CN110890292A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110890292A
CN110890292A CN201910835354.0A CN201910835354A CN110890292A CN 110890292 A CN110890292 A CN 110890292A CN 201910835354 A CN201910835354 A CN 201910835354A CN 110890292 A CN110890292 A CN 110890292A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
processing
exhaust path
door
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910835354.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110890292B (zh
Inventor
森秀树
古矢正明
小林信雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of CN110890292A publication Critical patent/CN110890292A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110890292B publication Critical patent/CN110890292B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

基板处理装置以及基板处理方法,能够高效地进行雾的回收,而且尤其是即使在使用酸性的处理液与碱性的处理液的情况下,也能够抑制排气路径与处理室内的酸与碱的雾所导致的盐的生成,从而能够在同一处理室内进行利用各种处理液的基板处理。基板处理装置(11)向基板(W)依次供给多种处理液从而对基板进行处理,其具有:处理室(13),其进行基板的处理;旋转工作台(15),其在处理室内保持基板并且被旋转驱动;处理液供给部(51、52),其保持于旋转工作台,并向旋转状态的基板供给处理液;带有能够开闭的门的多个排气路径(22a~22d),它们使处理液的雾从处理室向外部流出;门开闭切换构件(升降缸(48a~48d)、控制部(70)),其根据基板的旋转方向切换门(45a~45d)的开闭。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及向旋转的基板供给处理液来进行基板处理的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在玻璃基板或半导体晶片等基板上形成电路图案的过程中,向基板上供给显影液、蚀刻液、剥离液、清洗液等各种处理液。公开了为了对进行了这样的基板处理的各种处理液进行再利用或分别废弃而进行分离回收的自旋(spin)处理装置(专利文献1)。
专利文献1:日本特许第3948963号公报
专利文献1所记载的自旋处理装置为了使附着于基板的颗粒数为最小限度,吸引在处理室内产生的雾(mist),由此将其向处理室外排出。
但是,在自旋处理装置中,希望将处理中产生的雾高效地向处理室外排出。而且,如果在上述各种处理液中含有酸性的蚀刻液、碱性的清洗液等,则在处理室内或排气路径中通过酸与碱的反应而生成盐(salt),从而有可能导致处理室内的清洁度的恶化,或由于附着于排出管而导致排出的降低。如果在利用酸性的处理液的处理以及利用碱性的处理液的处理中分别单独设置处理装置,则能够避免盐的生成,但装置面积、经费等会增加,从而导致生产率恶化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板处理装置以及基板处理方法,能够高效地进行雾的回收,而且,尤其是即使在使用酸性的处理液与碱性的处理液的情况下,也能够抑制在排气路径或处理室内中的酸与碱的雾所导致的盐的生成,从而能够在同一处理室内中进行利用各种处理液的基板处理。
为了解决上述课题,本发明的基板处理装置向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,该基板处理装置构成为具有:处理室,其进行所述基板的处理;旋转工作台,其被旋转驱动,并在所述处理室的内部保持所述基板;处理液供给部,其保持于所述旋转工作台,向旋转状态的所述基板供给处理液;带有能够开闭的门的多个排气路径,它们使所述处理液的雾从所述处理室向外部流出;以及门开闭切换构件,其根据所述基板的旋转方向切换所述门的开闭。
进而,本发明的基板处理方法向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,该基板处理方法构成为具有如下工序:第一工序,打开将第一处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第一排气路径的门,使载置于旋转工作台的所述基板向第一方向旋转而供给所述第一处理液;第二工序,在停止所述第一处理液的供给而使载置于所述旋转工作台的所述基板的第一方向的旋转停止后,使载置于所述旋转工作台的所述基板向与所述第一方向相反的方向的第二方向旋转;以及第三工序,关闭所述第一排气路径的门,并且打开将第二处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第二排气路径的门,向载置于所述旋转工作台的所述基板供给第二处理液。
根据本发明,能够高效地进行雾的回收。而且,即使在进行利用酸性处理液的处理与利用碱性处理液的处理的情况下,也能够在同一处理室内进行处理。
附图说明
图1是本发明的实施方式的基板处理装置的概略立体图。
图2是沿图1的A-A线的剖视图。
图3是沿图1的B-B线的剖视图。
图4是示出本发明的实施方式的基板处理装置的内部的概略立体图。
图5是示出基板处理的顺序的流程图。
图6是示出基板处理工序中的一个工序的概略立体图。
图7是示出基板处理工序中的一个工序的概略立体图。
图8是示出基板处理工序中的一个工序的概略立体图。
图9是示出由基板的旋转产生的回旋气流的方向与排气路径的门的配置关系的平面示意图。
图10是示出由沿与图9相反的方向旋转的基板产生的回旋气流的方向与排气路径的门的配置关系的平面示意图。
标号说明
11:基板处理装置;13:处理室;14:底面;15:旋转工作台;16a、16b:侧表面(处理室);17:杯体;17a:上部杯体;17b:下部杯体;18:出入口;19a、19b:侧表面;20a、20b:内壁;21a、21b:分隔壁;22a、22b、22c、22d:排气路径;24:中分隔部;25a、25b、25c、25d:排气管道;27a、27b、27c、27d:管体;35:驱动马达;41a、41b、41c、41d:开口部;43a、43b、43c、43d:门部;45a、45b、45c、45d:遮蔽板;46a、46b、46c、46d:支承轴;48a、48b、48c、48d:升降缸;51:第一喷嘴臂部;52:第二喷嘴臂部;56a、56b:喷嘴;60a、60b:喷嘴;70:控制部。
具体实施方式
以下使用附图对本发明的实施方式的基板处理装置进行说明。
图1至图4中示出了本发明的实施方式的基板处理装置11的基本结构。
在图1中,基板处理装置11具备四棱柱形状的架台12(双点划线所示)以及配置于设置在架台12上的框体(未图示)的内侧的四棱柱形状的处理室13。
处理室13的内部的中心部设置有旋转工作台15以及环状的杯体17,该旋转工作台15保持搬入至处理室13内的基板W并进行旋转,该杯体17位于旋转工作台15的周围,并且上部为开口部。处理室13具有四个侧表面。在图示例中,作为四个侧表面具有透明性的部件来进行记载。对置的一对侧表面16a、16b(参照图3)的一方的侧表面16a形成有具备能够开闭的门(gate)的出入口18,用于相对于处理室13取出放入基板W。位于形成有该出入口18的侧表面16a的两侧的侧表面19a、19b(参照图2)各设置有两个从处理室13的下部朝向上部进行排气的排气路径。具体而言,侧表面19a侧设置有排气路径22a、22b,侧表面19b侧设置有排气路径22c、22d。排气路径22a~22d分别与位于它们上部的排气管道25a、25b、25c、25d连接并连通。排气管道25a~25d为朝向其上端横截面缩小的形状,并在上端与圆筒形状的管体27a、27b、27c、27d连接并连通。管体27a~27d的前方分别设置有进行来自处理室13的排气的排气风扇(未图示)。另外,出入口18的门的开闭机构(未图示)与控制部70电连接,从而能够根据存储于控制部70的基板处理信息或各种程序对该门的开闭驱动进行控制。
处理室13的顶部设置有风扇过滤器单元31,该风扇过滤器单元31进一步对供给至配置有基板处理装置11的净化室内的清洁空气进行净化并将其供给至处理室13内。经由该风扇过滤器单元31被降流供给至处理室13内的清洁空气与如后述那样供给至基板W的处理液所产生的雾一起利用上述排气风扇通过排气路径22(22a~22d)、排气管道25(25a~25d)以及管体27(27a~27d)向外部排出。始终从风扇过滤器单元31向处理室13内供给清洁空气,并且排气风扇也始终运转。
处理室13的底面14形成有开口部33(参照图2),该开口部33的正下方设置有使旋转工作台15旋转的驱动马达35。驱动马达35具有贯通开口部33的旋转轴36(参照图2)。驱动马达35与控制部70电连接,从而能够根据存储于控制部70的基板处理信息或各种程序对其驱动进行控制。
杯体17具备上部杯体17a与下部杯体17b,该上部杯体17a具有环状的垂直壁以及以从该垂直壁的上端朝向径向竖起的方式倾斜的环状的倾斜壁,该下部杯体17b在比上部杯体17a靠下部的位置位于径向基板W侧,并具有环状的垂直壁以及以从该垂直壁的上端朝向径向竖起的方式倾斜的环状的倾斜壁。上部杯体17a与从使上部杯体17a升降的未图示的缸延伸的杆38a连接,同样地,下部杯体17b与从使下部杯体17b升降的未图示的缸延伸的杆38b连接。通过使上部杯体17a、下部杯体17b升降,能够进行基板W的搬入、处理液的分离回收以及基板W的搬出。供给至基板W的处理液通过杯体17a、17b而被分离,并流入设置于杯体17a、17b的下部的排液路径(未图示)从而被回收或废弃。上部杯体17a的侧表面嵌入将处理室13上下分隔开的中分隔部24的开口。另外,使杆38a、38b上下运动的未图示的伸缩缸与控制部70电连接,从而能够根据存储于控制部70的基板处理信息或各种程序对其驱动进行控制。
在处理室13的侧表面19a侧,在与侧表面19a隔开规定的间隔而设置的位置设置有与侧表面19a平行的内壁20a,进而设置有以将由侧表面19a与内壁20a所形成的空间二等分的方式沿上下方向延伸的分隔壁21a,从而在侧表面19a侧形成有排气路径22a、22b。同样地,在处理室13的侧表面19b,在与侧表面19b之间隔着规定的间隔的位置设置有与侧表面19b平行的内壁20b,进而设置有以将由侧表面19b与内壁20b所形成的空间二等分的方式沿上下方向延伸的分隔壁21b,从而在侧表面19b侧形成有排气路径22c、22d。
排气路径22a~22d分别在内壁20a、20b的下部形成有方形的开口部41a、41b、41c、41d(参照图1、图9),这些开口部41a~41d的每一个形成有进行开口部41a~41d的开闭的门部43a、43b、43c、43d。门部43a、43b、43c、43d具有方形的遮蔽板(gate)45a、45b、45c、45d、固定于遮蔽板45a~45d并以上下方向为轴向的棒状的支承轴46a、46b、46c、46d以及为了使遮蔽板45a~45d上下升降而与支承轴46a~46d连接的升降缸(杆)48a、48b、48c、48d。也就是说,与排气路径22a~22d的每一个对应地设置有遮蔽板45a~45d。基于门部43a~43d的开口部41a~41d的开口范围(开口量)能够通过控制部70根据基板W的旋转速度(旋转数)控制为最适合于排气的开口范围。在基板W的旋转速度(旋转数)加快时,含有雾的气体的回旋速度也随之加快,相反在基板W的旋转速度减慢时,气体的回旋速度也减慢,从而根据遮蔽板45a~45d的升降位置的调整对开口部41a~41d的开口范围进行控制,以实现抑制处理室13内的颗粒的产生的高效的排气。开口部41a~41d的开口范围相对于气体的回旋速度过大时,排气路径22a~22d内的气体的流速变慢从而无法充分地排出,处理室13内容易产生颗粒。另一方面,开口部41a~41d的开口范围相对于气体的回旋速度过小时,排气路径22a~22d内的气体的流速变快,这是因为气体中的雾成为液滴状从而附着于处理室13内或排气路径22a~22d内。尤其是,处理液附着于处理室13内时,有可能因利用其他处理液的基板处理而导致在处理室13内生成盐。因此,控制为对遮蔽板45a~45d的升降位置进行调整以成为最适合于基板W的旋转速度(旋转数)的开口范围。例如,根据每个基板W的旋转速度,或者除了基板W的旋转速度,也根据基板W的旋转方向,预先通过实验等求出遮蔽板45a~45d的最适的开口范围并预先存储于控制部70的存储部。也可以是,控制部70从存储部调用与设定的基板W的旋转速度或旋转方向对应的遮蔽板45a~45d的开口范围,从而对遮蔽板45a~45d的各个升降位置进行调整,以成为该开口范围。另外,升降缸48a~48d与控制部70电连接,从而能够根据存储于控制部70的基板处理信息或各种程序对其驱动进行控制。由升降缸48a~48d与控制部70构成门开闭切换构件。
在中间隔着基板W并位于对角线上的一对排气路径22a、22c构成第一排气路径,同样地在中间隔着基板并位于对角线上的一对排气路径22b、22d构成第二排气路径(参照图9、图10)。详细情况后面叙述,在本实施方式中,由于在向基板W供给的处理液发生改变时,改变旋转工作台15的旋转方向,因此为了高效地进行排气(雾的回收),根据基板W的旋转方向选择排气路径22a~22d。例如,在俯视时,在使基板W沿逆时针方向旋转的状态下,在向基板W供给作为第一处理液的酸性的处理液(例如蚀刻液)时,关闭与第二排气路径22b、22d对应地设置的门部43b、43d的遮蔽板45b、45d,并使与第一排气路径22a、22c对应地设置的门部43a、43c的遮蔽板45a、45c上升,从而从打开的开口部41a、41c进行排气。而且,在俯视时,在使基板W沿顺时针方向旋转的状态下,在向基板W供给作为碱性的处理液(例如清洗液)的第二处理液时,关闭遮蔽板45a、45c,并使遮蔽板45b、45d上升,从而从开口部41b、41d进行排气。
如图4所示,处理室13内设置有向保持于旋转工作台15并旋转的基板W供给处理液的第一喷嘴臂部51与第二喷嘴臂部52(图1中省略图示。)。第一喷嘴臂部51具有以上下方向为转动轴而在水平面上转动的圆筒形状的转动轴体53、一端与转动轴体53的侧表面连接并朝向另一端沿水平方向延伸的臂部55以及贯通转动轴体53与臂部55的内部而设置并且前端从臂部55的另一端突出的喷嘴56a、56b。通过转动轴体53的转动,喷嘴56a、56b能够在基板W的中心部与远离基板W的待机位置转动。喷嘴56a、56b与供给处理液的处理液供给罐(未图示)连接。例如,作为第一处理液的酸性的处理液(蚀刻液等)从喷嘴56a供给至基板W,并且纯水从喷嘴56b供给至基板W。
第二喷嘴臂部52也是与第一喷嘴臂部51相同的结构,其具有转动轴体57、臂部58以及喷嘴60a、60b。通过转动轴体57的转动,喷嘴60a、60b能够在基板W的中心部与远离基板W的待机位置转动。例如,作为第二处理液的碱性的处理液(碱清洗液:APM(氨与双氧水的混合液))从喷嘴60a供给至基板W,并且纯水从喷嘴60b供给至基板W。第一喷嘴臂部51、第二喷嘴臂部52分别构成相对于基板W的处理液供给部。第一喷嘴臂部51的转动轴体53设置于侧表面16a与侧表面19a相交的角部附近,第二喷嘴臂部52的转动轴体57设置于侧表面16a与侧表面19b相交的角部附近。另外,来自喷嘴56a、56b以及喷嘴60a、60b的处理液的供给、待机位置与基板W的中心部位置之间的往复移动是根据存储于控制部70的基板处理信息或各种程序而被控制的。
接着,以下参照图5至图10对使用了本实施方式的基板处理装置11的基板W的处理的顺序进行说明。控制部70根据存储的基板处理信息与各种程序对利用基板处理装置11的基板W的处理进行控制(参照图5)。
打开设置于基板处理装置11的处理室13的出入口18,将由搬运机器人(未图示)搬运的基板W搬入处理室13内,并载置于旋转工作台15(图5的S11)。然后,使设置于旋转工作台15上的多个支承销(未图示)偏心旋转从而保持基板W。在搬入了基板W的时刻,关闭与作为第二排气路径的排气路径22b、22d对应的遮蔽板45b、45d,并且打开与作为第一排气路径的排气路径22a、22c对应的遮蔽板45a、45c。处理室13内的气氛利用排气风扇(未图示)通过排气路径22a以及排气路径22c、排气管道25a、25c,然后通过管体27a、27c被吸引至外部从而被排出(参照图6)。在搬入基板W之后,关闭基板W的出入口18。
接着,如图6所示,通过旋转工作台15的旋转,在俯视时,使基板W向第一方向即逆时针方向自旋旋转(左方向的旋转)(S12)。旋转数例如设为500转/分钟。使第一喷嘴臂部51的转动轴体53转动,从而使喷嘴56a、56b从待机位置移动至基板W的中心位置(参照图6)。从喷嘴56a朝向基板W的旋转中心附近开始供给作为第一处理液的酸性的蚀刻液(例如,磷酸溶液)(S13)。供给至基板W的中心附近的蚀刻液通过旋转的基板W的离心力向周围扩散,从而进行均等的蚀刻处理。蚀刻液的供给时间例如为30秒左右。
通过基板W的逆时针方向的旋转,在由处理室13的底面14与中分隔部24分隔的空间产生逆时针方向的回旋流,从而含有酸性的处理液的雾的气体通过排气风扇(未图示)的吸引而如图6所示那样从遮蔽板45a、45c被打开的开口部41a、41c侵入,并通过排气路径22a、22c,经过排气管道25a、25c,进而经过管体27a、27c被向外部排出(由虚线箭头所示)。如图9的示意图所示,在基板W沿逆时针方向旋转时,随着基板W的旋转,在基板W的周围产生逆时针方向的回旋流(含有酸性的处理液的雾的气体)。这时,隔着基板W位于对角线上的排气路径22a、22c的开口部41a、41c位于与回旋流对置的位置,从而能够高效地取入酸性的处理液的雾等。通过打开与位于与回旋流对置的位置的开口部41a、41c对应地设置的门部43a、43c的遮蔽板45a、45c,能够将含有酸性的蚀刻液的雾的气体的回旋流从排气路径22a、22c高效地排出。另外,排气路径22b、22d的开口部41b、41d如后述那样用于排出含有由碱性的处理液所产生的雾的气体,因此为了防止包括酸性的处理液的雾的侵入,使遮蔽板45b、45d处于关闭状态。
接着,在停止从喷嘴56a供给上述酸性的蚀刻液的同时,或者在即将停止之前,开始从喷嘴56b朝向基板W的旋转中心附近供给纯水(S14)。该纯水的供给时间例如为几秒左右。在从喷嘴56b向基板W的中心附近供给纯水的期间,通过转动轴体53使喷嘴部56b向基板W的径向移动微小的距离。该动作用于防止与之后向基板W的中心移动的第二喷嘴臂部52的喷嘴60a、60b之间的接触、干涉。然后,使第二喷嘴臂部52的转动轴体57转动,从而使喷嘴60a、60b从待机位置移动至基板W的中心位置(参照图7)。
在从喷嘴56b供给纯水的期间,使基板W的旋转停止,然后,使基板W向第二方向,即在俯视时的顺时针方向(右方向)反向旋转(例如500转/分钟),从而开始进行处理室13内的排气切换(S15)。关于排气切换,随着基板的上述反向旋转开始,开始关闭与排出含有酸性处理液的雾的气体的开口部41a、41c对应的遮蔽板45a、45c,并开始打开与开口部41b、41d对应的遮蔽板45b、45d。这是因为,在瞬时关闭分别与排出包括酸性处理液的雾的气体的排气路径22a、22c对应的开口部41a、41c,并瞬时打开分别与排出包括作为第二处理液的碱性处理液的雾的气体的排气路径22b、22d对应的开口部41b、41d时,有可能扰乱处理室13内部的气流,因此为了防止该现象的发生,在逐渐关闭排气路径22a、22b的开口部41a、41c的同时,逐渐打开排气路径22c、22d的开口部41b、41d。在进行这样的排气切换时,有时会暂时导致排气路径22a、22c以及排气路径22b、22d双方进行排气。但是,如果在停止对基板W供给酸性处理液之后进行排气切换,则能够通过在停止供给酸性处理液之后经过充足的时间之后再进行排气切换,或者如本实施方式这样在酸性处理液的供给与接下来实施的碱性处理液的供给之间供给纯水,从而抑制在排气路径22a~22d的内部酸与碱所导致的反应。另外,在不需要考虑乱气流等的情况下,在排气切换时,也可以瞬时关闭或者瞬时打开所切换的开口部,并且在不需要考虑盐等的生成的处理液彼此的情况下,也可以在一个利用处理液的处理结束后不进行纯水的供给。
从图7所示的状态开始,在控制部确认通过遮蔽板45a、45c完全关闭开口部41a、41c,并且遮蔽板45b、45d的开口范围达到控制部70所设定的量,而且基板W的旋转速度例如达到500转/分钟时,停止从第一喷嘴臂部51的喷嘴56b供给纯水。在停止该纯水的供给的同时,开始从第二喷嘴臂部52的喷嘴60a朝向基板W的旋转中心附近供给作为第二处理液的碱性的处理液(碱清洗液:APM(氨与双氧水的混合液)),从而开始冲洗处理(S16)。在停止从喷嘴56b供给纯水时,使第一喷嘴臂部51的转动轴体53转动从而使喷嘴56a、56b从基板W上的位置向待机位置移动。从第二喷嘴臂部52的喷嘴60a以规定时间(例如,30秒)沿顺时针方向(右旋)向旋转中的基板W的中央部附近供给碱性的处理液。
在供给上述碱性的处理液的期间,如图8所示,排气路径22a、22c的开口部41a、41c分别处于通过遮蔽板45a、45c被关闭的状态,并且设置于排气路径22b、22d的开口部41b、41d的遮蔽板45b、45d处于被打开的状态。因此,通过基板W沿顺时针方向旋转,在由处理室13的底面14与中分隔部24分隔的空间产生顺时针方向的回旋流,并且如图8所示,含有碱性的处理液的雾的气体(由虚线箭头所示)通过排气风扇(未图示)的吸引从遮蔽板45b、45d被打开的开口部41b、41d侵入,并通过排气路径22b、22d,经过排气管道25b、25d,进而经过管体27b、27d被向外部排出。在基板W沿顺时针方向旋转时,如图10所示,随着基板W的旋转,在基板W的周围产生顺时针方向的回旋流(含有碱性处理液的雾的气体)。这时,隔着基板W位于对角线上的排气路径22b、22d的开口部41b、41d位于与回旋流对置的位置,从而能够高效地取入碱性处理液的雾等。通过打开与位于与回旋流对置的位置的开口部41b、41d对应地设置的门部43b、43d的遮蔽板45b、45d,能够高效地将含有碱性的处理液的雾的气体的回旋流从排气路径22b、22d排出。另外,为了防止含有碱性的处理液的雾的气体的侵入,排气路径22a、22c的开口部41a、41c使遮蔽板45a、45c处于关闭状态。
在停止供给上述碱性的处理液的同时,或者在即将停止之前,开始从第二喷嘴臂部52的喷嘴60b朝向基板W的旋转中心供给纯水。该纯水的供给时间例如为10~20秒。在经过上述规定时间之后,停止从喷嘴60b供给纯水。在纯水的供给停止后,使第二喷嘴臂部52的转动轴体57转动,从而使喷嘴60a、60b从基板W上的位置向待机位置移动。
然后,基板W的旋转方向保持不变,并使旋转速度上升(例如,1500转/分钟),从而将存在于基板W的表面上的纯水甩掉,并以规定时间进行基板W的干燥处理(S17)。在干燥处理完成后,停止沿顺时针方向旋转的基板W的反向旋转,从而进行排气切换(S18)。关于排气切换,在基板W的上述反向旋转(顺时针)停止后,开始关闭与排出含有碱性处理液的雾的气体的开口部41b、41d对应的遮蔽板45b、45d,并开始打开与排出含有酸性处理液的雾的气体的开口部41a、41c对应的遮蔽板45a、45c。由于如果瞬时进行利用上述开闭的排气切换,有可能会扰乱处理室13内部的气流,因此为了防止该现象的发生,逐渐进行利用遮蔽板45a~45d的开闭的排气切换。通过该排气切换,成为本实施方式的基板处理的初期状态(搬入基板W时),即利用排气路径22a、22c的酸性气体的排出状态。
在排气切换完成后,使保持基板W的旋转工作台15的支承销(未图示)偏心旋转从而解除基板W的保持。之后,打开基板W的出入口18,并由搬运机器人(未图示)将基板W从处理室13搬出(S19)。在搬出基板W后,确认有无下一个处理对象的基板W(S20),在没有下一个处理基板时,基板处理结束(S20的否)。在有下一个处理基板时(S20的是),打开出入口18并将由搬运机器人搬运的未处理的基板W搬入处理室13内,使其保持于旋转工作台15,并重复进行利用上述处理液的基板处理。
根据上述的本实施方式,从将基板W搬入处理室13内时起,到基板W沿逆时针方向自旋旋转时的酸性的处理液(蚀刻液)的供给、纯水的供给、然后自旋旋转停止为止(S11~S15(包括S18~S20)),打开与排气路径22a、22c(第一排气路径)的开口部41a、41c对应的遮蔽板45a、45c。然后,通过排气风扇(未图示)经由开口部41a、41c吸引含有酸性的处理液所产生的雾的气体,并将其从排气路径22a、22c通过排气管道25a、25c以及管体27a、27c向外部排出。这时,排气路径22b、22d的开口部41b、41d通过遮蔽板45b、45d被关闭。
另一方面,从自旋旋转停止起,到反向旋转(顺时针方向的旋转)开始时进行排气切换、碱处理液的供给、纯水供给、自旋干燥、反向旋转的停止为止(S15~S18),打开与排气路径22b、22d(第二排气路径)的开口部41b、41d对应的遮蔽板45b、45d。然后,通过排气风扇(未图示)经由开口部41b、41d吸引含有碱性的处理液所产生的雾的气体,并将其从排气路径22b、22d通过排气管道25b、25d以及管体27b、27d向外部排出。这时,排气路径22a、22c的开口部41a、41c通过遮蔽板45a、45c被关闭。
在使基板W旋转时,在基板W的周围产生沿基板W的旋转方向的回旋流。在本实施方式中,如使用图9、图10所说明的那样,根据由基板W的旋转而产生的回旋流的方向,打开与回旋流对置的遮蔽板45a、45c或者45b、45d,因此能够高效地对由处理液产生的雾进行回收。
而且,在本实施方式中,由于在供给酸性处理液时与供给碱性处理液时分开使用排气路径22a~22d,因此,防止了含有酸性的处理液所产生的雾的气体与含有碱性的处理液所产生的雾的气体从相同的排气路径22a~22d排出,因此能够抑制在排气路径22a~22d、排气管道25a~25d以及管体27a~27d的内部由酸与碱的反应而导致的盐的产生。而且,在处理室13的内部也同样,在供给酸性的处理液时,关闭用于排出碱性处理液的雾的排气路径22b、22d的开口部41b、41d,并在供给碱性的处理液时,关闭用于排出酸性处理液的雾的排气路径22a、22c的开口部41a、41c,因此能够抑制在处理室13的内部由酸与碱的反应而导致的盐的产生,从而能够抑制颗粒附着于基板W。
在上述的本实施方式中,遮蔽板45a~45d以通过升降缸48a~48d在上下方向上升降的方式而构成,也可以通过使各个遮蔽板45a~45d沿水平方向滑动来进行开口部41a~41d的开闭。
在实施方式中,对使用酸性处理液与碱性处理液的例子进行了说明。但是,在应用本发明时,处理液的种类并没有特别限定,只要根据针对基板W所要求的处理进行适当的选择即可。
以上,对本发明的实施方式和各部的变形例进行了说明,但该实施方式和各部的变形例是作为一例而提出的,并不用于限定发明的范围。上述的这些新的实施方式可以以其它各种形式来实施,能够在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或主旨中,并且也包含于权利要求书所记载的发明中。

Claims (9)

1.一种基板处理装置,其向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,其中,
该基板处理装置具有:
处理室,其进行所述基板的处理;
旋转工作台,其在所述处理室的内部保持所述基板,并且该旋转工作台被旋转驱动;
处理液供给部,其保持于所述旋转工作台,向旋转状态的所述基板供给处理液;
带有能够开闭的门的多个排气路径,它们使所述处理液的雾从所述处理室向外部流出;以及
门开闭切换构件,其根据所述基板的旋转方向切换所述门的开闭。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述带有能够开闭的门的多个排气路径包括第一排气路径与第二排气路径,
在所述基板沿第一方向旋转的第一状态下,所述门开闭切换构件打开位于与在所述第一状态下产生的回旋气流对置的位置的所述第一排气路径的门,并且关闭所述第二排气路径的门,
在所述基板沿作为与所述第一方向相反的方向的所述基板的第二方向旋转的第二状态下,所述门开闭切换构件打开位于与在所述第二状态下产生的回旋气流对置的位置的所述第二排气路径的门,并且关闭所述第一排气路径的门。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
所述第一排气路径与所述第二排气路径分别在隔着所述基板的对角线上配置为一对。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
所述门开闭切换构件根据所述基板的旋转速度对所述第一排气路径与所述第二排气路径的门的开口部的开口范围进行控制。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
在第一方向的旋转停止后并且在第二方向的旋转开始前,所述门开闭切换构件关闭第一排气路径的门,并且打开第二排气路径的门。
6.一种基板处理方法,向基板依次供给多种处理液而对基板进行处理,其中,
该基板处理方法具有如下工序:
第一工序,打开将第一处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第一排气路径的门,使载置于旋转工作台的所述基板向第一方向旋转而供给所述第一处理液;
第二工序,在停止所述第一处理液的供给而使载置于所述旋转工作台的所述基板的第一方向的旋转停止后,使载置于所述旋转工作台的所述基板向与所述第一方向相反的方向的第二方向旋转;以及
第三工序,关闭所述第一排气路径的门,并且打开将第二处理液的雾从所述处理室内向外部排出的第二排气路径的门,向载置于所述旋转工作台的所述基板供给第二处理液。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,
所述第一排气路径与所述第二排气路径分别在隔着所述基板的对角线上配置为一对,所述第一排气路径的门位于与在所述基板沿所述第一方向旋转时产生的回旋气流对置的位置,所述第二排气路径的门位于与在所述基板沿所述第二方向旋转时产生的回旋气流对置的位置。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法,其中,
所述第一排气路径的门的开口范围根据所述基板沿所述第一方向旋转的旋转速度而改变,所述第二排气路径的门的开口范围根据所述基板沿所述第二方向旋转的旋转速度而改变。
9.根据权利要求6或7所述的基板处理方法,其中,
在使所述基板沿所述第一方向的旋转停止后并且在使所述基板沿所述第二方向的旋转开始前,关闭所述第一排气路径的门,并且打开所述第二排气路径的门。
CN201910835354.0A 2018-09-07 2019-09-05 基板处理装置以及基板处理方法 Active CN110890292B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-167612 2018-09-07
JP2018167612A JP7027284B2 (ja) 2018-09-07 2018-09-07 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110890292A true CN110890292A (zh) 2020-03-17
CN110890292B CN110890292B (zh) 2023-11-17

Family

ID=69745907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910835354.0A Active CN110890292B (zh) 2018-09-07 2019-09-05 基板处理装置以及基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7027284B2 (zh)
KR (1) KR102289615B1 (zh)
CN (1) CN110890292B (zh)
TW (1) TWI751432B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7502157B2 (ja) 2020-02-26 2024-06-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR102340263B1 (ko) 2020-05-25 2021-12-16 김수철 자동폴딩 에어간판
JP2023005095A (ja) * 2021-06-28 2023-01-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
CN113725128B (zh) * 2021-11-01 2022-03-04 天霖(张家港)电子科技有限公司 一种半导体浸泡装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114229A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003218004A (ja) * 2002-01-21 2003-07-31 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP2005032869A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板処理装置
CN101849279A (zh) * 2007-09-04 2010-09-29 株式会社Eugene科技 排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2012099582A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP2013207265A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20140071411A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Tokyo Electron Limited Developing treatment apparatus and developing treatment method
US20140251539A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20140261172A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus and method for detecting abnormality of air flow
JP2014197592A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20160271655A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6268469B2 (ja) * 2013-12-18 2018-01-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体
JP6287750B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114229A (ja) * 1998-09-29 2000-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2003218004A (ja) * 2002-01-21 2003-07-31 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP2005032869A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板処理装置
CN101849279A (zh) * 2007-09-04 2010-09-29 株式会社Eugene科技 排出单元、使用该排出单元的排出方法以及包括该排出单元的基底制程装置
CN102078850A (zh) * 2009-10-16 2011-06-01 东京毅力科创株式会社 液处理装置、液处理方法和存储介质
JP2012099582A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP2013207265A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20140071411A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Tokyo Electron Limited Developing treatment apparatus and developing treatment method
US20140251539A1 (en) * 2013-03-11 2014-09-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20140261172A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus and method for detecting abnormality of air flow
JP2014197592A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20160271655A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

Also Published As

Publication number Publication date
KR102289615B1 (ko) 2021-08-17
JP2020043158A (ja) 2020-03-19
TW202015150A (zh) 2020-04-16
TWI751432B (zh) 2022-01-01
KR20200028832A (ko) 2020-03-17
JP7027284B2 (ja) 2022-03-01
CN110890292B (zh) 2023-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110890292B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
TWI244131B (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
KR101059680B1 (ko) 기판처리장치
CN110364453B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
KR20070089905A (ko) 세정처리장치
KR101035983B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 그 장치에서의 배기 방법
JP4949338B2 (ja) 液処理装置
JP2010010555A (ja) 基板の処理装置
JP5031684B2 (ja) 基板処理装置
JP3984004B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002212784A (ja) 電解メッキ装置及び電解メッキ方法
JP2002057137A (ja) 基板洗浄装置及び基板処理装置
CN110364454B (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP5080885B2 (ja) 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法
JP2003257925A (ja) スピン処理装置及びスピン処理方法
JP2003031537A (ja) 基板処理装置
JP3619667B2 (ja) 基板処理装置
JP2019125659A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101958641B1 (ko) 기판 처리 장치 및 홈포트 배기 방법
JP2001319915A5 (zh)
JP2002246292A (ja) 液処理方法及び液処理装置
KR101469762B1 (ko) 기판세정장치
KR20240079587A (ko) 기판 처리 장치, 그 동작 방법, 및 포토 스피너 설비
CN114242613A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant