CN110854038A - 基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法，有利于外部空气漏入部位的确定。基板处理装置具有：采样配管，其在装载区域内从针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位设定的多个采样端口延伸设置；氧浓度计，其与采样配管连通；多联式的自动开闭阀，其位于与各个采样端口对应的位置；吹扫机构，其向装载区域内吹扫非活性气体；以及控制器，其中，控制器针对全部的采样端口执行将多个自动开闭阀中的一个打开且将其它多个自动开闭阀关闭的切换控制，从氧浓度计接收与在各切换控制后打开的自动开闭阀对应的采样端口的氧浓度测量信号，并将浓度测量值和浓度阈值进行比较。

Description

基板处理装置和该装置中的外部空气漏入部位确定方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种具有反应容器、氧浓度计、用于向氧浓度计引导反应容器的气氛的浓度检测配管以及用于将浓度检测配管切断的浓度检测配管用气阀的固体制造装置。该固体制造装置还具有用于向氧浓度计引导氮气的氮气导入配管、用于将氮气导入配管切断的氮气导入配管用气阀以及用于控制各气阀的开闭的控制部。在检测反应容器的氧浓度的情况下，将浓度检测配管用气阀设为开状态，将氮气导入配管用气阀设定为闭状态。另一方面，在不检测反应容器的氧浓度的情况下，将浓度检测配管用气阀设为闭状态，将氮气导入配管用气阀设定为开状态。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-321636号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种有利于确定外部空气漏入部位的基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置至少具有热处理区域和装载区域，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行所述基板的搬出搬入，所述基板处理装置还具有：采样配管，其在所述装载区域内从多个采样端口延伸设置，所述多个采样端口是针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位而设定的；氧浓度计，其与所述采样配管连通；多联式的自动开闭阀，其位于所述采样配管的中途且与各个所述采样端口对应的位置；吹扫机构，其向所述装载区域内吹扫非活性气体来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；以及控制器，其中，所述控制器保存氧浓度的浓度阈值，所述控制器针对全部的所述采样端口执行将多个所述自动开闭阀中的一个所述自动开闭阀打开且将其它所述自动开闭阀关闭的切换控制，从所述氧浓度计接收与在各切换控制后打开的所述自动开闭阀对应的所述采样端口的氧浓度测量信号，所述控制器将全部的所述采样端口处的浓度测量值与所述浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。
发明的效果
根据本公开，能够在基板处理装置中确定外部空气漏入部位。
附图说明
图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图。
图2是第一实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。
图3是示出控制器的硬件结构的一例的图。
图4是示出控制器的功能结构的一例的图。
图5是实施方式所涉及的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法的一例的流程图。
图6是示出控制器的控制序列的一例的图。
图7是第二实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置和基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法。此外，在本说明书和附图中，有时对实质上相同的结构要素标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。
[第一实施方式]
<基板处理装置>
首先，参照图1至图4来说明本公开的第一实施方式所涉及的基板处理装置的一例。在此，图1是示出第一实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图，图2是第一实施方式所涉及的基板处理装置的功能框图。另外，图3是示出控制器的硬件结构的一例的图，图4是示出控制器的功能结构的一例的图。
如图1所示，基板处理装置100具有热处理区域20和装载区域10，在该装载区域10与热处理炉21(也称作工艺管道)之间进行晶圆的搬出和搬入。在装载区域10内并列地配设有多个采样配管30，在各个采样配管的中途设置有多联式的自动开闭阀40，各采样配管30与一台氧浓度计50连通。并且，在装载区域10的外侧具有控制器60，该控制器60控制自动开闭阀40、氧浓度计50。在此，“多联式的自动开闭阀40”是指以下的自动开闭阀组：具有多个自动开闭阀40，使利用控制器60进行的各自动开闭阀40的打开和关闭以相互关联的方式被执行。
热处理区域20在内部具备用双点划线表示的热处理炉21，该热处理炉21对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行热处理。图示例的热处理炉21为纵型的热处理炉，对晶圆进行例如扩散处理、氧化处理、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理等各种热处理。装载区域10和热处理区域20均为壳体，该壳体是形成壁、顶部的面材安装于形成轮廓的框架结构(未图示)而构成的，装载区域10的顶部兼用作热处理区域20的底部，将双方的区域划分开。框架结构例如通过截面弯曲形成为曲柄形的框架构件彼此溶接等而形成，顶部、壁由不锈钢板等形成，通过焊接或螺栓而与框架结构接合。
在装载区域10，从承载件(未图示)内向石英制的晶圆舟(未图示)进行晶圆的移交、利用作为升降机构的舟电梯(未图示)相对于热处理炉21进行晶圆舟的搬出和搬入。
在装载区域10，在四个侧面中的一个侧面(前表面)，以自动开闭自如的方式安装有FIMS(Front-opening Interface Mechanical Standard：前开口接口机械标准)门16。另外，在装载区域10的另一个侧面即与FIMS门16相向的侧面(背面)，经由铰链以开闭自如的方式安装有维护门14。另外，在装载区域10的另一个侧面即与FIMS门16及维护门14正交的侧面，经由铰链以开闭自如的方式安装有侧门15。
在侧门15的内侧安装有FFU(Filter Fun Unit：风机过滤单元，未图示)，在侧门15的下方位置安装有吹扫机构12。吹扫机构12具有气体配管12a、开闭阀12b(非活性气体进气阀的一例)、非活性气体供给源(未图示)、气体供给源(未图示)以及MFC(Mass FlowController：质量流量控制器，未图示)。吹扫机构12是为了将装载区域10内例如设为氮(N2)气体气氛(非活性气体气氛、非氧气氛)而向装载区域10内导入N2气体的机构。此外，作为非活性气体，也能够应用氦(He)气、氩(Ar)气之类的稀有气体，但在图示例的基板处理装置100中应用N2气体。在FIMS门16的上方安装有排气机构13。排气机构13具有排气配管13a(排气阀的一例)、开闭阀13b以及风扇等吸引机(未图示)。
经由吹扫机构12导入至装载区域10内的N2气体首先被引导至FFU，在FFU中被净化后经由内置于FFU中的鼓风扇而被导入装载区域10内。利用吹扫机构12以比常压高的压力向装载区域10内供给N2气体，由此能够维持装载区域10内的低氧浓度气氛。
在维护门14的侧方(在图1中为右侧)的下方位置安装有空气进气机构11，该空气进气机构11用于向已被设为非活性气体气氛的装载区域10内导入大气来将装载区域10内设为大气压气氛。空气进气机构11具有空气配管11a和开闭阀11b。在将装载区域10内从正压的N2气体气氛设为大气压气氛时，使排气机构13工作来对装载区域10内的N2气体进行排气，之后通过使空气进气机构11工作来使装载区域10内向大气开放。例如在对装置进行维护等时，在操作者进入装载区域10内之前的阶段执行该大气开放。此外，开闭阀11b、12b、13b均可以为电磁阀(螺线管阀)和电动阀中的任意阀。
在装载区域10的顶部安装有清除器(日语：スカペンジャー)17，热处理炉21载置于该清除器17，并且该清除器17具有使晶圆舟升降自如的圆形开口17a、17b。清除器17具有中空的长方体形状，在清除器17连接有用于对内部气氛进行排气的排气通路(未图示)，以防止热处理炉21内的排气热向装载区域10内流入。在清除器17的下方的圆形开口17b安装有能够沿水平方向进行开闭移动的挡板(未图示)，所述挡板例如用于在将热处理后的舟搬出至热处理炉21的下方的装载区域10内时遮挡炉口。
维护门14、侧门15、FIMS门16、遮挡炉口的挡板等开闭构件具有沿着其外周轮廓线的密封构件，在各门、炉口关闭的状态下能够通过密封构件将装载区域10内保持为气密状态。在此，密封构件是由硅橡胶、氟橡胶等形成的定型构件，密封构件通过粘接、螺栓等而安装于各门或各门在关闭时所嵌入的框等。另一方面，安装于装载区域10的顶部的清除器17、安装于装载区域10的侧面的空气配管11a、气体配管12a、排气配管13a等经由O型密封圈、上述的由各种橡胶等形成的密封构件进行安装。
像这样，门构件、挡板、配管、清除器17等经由密封构件而安装于装载区域10的壁面、顶部，由此装载区域10形成气密空间。该装载区域10是抑制在晶圆的表面形成自然氧化膜以实现晶圆生产率的提高的加载互锁腔室。
在装载区域10的与FIMS门16相面对的侧方(前方)设置有承载件搬送区域(未图示)。在承载件搬送区域设置有用于进行承载件的搬出和搬入的装载端口(未图示)。在装载端口上设置有搬送机构(未图示)，承载件在装载端口上移动，承载件内的晶圆经由FIMS门16被移交至处于装载区域10内的晶圆舟。此外，承载件由塑料制的容器形成，该容器能够将例如直径300mm左右的多张晶圆以水平状态沿上下方向隔开规定间隔地收容为多层，并且能够搬运晶圆。
当在装载区域10内对晶圆进行处理时，使装载区域10内的氧浓度下降，在低氧浓度气氛下执行晶圆的处理。此时，向装载区域10吹扫N2气体来利用N2气体进行置换。例如，使装载区域10的浓度下降至10ppm至30ppm的范围，优选下降至5ppm以下。
另外，在装载区域10的提供使用之后，由于上述的各种密封构件发生经年劣化等而使密封构件的密封性下降，从而使外部空气漏入至装载区域10内，由此可能会使装载区域10的气密性下降。当装载区域10的气密性下降时，即使已经使室内的氧浓度下降至期望的浓度，氧浓度也可能会上升而导致在晶圆的表面形成自然氧化膜。在装载区域10中，对于具有外部空气漏入的可能性的外部空气可能漏入部位，除了存在如上述那样具有各种密封构件的部位以外，还可能存在框架构件的接合部位等各种部位，该框架构件形成构成装载区域10的骨架的框架结构。
因此，图示的基板处理装置100是在装载区域10内确定外部空气漏入部位的装置。如图1所示，在装载区域10内，针对多个外部空气可能漏入部位设定采样端口P1至P19。在图示例中，在装载区域10内设定作为氧浓度的测量基准的基准点P0。而且，在形成装载区域10的长方体的轮廓的框架结构的角部设定采样端口P1至P4。框架结构的角部具有构件间的接合部位，因此成为外部空气可能漏入部位。此外，在图1中，省略了其它角部的采样端口的附图标记。
另外，在维护门14的角部的外侧设定采样端口P5至P8。另外，在空气配管11a的附近、气体配管12a的附近以及排气配管13a的附近分别设定采样端口P9至P11。另外，在侧门15的角部的附近设定采样端口P12、P13。另外，在FIMS门16的角部的附近设定采样端口P14至P16。并且，在安装于顶部的清除器17的角部的附近设定采样端口P17至P20。此外，采样端口可以设置在其它的外部空气可能漏入部位。例如，可以将用于遮挡炉口的挡板的附近加入至外部空气可能漏入部位。
在装载区域10内配置有数量为采样端口的数量以上的多联式的自动开闭阀40，从各采样端口延伸设置的采样配管30与对应的自动开闭阀40连通。并且，从各自动开闭阀40延伸设置的采样配管30与一台氧浓度计50连通。即，在从设定于多个外部空气可能漏入部位的多个采样端口延伸设置的采样配管30的中途设置有自动开闭阀40，各采样配管30与一台氧浓度计50连通。这是如图1和图2所示那样多个采样配管30以并联的方式连接于一台氧浓度计50的并联型配管方式。此外，各采样配管30可以具备固有的氧浓度计50，但氧浓度计50所需的成本会根据采样配管30的数量而增加，因此优选如图示例那样使各采样配管30连接于一台氧浓度计50的方式。
自动开闭阀40可以是电磁阀(螺线管阀)和电动阀中的任意阀。另外，氧浓度计50例如是如下的浓度计；内置有泵，通过使泵工作，能够经由采样配管30吸引采样端口处的气氛来测量采样端口处的氧浓度。氧浓度计50内置有泵，由此除了能够测量采样端口处的氧浓度以外，还能够将装载区域10内所充满的N2气体吸引至采样配管30内来进行吹扫。此外，氧浓度计50除了可以是内置泵的方式以外，还可以是具有喷射器机构的方式。
通过控制器60对全部的自动开闭阀40依次执行将多个自动开闭阀40中的一个自动开闭阀40打开且将其它自动开闭阀40全部关闭的切换控制。在图2中示出了以下状态：关于作为一例示出的采样端口P0至P2、P15至P19，设置在与采样端口P15对应的采样配管上的自动开闭阀打开，设置在其它全部的采样配管上的自动开闭阀关闭。在图2的状态下，与采样端口P15对应的自动开闭阀打开规定时间(例如几分钟至30分钟左右)。在经过规定时间后，与采样端口P15对应的自动开闭阀关闭，接着，例如与采样端口P16对应的自动开闭阀同样地打开规定时间(例如几分钟至30分钟左右)，并且其它自动开闭阀维持关闭的状态。像这样，仅使一个自动开闭阀40打开来执行规定时间的氧浓度测量，对其它的自动开闭阀40依次执行该控制。
接着，参照图3和图4对控制器60进行说明。控制器60由计算机构成，如图3所示，具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)601。并且，控制器60具有RAM(RandomAccess Memory：随机存取存储器)602、ROM(Read Only Memory：只读存储器)603、NVRAM(Non-Volatile RAM：非易失性随机存取存储器)604、HDD(Hard Disc Drive：硬盘驱动器)605、I/O端口606等。而且，各部通过总线607以能够传递信息的方式连接。此外，控制器60除了采用如图示例那样由一台计算机形成的方式以外，也可以由执行自动开闭阀的开闭控制的带数据记录器的定序器(日语：データロガー付きシーケンサー)以及内置有将由数据记录器接收到的浓度测量值和阈值进行比较的运算部的计算机形成。
在ROM 603中存储有各种程序、由程序利用的数据等。RAM 602被用作用于加载程序的存储区域、加载的程序的工作区域。CPU 601通过对加载至RAM 602中的程序进行处理来实现各种功能。在HDD 605中存储程序、程序利用的各种数据等。在NVRAM 604中存储各种设定信息等。
在HDD 605中例如存储有利用N2气体对装载区域10内进行吹扫时的、室内的温度条件、压力条件、N2气体流量条件、各采样端口处的氧浓度测量时间以及进行氧浓度测量的采样端口的顺序等。另外，存储有直至装载区域10内的利用N2气体进行的吹扫、各采样端口处的氧浓度测量之类的测量的一系列的序列。
I/O端口606与操作面板610、氧浓度计611、自动开闭阀控制部612、吹扫机构613、空气进气机构614、FFU控制部615以及FIMS门开闭部616等连接，控制各种数据、信号的输入输出。
CPU 601构成控制器60的中枢，执行ROM 603等中存储的控制程序。另外，CPU 601基于来自操作面板610的指示信号，按照HDD 605内保存的氧浓度测量序列来对构成基板处理装置100的各部的动作进行控制。即，CPU 601使吹扫机构613工作来利用N2气体对装载区域10内进行吹扫。此时，也使FFU控制部615动作，通过过滤器对导入的N2气体进行净化，并且通过风扇将净化后的N2气体提供至装载区域10内。另外，CPU 601使自动开闭阀控制部612依次执行使多个自动开闭阀40中的一个打开并且使其它全部的自动开闭阀关闭的切换控制。而且，CPU 601使氧浓度计611以规定时间测量与打开的自动开闭阀40对应的采样端口处的氧浓度。另外，CPU 601例如在装载区域10内的维护时使空气进气机构614工作来将大气导入装载区域10内，将装载区域10内设为大气压气氛。并且，使FIMS门开闭部616工作，执行晶圆相对于装载区域10内的出入。
经由操作面板610输入装载区域10内的N2气体吹扫后的初始的氧浓度的设定值。另外，经由操作面板610输入氧浓度的浓度阈值(初始的浓度阈值：初始值)、从氧浓度的初始值起浓度增加后的增加后浓度阈值等。
另外，如图4所示，控制器60具有接收部620、开闭部630、吹扫部640、阀切换部650、比较运算部660、警报部670以及数据保存部680。
接收部620接收与由氧浓度计50测量出的各采样端口处的氧浓度有关的氧浓度测量信号。将接收部620接收到的氧浓度测量信号保存在数据保存部680中。
开闭部630执行FIMS门16、用于遮挡炉口的挡板等的开闭控制。在搭载有基板的承载件在装载端口上移动而位于FIMS门16的前面的阶段打开FIMS门16，将承载件内的晶圆移交于装载区域10内的晶圆舟之后，关闭FIMS门16。另外，在舟上升而被收容在热处理炉21内时或者热处理后的舟被搬出至下方的装载区域10内时，遮挡炉口的挡板沿水平方向移动而打开，在舟的升降结束的阶段关闭挡板。
吹扫部640使构成吹扫机构613的N2气体供给源工作，打开开闭阀12b，向装载区域10内供给由MFC调整为规定流量的N2气体。例如，在对装载区域10内进行吹扫的工序中，利用氧浓度计50持续地测量图1所示的基准点P0处的氧浓度，由接收部620接收该氧浓度测量信号，并且保存在数据保存部680中。向数据保存部680中输入装载区域10内的N2气体吹扫后的初始的氧浓度的设定值。在从接收部620发送来的基准点P0处的氧浓度稳定在氧浓度的设定值以下的阶段，开始各采样端口处的氧浓度的测量。
关于位于各采样配管30的中途位置且与各个采样端口对应的位置的各个自动开闭阀40，阀切换部650以预先设定的顺序以规定时间只打开一个采样配管30，并且在此期间关闭其它采样配管30。优选设定为全部的自动开闭阀40的氧浓度的测量时间相同，将几分钟至30分钟左右的测量时间输入至数据保存部680中。另外，阀切换部650执行开闭阀11b、12b、13b的开闭，执行N2气体的吹扫、大气的导入、N2气体的排气等。
比较运算部660将各个采样端口处的浓度测量值和氧浓度的阈值进行比较来确定外部空气漏入部位。将基于外部空气的漏入的氧浓度设定为氧浓度的阈值，保存在数据保存部680中。例如，能够将装载区域10内的N2气体吹扫后的初始的氧浓度的设定值设为X1ppm，将基于外部空气的漏入的氧浓度的阈值设定为比X1ppm高的X2ppm。在比较运算部660中，将数据保存部680中保存的N2气体吹扫后的初始的氧浓度的设定值和各采样端口处的浓度测量值进行比较，进行表示超过氧浓度的阈值的浓度测量值的采样端口的有无、采样端口的确定。
警报部670在由比较运算部660得到的运算的结果是存在表现为超过氧浓度的阈值的浓度测量值的采样端口的情况下，在控制器60的画面上使警报点亮或发出警报声，由此对管理者通知外部空气漏入部位。
在数据保存部680中如上述那样预先保存有各种数据。另外，随时保存各采样端口的浓度测量值，并生成每个采样端口的浓度测量值历史记录。
<基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法>
接着，参照图5和图6来说明本公开的实施方式所涉及的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法的一例。在此，图5是实施方式所涉及的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法的一例的流程图，图6是示出由控制器进行的控制序列的一例的图。
如图5所示，在装载区域10内设定多个外部空气可能漏入部位(采样端口)(步骤S200，设定采样端口的工序)。作为在装载区域10内具有外部空气漏入的可能性的外部空气可能漏入部位，可以列举出位于通向热处理炉21的炉口的周围的清除器17的安装部位、在与收容基板的承载件之间使基板出入的FIMS门16的周围。另外，作为外部空气可能漏入部位，可以列举出向装载区域10导入N2气体的气体配管12b的安装部位、位于FFU的附近的侧门15的周围、空气配管11a的安装部位。并且，作为外部空气可能漏入部位，可以列举出排气配管13a的安装部位、维护门14的周围、形成构成装载区域10的骨格的框架结构的结构构件的接合部位。
如图1和图2所示，设置与各采样端口对应的采样配管30的一端，在各采样配管30的中途位置设置自动开闭阀40，各采样配管30形成延伸设置于一台吸引式的氧浓度计50的并列型配管。通过像这样形成包括氧浓度计50的并列型配管，从而构成包括配设在装载区域10外的控制器60在内的基板处理装置100。
在形成并列型配管后，接着利用N2气体对装载区域10内进行吹扫(步骤S210：设为非活性气体气氛的工序)。例如，利用N2气体进行吹扫直至装载区域10内的基准点P0从当初的氧浓度(例如20％左右)变成为X1ppm的氧浓度为止。
在利用N2气体对装载区域10内进行吹扫后，接着，利用吸引式的氧浓度计50依次吸引各采样配管30内部。通过利用氧浓度计50进行的吸引，吹扫至装载区域10内的N2气体被取入至各采样配管30内。利用像这样取入的N2气体吹扫采样配管30内部，将采样配管30内设为N2气体气氛(步骤S220：将采样配管内设为非活性气体气氛的工序)。
根据本发明的发明人等进行的验证，在仅仅利用N2气体对装载区域10内进行吹扫后测量各采样端口处的氧浓度的情况下，装载区域10内的氧浓度为规定的设定值，另一方面，在采样配管30中残留有氧。因此，往往是以下的情况，即，装载区域10内的氧浓度小于设定的阈值，与此相对，采样配管30内的氧浓度远超过阈值。已知在采样配管30内的氧浓度下降且得到稳定之前需要几十分钟以上的时间，伴随采样端口的数量的增加，可能导致氧浓度测量所需的时间很长。
因此，利用N2气体对装载区域10内进行吹扫以使氧浓度下降至规定的设定值，在测量采样端口处的氧浓度前，通过由氧浓度计50进行的吸引将吹扫至装载区域10内的N2气体依次取入至各采样配管30内。通过将N2气体依次取入至各采样配管30内，各采样配管30依次被N2气体吹扫，全部的采样配管30被调整为能够进行氧浓度测量的氧浓度。例如，通过以一小时左右向装载区域10内供给Y1slm(standard liter/min 1atm，以升来表示0℃下的每分钟的流量的单位)的N2气体，能够将装载区域10内的氧浓度调整为阈值以下的气氛。接着，针对一根采样配管30以10分钟左右吹扫Y2slm(小于Y1slm)的N2气体。全部的采样配管30内的吹扫只需要10分钟乘以采样配管30的数量的时间。
在全部的采样配管30内被N2气体吹扫后，接着依次测量各采样端口的氧浓度(步骤S230：测量采样端口的氧浓度的工序)。在各采样端口的氧浓度的测量中，只测量一个采样端口的氧浓度，并依次对全部的采样端口执行该测量。将氧浓度测量信号作为氧浓度测量值保存在控制器60的数据保存部680中，由此将针对全部的采样端口进行的氧浓度测量结果数据库化。
在控制器60中，在比较运算部660中将各采样端口的浓度测量值和与基于外部空气的漏入的氧浓度有关的浓度阈值进行比较，运算浓度测量值是否超过浓度阈值(步骤S240：确定外部空气漏入部位的工序)。比较运算的结果是，将具有超过浓度阈值的浓度测量值的采样端口确定为外部空气漏入部位，并且通过发出警报来告知管理者(步骤S250：发出警报的工序)。
如图6中的一例所示，依次只打开与设定的外部空气可能漏入部位对应的自动开闭阀，并且依次进行规定时间的氧浓度测量。在图示例中，在装载区域10和各采样配管30内稳定至从当初的氧浓度X3％起下降后的氧浓度X1ppm的条件下执行氧浓度测量，将与基于外部空气的漏入的氧浓度有关的浓度阈值设定为X2ppm。在依次测量氧浓度的过程中，测量与FFU对应的采样配管30内的氧浓度超过阈值的X4ppm，能够确定处于FFU的附近的侧门周边的密封构件的经年劣化等。
在将一个或多个采样端口确定为外部空气漏入部位(采样端口)的情况下，进行位于确定出的采样端口的附近的密封构件等的检查，根据需要实施密封构件的维护。在通过检查而明确密封构件的经年劣化等的情况下，能够通过更换为新的密封构件来消除外部空气漏入部位。
根据本实施方式所涉及的外部空气漏入部位确定方法，能够在存在有多个采样端口的装载区域10中以比较短的时间高精度地确定密封构件经年劣化等而使得外部空气漏入的部位。另外，通过连续的测量，即使在同时存在有多个外部空气漏入部位的情况下也能够高精度地确定出全部的这些部位。
另外，以每周一次、每月一次这样的规定的间隔实施一系列的外部空气漏入部位确定方法，由此能够总是保持作为加载互锁腔室的装载区域10的高气密性。由此，能够抑制在晶圆的表面形成自然氧化膜，从而能够使晶圆的生产率提高。
另外，可以将从关于氧浓度的初始值增加后的增加后浓度阈值设定为密封构件的维护的基准。例如，以某个采样端口处的初始的氧浓度为X5ppm，且小于作为初始的阈值的X6ppm的情况为例进行说明。作为增加后浓度阈值，当将初始的氧浓度的50％设定为新的阈值时，在此，能够将X5ppm+X5×0.5ppm(比X6ppm高)设定为增加后浓度阈值。以规定期间间隔实施本实施方式所涉及的外部空气漏入部位确定方法，将各个采样端口处的氧浓度和增加后浓度阈值进行比较，能够将具有超过增加后浓度阈值的氧浓度的采样端口新确定为外部空气漏入部位。
[第二实施方式所涉及的基板处理装置]
接着，参照图7来说明本公开的第二实施方式所涉及的基板处理装置的一例。在此，图7是示出第二实施方式所涉及的基板处理装置的整体结构的一例的图。
图示的基板处理装置100A为具有将全部的采样端口相连而成的一根采样配管30延伸设置于一台氧浓度计50的串联型配管的装置。采样配管30为串联型配管，因此能够在装载区域10内将采样配管30配置为简单的方式。此外，与图1和图2等所示的具备并列型配管的基板处理装置100相同的是，能够一边依次进行打开自动开闭阀40中的一个且关闭其它自动开闭阀40的切换控制一边执行氧浓度测量。
也可以为针对上述实施方式列举出的结构等组合其它结构要素等而成的其它实施方式，另外，本公开并不限于此处所示的结构。关于该点，能够在不脱离本公开的主旨的范围内进行变更，能够根据其应用方式恰当地进行设定。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，至少具有热处理区域和装载区域，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行所述基板的搬入和搬出，所述基板处理装置还具有：
采样配管，其在所述装载区域内从多个采样端口延伸设置，所述多个采样端口是针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位而设定的；
氧浓度计，其与所述采样配管连通；
多联式的自动开闭阀，其位于所述采样配管的中途且与各个所述采样端口对应的位置；
吹扫机构，其向所述装载区域内吹扫非活性气体来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；以及
控制器，
其中，所述控制器保存氧浓度的浓度阈值，
所述控制器针对全部的所述采样端口执行将多个所述自动开闭阀中的一个所述自动开闭阀打开且将其它所述自动开闭阀关闭的切换控制，从所述氧浓度计接收与在各切换控制后打开的所述自动开闭阀对应的所述采样端口的氧浓度测量信号，
所述控制器将全部的所述采样端口处的浓度测量值与所述浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有所述采样端口所固有的所述采样配管延伸设置到一台所述氧浓度计的并联型配管。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有将全部的所述采样端口连结的一根所述采样配管延伸设置到一台所述氧浓度计的串联型配管。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述氧浓度计是吸引式的氧浓度计。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制器告知具有超过所述阈值的氧浓度的所述采样端口。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外部空气可能漏入部位具有密封构件，
所述控制器将浓度相对于氧浓度的初始值增加的阈值设为增加后浓度阈值，进一步将所述增加后浓度阈值保存为所述密封构件的维护基准，
所述控制器将随时保存的各个所述采样端口处的浓度测量值与所述增加后浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述增加后浓度阈值的浓度测量值的所述采样端口。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
作为所述外部空气可能漏入部位，存在以下部位：处于通向所述热处理炉的炉口的周围的清除器、用于与收容所述基板的承载件之间进行所述基板的放入和取出的前开口接口机械标准门、用于向所述装载区域导入所述非活性气体的非活性气体进气阀、装设风机过滤单元的侧门、用于将所述装载区域内设为大气压气氛的空气进气阀、用于从所述装载区域排出所述非活性气体的排气阀、维护门以及构成所述装载区域的架构构件的接合部位。
8.一种基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法，用于在至少具有热处理区域和装载区域的所述基板处理装置中确定具有外部空气向所述装载区域内漏入的可能性的外部空气可能漏入部位，该热处理区域具备对基板进行热处理的热处理炉，在该装载区域与所述热处理炉之间进行基板的搬入和搬出，所述外部空气漏入部位确定方法包括以下工序：
在所述装载区域内，针对具有外部空气漏入的可能性的多个外部空气可能漏入部位设定采样端口；
利用非活性气体对所述装载区域内进行吹扫来将所述装载区域内设为非活性气体气氛；
对全部的所述采样端口进行仅测量全部的所述采样端口中的一个所述采样端口的氧浓度的处理；以及
将基于外部空气的漏入的氧浓度设为氧浓度的阈值，将各个所述采样端口处的浓度测量值与所述阈值进行比较来确定外部空气漏入部位。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法，其特征在于，
采样配管从全部的所述采样端口延伸设置到吸引式的氧浓度计，
在所述装载区域内的吹扫之后，利用所述吸引式的氧浓度计对所述采样配管内进行吸引来向该采样配管内吹扫非活性气体，从而将该采样配管内设为非活性气体气氛。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法，其特征在于，
全部的所述采样端口处的氧浓度的测量时间是相同的时间。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的基板处理装置中的外部空气漏入部位确定方法，其特征在于，
所述外部空气可能漏入部位具有密封构件，
将相对于与氧浓度有关的初始值增加的增加后浓度阈值设定为所述密封构件的维护基准，
所述外部空气漏入部位确定方法还包括以下工序：将各个所述采样端口处的氧浓度与所述增加后浓度阈值进行比较，来确定具有超过所述增加后浓度阈值的氧浓度的所述采样端口。
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