CN110911442A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有显示区域和位于显示区域外部的外围区域；第一晶体管和第二晶体管，均位于基底的显示区域之上，并在基底上布置在不同的水平处；以及多条布线，位于基底的外围区域之上，其中，多条布线包括第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在基底上位于不同的水平处，并彼此交替地布置。

Description

显示装置
本申请要求于2018年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0111031号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
根据在视觉上表现各种电信号信息的显示器领域的快速发展，已经引入了具有诸如小厚度、轻重量和低功耗的优异特性的各种平板显示装置。此外，已经开发了其中在前表面上没有物理按钮的情况下提供扩大的显示区域的显示装置。
为了提供具有更高分辨率的显示装置，需要提供更大数量的通过其向显示区域传输电信号的布线。然而，在其中显示装置的显示区域增大并且显示装置的非显示区域相应地减小的条件下，数量已经增大的布线之间的距离变得更小，这会导致布线之间的耦合，并使显示装置的图像质量劣化。
发明内容
一个或更多个实施例包括其中可以防止或减小通过其向显示区域传输电信号的布线之间的耦合的显示装置。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地，将通过描述而是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，具有显示区域和位于显示区域外部的外围区域；第一晶体管和第二晶体管，均位于基底的显示区域之上，并在基底上布置在不同的水平处；以及多条布线，位于基底的外围区域之上，其中，所述多条布线可以包括第一布线和第二布线，第一布线和第二布线在基底上位于不同的水平处，并彼此交替地布置。
第一晶体管可以包括包含多晶硅的第一半导体层，第二晶体管可以包括包含氧化物半导体的第二半导体层。
显示装置还可以包括电连接到第一晶体管的显示元件，其中，第一晶体管可以是驱动晶体管，第二晶体管可以是开关晶体管。
显示装置还可以包括与第一晶体管叠置的电容器，其中，电容器的第一电极可以与第一晶体管的第一栅电极布置在同一层上。
电容器还可以包括与第一电极叠置的第二电极，其中，显示装置还可以包括位于第一半导体层与第一栅电极之间的第一绝缘层、位于第一栅电极与第二电极之间的第二绝缘层以及位于第二电极上的第三绝缘层，其中，第二半导体层可以位于第三绝缘层上。
第二晶体管还可以包括位于第二半导体层上的第二栅电极。
第一布线可以包括与第一栅电极的材料相同的材料，第二布线可以包括与第二栅电极的材料相同的材料。
显示装置还可以包括位于第二半导体层与第二栅电极之间的第四绝缘层，其中，第一布线可以位于第一绝缘层上，第二布线可以位于第四绝缘层上。
第一布线和第二布线可以在竖直方向上彼此至少部分地叠置。
显示装置还可以包括第四绝缘层和第五绝缘层，其中，第四绝缘层可以位于第二半导体层与第二栅电极之间，第五绝缘层可以位于第二栅电极上，其中，外围区域还可以包括垫区域以及位于显示区域与垫区域之间的弯曲区域，其中，弯曲区域可以是从其去除第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层的区域，并且有机材料层可以位于弯曲区域中。
第一布线和第二布线可以包括位于弯曲区域中的断开部分，在弯曲区域中断开的第一布线和第二布线可以经由位于有机材料层上的连接布线来连接。
连接布线可以包括连接第一布线的断开部分的第一连接布线和连接第二布线的断开部分的第二连接布线。
第一连接布线可以通过第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层中的接触孔连接第一布线的断开部分，第二连接布线可以通过第五绝缘层中的接触孔连接第二布线的断开部分。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，具有显示区域和位于显示区域外部的外围区域；第一晶体管，位于基底的显示区域之上，并包括包含多晶硅的第一半导体层和第一栅电极；第二晶体管，位于基底的显示区域之上，并包括包含氧化物半导体的第二半导体层和第二栅电极；以及多条布线，位于基底的外围区域之上，其中，第一栅电极和第二栅电极在基底上位于不同的水平处，其中，所述多条布线可以包括第一布线和第二布线，其中，第一布线与第一栅电极布置在同一层上，并且第二布线与第二栅电极布置在同一层上。
第一布线和第二布线可以彼此交替地布置。
第一布线和第二布线可以在竖直方向上彼此至少部分地叠置。
显示装置还可以包括电连接到第一晶体管的有机发光器件，其中，第一晶体管可以是驱动晶体管，第二晶体管可以是开关晶体管。
显示装置还可以包括与第一晶体管叠置的电容器，其中，电容器可以包括第一电极和第二电极，第一电极可以与第一栅电极布置在同一层上，第二电极可以布置在第一电极上并与第一电极叠置。
显示装置还可以包括位于第一半导体层与第一栅电极之间的第一绝缘层、位于第一栅电极与第二电极之间的第二绝缘层、位于第二电极与第二半导体层之间的第三绝缘层、位于第二半导体层与第二栅电极之间的第四绝缘层以及位于第二栅电极上的第五绝缘层。
第一晶体管还可以包括位于第五绝缘层上并电连接到第一半导体层的第一源电极和第一漏电极，其中，第二晶体管还可以包括位于第五绝缘层上并电连接到第二半导体层的第二源电极和第二漏电极。
外围区域还可以包括垫区域以及位于显示区域与垫区域之间的弯曲区域，其中，弯曲区域可以是从其去除第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层的区域，并且有机材料层可以位于弯曲区域中。
第一布线和第二布线可以包括位于弯曲区域中的断开部分，并且在弯曲区域中断开的第一布线和第二布线可以经由位于有机材料层上的连接布线来连接。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易领会，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是包括在图1的显示装置中的一个像素的等效电路图；
图3是根据示例的沿图1的线I-I’截取的示意性剖视图；
图4是图1的区域A的示意性平面图；
图5是根据示例的沿图4的线II-II’截取的示意性剖视图；
图6A和图6B是沿图4的线III-III’截取的示意性剖视图；以及
图7是根据另一示例的沿图4的线II-II’截取的示意性剖视图。
具体实施方式
由于本公开可以具有各种修改和若干实施例，因此在附图中示出了实施例并且将详细描述实施例。将参照下面详细描述的实施例与附图一起来说明效果、特征及其实现方法。然而，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。
虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可以用于描述各种组件，但是这些组件不限于上述术语。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
除非以单数使用的表述在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语意图表示说明书中公开的特征或组件的存在，并且不意图排除可以添加一个或更多个其他特征或组件的可能。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了解释的方便，可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话说，由于为了解释的方便而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
当某个实施例可以不同地实施时，可以与所描述的次序不同地执行特定的工艺次序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的次序相反的次序来执行两个连续描述的工艺。
如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。
下面将参照附图更详细地描述实施例。相同或相应的那些组件被赋予相同的附图标记，与图号无关。
图1是根据实施例的显示装置100的示意性平面图。图2是图1的显示装置100中包括的像素PX的等效电路图。
参照图1，根据实施例的显示装置100包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。外围区域PA可以围绕显示区域DA。还可以理解的是，基底110包括上述显示区域DA和外围区域PA。
多个像素PX可以位于显示区域DA中，外围区域PA可以包括其中电结合各种电子元件或印刷电路板等的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)区域PADA，并且通过其传输将施加到像素PX的电信号的多条布线PL可以位于外围区域PA中。
图1也可以被视为示出例如在显示装置100的制造工艺期间的基底110的平面图。在最终状态下的显示装置100或诸如智能电话的包括显示装置100的电子设备中，基底110等的一部分可以弯曲以使外围区域PA的被用户感知的区域最小化。
例如，外围区域PA可以包括弯曲区域，并且弯曲区域可以位于垫区域PADA与显示区域DA之间。在这种情况下，基底110可以在弯曲区域中弯曲，使得垫区域PADA的至少一部分与显示区域DA叠置。然而，弯曲方向被设定为使得垫区域PADA不覆盖显示区域DA的显示图像的前表面，而是位于显示区域DA的后面。因此，用户实际上将显示区域DA感知为占据显示装置100的大部分。
基底110可以包括具有柔性或可弯曲性质的各种材料。例如，基底110可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸树脂、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等的聚合物树脂。另外，基底110可以具有包括包含如上所述的聚合物树脂的两层以及位于所述两层之间的包含无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)的阻挡层的多层结构，或者可以进行其他这样的修改。然而，本公开不限于此，基底110还可以包括玻璃。
位于显示区域DA中的像素PX可以包括显示元件。图2是像素PX的等效电路图。参照图2，像素PX可以包括显示元件和驱动显示元件的像素电路。显示元件可以是例如有机发光器件OLED，但不限于此。在下文中，将描述包括有机发光器件OLED作为显示元件的像素PX作为示例。
参照图2，每个像素PX包括信号线131、133、151、153和171、初始化电压线141和电源电压线161，但是本公开不限于此。根据另一实施例，信号线131、133、151、153和171、初始化电压线141和电源电压线161中的至少一条可以在相邻像素PX之间共用。
信号线包括通过其传输第一扫描信号GWP的第一扫描线131、通过其传输第二扫描信号GWN的第二扫描线151、通过其传输第三扫描信号GI的第三扫描线153、通过其传输发射控制信号EM的发射控制线133以及与第一扫描线131交叉并通过其传输数据信号DATA的数据线171。
电源电压线161用于向第一晶体管T1传输第一电源电压ELVDD，初始化电压线141用于向像素PX传输使第一晶体管T1和有机发光器件OLED的像素电极初始化的初始化电压VINT。
像素PX的像素电路可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。根据晶体管类型(p型或n型)和/或操作条件，图2的第一电极E11至E71和第二电极E12至E72可以是源电极(源区)或漏电极(漏区)。可以使用薄膜晶体管来实现第一晶体管T1至第七晶体管T7。
第一晶体管T1包括连接到电容器Cst的第一电极41的栅电极G1、通过第五晶体管T5连接到电源电压线161的第一电极E11以及通过第六晶体管T6电连接到有机发光器件OLED的像素电极的第二电极E12。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，以向有机发光器件OLED供应电流。
第二晶体管T2包括连接到第一扫描线131的栅电极G2、连接到数据线171的第一电极E21以及连接到第一晶体管T1的第一电极E11的第二电极E22。第二晶体管T2根据通过第一扫描线131接收的第一扫描信号GWP导通，以执行将传输到数据线171的数据信号DATA传输到第一晶体管T1的第一电极E11的开关操作。
第三晶体管T3包括连接到第二扫描线151的栅电极G3、连接到第一晶体管T1的第二电极E12的第一电极E31以及连接到电容器Cst的第一电极41、第四晶体管T4的第二电极E42和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E32。第一电极E31通过第六晶体管T6连接到有机发光器件OLED的像素电极。第三晶体管T3根据通过第二扫描线151接收的第二扫描信号GWN导通，并且二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4包括连接到第三扫描线153的栅电极G4、连接到初始化电压线141的第一电极E41以及连接到电容器Cst的第一电极41、第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E42。第四晶体管T4根据通过第三扫描线153接收的第三扫描信号GI导通，以将初始化电压VINT传输到第一晶体管T1的栅电极G1，从而使第一晶体管T1的栅极电压初始化。
第五晶体管T5包括连接到发射控制线133的栅电极G5、连接到电源电压线161的第一电极E51以及连接到第一晶体管T1的第一电极E11和第二晶体管T2的第二电极E22的第二电极E52。
第六晶体管T6包括连接到发射控制线133的栅电极G6、连接到第一晶体管T1的第二电极E12和第三晶体管T3的第一电极E31的第一电极E61以及连接到有机发光器件OLED的像素电极的第二电极E62。
当第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发射控制线133接收的发射控制信号EM同时导通时，电流在有机发光器件OLED中流动。
第七晶体管T7包括连接到第一扫描线131的栅电极G7、连接到第六晶体管T6的第二电极E62和有机发光器件OLED的像素电极的第一电极E71以及连接到初始化电压线141的第二电极E72。第七晶体管T7根据通过第一扫描线131接收的第一扫描信号GWP导通，以使有机发光器件OLED的像素电极的电压初始化。
电容器Cst包括连接到第一晶体管T1的栅电极G1的第一电极41和连接到电源电压线161的第二电极43。电容器Cst的第一电极41也连接到第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42。
有机发光器件OLED可以包括像素电极和面向像素电极的共电极，共电极可以接收第二电源电压ELVSS。当有机发光器件OLED从第一晶体管T1接收电流以发光时，显示装置100可以显示图像，其中，流过有机发光器件OLED的电流为Ioled。
同时，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一些可以包括彼此不同类型的半导体层。例如，用作驱动晶体管的第一晶体管T1可以包括由多晶硅形成的半导体层，第三晶体管T3至第七晶体管T7以及作为开关晶体管的第二晶体管T2中的至少一个可以包括氧化物半导体层。
多晶硅具有高电子迁移率和高可靠性。由于对有机发光器件OLED的亮度具有直接影响的第一晶体管T1包括由多晶硅形成的半导体层，因此可以实现高分辨率的显示装置100。
此外，包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有相对低的截止电流并且以低频率可驱动。因此，当除了第一晶体管T1之外的其他晶体管中的至少一个(即，第二晶体管T2至第七晶体管T7中的至少一个)包括氧化物半导体层时，可以降低显示装置100的功耗。
图3是显示装置100的一部分的示意性剖视图，其中，为了描述的方便，仅示出了像素PX的上述元件之中的第一晶体管T1、第二晶体管T2、电容器Cst和有机发光器件OLED。
参照图3，缓冲层11可以布置在基底110上。缓冲层11可以在基底110的上部上提供平坦的表面并且阻挡穿透基底110的杂质或水分。例如，缓冲层11可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸树脂等的有机材料，并且可以具有包括选自于上述材料的多种材料的堆叠结构。
第一晶体管T1位于缓冲层11上。第一晶体管T1包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。第一晶体管T1用作驱动晶体管，因此，第一半导体层A1可以包括多晶硅。
第一栅电极G1布置在第一半导体层A1上，第一源电极S1和第一漏电极D1根据施加到第一栅电极G1的信号电连接。第一栅电极G1可以包括例如选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或更多种材料，并且可以具有单层或多层结构。这里，为了确保第一半导体层A1和第一栅电极G1的绝缘性质，由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料形成的第一绝缘层12可以置于第一半导体层A1与第一栅电极G1之间。
电容器Cst可以与第一栅电极G1叠置。电容器Cst包括第一电极41和第二电极43，包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料的第二绝缘层13可以设置在第一电极41与第二电极43之间。第一栅电极G1也用作电容器Cst的第一电极41。即，第一栅电极G1和第一电极41可以一体地形成。
电容器Cst的第二电极43布置在第二绝缘层13上，以与电容器Cst的第一电极41至少部分地叠置。第二电极43可以电连接到通过其传输驱动电压的电源电压线161(图2)。
包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料的第三绝缘层14可以位于第二电极43上，第二晶体管T2可以位于第三绝缘层14上。即，第二晶体管T2可以与第一晶体管T1位于不同的高度处。
第二晶体管T2包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。第二晶体管T2用作开关晶体管，因此，第二半导体层A2可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)的金属氧化物、诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)的金属以及所述金属的氧化物的混合物。例如，氧化物半导体可以包括诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等的Zn氧化物类材料。在一些实施例中，氧化物半导体可以是包括ZnO的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体，其中包含诸如In和Ga的金属。
第二栅电极G2布置在第二半导体层A2上，第四绝缘层15可以置于第二半导体层A2与第二栅电极G2之间。即，第二栅电极G2与第一栅电极G1布置在不同的高度处，第二绝缘层13至第四绝缘层15可以置于第二栅电极G2与第一栅电极G1之间。由于使用不同的层来形成第一栅电极G1和第二栅电极G2，所以不同的高度表示距基底110的不同距离。
第二栅电极G2可以包括例如选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或更多种材料，并且可以具有单层或多层结构。第四绝缘层15可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料。
第五绝缘层16可以布置在第二栅电极G2上，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的无机材料，并且具有单层或多层结构。
第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2布置在第五绝缘层16上。
第一源电极S1和第一漏电极D1可以分别通过形成在第一绝缘层12至第五绝缘层16中的接触孔电连接到第一半导体层A1，第二源电极S2和第二漏电极D2可以分别通过形成在第四绝缘层15和第五绝缘层16中的接触孔电连接到第二半导体层A2。
考虑到导电性质，第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2可以包括选自于例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一种或更多种材料，并且可以具有单层或多层结构。
第六绝缘层17可以布置在具有上述结构的第一晶体管T1和第二晶体管T2上。例如，如图3中所示，当有机发光器件OLED布置在比第一晶体管T1和第二晶体管T2的水平高的水平处时，第六绝缘层17覆盖第一晶体管T1和第二晶体管T2，从而使由第一晶体管T1和第二晶体管T2产生的弯曲平坦化。例如，第六绝缘层17可以包括诸如丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机材料。
导电层140可以布置在第六绝缘层17上。导电层140可以是将像素PX的包括第一晶体管T1和第二晶体管T1的多个晶体管以及电容器Cst中的一个的电极电连接到像素电极210的连接电极。
包括诸如丙烯酸树脂、BCB或HMDSO的有机材料的第七绝缘层18布置在导电层140上，包括像素电极210、对电极230以及置于像素电极210与对电极230之间且包括发射层的中间层220的有机发光器件OLED设置在第七绝缘层18上。
像素电极210可以通过形成在第七绝缘层18中的接触孔电连接到导电层140。像素电极210可以是透明电极、半透明电极或反射电极。当像素电极210是透明电极或半透明电极时，像素电极210可以包括例如ITO、IZO、In2O3、IGO或AZO。当像素电极210是反射电极时，像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物等的反射层以及包含ITO、IZO、In2O3、IGO或AZO的层。然而，一个或更多个实施例不限于此，即，像素电极210可以包括各种材料并且可以具有各种结构，例如，单层或多层结构。
第八绝缘层19可以布置在第七绝缘层18上。第八绝缘层19包括暴露像素电极210的中心的开口，以限定像素。另外，在图3中示出的示例中，第八绝缘层19覆盖像素电极210的边缘，以增大像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离，从而防止在像素电极210的边缘处产生电弧。例如，第八绝缘层19可以包括诸如聚酰亚胺、HMDSO等的有机绝缘材料。
有机发光器件OLED的中间层220包括发射层。发射层可以包括均发射预定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。另外，中间层220可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之中的至少一个功能层。功能层可以包括有机材料。
对电极230可以形成为覆盖多个有机发光器件OLED以对应于多个像素电极210。对电极230可以是透明电极、半透明电极或反射电极。当对电极230是透明电极或半透明电极时，对电极230可以包括包含小功函数的金属(即，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物)的层以及包含ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明导电层或半透明导电层。当对电极230是反射电极时，对电极230可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物的层。包括在对电极230中的结构和材料不限于上述示例，而是可以实现各种修改。
保护有机发光器件OLED免受外部湿气、氧等影响的封装层(未示出)可以位于对电极230上。封装层可以覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示区域DA的外部。封装层可以包括包含至少一种无机材料的无机封装层和包含至少一种有机材料的有机封装层。在一些实施例中，封装层可以具有其中堆叠有第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层的结构。此外，可以在封装层上提供诸如用于减少外部光的反射的偏振层、黑矩阵和滤色器的各种功能层以及/或者包括触摸屏的触摸屏层。
像素电路的一些其他晶体管(第三晶体管T3至第七晶体管T7)也可以包括与第二晶体管T2类似的氧化物半导体层。即，根据本公开，由于包括了包含具有高可靠性的多晶硅半导体作为半导体层的驱动晶体管以及包含具有相对低的漏电流的氧化物半导体作为半导体层的至少一个薄膜晶体管，因此，显示装置100可以具有高可靠性和高功耗效率。
图4是图1的区域A的示意性平面图。图5是沿图4的线II-II’截取的示意性剖视图。图6A和图6B是沿图4的线III-III’截取的示意性剖视图。
可以将各种电信号施加到显示区域DA。例如，可以将用于调整每个像素的亮度的数据信号施加到显示区域DA，为此，诸如数据线171(图2)的各种布线可以位于显示区域DA内。另外，用于施加扫描信号的扫描线131、151和153(图2)可以位于显示区域DA中。
布线PL可以位于垫区域PADA与显示区域DA之间，并且可以连接到数据线171(图2)或扫描线131、151和153(图2)以将来自附着到垫区域PADA的驱动器的数据信号或扫描信号传输到显示区域DA。
垫区域PADA的长度可以短于显示区域DA的与垫区域PADA相邻的一侧的长度，因此，布线PL之间的距离会从显示区域DA朝向垫区域PADA变短。即，布线PL的通过其从附着到垫区域PADA的集成电路(IC)或印刷电路板接收电信号的第一端(-y方向)之间的距离会小于布线PL的通过其将输入信号传输到显示区域DA的第二端(+y方向)之间的距离。此外，在布线PL的数量增大且外围区域PA同时减小的条件下，布线PL之间的距离不可避免地减小，因此，会进一步增大布线PL之间的耦合，其中，布线PL的数量因显示装置100(图1)中的像素数量增大而增大，显示装置100中的像素数量因显示装置100的分辨率增大而增大。
然而，根据本公开，由于布线PL包括位于不同水平处的第一布线PL1和第二布线PL2，因此可以解决上述问题。由于不同的层设置在基底与布线PL之间，所以不同的水平表示距基底110不同的距离。详细地，第一布线PL1可以位于第一绝缘层12上，第二布线PL2可以位于第四绝缘层15上，并且第一布线PL1和第二布线PL2可以相对于彼此交替地布置。即，第二绝缘层13、第三绝缘层14和第四绝缘层15位于彼此相邻的第一布线PL1与第二布线PL2之间，因此，与第一布线PL1和第二布线PL2布置在同一层上时相比，彼此相邻的第一布线PL1与第二布线PL2之间的距离增大，以减小第一布线PL与第二布线PL2之间的寄生电容，因此，可以防止或减少它们之间的信号干扰。
同时，当第一布线PL1位于第一绝缘层12上时，第一布线PL1包括与第一晶体管T1(图3)的第一栅电极G1(图3)的材料相同的材料，并且可以与第一栅电极G1(图3)一起形成。此外，位于第四绝缘层15上的第二布线PL2可以包括与第二晶体管T2(图3)的第二栅电极G2(图3)的材料相同的材料，并且可以与第二栅电极G2(图3)一起形成。
外围区域PA可以包括位于垫区域PADA与显示区域DA之间的弯曲区域BA，当显示装置100(图1)在弯曲区域BA中弯曲时，可以使外围区域PA的被用户感知的区域最小化。第一布线PL1和第二布线PL2可以在弯曲区域BA中具有断开部分。即，第一布线PL1和第二布线PL2分别仅形成在显示区域DA与弯曲区域BA之间的第一区域1A以及弯曲区域BA与垫区域PADA之间的第二区域2A中，位于第一区域1A中的一条第一布线PL1和位于第二区域2A中的一条第一布线PL1可以通过连接布线180来连接，位于第一区域1A中的一条第二布线PL2和位于第二区域2A中的一条第二布线PL2可以通过连接布线180来连接。
弯曲区域BA是从其去除第一绝缘层12至第五绝缘层16的区域，并且可以有助于在弯曲区域BA中弯曲并且防止在弯曲期间第一绝缘层12至第五绝缘层16中的裂纹。从其去除第一绝缘层12至第五绝缘层16的区域可以填充有有机材料层190(图6A和图6B)。有机材料层190可以设置在与弯曲区域BA相邻的非弯曲区域上。有机材料层190不仅补偿由于去除的绝缘层，即，第一绝缘层12至第五绝缘层16，引起的弯曲区域BA的台阶，而且还可以吸收由于弯曲而产生的应力。因此，可以有效地使弯曲期间弯曲区域BA上的各种连接布线中发生的应力集中最小化，所述各种连接布线向显示区域DA传输来自垫区域PADA中的垫单元(未示出)的电信号。
如上所述的有机材料层190可以包括选自于丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种材料。
连接布线180可以位于有机材料层190上。连接布线180可以通过穿过第一绝缘层12至第五绝缘层16的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2连接分别位于第一区域1A和第二区域2A中的第一布线PL1。另外，如图6B中所示，连接布线180可以通过穿过第五绝缘层16的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2连接分别位于第一区域1A和第二区域2A中的第二布线PL2。
穿过弯曲区域BA的连接布线180可以以最短距离穿过弯曲区域BA。即，连接布线180可以在与布置在显示区域DA的一侧处的垫区域PADA的长度方向垂直的方向上延伸。因此，弯曲区域BA上的连接布线180之间的距离可以大于第一区域1A和第二区域2A中倾斜地延伸的布线PL之间的距离。因此，即使连接布线180布置在同一层上，连接布线180也可以在其间具有足够的距离。
此外，连接布线180可以包括具有高水平延展性的材料，从而防止连接布线180中的裂缝或连接布线180中的短路。例如，多条布线PL可以包括钼，连接布线180可以包括铝。连接布线180可以与第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2位于同一水平上。在这种情况下，第一源电极S1、第一漏电极D1、第二源电极S2和第二漏电极D2具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
图7是根据另一示例的沿图4的线II-II’截取的示意性剖视图。在下文中，描述将集中于与上面的描述的差异。另外，将参照图4和图7二者提供描述。
图7示出了位于显示区域DA与垫区域PADA之间的外围区域PA，缓冲层11形成在外围区域PA的基底110上，第一绝缘层12、第二绝缘层13、第三绝缘层14、第四绝缘层15和第五绝缘层16可以顺序地堆叠在缓冲层11上。
此外，外围区域PA中的布线PL可以包括彼此位于不同水平处的第一布线PL1和第二布线PL2。例如，第一布线PL1可以位于第一绝缘层12上，第二布线PL2可以位于第四绝缘层15上。第一布线PL1和第二布线PL2可以定位为使得它们在竖直方向上彼此至少部分地叠置。例如，第一布线PL1和第二布线PL2可以根据平面图彼此完全叠置。
与当第一布线PL1和第二布线PL2彼此平行地布置在同一层上时相比，当第一布线PL1和第二布线PL2在竖直方向上至少部分地叠置时，可以减小由第一布线PL1和第二布线PL2占据的面积。即，随着第一布线PL1之间的距离增大，当第一布线PL1和第二布线PL2在第一区域1A和第二区域2A中倾斜地延伸时，可以进一步减小第一布线PL1和第二布线PL2相对于第一方向X的角度，因此，可以进一步减小显示区域DA与垫区域PADA之间的距离。因此，当在弯曲区域BA中弯曲显示装置100(图1)时，剩余在显示区域DA的端部处的无效空间的尺寸也减小，从而实现具有高屏幕使用率的显示装置100(图1)。
同时，与当第一布线PL1和第二布线PL2布置在同一层上时相比，由于第二绝缘层13、第三绝缘层14和第四绝缘层15位于第一布线PL1与第二布线PL2之间，第一布线PL1和第二布线PL2中的一些布线在竖直方向上至少部分地叠置，因此可以增大彼此相邻的第一布线PL1和第二布线PL2之间的距离，以减小第一布线PL1与第二布线PL2之间的寄生电容，因此防止或减小它们之间的信号干扰。
第一布线PL1可以包括与第一晶体管T1(图3)的第一栅电极G1(图3)的材料相同的材料，并且可以与第一栅电极G1(图3)一起形成。此外，第二布线PL2可以包括与第二晶体管T2(图3)的第二栅电极G2(图3)的材料相同的材料，并且可以与第二栅电极G2(图3)一起形成。
第一晶体管T1(图3)可以是包括具有高可靠性的多晶硅半导体作为半导体层的驱动晶体管，第二晶体管T2(图3)可以是包括具有相对低的漏电流的氧化物半导体作为半导体层的开关晶体管。因此，根据本公开，可以提供具有高可靠性和高功耗效率的显示装置100(图1)，同时，可以通过布线PL的有效空间布置来防止或减小布线PL之间的耦合，其中，通过布线PL向显示区域DA传输电信号。
根据本公开的实施例，通过其向显示区域施加电信号的布线之中的两条相邻布线位于彼此不同的高度处，因此，布线之间的距离增大以防止或减小布线之间发生耦合。此外，显示装置包括不同类型的晶体管，从而保持高质量并降低功耗。然而，本公开的范围不受上述效果的限制。
应该理解的是，这里描述的实施例应该仅被认为是描述性含义而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应该通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有显示区域和位于所述显示区域外部的外围区域；
第一晶体管和第二晶体管，均位于所述基底的所述显示区域之上，并在所述基底上布置在不同的水平处；以及
多条布线，位于所述基底的所述外围区域之上，
其中，所述多条布线包括第一布线和第二布线，所述第一布线和所述第二布线在所述基底上位于不同的水平处，并彼此交替地布置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管包括包含多晶硅的第一半导体层，并且所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述第一晶体管的显示元件，
其中，所述第一晶体管是驱动晶体管，并且所述第二晶体管是开关晶体管。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述第一晶体管叠置的电容器，
其中，所述电容器的第一电极与所述第一晶体管的第一栅电极布置在同一层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述电容器还包括与所述第一电极叠置的第二电极，
其中，所述显示装置还包括位于所述第一半导体层与所述第一栅电极之间的第一绝缘层、位于所述第一栅电极与所述第二电极之间的第二绝缘层以及位于所述第二电极上的第三绝缘层，
其中，所述第二半导体层位于所述第三绝缘层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二晶体管还包括位于所述第二半导体层上的第二栅电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一布线包括与所述第一栅电极的材料相同的材料，并且所述第二布线包括与所述第二栅电极的材料相同的材料。
8.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第二半导体层与所述第二栅电极之间的第四绝缘层，
其中，所述第一布线位于所述第一绝缘层上，并且所述第二布线位于所述第四绝缘层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一布线和所述第二布线在竖直方向上彼此至少部分地叠置。
10.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括第四绝缘层和第五绝缘层，其中，所述第四绝缘层位于所述第二半导体层与所述第二栅电极之间，并且所述第五绝缘层位于所述第二栅电极上，
其中，所述外围区域还包括垫区域以及位于所述显示区域与所述垫区域之间的弯曲区域，
其中，所述弯曲区域是从其去除所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层的区域，并且有机材料层位于所述弯曲区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一布线和所述第二布线包括位于所述弯曲区域中的断开部分，并且在所述弯曲区域中断开的所述第一布线和所述第二布线经由位于所述有机材料层上的连接布线来连接。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，具有显示区域和位于所述显示区域外部的外围区域；
第一晶体管，位于所述基底的所述显示区域之上，并包括包含多晶硅的第一半导体层和第一栅电极；
第二晶体管，位于所述基底的所述显示区域之上，并包括包含氧化物半导体的第二半导体层和第二栅电极；以及
多条布线，位于所述基底的所述外围区域之上，
其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述基底上位于不同的水平处，
其中，所述多条布线包括第一布线和第二布线，其中，所述第一布线与所述第一栅电极布置在同一层上，并且所述第二布线与所述第二栅电极布置在同一层上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一布线和所述第二布线彼此交替地布置。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一布线和所述第二布线在竖直方向上彼此至少部分地叠置。
15.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述第一晶体管的有机发光器件，
其中，所述第一晶体管是驱动晶体管，并且所述第二晶体管是开关晶体管。
16.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述第一晶体管叠置的电容器，
其中，所述电容器包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一栅电极布置在同一层上，并且所述第二电极布置在所述第一电极上并与所述第一电极叠置。
17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一半导体层与所述第一栅电极之间的第一绝缘层、位于所述第一栅电极与所述第二电极之间的第二绝缘层、位于所述第二电极与所述第二半导体层之间的第三绝缘层、位于所述第二半导体层与所述第二栅电极之间的第四绝缘层以及位于所述第二栅电极上的第五绝缘层。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括位于所述第五绝缘层上并电连接到所述第一半导体层的第一源电极和第一漏电极，
其中，所述第二晶体管还包括位于所述第五绝缘层上并电连接到所述第二半导体层的第二源电极和第二漏电极。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述外围区域还包括垫区域以及位于所述显示区域与所述垫区域之间的弯曲区域，
其中，所述弯曲区域是从其去除所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层的区域，并且有机材料层位于所述弯曲区域中。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一布线和所述第二布线包括位于所述弯曲区域中的断开部分，并且在所述弯曲区域中断开的所述第一布线和所述第二布线经由位于所述有机材料层上的连接布线来连接。
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