JP2000114229A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2000114229A
JP2000114229A JP10275715A JP27571598A JP2000114229A JP 2000114229 A JP2000114229 A JP 2000114229A JP 10275715 A JP10275715 A JP 10275715A JP 27571598 A JP27571598 A JP 27571598A JP 2000114229 A JP2000114229 A JP 2000114229A
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浩二 倉崎
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 排気機構の占有スペースが最小限ですむよう
な基板処理装置を提供することである。 【解決手段】 本基板処理装置は、酸性またはアルカリ
性の薬液のいずれかを扱うシンプル処理部KS1,KS
2およびKS5と、酸性およびアルカリ性の薬液の両方
を扱う複合処理部KS3およびKS4とが、連接して構
成される。排気ダクトHDは、全ての基板処理装置に対
して共通的かつ一体的に取り付けられ、その内部が、酸
性の不要気体を排気する第1の排気部HD1と、アルカ
リ性の不要気体を排気する第2の排気部HD2とに分か
れている。そして、シンプル処理部との連結部では、第
1または第2の排気部が基板処理部内部と連通してい
る。また、複合処理部との連結部では、第1および第2
の排気部が基板処理部内部と連通しており、さらに、こ
れら連通部が選択的に切り換えて開放または閉塞され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関
し、より特定的には、半導体デバイス製造プロセス、液
晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセ
ス等において、シリコンウエハ、FPD(Flat P
anel Display)用基板、フォトマスク用ガ
ラス基板、電子部品等の各種基板に対して、薬液処理を
実行する基板処理部を複数備えた基板処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、処理の対象となる基板を処理槽内
に収納し、当該処理槽に各種薬液を供給して循環させる
ことにより、当該基板に対して種々の薬液処理(洗浄処
理、エッチング処理等)を施すような基板処理装置が知
られている。通常、このような基板処理装置は、使用す
る薬液から生じるミストや揮発性のガス(以下、これら
を不要気体と称す)が外部に漏れるのを防ぐために、密
閉性のあるチャンバ内に収納されている。
【0003】ところで、実際の処理工程では、1台の基
板処理装置を単独で使用することは少なく、1台の基板
処理装置を1つの基板処理部として複数の基板処理部を
連接し、1台の基板処理装置として使用することが多
い。これによって、複数の薬液処理を順次的かつ連続的
に行うことが可能となる。また、各基板処理部のチャン
バ内には、薬液から生じる不要気体が充満するため、こ
れを排気する必要がある。基板処理装置で扱う薬液に
は、大別すると、酸性の薬液と、アルカリ性の薬液とが
ある。もし、酸性の薬液から生じる酸性の不要気体と、
アルカリ性の薬液から生じるアルカリ性の不要気体と
を、1本のダクトで排気しようとすると、酸とアルカリ
とが反応して塩を生じるため、酸性の不要気体とアルカ
リ性の不要気体は、別々のダクトで排気する必要があ
る。従来は、各基板処理部のチャンバに引き込み管を設
け、この引き込み管を酸性用の排気ダクトまたはアルカ
リ性用の排気ダクトのいずれかに連通させるようにして
いた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、複数の
基板処理部を連接して構成される従来の基板処理装置で
は、各基板処理部毎に引き込み管を設けているため、シ
ステム全体のサイズが大型化するという問題点があっ
た。また、最近、酸性の薬液およびアルカリ性の薬液の
両方を扱うような複合タイプの基板処理部(以下、複合
処理部と称す)を含む基板処理装置が実用化されてい
る。このような複合処理部では、チャンバを、酸性用の
排気ダクトまたはアルカリ性用の排気ダクトいずれか
に、選択的に切り換えて連通させなければならないた
め、引き込み管に弁機構を設けており、これがシステム
のコストを上昇させていた。
【0005】それ故に、本発明の目的は、排気機構の占
有スペースが最小限ですむような基板処理システムを提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】本発明
は、上記のような目的を達成するために、以下に示すよ
うな特徴を有している。
【0007】第1の発明は、酸性の薬液を扱う第1の処
理部とアルカリ性の薬液を扱う第2の処理部とが連接さ
れた基板処理装置であって、第1の処理部および第2の
処理部に対して共通的かつ一体的に取り付けられ、その
内部が酸性の不要気体を排気するための第1の排気部と
アルカリ性の不要気体を排気するための第2の排気部と
の2層に分かれており、さらに第1の処理部との連結部
では、第1の排気部が第1の処理部の内部と連通してお
り、第2の処理部との連結部では、第2の排気部が第2
の処理部の内部と連通している排気ダクトを備えてい
る。
【0008】上記のように、第1の発明によれば、排気
ダクトが各処理部に対して共通的かつ一体的に取り付け
られているため、各処理部毎に引き込み配管を設けて排
気ダクトと接続する必要がなくなり、装置全体の構成が
簡素化される。
【0009】第2の発明は、酸性の薬液およびアルカリ
性の薬液の両方を扱う複合処理部が複数連接された基板
処理装置であって、複数の複合処理部に対して共通的か
つ一体的に取り付けられ、その内部が酸性の不要気体を
排気するための第1の排気部とアルカリ性の不要気体を
排気する為の第2の排気部との2層に分かれており、さ
らにそれぞれの複合処理部との連結部では、第1の排気
部および第2の排気部が複合処理部の内部と連通してい
る排気ダクトと、排気ダクトとそれぞれの複合処理部と
の連結部に設けられ、第1の排気部に対する連通部と第
2の排気部に対する連通部とを、選択的に切り替えて開
放または閉塞させるための切り替え手段とを備えてい
る。
【0010】上記のように、第2の発明によれば、排気
ダクトが各複合処理部に対して共通的かつ一体的に取り
付けられているため、各複合処理部毎に引き込み配管を
設けて排気ダクトと接続する必要がなくなり、装置全体
の構成が簡素化される。また、排気ダクトと複合処理部
との連結部では、第1の排気部に対する連通部と第2の
排気部に対する連通部とを、選択的に切り換えて開放ま
たは閉塞させるような構造になっているため、従来のよ
うな複雑な弁機構を設ける必要がなくなり、装置コスト
が安くなる。
【0011】第3の発明は、酸性の薬液またはアルカリ
性の薬液のいずれかを扱うシンプル処理部と酸性の薬液
およびアルカリ性の薬液の両方を扱う複合処理部とが連
接された基板処理装置であって、シンプル処理部および
複合処理部に対して共通的かつ一体的に取り付けられ、
その内部が酸性の不要気体を排気するための第1の排気
部とアルカリ性の不要気体を排気するための第2の排気
部との2層に分かれており、さらにシンプル処理部との
連結部では、第1の排気部または第2の排気部がシンプ
ル処理部の内部と連通しており、複合処理部との連結部
では、第1の排気部および第2の排気部が複合処理部の
内部と連通している排気ダクトと、排気ダクトと複合処
理部との連結部に設けられ、第1の排気部に対する連通
部と第2の排気部に対する連通部とを、選択的に切り替
えて開放または閉塞させるための切り替え手段とを備え
ている。
【0012】上記のように、第3の発明によれば、排気
ダクトが各処理部に対して共通的かつ一体的に取り付け
られているため、各処理部毎に引き込み配管を設けて排
気ダクトと接続する必要がなくなり、装置全体の構成が
簡素化される。また、排気ダクトと複合処理部との連結
部では、第1の排気部に対する連通部と第2の排気部に
対する連通部とを、選択的に切り換えて開放または閉塞
させるような構造になっているため、従来のような複雑
な弁機構を設ける必要がなくなり、装置コストが安くな
る。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態に係
る基板処理装置の外観斜視図である。図1において、本
実施形態の基板処理装置は、連接された複数の基板処理
部KS1〜KS5によって構成されている。ここでは、
基板処理部KS1およびKS2が、例えば、硫酸、ふっ
化水素酸、硝酸や塩酸および過酸化水素水の混合液(S
C−2)などの酸性の薬液を扱うシンプルタイプの基板
処理部(以下、シンプル処理部と称す)として、基板処
理部KS3およびKS4が上記の酸性の薬液およびアン
モニア水および過酸化水素水の混合液(SC−1)など
のアルカリ性の薬液を扱う複合処理部として、基板処理
部KS5が上記のアルカリ性の薬液を扱うシンプル処理
部として示されている。なお、このような組合せは例示
にすぎず、他の組合せも勿論可能である。また、連接さ
れる基板処理部の数も、図1の構成に限定されるもので
はない。
【0014】さらに、各基板処理装置KS1〜KS5の
側面には、排気ダクトHDが一体的に設けられる。この
排気ダクトHDは、その内部が、酸性の不要気体を排気
するための第1の排気部HD1と、アルカリ性の不要気
体を排気するための第2の排気部HD2との2層構造に
なっている。なお、排気ダクトHDと各基板処理部KS
1〜KS5との連結構造については、後述する。また、
排気ダクトHDは、図示しない排気装置に接続されてお
り、その内部が吸引されて負圧とされることにより、各
基板処理部KS1〜KS5内の不要気体を強制排気す
る。
【0015】図2は、図1に示す各基板処理部KS1〜
KS5(図2では、基板処理部KSと表記する)の構成
の一例を示す断面図である。図3は、チャンバ2内に収
納される処理槽1の構成を示す一部破断斜視図である。
以下、図2および図3を参照して、基板処理装置KSの
構成について説明する。
【0016】図2において、処理槽1は、チャンバ2内
に収納されている。この処理槽1の内部には、複数枚の
基板Wが互いに所定の間隔を開けて、かつ平行に配列さ
れている。チャンバ2は、処理槽1を収納する本体21
と、この本体21の上部に取り付けられる蓋22とから
構成されている。蓋22を本体21に取り付けると、O
リング23の作用により、蓋22と本体21とが密着さ
れ、チャンバ2内は密閉状態となる。また、本体21内
側の最上部近傍には、IPA(イソプロピルアルコー
ル)蒸気及び窒素ガスの導入管24が2つ取り付けられ
ている。この2つの導入管24は、処理槽1の内部に収
納される基板Wの配列方向(すなわち、図2の紙面に対
して垂直方向)に沿って延びており、当該導入管24の
表面上には、IPA蒸気及び窒素ガスを吐出して基板W
に供給するための複数の吐出口(図示せず)が設けられ
ている。また、導入管24の両端部は、本体21の側面
を貫通して、外部に設けられるIPA蒸気の供給源(図
示せず)と接続されている。
【0017】次に、図2および図3を参照して、処理槽
1の構成をより詳細に説明する。処理槽1の外壁は、外
板101により規定され、ほぼ直方体の外形を有してい
る。なお、処理槽1の上部は開口しており、その底部は
中央部が下方に突出した逆屋根形状に形成されている。
この逆屋根形状の稜線102は、基板Wの配列方向に沿
って延びている。外板101の上部外周には、その周囲
を取り囲むように、受け板103が設けられている。こ
の受け板103は、外板101の上部周縁と協働して、
処理槽1から溢れ出た液体(純水又は薬液)を受けるた
めのオーバーフロー溝104を形成する。処理槽1の前
端近傍であって、受け板103の下部には、孔が開けら
れ、この孔にはオーバーフロー排液管105の一端が接
続されている。オーバーフロー排液管105の他端は、
図示しないが、チャンバ2の本体21の側面を貫通して
外部へと導かれている。すなわち、オーバーフロー溝1
04に溢れ出た純水(または薬液)は、このオーバーフ
ロー排液管105を介してチャンバ2の外部へと排出さ
れる。
【0018】処理槽1の前端近傍であってその下部に
は、アップフロー管106が設けられる。このアップフ
ロー管106の一端は、チャンバ2の本体21の側面を
貫通して外部へと導かれ、純水および薬液の供給源に接
続されている。アップフロー管106の他端は、処理槽
1の前端部で左右に分岐し、処理槽1の左右両側部に設
けられた注入内管107と接続されている。この注入内
管107の外周を所定の間隔を開けて取り囲むように、
注入外管108が設けられる。左右の注入外管108
は、それぞれ基板Wの配列方向に沿って延びており、処
理槽1の底部と左右側部との間を連結している。注入内
管107の外周には、その軸方向に沿って複数の孔10
7aが所定間隔毎に形成されている。各孔107aは、
処理槽1内の基板Wと反対の方向に向いて開口してい
る。注入外管108の外周には、複数のスリット108
aが所定の間隔毎に形成されている。各スリット108
aは、処理槽内の基板Wの方向に向いて開口している。
また、各スリット108aは、それぞれが各基板Wの間
に位置するように配置されている。なお、左右の注入内
管107および注入外管108は、処理槽1の後端近傍
において、終端されている。
【0019】外板101の左右側部であって、注入外管
108の斜め上方には、槽内排液管109が設けられ
る。この槽内排液管109の一端は、外板101の左右
側部に開けられた孔110と接続されている。また、左
右の槽内排液管109は、処理槽1の前端近傍において
統合され、その他端は、図示しないがチャンバ2の本体
21の側面を貫通して外部へと導かれている。これによ
って、処理槽内の液体が槽内排液管109を介して外部
へと排出される。
【0020】以上説明したように、アップフロー管10
6、注入内管107、注入外管108および槽内排液管
109は、処理槽1の下部に設けられている。したがっ
て、処理槽1の上部には、空間を確保しやすくなる。本
基板処理部KSでは、この空間を利用して複数の基板W
を処理槽1内に収納する。
【0021】処理槽1の内部には、左右1対の基板支持
部111が固定的に設けられる。これら基板支持部11
1の両端は、外板101の内壁の前端側面部分及び後端
側面部分に固着されている。各基板支持部111には、
所定間隔で複数の溝が形成されており、この溝に基板W
が差し込まれることにより、処理槽1内で基板Wが位置
決めされて支持される。
【0022】さらに、上記のような処理槽1に関連して
リフタ4が設けられる。このリフタ4は、基板ガイド4
1と、この基板ガイド41を昇降させる昇降装置42
と、これら昇降装置42および基板ガイド41を連結す
る連結板43とから構成される。基板ガイド41には、
前述の基板支持部111に形成された溝と同様のピッチ
で複数の溝が形成されており、この溝に基板Wが差し込
まれることにより、基板Wが支持される。
【0023】シンプル処理部KS1、KS2、KS5に
ついては、基板に各薬液を循環供給可能な構成としても
良い。この場合、上記の基板処理部KSのオーバーフロ
ー排液管105の途中から分岐し、アップフロー管10
6に接続された戻り配管を設けて循環経路を形成すれば
良い。そして、オーバーフロー排液管105と戻り配管
との分岐個所にオーバーフロー排液管105中の薬液を
減圧チャンバ2外へ排出するか、戻り配管の方向に流す
かを切り替える切り替え弁を設けるとともに循環経路中
に薬液を循環させるポンプを設ける構成とすれば良い。
また、シンプル処理部KS1、KS2、KS5について
は、処理レシピに応じて後述の準備工程、洗浄工程およ
び排液/乾燥工程を実行しない場合があり、この場合に
おいては、上記の基板処理部KSの構成から準備工程、
洗浄工程および排液/乾燥工程にのみ必要な構成を省略
しても良い。
【0024】上記のような構成を有する基板処理部KS
を複合処理部KS3(またはKS4)に適用した際の動
作を次に説明する。まず、減圧チャンバ2の外部の純水
供給源からアップフロー管106に純水が供給される。
アップフロー管106は、供給された純水を、注入内管
107へと導く。注入内管107内へと導かれた純水
は、注入内管107に形成された各孔107aから、注
入外管108の内部へと流出する。注入外管108内に
流入した純水は、注入外管108に形成された各スリッ
ト108aから処理槽1内へと噴出し、処理槽1内に貯
留されていく。やがて、純水は、処理槽1の上部から溢
れ出し、オーバーフロー溝104内に流れ込み、そし
て、オーバーフロー排液管105を介して減圧チャンバ
2の外部へと排出される。したがって、処理槽1内に予
め存在する不要物は、純水と共に減圧チャンバ2の外部
に排出される。これによって、処理槽1内は、以下に説
明する基板処理の直前に清浄にされる。一定時間経過
後、純水の供給は、処理槽1内を清浄な状態に保つこと
ができる必要最小限の流量に絞られる。こうして、基板
処理の準備工程は終了する。
【0025】次に、減圧チャンバ2内には微量の窒素ガ
スその他の不活性ガスが導入されて、これによって、当
該チャンバ2内がパージされる。また、純水の供給は、
上述した必要最小限な流量から、処理に必要な流量に変
更される。このような状況で、他工程の終了した基板W
が、基板処理部KSの上部まで搬送される。このとき、
減圧チャンバ2の蓋22は開いており、基板ガイド41
は昇降装置42によって減圧チャンバ2の上部まで持ち
上げられている。次に、基板Wが基板ガイド41上に載
置され、支持される。次に、リフタ4は、昇降装置42
によって基板ガイド41を下降させる。基板ガイド41
が処理槽1の内部の基板支持部111の固設位置よりも
下方に下降すると、基板Wが基板ガイド41から基板支
持部111へと受け渡され、基板支持部111によって
基板Wが位置決められて支持される。これによって、各
基板Wは、処理槽1内に収納される。その後、本体21
に蓋22が自動的に被せられる。このとき、Oリング2
3の作用によって、減圧チャンバ2が密閉される。
【0026】次に、アルカリ処理工程について説明す
る。このアルカリ処理工程の間中、減圧チャンバ2内に
は所定量の窒素ガスが導入管24から導入されており、
これによって、当該チャンバ2内がパージされる。この
ような状況下で、減圧チャンバ2の外部の薬液供給源か
らアップフロー管106に流れている純水にアルカリ性
の薬液(例えば、アンモニア水および過酸化水素水の混
合液(SC−1))が供給される。アップフロー管10
6は、供給された薬液を、注入内管107へと導く。注
入内管107内へと導かれた薬液は、注入内管107に
形成された各孔107aから、注入外管108の内部へ
と流出し、さらに注入外管108に形成された各スリッ
ト108aを介して処理槽1内に噴出する。アップフロ
ー管106には、外部の薬液供給源から一定時間継続的
に薬液が供給されるため、処理槽1内における薬液の濃
度は、徐々に高くなり、やがて一定濃度となる。その
間、溢れ出した薬液は、オーバーフロー溝104内に流
れ込み、オーバーフロー排液管105を介して減圧チャ
ンバ2の外部へと排出される。これによって、基板W
は、常に新しい薬液に浸漬されることになる。そして、
薬液供給源は、薬液処理工程の開始から一定時間経過す
ると、薬液の供給を停止し、アルカリ処理工程が終了す
る。
【0027】次に、第1の洗浄工程について説明する。
洗浄工程では、減圧チャンバ2の外部の純水供給源から
アップフロー管106に純水が供給される。アップフロ
ー管106は、供給された純水を、注入内管107へと
導く。注入内管107内へと導かれた純水は、注入内管
107に形成された各孔107aから、注入外管108
の内部へと流出する。注入外管108内に流入した純水
は、注入外管108に形成された各スリット108aか
ら処理槽1内へと噴出する。ここで、各スリット108
aは、処理槽内で配列された各基板Wの間に位置するよ
うに配置されているため、各スリット108aから噴出
した純水は、各基板Wの間へと流れ込み、各基板Wの表
面がまんべんなく洗浄される。また、純水の供給により
処理槽1の上部から溢れ出した液体は、オーバーフロー
溝104内に流れ込み、オーバーフロー排液管105を
介して減圧チャンバ2の外部へと排出される。このと
き、処理槽1内で各基板Wを浸漬していた薬液は、純水
中に滞留せず、オーバーフロー水と共に外部へと排出さ
れる。アップフロー管106には、外部の純水供給源か
ら継続的に純水が供給されるため、徐々に処理槽内の薬
液の濃度が薄まり、やがて処理槽1内は純水のみに置換
される。そして、処理槽1内の液体の比抵抗値が所定値
(好ましくは純水の比抵抗値)になったことを比抵抗計
(図示せず)が検出すると、純水の供給が停止され、洗
浄工程が終了する。なお、本実施形態では、基板を洗浄
するために純水が用いられているが、これに限られず、
基板を洗浄できる性質を有していれば他の洗浄液(例え
ば、ふっ酸添加純水)を用いても良い。
【0028】次に、酸処理工程を実行する。酸処理工程
は、この工程で使用する薬液が、アルカリ性の薬液では
なく酸性の薬液(例えば、ふっ化水素酸)である点が異
なるだけで、その他の動作は上述のアルカリ処理工程と
同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。そし
て、酸処理工程が終了した後、上述の第1の洗浄工程と
同様の第2の洗浄工程が実行される。
【0029】次に、排液/乾燥工程について説明する。
上記第2の洗浄工程終了後には、処理槽1には純水が十
分に貯留されている。そのため、排水/乾燥工程では、
まず最初に、この純水の液面を微小量低下させるため、
槽内排液管109から純水が微小量排出される。これ
は、IPA蒸気供給により純水の液面上で凝縮するIP
Aが、処理槽1の外部へと流出することを防止するため
である。上述したような純水の液面を微小量低下させた
後、図示しない外部のIPA供給源から導入管24にI
PA蒸気が供給される。導入管24は、処理槽1の内部
に貯留されている純水の液面に向けて、供給されたIP
A蒸気を噴出する。その結果、IPA蒸気は、処理槽1
内の純水液面上で凝縮する。
【0030】一定時間経過後(凝縮したIPA層が一定
の厚さになった後)、処理槽1内の純水が、槽内排液管
109から排出される。この排出の間中、導入管24は
IPA蒸気を供給し続けている。この排出によって純水
の液面が降下するにつれて、当該各基板Wには純水液面
上で凝縮したIPAが付着することとなる。その結果、
各基板Wの表面上に付着している液滴は、凝縮したIP
Aに置換される。これによって、各基板Wの表面に液滴
を残すことなく、当該各基板Wは十分に乾燥する。そし
て、純水液面レベルが十分に低下し、かつ各基板Wと基
板支持部111との間に残留する純水をも十分に乾燥さ
せると、IPA蒸気の供給が停止される。なお、本実施
形態では、基板を乾燥させるためにIPAが用いられて
いるが、これに限られず、水溶性でかつ基板上に残る水
滴の表面張力を低下させる性質を有していれば、IPA
蒸気に代えて他の有機溶剤の蒸気を用いても良い。
【0031】IPA蒸気の供給停止後、減圧チャンバ2
内は所定量の窒素ガスによりパージされる。同時に、減
圧チャンバ2内は減圧される。その結果、IPAの沸点
が低下するので、減圧チャンバ2内に残留するIPAは
容易に蒸発し、各基板Wの表面は短時間で乾燥する。一
定時間経過後(減圧チャンバ2内の不必要なIPAを減
圧によって乾燥させた後)、減圧が終了する。この減圧
終了後、再度窒素ガスによるパージを実行して、減圧チ
ャンバ2の内部を大気圧まで戻す。こうして、排液/乾
燥工程が終了する。
【0032】また、基板処理部KSをシンプル処理部K
S1(またはKS2)に適用する場合は、上述のアルカ
リ処理工程は実行せず、少なくとも酸処理工程を実行す
れば良い。上述の準備工程、洗浄工程、排液/乾燥工程
は省略しても良い。同様に基板処理部KSをシンプル処
理部KS5に適用する場合は、上述の酸処理工程は実行
せず、少なくともアルカリ処理工程を実行すれば良い。
上述の準備工程、洗浄工程、排液/乾燥工程は省略して
も良い。シンプル処理部KS1、KS2、KS5におい
て、上述のように基板処理部KSに循環経路等を設ける
構成とした場合は、この構成に応じた動作とすれば良
い。
【0033】なお、以上説明した基板処理部KSの構成
および動作は一例にすぎず、基板に薬液を供給して何ら
かの薬液処理を行うものであれば、他の構成の基板処理
部を用いても良い。例えば、枚葉の基板を回転させつつ
酸性の薬液またはアルカリ性の薬液を供給する基板処理
部を用いても良い。
【0034】図4は、酸性の薬液を扱う基板処理部KS
1(または、KS2)と排気ダクトHDとの連結構造を
示す断面図である。図示のごとく、排気ダクトHDは、
基板処理部KS1のチャンバ2の側面(図2におけるチ
ャンバ2の背面)に一体的に固着されている。そして、
排気ダクトHDの内部は、酸性の不要気体を排気するた
めの第1の排気部HD1と、アルカリ性の不要気体を排
気するための第2の排気部HD2との2層構造になって
いる。チャンバ2の側面において、第1の排気部HD1
と対向する部分には、開口51aが形成されている。従
って、基板処理部KS1の内部に充満した酸性の不要気
体は、開口51aを介して、排気ダクトHD内の第1の
排気部HD1へと流入し排気される。
【0035】図5および図6は、酸性およびアルカリ性
の薬液を扱う基板処理部KS3(またはKS4)と排気
ダクトHDとの連結構造を示す断面図である。なお、図
5は、基板処理部KS3が酸性の薬液を扱うときの連結
状態を示しており、図6は、基板処理部KS3がアルカ
リ性の薬液を扱うときの連結状態を示している。図示の
ごとく、基板処理部KS3のチャンバ2の側面(図2に
おけるチャンバ2の背面)において、第1の排気部HD
1と対向する部分には開口53aが形成され、第2の排
気部HD2と対向する部分には開口53bが形成されて
いる。排気ダクトHDの外底部には、ピストン昇降装置
61が設けられている。このピストン昇降装置61は、
その内部に挿入されたピストン62を、電磁力や空気圧
等によって昇降させる。ピストン62は、排気ダクトH
Dの底面を貫通しており、第1の排気部HD1内で昇降
動作を行う。また、基板処理部KS3の内部には、チャ
ンバ2の内壁と当接する状態で、昇降隔壁板7が設けら
れている。この昇降隔壁板7は、開口53bを介して第
2の排気部HD2内へと延びる係止板71を有してお
り、この係止板71の先端がピストン62によって係止
されることにより、昇降隔壁板7がピストン62によっ
て支持される。
【0036】まず、図5を参照して、基板処理部KS3
が上述の酸処理工程において酸性の薬液を扱うときの、
基板処理部KS3と排気ダクトHDとの連結状態を説明
する。この場合、ピストン62は、ピストン昇降装置6
1によって上昇され、上死点の位置にある。応じて、昇
降隔壁板7も上死点の位置にあり、開口53aを開放
し、開口53bを閉塞している。その結果、基板処理部
KS3内の不要気体は、開口53aを介して、排気ダク
トHD内の第1の排気部HD1へと流入し排気される。
【0037】次に、図6を参照して、基板処理部KS3
が上述のアルカリ処理工程においてアルカリ性の薬液を
扱うときの、基板処理部KS3と排気ダクトHDとの連
結状態を説明する。この場合、ピストン62は、ピスト
ン昇降装置61によって下降され、下死点の位置にあ
る。応じて、昇降隔壁板7も下死点の位置にあり、開口
53aを閉塞し、開口53bを開放している。その結
果、基板処理部KS3内の不要気体は、開口53bを介
して、排気ダクトHD内の第2の排気部HD2へと流入
し排気される。
【0038】上記のように、酸性およびアルカリ性の薬
液を扱う複合処理部KS3においては、扱う薬液の性質
に応じて、不要気体の排気経路を第1または第2の排気
部HD1またはHD2へと選択的に切り換えることがで
きる。
【0039】図7は、アルカリ性の薬液を扱う基板処理
装置KS5と排気ダクトHDとの連結構造を示す断面図
である。図示のごとく、基板処理部KS4のチャンバ2
の側面(図2におけるチャンバ2の背面)において、第
2の排気部HD2と対向する部分には、開口54bが形
成されている。従って、基板処理部KS4の内部に充満
したアルカリ性の不要気体は、開口54bを介して、排
気ダクトHD内の第2の排気部HD2へと流入し排気さ
れる。
【0040】なお、シンプル処理部KS1、KS2、K
S5に上述の洗浄工程を実行するための洗浄処理部が隣
接して配置される場合がある。この洗浄処理部は、例え
ばシンプル処理部KS1で酸性の薬液によって上述の酸
処理工程が実行された基板を純水で洗浄処理するもので
ある。この洗浄処理部と排気ダクトHDとの連結構造
は、隣接する基板処理部、すなわち洗浄処理工程の前処
理工程に応じて決定される。例えば、シンプル処理部K
S1に隣接する洗浄処理部では、前処理工程として酸性
の薬液による酸処理工程が実行されているので、洗浄処
理部に搬入された基板には酸性の薬液が付着している。
その結果、洗浄処理部の内部は酸性の不要気体が充満す
る。したがって、この洗浄処理部と排気ダクトとの連結
構造は、図5に図示されるように洗浄処理部の内部と排
気部HD1とが連通する構造とすれば良い。同様に、例
えば、シンプル処理部KS5に隣接する洗浄処理部で
は、前処理工程としてアルカリ性の薬液にアルカリ処理
工程が実行されているので、この洗浄処理部と排気ダク
トとの連結構造は、図7に図示されるように洗浄処理部
の内部と排気部HD2とが連通する構造とすれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の外観
斜視図である。
【図2】図1に示す各基板処理部の構成の一例を示す断
面図である。
【図3】チャンバ2内に収納される処理槽1の構成を示
す一部破断斜視図である。
【図4】酸性の薬液を扱うシンプル処理部KS1(また
は、KS2)と排気ダクトHDとの連結構造を示す断面
図である。
【図5】酸性およびアルカリ性の薬液を扱う複合処理部
KS3(または、KS4)と排気ダクトHDとの連結構
造を示す断面図であり、特に、複合処理部KS3が酸性
の薬液を扱うときの連結状態を示す図である。
【図6】酸性およびアルカリ性の薬液を扱う複合処理部
KS3(または、KS4)と排気ダクトHDとの連結構
造を示す断面図であり、特に、複合処理部KS3がアル
カリ性の薬液を扱うときの連結状態を示す図である。
【図7】アルカリ性の薬液を扱うシンプル処理部KS5
と排気ダクトHDとの連結構造を示す断面図である。
【符号の説明】
KS1〜KS5…基板処理部 HD…排気ダクト HD1…第1の排気部 HD2…第2の排気部 1…処理槽 2…チャンバ 61…ピストン昇降装置 62…ピストン 7…昇降隔壁板 71…係止板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B08B 17/02 B08B 17/02 H01L 21/306 H01L 21/306 J (72)発明者 新居 健一郎 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番1 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 Fターム(参考) 3B117 AA01 BA21 3B201 AA03 AB01 BB04 BB92 BB93 BB96 CB15 CC11 CD11 CD24 CD31 5F043 EE02 EE32 EE36 EE37 EE40

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸性の薬液を扱う第1の処理部とアルカ
    リ性の薬液を扱う第2の処理部とが連接された基板処理
    装置であって、 第1の処理部および第2の処理部に対して共通的かつ一
    体的に取り付けられ、その内部が酸性の不要気体を排気
    するための第1の排気部とアルカリ性の不要気体を排気
    するための第2の排気部との2層に分かれており、さら
    に第1の処理部との連結部では、第1の排気部が第1の
    処理部の内部と連通しており、第2の処理部との連結部
    では、第2の排気部が第2の処理部の内部と連通してい
    る排気ダクトを備える、基板処理装置。
  2. 【請求項2】 酸性の薬液およびアルカリ性の薬液の両
    方を扱う複合処理部が複数連接された基板処理装置であ
    って、 複数の複合処理部に対して共通的かつ一体的に取り付け
    られ、その内部が酸性の不要気体を排気するための第1
    の排気部とアルカリ性の不要気体を排気するための第2
    の排気部との2層に分かれており、さらにそれぞれの複
    合処理部との連結部では、第1の排気部および第2の排
    気部が複合処理部の内部と連通している排気ダクトと、 前記排気ダクトとそれぞれの複合処理部との連結部に設
    けられ、第1の排気部に対する連通部と第2の排気部に
    対する連通部とを、選択的に切り替えて開放または閉塞
    させるための切り替え手段とを備える、基板処理装置。
  3. 【請求項3】 酸性の薬液またはアルカリ性の薬液のい
    ずれかを扱うシンプル処理部と酸性の薬液およびアルカ
    リ性の薬液の両方を扱う複合処理部とが連接された基板
    処理装置であって、 シンプル処理部および複合処理部に対して共通的かつ一
    体的に取り付けられ、その内部が酸性の不要気体を排気
    するための第1の排気部とアルカリ性の不要気体を排気
    するための第2の排気部との2層に分かれており、さら
    に前記シンプル処理部との連結部では、第1の排気部ま
    たは第2の排気部がシンプル処理部の内部と連通してお
    り、前記複合処理部との連結部では、第1の排気部およ
    び第2の排気部が複合処理部の内部と連通している排気
    ダクトと、 前記排気ダクトと前記複合処理部との連結部に設けら
    れ、第1の排気部に対する連通部と第2の排気部に対す
    る連通部とを、選択的に切り替えて開放または閉塞させ
    るための切り替え手段とを備える、基板処理装置。
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