm。
[实施例14、15]
实施例14及15中,作为固定于透明密封构件10的接合面30a的陶瓷粒子32a,使用了平均粒径为0.05μm及15.0μm的SiC粒子,除了这一点以外,与实施例1同样地制作了实施例14及15涉及的光学部件18。需要说明的是,实施例14及15中,透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.05μm及9.0μm。
[比较例]
比较例中,不在透明密封构件10的接合面30a固定粒子32,而利用环氧系树脂的粘接剂将安装有紫外线发光元件的安装基板16与透明密封构件10直接接合,制作了比较例涉及的光学部件。需要说明的是,比较例的透明密封构件10的与安装基板16接合的部分的表面粗糙度Ra为0.02μm。
[评价方法]
对于如上述那样制作的各种光学部件,测定了利用树脂粘接剂50将安装有紫外线发光元件的安装基板16与透明密封构件10接合后的初始光束。接着,将光学部件18放入恒温恒湿槽内,在相对湿度80%的条件下,实施100次将温度10℃→80℃→10℃作为1个循环的升降温热循环。在热循环后将光束维持80%以上的光学部件18设为合格,将降低至小于80%的光学部件18设为不合格。并且,对于各光学部件18计算了不合格率。
在图8的表1中示出实施例1~15和比较例涉及的光学部件的详情和不合格率。
根据图8的表1,实施例1~15的不合格率均为25%以下,均良好。特别是,实施例1~13的不合格率为5%以下,比实施例14和15更好。与此相对,比较例的不合格率为35%,比实施例14和15差。认为这是因为,由于用树脂粘接剂50直接将透明密封构件10接合于安装基板16,因而来自光学元件14的紫外光12在透明密封构件10中传导,并入射到树脂粘接剂50中,导致了该树脂粘接剂50劣化。
因此,透明密封构件10优选具有固定于与安装基板16的接合面30a的多个粒子32(陶瓷粒子32a、金属粒子32b或金属间化合物粒子32c)。在该情况下,固定于透明密封构件10的接合面30a的粒子32的平均粒径优选为0.1~10μm的范围,进一步优选为1.0~5.0μm的范围。此外,透明密封构件10的与安装基板接合的部分的表面粗糙度Ra优选为0.1~5μm,进一步优选为0.5~2.5μm。
需要说明的是,本发明涉及的透明密封构件及光学部件不限于上述的实施方式,当然也能够在不脱离本发明的主旨的情况下采用各种构成。
Claims (17)
1.一种透明密封构件(10),其特征在于,是在用于容纳至少一个光学元件(14)的封装(20)中使用的,且通过树脂粘接剂(50)与安装有所述光学元件(14)的安装基板(16)接合的透明密封构件(10),
所述透明密封构件(10)具有固定于与所述安装基板(16)的接合面(30a)的多个粒子(32)。
2.根据权利要求1所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述多个粒子(32)埋设固定在所述透明密封构件(10)中,或者借助与所述透明密封构件(10)的反应层而固定。
3.根据权利要求1或2所述的透明密封构件(10),其特征在于,
用于具有所述光学元件(14)和所述安装基板(16)的光学部件(18),与所述安装基板(16)一起构成容纳所述光学元件(14)的所述封装(20)。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述透明密封构件(10)由石英玻璃、光学玻璃或蓝宝石构成。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述粒子(32)的熔点比所述透明密封构件(10)的熔点高。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述粒子(32)是氮化物、碳化物或硼化物的陶瓷粒子(32a)。
7.根据权利要求6所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述陶瓷粒子(32a)的构成材料为AlN(氮化铝)、Si3N4(氮化硅)、SiC(碳化硅)、WC(碳化钨)、Mo2C(碳化钼)、BN(氮化硼)、B4C(碳化硼)、MoB(硼化钼)或WB(硼化钨)。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述粒子(32)是金属粒子(32b)。
9.根据权利要求8所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述金属粒子(32b)的构成材料为Mo(钼)、W(钨)、Ti(钛)、Zr(锆)、Pt(铂)、B(硼)、Cr(铬)或Ir(铱)。
10.根据权利要求1~5中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述粒子(32)是金属间化合物粒子(32c)。
11.根据权利要求10所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述金属间化合物粒子(32c)的构成材料为硅化物。
12.根据权利要求11所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述金属间化合物粒子(32c)的构成材料为MoSi2或WSi2。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述粒子(32)的平均粒径为0.05~15μm的范围。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
与所述安装基板(16)接合的部分的表面粗糙度Ra为0.05~10μm。
15.根据权利要求1~13中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述接合面(30a)与所述多个粒子(32)通过在所述透明密封构件(10)与所述粒子(32)之间发生反应的温度以上进行热处理来固定。
16.根据权利要求1~13中任一项所述的透明密封构件(10),其特征在于,
所述接合面(30a)与所述多个粒子(32)通过在所述透明密封构件(10)软化的温度进行热处理来固定。
17.一种光学部件(18),其特征在于,具有权利要求1~16中任一项所述的透明密封构件(10)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPPCT/JP2017/030082 | 2017-08-23 | ||
JP2017030082 | 2017-08-23 | ||
PCT/JP2018/030698 WO2019039440A1 (ja) | 2017-08-23 | 2018-08-20 | 透明封止部材及び光学部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111033768A true CN111033768A (zh) | 2020-04-17 |
Family
ID=65438829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880054722.1A Pending CN111033768A (zh) | 2017-08-23 | 2018-08-20 | 透明密封构件及光学部件 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11195980B2 (zh) |
JP (1) | JP6966557B2 (zh) |
KR (1) | KR20200040770A (zh) |
CN (1) | CN111033768A (zh) |
DE (1) | DE112018003868T5 (zh) |
WO (1) | WO2019039440A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3599414A1 (en) * | 2018-07-23 | 2020-01-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass cavity member, synthetic quartz glass cavity lid, optical device package, and making methods |
JP7136151B2 (ja) | 2020-03-18 | 2022-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜付き合成石英ガラス基板、窓材、光学素子パッケージ用リッド、光学素子パッケージおよび光照射装置 |
CN114178710A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-03-15 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件及其制造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3673440B2 (ja) | 2000-02-24 | 2005-07-20 | 京セラ株式会社 | 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP3760086B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-03-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの製造方法 |
JP3374127B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2003-02-04 | 古河サーキットフォイル株式会社 | 金属箔、それを用いた回路基板用の積層板 |
US6812503B2 (en) * | 2001-11-29 | 2004-11-02 | Highlink Technology Corporation | Light-emitting device with improved reliability |
JP2005317793A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Kyocera Kinseki Corp | 電子部品容器及びその封止方法 |
JP2007311707A (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ushio Inc | 紫外線発光素子パッケージ |
KR101329143B1 (ko) | 2007-01-10 | 2013-11-20 | 삼성전자주식회사 | 금속 나노입자를 이용한 자외선 차단 재료 |
JP2010153803A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 電子部品実装モジュール及び電気機器 |
JP5500904B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2014-05-21 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2012069977A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-04-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
WO2013142079A1 (en) | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Kla-Tencor Corporation | Using reflected and transmission maps to detect reticle degradation |
JP6368924B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2018-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
TWI540709B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-07-01 | 群豐科技股份有限公司 | 光電封裝體及其製造方法 |
JP2015230983A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 旭硝子株式会社 | 紫外線発光装置用透光性部材、紫外線発光装置およびその製造方法 |
JP6465113B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2019-02-06 | Agc株式会社 | 紫外線発光装置用接着剤および紫外線発光装置 |
JP2017011200A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社トクヤマ | 発光素子パッケージ |
CN106848031A (zh) * | 2015-12-04 | 2017-06-13 | 财团法人工业技术研究院 | 紫外光发光二极管的封装结构 |
JP2017147406A (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 日機装株式会社 | 発光装置 |
-
2018
- 2018-08-20 WO PCT/JP2018/030698 patent/WO2019039440A1/ja active Application Filing
- 2018-08-20 DE DE112018003868.8T patent/DE112018003868T5/de active Pending
- 2018-08-20 CN CN201880054722.1A patent/CN111033768A/zh active Pending
- 2018-08-20 JP JP2019537623A patent/JP6966557B2/ja active Active
- 2018-08-20 KR KR1020207005217A patent/KR20200040770A/ko unknown
-
2020
- 2020-02-20 US US16/795,878 patent/US11195980B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200040770A (ko) | 2020-04-20 |
JPWO2019039440A1 (ja) | 2020-08-20 |
DE112018003868T5 (de) | 2020-04-16 |
US11195980B2 (en) | 2021-12-07 |
JP6966557B2 (ja) | 2021-11-17 |
US20200194638A1 (en) | 2020-06-18 |
WO2019039440A1 (ja) | 2019-02-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200417 |