KR20000066321A - 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 개시한다. 개시된 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치는 반도체 제조공정이 진행되는 반응챔버와, 상기 반응챔버에 투입시킬 웨이퍼 또는 상기 반응챔버에서 소정의 공정이 완료된 웨이퍼를 일시적으로 보관시키기 위한 로드락 챔버와, 상기 반응챔버 및 로드락 챔버와 각각 연결되어 상기 웨이퍼를 상기 반응챔버 및 로드락 챔버에 로딩 또는 언로딩하기 위한 트랜스퍼 챔버를 구비하며, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 반응챔버 및 로드락 챔버 사이에 입출 슬릿 밸브가 각각 마련되는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 트랜스퍼 챔버와 로드락 챔버 사이에 마련된 상기 입출 슬릿 밸브의 일측에 설치되는 것으로 개폐되는 상기 입출 슬릿 밸브를 통해 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 로드락 챔버 내로 유입되는 부식성 가스를 흡입하여 외부로 배출시키기 위한 배기수단;을 구비함으로써, 반응챔버에서 로드락 챔버 내로 전이되는 부식성 가스 등의 잔류물은 최종적으로 로드락 챔버의 입구에서 산배기로 배출되어 로드락 챔버 내의 부식 및 주변설비 등의 부식을 방지하게 된다.

Description

챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치{Semiconductive fabrication system of comprising chambers}
본 발명은 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정 상 반응챔버에서 로드락 챔버 내로 전이되는 부식성 가스 등의 잔류물을 용이하게 제거할 수 있도록 그 구조가 개선된 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자의 제조공정은 크게 물질막을 적층하는 공정, 적층된 물질막을 원하는 형태로 패터닝하기 위한 사진공정, 사진공정에서 형성되는 마스크를 이용하여 원하는 패턴을 형성하는 식각공정 및 식각 후의 세정공정으로 나눌 수 있다. 각 공정을 살펴볼 때, 반도체 산업은 기계, 화학, 물리, 생물 등의 모든 학문이 연계된 종합 전자산업임을 알 수 있다. 특히, 상기 각 공정에 사용되는 설비는 반도체 산업이 장치 산업이라 할 만큼 매우 다양하고, 경우에 따라서는 큰 규모의 제조 설비가 사용된다.
이와 더불어, 최근에는 반도체소자의 구경이 커지고, 집적도가 증가함에 따라, 웨이퍼의 표면 및 제조설비에 원하지 않는 미립자(particle)가 존재하여 반도체소자의 수율 및 신뢰성에 미치는 영향도 커지고 있다.
도 1은 종래에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 나타내 보인 개략적인 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 로드락 챔버의 설치공간에 구비되어 있는 가스배출수단을 나타내 보인 개략적 도면이다.
우선, 도 1을 참조하면, 반도체소자를 제조하기 위한 종래에 따른 반도체 제조 장치들은 대부분 고진공 분위기에서 소정의 공정을 진행할 수 있도록 밀폐된 다수의 챔버설비를 구비한다.
구체적으로, 상기 챔버설비는 고진공 상태에서 소정의 공정을 진행하기 위한 다수의 반응챔버(process chamber)(10)와, 반응챔버(10)에 웨이퍼를 로딩하기 전에 웨이퍼를 일시적으로 보관시키기 위한 로드락 챔버(load lock chamber)(40)와, 반응챔버(10) 및 로드락 챔버(40)와 각각 연결되어 있는 것으로 상기 웨이퍼를 로드락 챔버(40)에 대하여 로딩 및 언로딩하거나, 상기 웨이퍼를 반응챔버(10)에 대하여 로딩 및 언로딩하기 위한 매개체인 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(20)를 구비한다.
여기서, 반응챔버(10), 트랜스퍼 챔버(20) 및 로드락 챔버(40)는 그 기능과 역할이 각각 다르다. 즉, 상기 반응챔버(10)는 웨이퍼에 대한 직접적인 단위공정이 이루어지는 장소로서 외부와 완전히 차단된 장소이다.
반면, 트랜스퍼 챔버(20) 및 로드락 챔버(40)는 상기 반응챔버(10)의 그러한 목적을 달성하기 위해 반응챔버(10)가 외부와 직접 접촉되지 않게 준비된 장소들이다. 또한, 반응챔버(10) 내의 공간을 대기압 상태에서 고진공 상태로 만들기 위하여 웨이퍼를 로딩시키거나 언로딩시킬 때마다 오랜시간 동안 펌프를 가동시켜야 하는 문제점을 해결하기 위한 목적으로 설치된다.
도면에 도시된 참조부호 30은 반응챔버(10)에 로딩시키기 전에 웨이퍼의 플랫 존(flat zone)을 정렬시키기 위한 얼라인 챔버(arrign chamber)를, 43은 공정이 진행될 웨이퍼를 수매 또는 수십매 단위로 장착하기 위한 웨이퍼 카세트(wafer cassette)를, 41은 카세트(43)에 장착된 웨이퍼를 로드락 챔버(40) 내로 진입시키기 위하여 상기 카세트(43)를 소정 위치로 상승 또는 하강시키는 카세트 엘리베이터(cassette elevator)를, 23은 로드락 챔버(40)에서 트랜스퍼 챔버(20) 내로 언로딩되어 이동된 웨이퍼를 반응챔버(10)로 한 장씩 로딩 할 수 있도록 그리고 공정완료 후, 반응챔버(10)에서 트랜스퍼 챔버(20)로 언로딩 된 웨이퍼를 로드락 챔버(40)로 한 장씩 로딩할 수 있게 별도의 카세트를 소정 위치로 조금씩 상승 또는 하강시키는 스토리지 엘리베이터(storage elevator)를, 21은 트랜스퍼 챔버(20) 내에서 로드락 챔버(40)에 대한 웨이퍼 로딩 및 언로딩 그리고, 반응챔버(10)에 대한 로딩 및 언로딩을 수행하도록 웨이퍼를 파지하여 이송시키기 위한 웨이퍼 이송용 로봇(robot)을 각각 나타낸다. 또한, 참조부호 25(25a,25b,25c)는 트랜스퍼 챔버(20)와 반응챔버(10), 로드락 챔버(40) 및 얼라인 챔버(30) 사이의 각각에 설치되어 개폐되는 그 곳을 통하여 웨이퍼가 각각의 챔버에 로딩 및 언로딩되도록 하는 입출 슬릿 밸브(I/O slit valve)를 나타낸다.
그런데, 이와 같은 챔버설비를 구비하는 종래의 반도체 제조 장치는 반도체소자 제조공정 중 트랜스퍼 챔버(20)를 통해 반응챔버(10)에서 로드락 챔버(40)로 웨이퍼가 이동되는 경우 공정진행 중인 반응챔버(10) 내부의 반응가스가 완전히 반응하지 못하고 잔류된 그리고 반응이 완료된 후 반응챔버(10) 내에 잔류되어 있는 잔류 가스들이 트랜스퍼 챔버(20)에 잔류하고 있다가 웨이퍼와 함께 로드락 챔버(40)로 이동하게 된다.
즉, 반도체소자 제조공정 중, 실리콘층 또는 금속층을 식각하기 위한 반응챔버(10)에서는 공정의 특성상 염소가스(Cl)와 같은 부식성 가스를 많이 사용하고 있다. 따라서, 공정을 마치고 제2입출슬릿밸브(25b)를 통해 반응챔버(10)로부터 트랜스퍼 챔버(20)로 이송된 웨이퍼에는 부식성 가스의 일정양이 함께 포함된다. 이로 인해, 반응챔버(10)로부터 트랜스퍼 챔버(20)로 유입된 부식성 가스 및 가스 퓸(gas fume) 등의 잔류물은 트랜스퍼 챔버(20)와 로드락 챔버(40) 사이의 제1입출슬릿밸브(25a)가 개방될 때 로드락 챔버(40) 내로 유입되어 로드락 챔버(40)의 내부면을 부식시킴으로써, 반도체 제조 공정에서 공정효율을 저하시키거나, 반도체 제조 장치의 신뢰성을 저하시키는 결함(defect)을 발생시킬 수 있다.
더구나, 웨이퍼를 로드락 챔버(40)로 반출하는 과정에서 상기 부식성 가스 등의 잔류물이 방출되어 카세트 엘리베이터(41)와 같은 주변 설비 또는 기타 부품들을 부식시킬 수 있으며, 작업자 또한 유해한 상기 잔류물에 노출되어 그에 따른 위험성을 가지게 된다.
도 2를 참조하면, 상술한 바와 같은 문제점을 극복하기 위하여 종래에는 로드락 챔버(40) 설치공간의 프레임 일측에 가스배출수단을 장착하였다.
상기 가스배출수단은 웨이퍼가 트랜스퍼 챔버(도 1의 20)에서 로드락 챔버(40)로 로딩될 때, 개방되는 입출 슬릿 밸브(도 1의 25a)를 통해 로드락 챔버(40) 내로 유입되는 부식성 가스 등의 잔류물을 로드락 챔버(40) 설치공간의 일측에 설치되어 있는 배기구(51)로 빨아들여 배기라인(53)을 통해 산배기(55)로 배기될 수 있도록 하였다.
그러나, 종래에 따른 상기 가스배출수단은 배기구(51)가 로드락 챔버(40)의 설치공간에 비해 너무 작고, 배기구(51)와 산배기(55)를 연결하는 배기라인(53)이 너무 길기 때문에 잔류물 배기압력이 한정되어 있는 산배기(55)의 배기능력 저하로 인해 상기 잔류물이 로드락 챔버(40) 설치공간에 그대로 정체되어 주변의 다른 설비를 부식시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창출된 것으로서, 반도체소자 제조공정 중 반응챔버에서 로드락 챔버 내로 전이되는 부식성 가스 등의 잔류물을 용이하게 제거할 수 있도록 그 구조가 개선된 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 제공하는 점에 그 목적이 있다.
도 1은 종래에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 나타내 보인 개략적 도면이고,
도 2는 도 1에 도시된 로드락 챔버의 설치공간에 구비되어 있는 가스배출수단을 나타내 보인 개략적 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 나타내 보인 개략적 도면이고,
그리고 도 4는 도 3의 배기수단을 나타내 보인 개략적 도면이다.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
10,110... 반응챔버(process chamber)
20,120... 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)
21,121... 웨이퍼 이송용 로봇(robot)
23,123... 스토리지 엘리베이터(storage elevator)
25(25a,25b,25c),125(125a,125b,125c)... 입출 슬릿 밸브(I/O slit valve)
30,130... 얼라인 챔버(arrign chamber)
40,140... 로드락 챔버(load lock chamber)
41,141... 카세트 엘리베이터(cassette elevator)
43,143... 카세트(cassette) 51... 배기구
53,163... 배기라인 55... 산배기
160... 배기수단 161... 흡입부
162... 흡입홀 164... 배기밸브
165... 벤팅라인 166... 압력조절밸브
168... 펌프(pump)
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치는 반도체 제조공정이 진행되는 반응챔버와, 상기 반응챔버에 투입시킬 웨이퍼 또는 상기 반응챔버에서 소정의 공정이 완료된 웨이퍼를 일시적으로 보관시키기 위한 로드락 챔버와, 상기 반응챔버 및 로드락 챔버와 각각 연결되어 상기 웨이퍼를 상기 반응챔버 및 로드락 챔버에 로딩 또는 언로딩하기 위한 트랜스퍼 챔버를 구비하며, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 반응챔버 및 로드락 챔버 사이에 입출 슬릿 밸브가 각각 마련되는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 트랜스퍼 챔버와 로드락 챔버 사이에 마련된 상기 입출 슬릿 밸브의 일측에 설치되는 것으로 개폐되는 상기 입출 슬릿 밸브를 통해 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 로드락 챔버 내로 유입되는 부식성 가스를 흡입하여 외부로 배출시키기 위한 배기수단;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 배기수단은, 상기 입출 슬릿 밸브의 가장자리부에 부착되어 상기 부식성 가스를 흡입하는 관상 흡입부; 상기 흡입부에 연결되는 배기라인; 상기 배기라인에 설치되는 배기밸브; 및 상기 배기라인에 연결되어 상기 부식성 가스를 펌핑하기 위한 펌프;를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 흡입부는 상기 부식성 가스를 흡입하기 위한 다수의 홀들이 형성된 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에서는 반응챔버에서 로드락 챔버 내로 전이되는 부식성 가스 등의 잔류물을 로드락 챔버의 입구에서 외부로 배기시키는 배기수단이 구비되어 있기 때문에, 부식성 가스 등의 잔류물 전이로 인하여 로드락 챔버 내부가 오염되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 웨이퍼를 외부로 반출하는 과정에서 잔류물의 방출을 억제하여 주변 설비들이나 기타 부품들이 부식되는 것을 방지함으로써 결국에는 반도체 제조 장치의 신뢰성을 확보하는 점에 그 특징이 있다.
이러한 특징을 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치를 나타내 보인 개략적 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치는 그 기본적인 구조에 있어서, 종래의 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치와 크게 다르지는 않다.
즉, 반도체 제조공정이 진행되는 다수의 반응챔버(110)와, 상기 반응챔버(110)들에 투입시킬 웨이퍼 또는 상기 반응챔버(110)에서 소정의 공정이 완료된 웨이퍼를 일시적으로 보관시키기 위한 로드락 챔버(140)와, 상기 반응챔버(110) 및 로드락 챔버(140)와 각각 연결되어 있는 트랜스퍼 챔버(120)를 구비한다. 그리고, 트랜스퍼 챔버(120)와 각각의 반응챔버(110) 및 로드락 챔버(140) 사이에는 개폐가능한 입출슬릿밸브(I/O slit valve)(125)(125a,125b)가 마련되어 있다.
그러나, 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치는 상기 제1입출슬릿밸브(125a)의 일측에 설치된 배기수단(160)을 구비하고 있는 점이 종래의 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치와는 특징적으로 다르다. 즉, 상기 배기수단(160)은 상기 반응챔버(110)로부터 트랜스퍼 챔버(120)로 언로딩되는 웨이퍼와 함께 트랜스퍼 챔버(120) 내로 방출된 그리고, 상기 웨이퍼가 제1입출슬릿밸브(125a)를 통해 트랜스퍼 챔버(120)에서 로드락 챔버(140)로 로딩될 때, 로드락 챔버(140)로 함께 유입되는 부식성 가스 및 가스 퓸등의 잔류물을 제1입출슬릿밸브(125a)의 주위에서 흡입하여 미도시된 산배기로 배출시키는 역할을 한다.
도 4는 도 3의 배기수단을 나타내 보인 개략적 도면이다.
도 4를 참조하면, 상술한 바와 같은 상기 배기수단(160)은 로드락 챔버(110)와 트랜스퍼 챔버(도 3의 120) 사이에 설치되어 있는 제1입출슬릿밸브(125a)의 가장자리부에 부착되는 관상 흡입부(161)를 구비한다.
상기 흡입부(161)는 소정 형상의 관상 구조체로서, 그 몸체에는 상기 잔류물을 흡입하기 위한 다수의 홀(162)들이 형성되어 있다. 도면에서는 상기 흡입부(161)의 형상이 사각형의 관상 구조체로 도시되어 있으나, 본 발명에서는 상기 홀(162)들이 형성된 다른 형상의 관상 구조체가 구비되어도 무방하다.
상기 홀(162)의 영역을 제외한 흡입부(161)의 일측에는 관상 구조체 내로 흡입된 잔류물을 그 경로를 통해 배기시키기 위한 배기라인(163)이 적어도 하나 이상 연결되어 있으며, 상기 배기라인(163)의 중간영역에는 배기라인(163)을 통해 배출되는 상기 잔류물의 흐름을 개폐하기 위한 배기밸브(164)가 마련되어 있다.
상기 배기라인(163)은 잔류물을 펌핑하여 외부로 방출시키도록 구동되는 펌프(168)와 연결되어 있다.
본 발명에 따른 상기 펌프(168)는 각각의 챔버에 구비된 펌프와 연결되어 있어도 무방하며, 별도의 펌프를 설치할 수도 있다.
부가적으로는 상기 로드락 챔버(140) 내의 압력을 조절하기 위하여 로드락 챔버(140)로 공급된 질소 가스를 외부로 배출할 수 있게 상기 펌프(168)와 상보적으로 연결된 벤팅라인(165)이 종래의 공지요소와 같이 구비되어 있으며, 상기 벤팅라인(165)의 중간영역에는 펌핑된 상기 질소 가스의 흐름을 개폐하기 위한 압력조절밸브(166)가 설치되어 있어 펌프(168)가 가동되는 동안 상기 질소 가스를 배출시키거나 차단시키는 역할을 한다.
그 외에 밸러스트(ballast)(미도시) 등이 설치되나 공지요소이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
상술한 바와 같은 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에서 이루어지는 소정의 공정, 예컨대 웨이퍼의 식각공정을 예를 들어 설명하되, 앞서 도시된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
우선, 대기중의 웨이퍼가 로드락 챔버(140)의 게이트(미도시)를 통해 로드락 챔버(140)로의 로딩이 완료되면, 로드락 챔버(140)와 트랜스퍼 챔버(120) 사이에 설치된 제1입출슬릿밸브(125a)를 열고 웨이퍼를 트랜스퍼 챔버(120)에 로딩시킨 후, 상기 제1입출슬릿밸브(125a)를 닫는다. 이 후, 상기 웨이퍼를 반응챔버(110)에 로딩한 후, 식각공정이 완료되면, 상기 제2입출슬릿밸브(125b)를 열고 반응챔버(110)에서 상기 웨이퍼를 트랜스퍼 챔버(120) 내로 언로딩 한다. 그 다음으로는 제2입출슬릿밸브(125b)를 닫고, 제1입출슬릿밸브(125a)를 열어서 상기 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로 로딩시키고, 제1입출슬릿밸브(125a)를 닫는다. 그리고, 로드락 챔버(140)의 게이트를 열어 상기 웨이퍼를 다른 소정의 공정으로 옮긴다.
한편, 이와 같은 일련의 식각공정 중 웨이퍼의 식각공정이 완료된 후, 제2입출슬릿밸브(125b)를 통해 반응챔버(110)에서 트랜스퍼 챔버(120) 내로 상기 웨이퍼를 언로딩할 때, 반응챔버(110) 내에 존재하는 염소가스(Cl) 등의 부식성 가스 및 가스 퓸 등이 상기 웨이퍼와 함께 트랜스퍼 챔버(120) 내로 유입된다. 이 후, 상기 부식성 가스 및 가스 퓸은 로드락 챔버(140) 내로 웨이퍼가 로딩될 때 개방되는 제1입출슬릿밸브(125a)를 통해 로드락 챔버(140) 쪽으로 유출된다. 이러한 부식성 가스 등의 잔류물은 본 발명을 특징지우는 상기 배기수단(160)에 의해 로드락 챔버(140)의 입구에서 배기되어 외부로 방출된다.
이를 보다 더 상세히 설명하면, 펌프(168)가 계속 구동되는 상태에서 우선, 닫아두었던 배기라인(163)의 배기밸브(164)를 개방시킨다. 그러면, 제1입출슬릿밸브(125a)를 통해 트랜스퍼 챔버(120)에서 로드락 챔버(140)로 유입되는 상기 부식성 가스 및 가스 퓸은 펌프(168)의 구동으로 흡입부(161)의 홀(162)들에 빨려 들어가게 되어 배기라인(163)을 따라 미도시된 산배기를 통해 외부로 배기된다. 즉, 제1입출슬릿밸브(125a)를 통해 로드락 챔버(140) 쪽으로 방출되어 흘러 나오는 소정량의 상기 부식성 가스 및 가스 퓸은 구동되는 펌프(168)의 소정 펌핑압력에 의해 상기 제1입출슬릿밸브(125a)의 주위에서 흡입부(161)의 홀들(162)에 의해 바로 흡입되고, 흡입된 부식성 가스 및 가스 퓸은 배기라인(163) 따라 산배기로 유출된다.
이 후, 상기와 같이 배기되는 상태에서 상기 웨이퍼가 로드락 챔버(140)로의 로딩이 완료되면, 제1입출슬릿밸브(125a)는 닫히게 된다.
이렇게 로드락 챔버(140)로 웨이퍼의 로딩이 완료되면, 상기 배기밸브(164)를 폐쇄시킴과 동시에, 벤팅라인(165)의 압력조절밸브(166)를 상보적으로 개방시킨다. 그러면, 펌프(168)는 로드락 챔버(140)의 벤팅라인(165)을 따라 흐르는 질소 가스를 펌핑하여 로드락 챔버(140) 내의 압력을 조절하게 된다.
이로써, 반응챔버(110)에서 로드락 챔버(140) 내로 전이되는 부식성 가스 및 가스 퓸 등의 잔류물은 최종적으로 로드락 챔버(140)의 입구에서 산배기를 통해 외부로 배출됨으로써, 결과적으로는 로드락 챔버(140) 내의 부식을 방지하게 되고, 주변 설비 및 기타 부품들이 부식되는 것을 방지하게 되어 반도체 제조공정에서의 공정효율을 향상시키게 된다.
이상에서의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치는 반응챔버에서 로드락 챔버 내로 전이되는 부식성 가스를 포함한 잔류물을 로드락 챔버의 입구에서 외부로 배기시킥 위한 배기수단이 구비되어 있기 때문에, 부식성 가스 등을 포함한 잔류물의 전이로 인하여 로드락 챔버 내부가 오염되는 것을 방지할 뿐만 아니라, 웨이퍼를 외부로 반출하는 과정에서 잔류물의 방출을 억제하여 주변 설비들이나 기타 부품들이 부식되는 것을 방지함으로써, 결국에는 반도체 제조 장치의 신뢰성을 확보함과 동시에, 반도체 제조공정에서의 공정효율이 향상되는 점에 그 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 제조공정이 진행되는 반응챔버와, 상기 반응챔버에 투입시킬 웨이퍼 또는 상기 반응챔버에서 소정의 공정이 완료된 웨이퍼를 일시적으로 보관시키기 위한 로드락 챔버와, 상기 반응챔버 및 로드락 챔버와 각각 연결되어 상기 웨이퍼를 상기 반응챔버 및 로드락 챔버에 로딩 또는 언로딩하기 위한 트랜스퍼 챔버를 구비하며, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 반응챔버 및 로드락 챔버 사이에 입출 슬릿 밸브가 각각 마련되는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치에 있어서,
    상기 트랜스퍼 챔버와 로드락 챔버 사이에 마련된 상기 입출 슬릿 밸브의 일측에 설치되는 것으로 개폐되는 상기 입출 슬릿 밸브를 통해 상기 트랜스퍼 챔버 내에서 상기 로드락 챔버 내로 유입되는 부식성 가스를 흡입하여 외부로 배출시키기 위한 배기수단;을 구비하는 것을 특징으로 하는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기수단은,
    상기 입출 슬릿 밸브의 가장자리부에 부착되어 상기 부식성 가스를 흡입하는 관상 흡입부;
    상기 흡입부에 연결되는 배기라인;
    상기 배기라인에 설치되는 배기밸브; 및
    상기 배기라인에 연결되어 상기 부식성 가스를 펌핑하기 위한 펌프;를 구비하는 것을 특징으로 하는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 흡입부는 상기 부식성 가스를 흡입하기 위한 다수의 홀들이 형성된 것을 특징으로 하는 챔버설비를 구비하는 반도체 제조 장치.
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KR100923695B1 (ko) * 2002-02-08 2009-10-27 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 반응과 이송 섹션으로 구분된 챔버를 포함하는 반도체가공장치

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