JP7009477B2 - 透明封止部材及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(B)各微小凹部35の開口部分における予め設定された特定方向Dの幅Wc(図3B参照)。
(b)各微小凹部を予め設定された特定方向Dに沿って切断した面Sの最も大きい深さHb(図4B参照)。
第1実施例は、実施例1、2及び3並びに比較例1、2及び3について、実装基板16に透明封止部材10をろう付け接着し、その後、冷却した後における透明封止部材10へのクラックの発生率を確認した。
実施例1に係る透明封止部材10は、図1Aに示す第1透明封止部材10Aと同様の構成を有する。
実施例1と同様の製法で作製したシリカ粉末成形体を大気中で500℃で仮焼きした後、水素雰囲気中で実施例1よりも10℃低い温度で焼成して透明封止部材10を作製した。すなわち、実施例2の透明封止部材10は水素雰囲気中での焼成温度が10℃低い温度で焼成した以外は実施例1と同様の方法で作製した。この実施例2では、第1角部34Aに形成された湾曲形状の曲率半径を150μm以上300μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例1と同様にして、100個の実施例2に係る光学部品を作製した。
実施例1と同様の製法で作製したシリカ粉末成形体を大気中で500℃で仮焼きした後、水素雰囲気中で実施例1よりも20℃低い温度で焼成して透明封止部材10を作製した。すなわち、実施例3の透明封止部材10は水素雰囲気中での焼成温度が20℃低い温度で焼成した以外は実施例1と同様の方法で作製した。この実施例3では、第1角部34Aに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500μm以下とした100個の透明封止部材10を作製した。
石英ガラスを研削加工して、100個の透明封止部材10を作製した。比較例1に係る透明封止部材10の構成は、実施例1とほぼ同様の構成を有するが、第1角部34Aが湾曲形状ではなく、レンズ体28と蓋部26との境界が角張っている。その後、実施例1と同様にして、100個の比較例1に係る光学部品を作製した。
実施例1と同様の方法で、100個の透明封止部材10を作製した。但し、比較例2では、最後にエッチング処理を行って、その表面を平滑にした。比較例2では、エッチング処理により実施例1よりも微小凹部35の数が少なくなっている。
実施例1と同様の製法で作製したシリカ粉末成形体を大気中で500℃で仮焼きした後、水素雰囲気中で実施例1よりも190℃低い温度で焼成して透明封止部材10を作製した。すなわち、比較例3の透明封止部材10は水素雰囲気中での焼成温度が190℃低い温度で焼成した以外は実施例1と同様の方法で作製した。この比較例3では、第1角部34Aに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500μm以下とした100個の透明封止部材10を作製した。
微小凹部35の形状については、以下の方法で評価を行った。先ず、1サンプルにつき、AFM(原子間力顕微鏡)によるAFM表面像を5枚取得した。次に、各AFM表面像からそれぞれ3本のラインプロファイルを取得し、その中から任意の20個の微小凹部35を抽出した。すなわち、1サンプルにつき、(20個/AFM表面像1枚)×AFM表面像5枚=100個の微小凹部35を抽出した。そして、1サンプルにつき、100個の微小凹部35の平均幅及び平均深さを取得した。図2に、サンプル1つの検査対象領域Zに対して3本のラインプロファイルを取得するための3つのラインL1、L2及びL3の例を示す。
第2実施例は、実施例4、5及び6並びに比較例4について、透明封止部材10を実装基板16に実装する際の不具合の発生率を確認した。ここで、不具合率は、テストを行った個数(例えば100個)のうち、実装面16aに位置決め用突起40(図7B及び図7C参照)が設けられた実装基板16に透明封止部材10を実装した際に、位置決め用突起40が透明封止部材10の凹部38に入っていない個数の割合とした。
実施例4に係る透明封止部材10は、図1Bに示す第2透明封止部材10Bと同様の構成を有する。実施例4に係る透明封止部材10の製造方法は、上述した実施例1と同様であるので、その説明を省略する。
この実施例5では、第2角部34Bに形成された湾曲形状の曲率半径を150μm以上300μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例4と同様にして、100個の実施例5に係る光学部品を作製した。
この実施例6では、第2角部34Bに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500μm以下とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例4と同様にして、100個の実施例6に係る光学部品を作製した。
石英ガラスを研削加工して、100個の透明封止部材10を作製した。比較例4に係る透明封止部材10の構成は、実施例4とほぼ同様の構成を有するが、第2角部34Bが湾曲形状ではなく、蓋部26の側面26aと、蓋部26の底面26cとの境界が角張っている。その後、実施例4と同様にして、100個の比較例4に係る光学部品を作製した。
実施例4、5及び6並びに比較例4について、上述した不具合の発生率を確認した。その結果を下記表2に示す。
第3実施例は、実施例7、8及び9並びに比較例5、6、及び7について、光学素子14を点灯し、その後、消灯するというサイクルを複数回繰り返した後における透明封止部材10へのクラックの発生率を確認した。
実施例7に係る透明封止部材10は、図6Aに示す第4透明封止部材10Dと同様の構成を有する。実施例7に係る透明封止部材10の製造方法は、上述した実施例1と同様であるので、その説明を省略する。
実施例7と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例8では、水素雰囲気中での焼成温度を、実施例7での焼成温度よりも10℃低くした。また、第4角部34Dに形成された湾曲形状の曲率半径を150μm以上300μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例7と同様にして、100個の実施例8に係る光学部品を作製した。
実施例7と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例9では、水素雰囲気中での焼成温度を、実施例7での焼成温度よりも20℃低くした。また、第4角部34Dに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500以下とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例7と同様にして、100個の実施例9に係る光学部品を作製した。
石英ガラスを研削加工して、100個の透明封止部材10を作製した。比較例5に係る透明封止部材10の構成は、実施例7とほぼ同様の構成を有するが、第4角部34Dが湾曲形状ではなく、凹部38の内周面38aと、光学素子14に対向する凹部38の底面38bとの境界が角張っている。その後、実施例7と同様にして、100個の比較例5に係る光学部品を作製した。
実施例7と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この比較例6では、エッチング処理を施して、透明封止部材10の表面を平滑化させた。その後、実施例7と同様にして、100個の比較例6に係る光学部品を作製した。
実施例7と同様の製法で透明封止部材10を作製した。但し、比較例7では、水素雰囲気中の焼成温度を実施例7よりも190℃低くした。その後、実施例7と同様にして、100個の比較例7に係る光学部品を作製した。
実施例7、8及び9並びに比較例5、6、及び7についてのクラックの発生率、すなわち、光学素子14を点灯し、その後、消灯するというサイクルを複数回繰り返した後における透明封止部材10へのクラックの発生率を確認した。その結果を図10の表3に示す。
第4実施例は、実施例10、11及び12並びに比較例8について、透明封止部材10を実装基板16に実装する際の断線の発生率を確認した。ここで、断線とは、透明封止部材10を実装基板16上に装着する際の配置ずれ等のために、透明封止部材10がボンディングワイヤ24に接触することによるボンディングワイヤ24の断線を示す。
実施例10に係る透明封止部材10は、図6Bに示す第5透明封止部材10Eと同様の構成を有する。実施例10に係る透明封止部材10の製造方法は、上述した実施例1と同様であるので、その説明を省略する。
実施例10と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例11では、第5角部34Eに形成された湾曲形状の曲率半径を150μm以上300μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例10と同様にして、100個の実施例11に係る光学部品を作製した。
実施例10と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例12では、第5角部34Eに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500μm以下とした100個の透明封止部材10を作製した。その後、実施例10と同様にして、100個の実施例12に係る光学部品を作製した。
石英ガラスを研削加工して、100個の透明封止部材10を作製した。比較例8に係る透明封止部材10の構成は、実施例10とほぼ同様の構成を有するが、第5角部34Eが湾曲形状ではなく、凹部38の内周面38aと、透明封止部材10のうち、実装基板16に装着される面29aとの境界が角張っている。その後、実施例10と同様にして、100個の比較例8に係る光学部品を作製した。
実施例10、11及び12並びに比較例8について、上述した断線の発生率を確認した。その結果を下記表4に示す。
第5実施例は、実施例13、14及び15並びに比較例9、10及び11について、第8角部34H(図8B参照)の曲率半径を変えて透明封止部材10を作製後、所定の高さから落下させる試験を実施し、クラック発生率を評価した。
実施例13に係る透明封止部材10は、図8Bに示す第7透明封止部材10Gと同様の構成を有する。実施例13に係る透明封止部材10の製造方法は、上述した実施例1と同様であるので、その説明を省略する。そして、この実施例13では、第8角部34Hに形成された湾曲形状の曲率半径を5μm以上150μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。
実施例13と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例14では、水素雰囲気中での焼成温度を、実施例13での焼成温度よりも10℃低くした。また、第8角部34Hに形成された湾曲形状の曲率半径を150μm以上300μm未満とした100個の透明封止部材10を作製した。
実施例13と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この実施例15では、水素雰囲気中での焼成温度を、実施例13での焼成温度よりも20℃低くした。また、第8角部34Hに形成された湾曲形状の曲率半径を300μm以上500μm以下とした100個の透明封止部材10を作製した。
石英ガラスを研削加工して、100個の透明封止部材10を作製した。比較例9に係る透明封止部材10の構成は、実施例13とほぼ同様の構成を有するが、第8角部34Hが湾曲形状ではなく、透明体29の上面29dと透明体29の外周面29cとの境界が角張っている。
実施例13と同様の製法で透明封止部材10を作製した。この比較例10では、エッチング処理を施して、透明封止部材10の表面を平滑化させた。その後、実施例13と同様にして、100個の比較例10に係る光学部品を作製した。
実施例13と同様の製法で透明封止部材10を作製した。但し、比較例11では、水素雰囲気中の焼成温度を実施例13よりも190℃低くした。その後、実施例13と同様にして、100個の比較例11に係る光学部品を作製した。
実施例13、14及び15並びに比較例9、10及び11について、上述したクラックの発生率を確認した。その結果を図11の表5に示す。
Claims (11)
- 少なくとも1つの光学素子(14)が収容されるパッケージ(20)に用いられ、前記光学素子(14)の実装面(16a)を有する実装基板(16)に装着される透明封止部材(10)であって、
前記透明封止部材(10)は、石英ガラスで構成され、
前記透明封止部材(10)は、前記実装基板(16)に向かう面(30)と、前記実装基板(16)の前記実装面(16a)に沿う面(32)とで構成される複数の角部のうち、少なくとも1つの角部が湾曲形状を有し、前記湾曲形状の表面には点状の微小凹部(35)が形成されており、前記微小凹部(35)の平均存在頻度が1mm2当たり、10万個以上300万個以下であることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1記載の透明封止部材において、前記微小凹部(35)を有する前記湾曲形状の表面粗さが0.01μm以上、0.05μm以下であること透明封止部材。
- 請求項1又は2に記載の透明封止部材において、
前記実装基板(16)に前記光学素子(14)が実装される凹部(22)が設けられた前記パッケージ(20)に用いられ、
前記透明封止部材(10)は、前記凹部(22)を塞ぐ蓋部(26)と、前記蓋部(26)から膨出するレンズ体(28)とを一体に有し、
前記湾曲形状を有する角部(34A)は、前記レンズ体(28)の側面(28a)と、前記蓋部(26)のうち、前記レンズ体(28)の底部を囲む周面(26b)とで構成されることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
前記実装基板(16)に前記光学素子(14)が実装される凹部(22)が設けられ、さらに前記凹部(22)に段差(36)が設けられた前記パッケージ(20)に用いられ、
前記透明封止部材(10)は、前記凹部(22)を塞ぐ蓋部(26)と、前記蓋部(26)から膨出するレンズ体(28)とを一体に有し、
前記湾曲形状を有する他の角部(34B)は、前記蓋部(26)の側面(26a)と、前記蓋部(26)のうち、前記実装基板(16)に対向する面(26c)とで構成されることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1又は2に記載の透明封止部材において、
前記実装基板(16)に前記光学素子(14)が実装される凹部(22)が設けられ、さらに前記凹部(22)に段差(36)が設けられたパッケージ(20)に用いられ、
前記透明封止部材(10)は、前記段差(36)に装着されて、前記凹部(22)を塞ぐレンズ体(28)にて構成され、
前記湾曲形状を有する角部(34C)は、前記レンズ体(28)の側面(28a)と、前記レンズ体(28)の底面(28b)とで構成されることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
前記透明封止部材(10)は、前記実装基板(16)の前記実装面(16a)に実装された前記光学素子(14)を囲む凹部(38)を有し、
前記湾曲形状を有する角部(34D)は、前記凹部(38)の内周面(38a)と、前記光学素子(14)に対向する前記凹部(38)の底面(38b)とで構成されることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~3及び6のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
前記透明封止部材(10)は、前記実装基板(16)の前記実装面(16a)に実装された前記光学素子(14)を囲む凹部(38)を有し、
前記湾曲形状を有する角部(34E)は、前記凹部(38)の内周面(38a)と、前記透明封止部材(10)のうち、前記実装基板(16)に装着される面(29a)とで構成されることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~3及び6、7のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
前記透明封止部材(10)の外周面(29c)と、前記透明封止部材(10)の上面(29d)とで構成される角部(34H)が湾曲形状に形成されていることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~8のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
湾曲形状を有する前記角部の曲率半径は、5μm以上、500μm以下であることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~9のいずれか1項に記載の透明封止部材において、
前記透明封止部材(10)の構成材料が石英ガラスであることを特徴とする透明封止部材。 - 請求項1~10のいずれか1項に記載の透明封止部材(10)をシリカ粉末成形体の粉末焼結法で作製することを特徴とする透明封止部材の製造方法。
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JP7397687B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2023-12-13 | スタンレー電気株式会社 | 深紫外光を発する発光装置及びそれを用いた水殺菌装置 |
TWI728779B (zh) * | 2020-04-15 | 2021-05-21 | 宏齊科技股份有限公司 | Led顯示屏模組 |
CN112180480A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-05 | 扬州紫王优卫科技有限公司 | 一种草帽型石英透镜及其生产工艺 |
CN113506843A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-15 | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 | 一种Micro-LED芯片承载基板及其制造方法 |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175048A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007035759A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
JP2007116138A (ja) | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
WO2008023827A1 (fr) | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
JP2010508652A (ja) | 2006-10-31 | 2010-03-18 | ティーアイアール テクノロジー エルピー | 照明デバイスパッケージ |
JP2013046071A (ja) | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット |
JP2015099948A (ja) | 2015-03-02 | 2015-05-28 | ローム株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
WO2016103547A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10233532A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-02 | Houshin Kagaku Sangiyoushiyo:Kk | 発光ダイオード |
DE10023353A1 (de) | 2000-05-12 | 2001-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
JP2004296215A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Toyota Industries Corp | 面状光源用の透明基板、透明基板の製造方法、面状光源及び液晶表示装置 |
US20060086945A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Harvatek Corporation | Package structure for optical-electrical semiconductor |
KR100945621B1 (ko) | 2005-03-07 | 2010-03-04 | 로무 가부시키가이샤 | 광 통신 모듈 및 그 제조 방법 |
JP2009169157A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Minoru Endo | 光学部材、発光装置及び表示装置 |
JP5243806B2 (ja) | 2008-01-28 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | 紫外光発光装置 |
US8773006B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-07-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same |
JP2014236202A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
US20160139300A1 (en) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | Taiwan Color Optics, Inc. | Method for producing a low temperature glass phosphor lens and a lens produced by the same |
TW201624769A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-01 | 聯京光電股份有限公司 | 發光元件封裝結構及其製造方法 |
DE112018003564T5 (de) * | 2017-07-11 | 2020-03-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Transparentes einkapselungselement |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005175048A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007035759A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Rohm Co Ltd | 光通信モジュールおよびその製造方法 |
JP2007116138A (ja) | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
WO2008023827A1 (fr) | 2006-08-25 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
JP2010508652A (ja) | 2006-10-31 | 2010-03-18 | ティーアイアール テクノロジー エルピー | 照明デバイスパッケージ |
JP2013046071A (ja) | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット |
WO2016103547A1 (ja) | 2014-12-26 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015099948A (ja) | 2015-03-02 | 2015-05-28 | ローム株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置 |
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