CN110896090A - Tft基板以及包括该tft基板的发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置。一种薄膜晶体管TFT基板包括：TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠，并使栅极位于两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。

Description

TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置
技术领域
本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板和包括该基板的发光显示装置。
背景技术
通常，其中形成有TFT的薄膜晶体管(TFT)基板用于发光显示装置，发光显示装置包括作为自发光装置的有机发光显示装置(OLED)。
TFT将非晶硅或多晶硅用于其有源层。由于多晶硅与非晶硅相比具有优异的迁移率等，需要高性能(诸如，高分辨率)的显示装置使用包括多晶硅的TFT基板。
像素中的驱动TFT是连接到发光二极管并驱动发光二极管的元件，并且需要具有长的长度的沟道以确保稳定的驱动特性。
然而，随着显示装置的分辨率增加，像素的尺寸减小。因此，存在驱动TFT不具有所需要的沟道长度的问题。
发明内容
因此，本发明涉及一种TFT基板和包括该TFT基板的发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的一个优点是提供一种TFT基板和包括该TFT基板的发光显示装置，其使用多晶硅而能够确保驱动TFT的沟道长度并实现稳定的驱动特性。
本发明的其它特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过对本发明的实践而习得。本发明的这些和其它优点将通过在书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点，并且根据本发明的目的，如本文所例示和宽泛描述的，薄膜晶体管(TFT)基板包括：TFT，该TFT位于基板上并且包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠并使栅极在两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。
在另一方面，一种显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)基板，该TFT基板包括在基板上的TFT；以及第一电极，该第一电极连接到TFT的源极，其中，TFT包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠并使栅极在两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。
应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括附图是为了提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性示出根据本发明的OLED显示装置的TFT基板的俯视图；
图2是示意性示出图1的像素区域的电路图；
图3是示意性示出根据本发明的第一实施方式的像素区域中的驱动TFT的平面结构的图；
图4是沿图3的IV-IV'线获取的截面图；
图5是沿图3的V-V'线获取的截面图；
图6是示意性示出根据本发明的第二实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的截面图；
图7和图8分别是示意性示出根据本发明第三实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的俯视图和截面图；以及
图9是示意性示出根据本发明的第四实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的俯视图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施方式，其示例在附图中示出。贯穿附图，可以使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。
本发明的实施方式的TFT基板可以应用于所有种类的使用TFT的电子装置。例如，TFT基板可以应用于包括显示装置和传感器面板等的各种电子装置。
出于解释的目的，以用于有机发光显示装置(OLED)的TFT基板为例描述了本发明的实施方式。
图1是示意性示出根据本发明的OLED显示装置的TFT基板的俯视图。图2是示意性示出图1的像素区域的电路图。
参照图1和图2，TFT 10可以包括：显示区域AA，显示区域AA作为有源区域而显示图像，以及非显示区域NA，非显示区域NA作为无源区域而位于显示区域AA周围(或围绕显示区域AA)。
TFT基板10包括用于驱动OLED的阵列元件，并且可以被称为阵列基板。
在显示区域AA中，多个像素区域P可以以矩阵形式布置。多个像素区域P可以包括例如分别显示红色、绿色和蓝色的红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域P。红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域P可以在一个方向上交替设置。
像素区域P中的每一个可以包括用于操作像素区域P的驱动元件。例如，可以在像素区域P中形成多个TFT和发光二极管OP。
在非显示区域NA中，可以设置用于驱动显示区域AA中的像素区域P的驱动电路。
例如，输出诸如选通信号的扫描信号并将扫描信号提供给像素区域P的扫描驱动电路SDC可以位于非显示区域NA中。扫描驱动电路SDC可以直接形成在TFT基板10中。
直接形成在TFT基板10中的扫描驱动电路SDC可以被称为GIP(面板内栅极)型驱动电路，其可以在制造TFT 10的工艺中形成。GIP型扫描驱动电路SDC可以包括用于驱动电路的多个TFT，并且用于驱动电路的多个TFT可以具有与像素区域P的TFT的结构相同或相似的结构。
参照图2和图3详细说明像素区域P的结构。出于解释的目的，作为示例，在像素区域P中使用N(负，negative)型TFT。
在像素区域P中，可以形成用于像素的多个TFT、作为发光元件的发光二极管OD以及存储电容器Cst，所述多个TFT包括开关TFT STr和驱动TFT DTr。
开关TFT STr可以连接到选通线GL和数据线DL，选通线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。例如，开关TFT STr的栅极可以连接到选通线GL，并且开关TFT STr的漏极可以连接到数据线DL。
开关TFT STr响应于通过位于相应行线的选通线GL施加的选通电压而导通，并且由此，通过数据线DL提供的数据电压被施加到驱动TFT DTr。
驱动TFT DTr可以连接到开关TFT STr和发光二极管OD。例如，驱动TFT DTr的栅极可以电连接到开关TFT STr的源极，并且驱动TFT DTr的源极可以电连接到发光二极管OD。驱动TFT DTr的漏极可以被配置为接收第一电源电压Vdd。在驱动TFT DTr是N型TFT的情况下，第一电源电压Vdd可以是高电源电压Vdd。
可以根据施加到驱动TFT DTr的栅极的电压来控制施加到发光二极管OD的发光电流。
发光二极管OD可以被配置为，例如，发光材料层由有机材料制成的有机发光二极管。发光二极管OD根据来自驱动TFT DTr的发光电流而发光。
发光二极管OD可以被配置为使得其第一电极(例如，阳极)连接到驱动TFT DTr的源极，并且，其第二电极(例如，阴极)可以被施加有第二电源电压Vss(例如，低电源电压Vss)。
存储电容器Cst可以连接到驱动TFT DTr的栅极，并用于保持施加到驱动TFT DTr的栅极的电压直到下一帧。
存储电容器Cst可以被配置为使得其第一电极连接到驱动TFT DTr的栅极，并且其第二电极连接到，例如，驱动TFT DTr的漏极(或源极)。
在本发明中，为了稳定地确保驱动TFT DTr的沟道长度，驱动TFT DTr可以配置有在垂直于基板的方向上堆叠的两个子驱动TFT DTr1和DTr2。
例如，驱动TFT DTr可以被配置为包括位于基板上的第一子驱动TFT DTr1和位于第一子驱动TFT DTr2上的第二子驱动TFT DTr2。第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFTDTr2可以彼此串联连接并共享栅极。第一子驱动TFT DTr1可以在其漏极处被施加有第一电源电压Vdd，并且第二子驱动TFT DTr2可以在其源极处连接到发光二极管OD。
由于驱动TFT DTr被配置为垂直双层堆叠结构，在像素区域的有限面积中增加的驱动TFT DTr的沟道的长度因此可以根据需要而得到确保。因此，可以改善驱动特性的劣化，例如，漏极电流的稳定性降低以及由于热载流子可靠性因短的沟道长度而变差所导致的截止电流增加。
在本发明中，除了通过垂直堆叠结构增加沟道的长度之外，至少一个子驱动TFT可以被配置成使得其沟道形成为在俯视图中沿两个方向延伸。因此，可以以最小面积满足所需的沟道长度。
为了增加在俯视图中的沟道的长度，至少一个子TFT的沟道可以被配置为具有弯曲结构。换句话说，至少一个子TFT的半导体层可以被配置为具有弯曲结构。
开关TFT STr可以被配置为具有单TFT结构。例如，开关TFT STr可以被形成为具有与第一子驱动TFT DTr1或第二子驱动TFT DTr2的结构相同或相似的结构。
另选地，开关TFT STr可以被配置为具有类似于驱动TFT DTr的结构的双TFT堆叠结构。
形成在扫描驱动电路SDC中的TFT中的至少一个可以被配置为具有类似于驱动TFTDTr的结构的双TFT堆叠结构。
下面对关于半导体层的驱动TFT DTr的垂直堆叠结构和在俯视图中的弯曲结构的实施方式进行说明。
图3是示意性示出根据本发明的第一实施方式的像素区域中的驱动TFT的平面结构的视图。图4是沿图3的IV-IV'线获取的截面图，并且图5是沿图3的V-V'线获取的截面图。
参照图3至图5，在TFT基板10中，驱动TFT DTr可以被配置为具有在垂直于基板11的表面的方向上双层堆叠的结构。
例如，作为下驱动TFT的第一子驱动TFT DTr1可以形成在基板11上，并且作为上驱动TFT的第二子驱动TFT DTr2可以形成在第一子驱动TFT DTr1上。
在垂直堆叠结构中，栅极45可以用作由第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFTDTr2两者共享的公共栅极。
第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2可以彼此串联连接。
第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2的截面结构参见图4，第一子驱动TFTDTr1可以具有顶栅结构，并且第二子驱动TFT DTr2可以具有底栅结构。
在这方面，在每一个像素区域P中，可以在基板11上形成作为第一子驱动TFT DTr1的半导体层的第一半导体层21。第一半导体层21可以由多晶硅制成。
缓冲层可以位于第一半导体层下方并且形成在整个基板11上。
第一半导体层21可以包括：第一沟道部分CH1，该第一沟道部分CH1是第一半导体层21与其上的栅极45对应(即，与栅极45交叠)的部分；以及第一源极部分S1和第一漏极部分D1，所述第一源极部分S1和第一漏极部分D1位于第一沟道部分CH1的两侧。
第一源极部分S1和第一漏极部分D1是高度掺杂杂质(例如，N型或P型掺杂剂)的部分。在第一源极部分S1和第一漏极部分D1的掺杂工艺中，栅极45可以用作掺杂掩模。
可以在第一半导体层21上形成作为绝缘层的第一栅极绝缘层31。第一栅极绝缘层31可以形成在整个基板11上。第一栅极绝缘层31可以由无机绝缘材料(例如，氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx))制成。
对应于第一沟道部分CH1的栅极45可以形成在第一栅极绝缘层31上。栅极45可以用作第一子驱动TFT DTr1的顶栅极。
可以在栅极45上形成作为绝缘层的第二栅极绝缘层32。第二栅极绝缘层32可以形成在整个基板11上。第二栅极绝缘层32可以由无机绝缘材料(例如，氧化硅(SiO2)或硅氮化物(SiNx))制成。
作为第二子驱动TFT DTr2的半导体层的第二半导体层22可以形成在第二栅极绝缘层32上。第二半导体层22可以由多晶硅制成。
第二半导体层22可以包括：第二沟道部分CH2，该第二沟道部分CH2是第二半导体层22与其下的栅极45对应(即，与栅极45交叠)的部分；以及第二源极部分S2和第二漏极部分D2，所述第二源极部分S2和第二漏极部分D2位于第二沟道部分CH2的两侧。
第二源极部分S2和第二漏极部分D2是高度掺杂杂质的部分。例如，第二源极部分S2和第二漏极部分D2可以掺杂有与第一源极部分S1和第一漏极部分D2的掺杂剂具有相同类型(N型或P型)的掺杂剂。在第二源极部分S2和第二漏极部分D2的掺杂工艺中，例如，光阻图案可以用作掺杂掩模。
由于栅极45位于第二半导体层22下方，因此栅极可以用作第二子驱动TFT DTr2的底栅极。
此外，可以在第二半导体层22上形成作为绝缘层的钝化层50。钝化层50可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。钝化层50可以被形成为具有单层或多层结构。
参照图5，在每一个像素区域P中，可以在钝化层50上形成漏极71和源极73。
漏极71可以连接到第一子驱动TFT DTr1的第一漏极部分D1，并且源极73可以连接到第二子驱动TFT DTr2的第二源极部分S2。
在这方面，由于第一子驱动TFT DTr1的第一漏极部分D1可以实质上用作驱动TFTDTr的漏极部分，所以漏极71可以被形成为与第一漏极部分D1接触。由于第二子驱动TFTDTr2的第二源极部分S2可以实质上用作驱动TFT DTr的源极部分，所以源极73可以被形成为与第二源极部分S2接触。
为了在第一漏极部分D1和漏极71之间形成接触，在它们之间的绝缘层(例如，钝化层50以及第一栅极绝缘层31和第二栅极绝缘层32)可以具有形成在其中的第一接触孔CT1。因此，第一漏极部分D1可以通过第一接触孔CT1与漏极71接触。
为了在第二源极部分S2和源极73之间形成接触，在它们之间的绝缘层(例如，钝化层50)可以具有形成在其中的第二接触孔CT2。因此，第二源极部分S2可以通过第二接触孔CT2与源极73接触。
此外，第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2可以通过连接电极75彼此串联电连接。
在这方面，连接电极75可以与漏极71和源极73由相同的金属材料并以相同的工艺形成。
连接电极75可以通过第三接触孔CT3与位于连接电极75下方的第一源极部分S1和第二漏极部分D2接触。
为此，第三接触孔CT3可以形成在钝化层50以及第一栅极绝缘层31和第二栅极绝缘层32中，并且还可以形成在第二漏极部分D2中。换句话说，第三接触孔CT3可以被形成为穿透第二漏极部分D2。
在这种情况下，连接电极75可以接触第二漏极部分D2的内表面(即，由第三接触孔CT3暴露(或围绕或限定第三接触孔CT3)的内表面)，并且接触第一源极部分S1的顶表面。另选地，第一源极部分S1可以与第二漏极部分D2类似地形成为在其中具有第三接触孔CT3，在这种情况下，连接电极75可以接触第一源极部分S1的由第三接触孔CT3暴露的内表面。
与连接电极75交叠并位于连接电极75下方的第一源极部分S1和第二漏极部分D2可以通过连接电极75电连接，并且因此，第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2(或第一半导体层21和第二半导体层22)可以串联连接。
这样，通过使用由金属材料制成的连接电极75，可以在第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2之间形成稳定的电连接。
在这方面，可以考虑在没有连接电极75的情况下通过接触孔直接将第二漏极部分D2连接到第一源极部分S1的方法。然而，在这种情况下，第二漏极部分D2由于其材料特性而具有很大的电阻，并且因此第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2之间的连接电阻增加。
然而，在该实施方式中，由于使用由金属材料制成的连接电极75，所以减小了第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2之间的连接电阻，并且可以实现稳定的电连接。
如上所述，驱动TFT DTr被配置成垂直双层堆叠结构，其中第一半导体层21和第二半导体层22被布置成使得栅极45位于第一半导体层21上方和第二半导体层22下方。由此，形成了在基板11的垂直方向上彼此交叠的双沟道部分CH1和CH2，并且因此，与使用单个半导体的现有技术的单层堆叠结构相比，沟道的长度可以增加为原来的至少两倍。
在该实施方式中，第一半导体层21和第二半导体层22可以被形成为在俯视图中具有弯曲结构，并且其第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2在俯视图中可以具有弯曲结构。因此，可以在有限的面积中尽可能地确保沟道的长度。
在这方面，参考图3，在俯视图中，第一半导体层21可包括沿第一方向(例如，x方向)延伸的第一部分，以及从第一部分弯曲并且沿不同于第一方向的第二方向(例如，-y方向)延伸的第二部分。
这样，第一半导体层21可以被形成为在俯视图中具有弯曲结构。
该弯曲结构可以类似地应用于第一半导体层21的第一沟道部分CH1。第一沟道部分CH1可以包括沿作为x方向的第一方向延伸的第一沟道部件CH1a，以及从第一沟道部件CH1a弯曲并且沿作为-y方向的第二方向延伸第二沟道部件CH1b。
因此，第一沟道部分CH1可以包括作为由第一沟道部件CH1a限定的第一方向上的沟道的长度的第一沟道长度L1，以及作为由第二沟道部件CH1b限定的第二方向上的沟道的长度的第二沟道长度L2。因此，第一沟道部分CH1可以具有沟道长度L1+L2。
第二半导体层22可以包括沿作为x方向的第一方向延伸并与第一半导体层21的第一部分交叠的第三部分，以及从第三部分弯曲并沿不同于第一方向和第二方向的第三方向(例如，y方向(或+y方向))延伸的第四部分。
这样，第二半导体层22可以被形成为在俯视图中具有弯曲结构。
该弯曲结构可以类似地应用于第二半导体层22的第二沟道部分CH2。第二沟道部分CH2可以包括沿作为x方向的第一方向延伸并与第一沟道部件CH1a交叠的第三沟道部件CH2a，以及从第三沟道部件CH2a弯曲并沿作为+y方向的第三方向延伸的第四沟道部件CH2b。
第二沟道部分CH2的第三沟道部件CH2a可以在与第一沟道部分CH1的第一沟道部件CH1a的方向是相同的方向的第一方向上延伸，并且可以以相同的长度与第一沟道部件CH1a交叠。因此，第三沟道部件CH2a可以与第一沟道部件CH1a具有基本相同的沟道长度，即，L1＝L3。
因此，第二沟道部分CH2可以包括作为由第三沟道部件CH2a限定的第一方向上的沟道的长度的第三沟道长度L3，以及作为由第四沟道部件CH2b限定的第三方向上的沟道的长度的第四沟道长度L4。因此，第二沟道部分CH2可以具有沟道长度，L3+L4＝L1+L4。
第一半导体层21和第二半导体层22及其第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2可以具有弯曲结构，并且第一沟道部分CH1的弯曲方向和第二沟道部分CH2的弯曲方向可以不同，例如，彼此相反。
因此，配置有垂直堆叠的第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2的驱动TFTDTr的总沟道长度可以是L1+L2和L3(＝L1)+L4的总和(L1+L2)+(L3+L4)＝2L1+L2+L4，其中，L1+L2是位于较下层的第一沟道部分CH1的沟道长度，L3(＝L1)+L4是位于上层的第二沟道部分CH2的沟道长度。
这样，第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2被配置成以垂直堆叠结构布置并使栅极45在两者之间，并且在平面中具有弯曲结构，因此，可以最大化相对于占用面积的沟道长度。因此，可以确保驱动TFT DTr的沟道长度而以最小面积实现所需的驱动特性，并且可以提高像素区域P的面积可用性。
因此，即使分辨率增加，也可以在有限的像素区域P中有效地提供确保稳定的驱动特性的驱动TFT DTr。
此外，由于第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2被配置为沿不同方向(例如，分别为-y方向和+y方向)弯曲并延伸，所以可以单独调节不同方向上的沟道长度，因此可以根据需要自由调节第一沟道部分CH1的沟道长度和第二沟道部分CH2的沟道长度。
例如，第一沟道部分CH1的在作为-y方向的第二方向上的沟道长度和第二沟道部分CH2的在作为+y方向的第三方向上的沟道长度可以相等或不同。换句话说，第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2可以以对称或不对称的形式形成。
第一沟道部分CH1的沟道长度和第二沟道部分CH2的沟道长度可以通过使第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2沿不同方向弯曲而单独调节。因此，可以满足第一子驱动TFTDTr1和第二子驱动TFT DTr2分别需要的各种驱动特性，并且因此可以有效地提供适合于所需特性的驱动TFT DTr。
图6是示意性示出根据本发明的第二实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的截面图。
可能省略对与第一实施方式的部件类似的部件的详细说明。
参照图6，该实施方式的驱动TFT DTr可以是N型TFT并使用LDD(轻掺杂漏极)TFT。
在这方面，第一子驱动TFT DTr1的第一半导体层21可以包括第一轻掺杂漏极(LDD)部分LDD1，该第一轻掺杂漏极(LDD)部分LDD1位于第一沟道部分CH1和第一源极部分S1之间，并位于第一沟道部分CH1和第一漏极部分D1之间。
类似地，第二子驱动TFT DTr2的第二半导体层22可以包括第二LDD部分LDD2，该第二LDD部分LDD2位于第二沟道部分CH2和第二源极部分S2之间，以及第二沟道部分CH2和第二漏极部分D2之间。
通过将LDD部分LDD1和LDD2应用于具有垂直堆叠结构和弯曲结构的驱动TFT DTr，可以进一步改善由短沟道长度引起的驱动特性的降低。
此外，在该实施方式中，可以单独调整尺寸，即，第一LDD部分LDD1和第二LDD部分LDD2的长度。例如，第一LDD部分LDD1的第一长度LL1和第二LDD部分LDD2的第二长度LL2可以相等或不同。
特别地，在第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2沿不同方向(例如，分别沿-y方向和+y方向)弯曲的情况下，第一沟道部分CH1的一端和第二沟道部分CH2的一端彼此间隔开并彼此分离。换句话说，第一沟道部分CH1的在漏极侧的端部和在第二沟道部分CH2的在源极侧的端部彼此间隔开并且彼此分离。
因此，第一沟道部分CH1的在漏极侧的第一LDD部分LDD1基本不受位于第一半导体层21上方的第二半导体层22的掺杂工艺的影响。因此，可以单独调整第一LDD部分LDD1的第一长度LL1和第二LDD部分LDD2的第二长度LL2。
因此，可以形成第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2分别所需的最佳LDD部分，并且因此可以有效地提供适合于所需特性的驱动TFT DTr。
图7和图8分别是示意性示出了根据本发明的第三实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的俯视图和截面图。
可能省略对与第一实施方式和第二实施方式的部件类似的部件的详细说明。
参照图7和图8，该实施方式的驱动TFT DTr可以包括电极图案60，该电极图案60位于第二子驱动TFT DTr2上，并且与第二子驱动TFT DTr2的第二沟道部分CH2对应和交叠。
例如，第一钝化层51可以被形成在第二半导体层22上，并且电极图案60可以被形成在第一钝化层51上。
可以在电极图案60上形成第二钝化层52，并且可以在第二钝化层52上形成漏极71和源极73。
电极图案60可以被布置为与第二沟道部分CH2对应和交叠，并且可以在用于第二半导体层22的第二源极部分S2和第二漏极部分D2的掺杂工艺中用作掺杂掩模。
电极图案60可以用于阻挡在电极图案60上方从外部朝向第二沟道部分CH2行进的光。此外，电极图案60可以与第一沟道部分CH1的至少部分交叠。
电极图案60可以用作背栅极。例如，电极图案60可以从电源电路接收单独的偏置电压，或者可以电连接到栅极45。另选地，电极图案60可以电连接到源极73。另选地，电极图案60可以电连接到漏极71，使得电极图案60用作存储电容器(图2的Cst)的一个电极(即，面向栅极45的存储电极)。
图9是示意性示出根据本发明的第四实施方式的像素区域中的驱动TFT的结构的俯视图。
可能省略对与第一实施方式至第三实施方式的部件类似的部件的详细说明。
参照图9，在该实施方式的驱动TFT DTr中，第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFTDTr2中的一个可以具有弯曲结构，并且第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2中的另一个可以具有非弯曲结构，即，线型结构。
出于解释的目的，假设第一子驱动TFT DTr1具有弯曲结构，并且第二子驱动TFTDTr2具有线型结构。
在这种情况下，第二子驱动TFT DTr2的第二半导体层22可以包括沿作为x方向的第一方向延伸并与第一半导体层21交叠的第三部件，以及沿第一方向从第三部件继续延伸(或进一步延伸)的第四部件。
因此，第二半导体层22的第二沟道部分CH2可以被形成为具有线型结构。在这方面，第二沟道部分CH2可以包括沿作为x方向的第一方向延伸并与第一沟道部分CH1交叠的第三部件CH2a，以及沿第一方向从第三部件CH2a继续延伸的第四部件CH2b。
第二沟道部分CH2的第三沟道部件CH2a可以在与第一沟道部分CH1的第一沟道部件CH1a的方向是相同的方向的第一方向上延伸，并且可以以相同的长度与第一沟道部件CH1a交叠。因此，第三沟道部件CH2a可以与第一沟道部件CH1a具有基本相同的沟道长度。
第二沟道部分CH2的第四沟道部件CH2b在与第一沟道部分CH1的第二沟道部件CH1b的延伸方向不同的第一方向上继续延伸，并且具有第四沟道长度L4。
因此，第二沟道部分CH2可以具有在第一方向上的沟道长度，L3+L4＝L1+L4。
第一半导体层21及其第一沟道部分CH1可以在俯视图中具有弯曲结构，并且第二半导体层22及其第二沟道部分CH2可以在俯视图中具有线型结构。
可以根据像素区域P的元件的布置等适当地选择第四实施方式的弯曲和线型混合结构以及第一实施方式的弯曲结构。
即使在第四实施方式的弯曲和线型混合结构的情况下，相对于占用面积的沟道长度也会增加。因此，可以确保以最小面积实现所需的驱动特性的驱动TFT DTr的沟道长度，并且可以提高像素区域P的面积可用性。
而且，与第一实施方式相似，第一沟道部分CH1和第二沟道部分CH2可分别具有沿不同方向延伸的沟道部件(即，第二沟道部件CH1b和第四沟道部件CH2b)，并且，第一沟道部分CH1的沟道长度和第二沟道部分CH2的沟道长度可以单独调整。由此，可以满足第一子驱动TFT DTr1和第二子驱动TFT DTr2分别需要的各种驱动特性，并且因此可以有效地提供适合于所需特性的驱动TFT DTr。
根据上述实施方式，驱动TFT被配置为具有共享栅极的垂直双层堆叠结构，并且驱动TFT的至少一个沟道部分具有弯曲结构。
因此，驱动TFT相对于占用面积的沟道长度可以增加。因此，可以确保以最小面积实现所需的驱动特性的驱动TFT DTr的沟道长度，并且可以实现稳定的驱动特性。此外，可以提高像素区域的面积可用性。
此外，垂直堆叠的两个沟道部分具有沿不同方向延伸的相应沟道部件，并且它们的沟道长度可以单独调节。由此，可以满足两个子驱动TFT分别需要的各种驱动特性，并且因此可以有效地提供适合于所需特性的驱动TFT。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同形式的范围内的本发明的修改和变化。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月13日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0109344的优先权权益，该申请的全部内容通过引用结合于此用于所有目的，如同在此完全阐述一样。

Claims (15)

1.一种TFT基板，该TFT基板包括：
TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，
其中，所述第一半导体层、所述栅极和所述第二半导体层垂直地堆叠，并且所述第一半导体层和所述第二半导体层由多晶硅制成，
其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且
其中，所述第一沟道部分和所述第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一沟道部分包括沿第一方向延伸的第一沟道部件，以及沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二沟道部件，
其中，所述第二沟道部分包括沿所述第一方向延伸并与所述第一沟道部件交叠的第三沟道部件，以及沿与所述第二方向不同的方向延伸的第四沟道部件，
其中，所述第一沟道部件和所述第三沟道部件具有相同的沟道长度。
3.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第四沟道部件沿与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向延伸。
4.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第四沟道部件进一步从所述第三沟道部件沿所述第一方向延伸。
5.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第二沟道部件和所述第四沟道部件具有相同的沟道长度或不同的沟道长度。
6.根据权利要求1所述的TFT基板，该TFT基板还包括：
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一半导体层和所述栅极之间；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第二半导体层和所述栅极之间，并且位于所述第一栅极绝缘层上方；
钝化层，所述钝化层位于所述第二半导体层上；以及
连接电极，所述连接电极位于所述钝化层上，
其中，所述连接电极通过在所述钝化层、所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的接触孔而与所述第二半导体层的源极部分和漏极部分中的一者以及所述第一半导体层的源极部分和漏极部分中的另一者接触。
7.根据权利要求6所述的TFT基板，其中，所述第二半导体层的源极部分和漏极部分中的所述一者在围绕所述接触孔的内表面处与所述连接电极接触。
8.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层分别包括第一轻掺杂漏极部分和第二轻掺杂漏极部分，并且所述第一轻掺杂漏极部分和所述第二轻掺杂漏极部分具有相同的长度或不同的长度。
9.根据权利要求1所述的TFT基板，所述TFT基板还包括电极图案，该电极图案位于所述第二半导体层的所述第二沟道部分上并对应于所述第二半导体层的所述第二沟道部分，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上方，并且
其中，所述电极图案连接到所述TFT的源极、漏极或所述栅极，或者被施加有来自电源电路的偏置电压。
10.一种TFT基板，该TFT基板包括：
TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层、所述栅极和所述第二半导体层垂直地堆叠，并且所述第一半导体层和所述第二半导体层由多晶硅制成，
其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，
其中，所述第一沟道部分包括沿第一方向延伸的第一沟道部件，以及沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二沟道部件，并且
其中，所述第二沟道部分包括沿所述第一方向延伸并且与所述第一沟道部件交叠的第三沟道部件，以及沿与所述第二方向不同的方向延伸的第四沟道部件，并且所述第一沟道部件和所述第三沟道部件具有相同的沟道长度。
11.根据权利要求10所述的TFT基板，该TFT基板还包括：
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一半导体层和所述栅极之间；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第二半导体层和所述栅极之间，并且位于所述第一栅极绝缘层上方；
钝化层，所述钝化层位于所述第二半导体层上；以及
连接电极，所述连接电极位于所述钝化层上，
其中，所述连接电极通过在所述钝化层、所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的接触孔而与所述第二半导体层的源极部分和漏极部分中的一者以及所述第一半导体层的源极部分和漏极部分中的另一者接触。
12.根据权利要求10所述的TFT基板，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层分别包括第一轻掺杂漏极部分和第二轻掺杂漏极部分，并且所述第一轻掺杂漏极部分和所述第二轻掺杂漏极部分具有相同的长度或不同的长度。
13.根据权利要求10所述的TFT基板，所述TFT基板还包括电极图案，该电极图案对应于所述第二半导体层的所述第二沟道部分，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上方，并且
其中，所述电极图案连接到所述TFT的源极、漏极和所述栅极中的一个，或者被提供有来自电源电路的偏置电压。
14.一种显示装置，该显示装置包括：
根据权利要求1至13中的任一项所述的TFT基板；以及
第一电极，该第一电极连接到所述TFT的源极。
15.根据权利要求14所述的显示装置，该显示装置还包括：
发光二极管，该发光二极管包括所述第一电极。
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