CN110828103B - 共模扼流圈 - Google Patents

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Abstract

提供能够降低Sdd(21)中的反共振所引起的信号衰减量，能够降低给予差动信号的透过性的影响的共模扼流圈。共模扼流圈具有通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈构成的作为共模滤波器部的第一以及第二滤波器部(20)、(30)。多个第一以及第二滤波器部(20)、(30)中的第一滤波器部(20)具有与第二滤波器部(30)不同的共振频率，且上述一次线圈与上述二次线圈的线路长不同。

Description

共模扼流圈
技术领域
本发明涉及共模扼流圈。
背景技术
近年来，作为信号传送接口，普及了USB(Universal Serial Bus：通用串行总线)等标准，使用于各种电子设备。在这样的基于差动信号的信号传送接口中，有使用共模扼流圈作为噪声对策。
共模扼流圈通过进行磁耦合的一次线圈和二次线圈构成共模滤波器部。并且，在专利文献1中，提出了通过串联连结共振频率相互不同的两个共模滤波器部，在较宽的频带除去噪声的共模扼流圈。
专利文献1：日本特开2016－178278号公报
本申请发明者发现了在如专利文献1那样，具有共振频率相互不同的两个共模滤波器部的共模扼流圈中，有在差模透过特性(Sdd21)中产生反共振，而阻碍差动信号的透过性之虞。这并不限定于具有共振频率相互不同的两个共模滤波器部的共模扼流圈，在具有多个共模滤波器部，且在上述多个共模滤波器部存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的共模滤波器部的情况下也有产生之虞。
发明内容
本发明是为了解决上述问题点而完成的，其目的在于在具备多个共模滤波器部，且在上述多个共模滤波器部存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的共模滤波器部的共模扼流圈中，降低给予差动信号的透过性的影响。
作为本公开的一方式的共模扼流圈具有多个通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈而构成的共模滤波器部，在上述多个共模滤波器部中存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的滤波器部、以及上述一次线圈与上述二次线圈的线路长不同的滤波器部。
根据该构成，能够降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
在上述共模扼流圈中，优选在上述多个共模滤波器部存在共振频率相互不同的第一滤波器部和第二滤波器部，在上述第一滤波器部与上述第二滤波器部之间，上述一次线圈彼此、上述二次线圈彼此串联连接，在上述第二滤波器部中，沿着上述层叠方向排列有分别卷绕为螺旋状的多个线圈导体，作为构成上述一次线圈的上述多个线圈导体中的一个的基准一次线圈导体与作为构成上述二次线圈的上述多个线圈导体中的一个的基准二次线圈导体在上述层叠方向相邻并且卷绕方向相互相反，在分别将距离上述基准一次线圈导体、上述基准二次线圈导体的线路长作为基准，将上述第一滤波器部的上述一次线圈和上述二次线圈中位于更远的位置的一方设为远方侧线圈，并将位于更近的位置的一方设为近方侧线圈的情况下，上述远方侧线圈的线路长比上述近方侧线圈的线路长更长。此外，在本申请中螺旋状是指卷绕为平面状的螺旋。
根据该构成，能够进一步降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
在上述共模扼流圈中，优选在上述多个共模滤波器部存在共振频率相互不同的第一滤波器部和第二滤波器部，在上述第一滤波器部与上述第二滤波器部之间，上述一次线圈彼此、上述二次线圈彼此串联连接，在上述第二滤波器部中，依次沿着上述层叠方向排列分别卷绕为螺旋状的第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、以及第四层线圈导体，从上述第一滤波器部的上述一次线圈或者上述二次线圈的一方连续地依次串联连接上述第四层线圈导体、上述第二层线圈导体，并且从上述第一滤波器部的上述一次线圈或者上述二次线圈的另一方连续地依次串联连接上述第三层线圈导体、上述第一层线圈导体，在将上述第一滤波器部的上述一次线圈和上述二次线圈中与上述第四层线圈导体连续地连接的一方设为远方侧线圈，并将与上述第三层线圈导体连续地连接的一方设为近方侧线圈的情况下，上述远方侧线圈的线路长比上述近方侧线圈的线路长更长。
根据该构成，能够进一步降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
在上述共模扼流圈中，优选在将上述远方侧线圈的线路长设为L1，并将上述近方侧线圈的线路长设为L2的情况下，是L2＜L1≤1.5×L2的范围。
根据该构成，能够进一步降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
在上述共模扼流圈中，优选在上述远方侧线圈中，在卷绕中心侧调整线路长的长度。
根据该构成，在使线路长比近方侧线圈更长时不需要变更远方侧线圈的外形的大小，所以能够抑制共模扼流圈的大型化。
在上述共模扼流圈中，优选上述远方侧线圈的内径比上述近方侧线圈的内径小。
根据该构成，在使线路长比近方侧线圈更长时不需要变更远方侧线圈的外形的大小，所以能够抑制共模扼流圈的大型化。
在上述共模扼流圈中，优选上述第一滤波器部的上述一次线圈、上述二次线圈的线路长分别比上述第二滤波器部的上述一次线圈、上述二次线圈的线路长短。
根据该构成，在与第二滤波器部相比在空间上留有余地的第一滤波器部使远方侧线圈的线路长变长，所以能够抑制共模扼流圈的大型化。
在上述共模扼流圈中，优选上述第一滤波器部的共振频率比上述第二滤波器部的共振频率高。
根据该构成，在与第二滤波器部相比在空间上留有余地的第一滤波器部使远方侧线圈的线路长变长，所以能够抑制共模扼流圈的大型化。
在上述共模扼流圈中，优选在上述第二滤波器部中，上述一次线圈和上述二次线圈中与上述近方侧线圈串联连接的一方的线路长比与上述远方侧线圈串联连接的一方的线路长更长。
根据该构成，能够利用第二滤波器部降低在第一滤波器部产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
在上述共模扼流圈中，优选上述第一滤波器部以及上述第二滤波器部的上述一次线圈的合计线路长与上述第一滤波器部以及上述第二滤波器部的上述二次线圈的合计线路长实质上相等。
根据该构成，能够利用第二滤波器部抵消在第一滤波器部产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
在上述共模扼流圈中，优选在上述多个共模滤波器部中，上述一次线圈彼此串联连接，上述二次线圈彼此串联连接。
根据该构成，能够使针对各共模滤波器部的输入输出端子统一，连接变得容易。
在上述共模扼流圈中，优选在与上述层叠方向正交的方向排列上述多个共模滤波器部。
根据该构成，能够降低共模滤波器部彼此的磁耦合，能够抑制对共模扼流圈的特性的负面影响。
在上述共模扼流圈中，优选还具备层叠了多个绝缘层的基体，上述多个共模滤波器部的上述一次线圈以及上述二次线圈的各个包含在上述绝缘层上卷绕的线圈导体。
根据该构成，能够在一个基体内置各共模滤波器部，共模扼流圈的处理变得容易。
在上述共模扼流圈中，优选还具备形成于上述基体的第一外部电极、第二外部电极、第三外部电极以及第四外部电极，上述第一外部电极与上述第二外部电极经由上述多个共模滤波器部的上述一次线圈的串联电路电连接，上述第三外部电极与上述第四外部电极经由上述多个共模滤波器部的上述二次线圈的串联电路电连接。
根据该构成，能够将向各共模滤波器部的输入输出集中到第一外部电极、第二外部电极、第三外部电极以及第四外部电极，连接变得容易。
根据本发明的共模扼流圈，能够降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量，能够降低给予差动信号的透过性的影响。
附图说明
图1是实施方式的共模扼流圈的立体图。
图2是表示实施方式的共模扼流圈的线圈导体的透视立体图。
图3是实施方式的共模扼流圈的俯视图。
图4是实施方式的共模扼流圈的剖视图。
图5是实施方式的共模扼流圈的电路图。
图6是表示实施方式的共模扼流圈的共模衰减特性的特性图。
图7是表示共模扼流圈的差模透过特性的特性图。
图8是表示线路长的长度的不同所引起的衰减量的变化的图。
图9是变形例中的共模扼流圈的剖视图。
图10是变形例中的共模扼流圈的剖视图。
图11是变形例中的共模扼流圈的剖视图。
附图标记说明
10…共模扼流圈，11～13…绝缘层，14…基体，20…第一滤波器部(共模滤波器部)，21…第一层线圈导体(线圈导体)，22…第二层线圈导体(线圈导体)，23…第三层线圈导体(线圈导体)，24…第四层线圈导体(线圈导体)，30…第二滤波器部(共模滤波器部)，31…第一层线圈导体(线圈导体)，32…第二层线圈导体(线圈导体)，33…第三层线圈导体(线圈导体)，34…第四层线圈导体(线圈导体)，51…第一外部电极，52…第二外部电极，53…第三外部电极，54…第四外部电极，f1、f2…共振频率，L1、L2…线路长。
具体实施方式
以下，参照附图对一实施方式进行说明。此外，附图有时为了使理解变得容易而放大示出构成要素。另外，有时构成要素的尺寸比率与实际的比率或者与其它的附图中的比率不同。
图1是表示实施方式的共模扼流圈10的外观的立体图。图2是表示共模扼流圈10的包含第一滤波器部20以及第二滤波器部30的内部构成的透视立体图。图3是表示第一滤波器部20以及第二滤波器部30具有的线圈导体的俯视图。图4是图3的4－4线上的剖视图。图5是表示第一滤波器部20以及第二滤波器部30的电连接关系的电路图。
图1以及图2所示的共模扼流圈10构成为具有基体14、第一滤波器部20、第二滤波器部30、以及第一～第四外部电极51～54，例如大致呈长方体形状。本实施方式的共模扼流圈10是具有两个通过层叠后述的多个线圈导体，在层叠方向排列一次线圈和二次线圈构成的共模滤波器部(第一滤波器部20、第二滤波器部30)的电子部件。在共模扼流圈10中，成为在与一次线圈和二次线圈的层叠方向正交的方向排列共振频率相互不同的第一滤波器部20、第二滤波器部30的结构。在以下的说明中，将各滤波器部中的线圈导体的层叠方向(一次线圈、二次线圈的层叠方向)设为高度方向Td，将与高度方向Td正交的滤波器部20、30的排列方向设为长度方向Ld，并将与高度方向Td及长度方向Ld正交的方向设为宽度方向Wd进行说明。另外，将共模扼流圈10安装于电路基板等时的安装面侧设为底面侧，并将与底面相反侧设为顶面侧进行说明。另外，本实施方式的共模扼流圈10的底面及顶面成为面向高度方向Td的构成。
如图1以及图2所示例如在高度方向Td层叠多个绝缘层11～13构成基体14。绝缘层11、13例如由铁素体基板、含金属磁性粉的树脂等磁性体构成，绝缘层12例如由树脂、玻璃等非磁性体构成。而且，被绝缘层11以及绝缘层13夹持的绝缘层12具有层叠了多个绝缘层的构成，内置上述第一滤波器部20、第二滤波器部30，并形成有第一～第四外部电极51～54。
如图2～图5所示，第一滤波器部20具有沿着高度方向Td排列的第一层线圈导体21、第二层线圈导体22、第三层线圈导体23、以及第四层线圈导体24。对于第一～第四层线圈导体21～24来说，从底面侧朝向顶面侧依次层叠有第一层线圈导体21、第二层线圈导体22、第三层线圈导体23、第四层线圈导体24。例如由分别在绝缘层12的各绝缘层上卷绕为螺旋状的Cu、Ag等金属的布线图案构成第一～第四层线圈导体21～24。第一～第四层线圈导体21～24的周围被绝缘层覆盖。
第一层线圈导体21的内周端经由在高度方向Td贯通绝缘层12的一部分的绝缘层的第一通孔电极25与第三层线圈导体23的内周端连接。第二层线圈导体22的内周端经由在高度方向Td贯通绝缘层12的一部分的绝缘层的第二通孔电极26与第四层线圈导体24的内周端连接。这样，在第一滤波器部20中，构成包含第一层线圈导体21、第一通孔电极25以及第三层线圈导体23的一次线圈、和包含第二层线圈导体22、第二通孔电极26以及第四层线圈导体24的二次线圈。另外，在第一滤波器部20中，通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈，在工作时一次线圈与二次线圈磁耦合。
如图3所示，在从高度方向Td的一方例如顶面侧观察时第一层线圈导体21与第二层线圈导体22形成为向同方向，例如从外周端朝向内周端顺时针地呈螺旋状。另外，例如在从顶面侧观察时第三层线圈导体23与第四层线圈导体24形成为向同方向，例如从外周端朝向内周端逆时针地呈螺旋状。即，第二层线圈导体22与第三层线圈导体23在高度方向Td相邻并且卷绕方向相互相反。
由此，若在第一滤波器部20中，对第一层线圈导体21以及第二层线圈导体22的外周端输入差动信号，则通过一次线圈以及二次线圈产生的磁通相互成为相反方向而相互抵消。因此，作为第一滤波器部20整体相对于差动信号不产生电感，差动信号以维持其波形的状态从第三层线圈导体23以及第四层线圈导体24的外周端输出。
另一方面，若在第一滤波器部20中，对第一层线圈导体21以及第二层线圈导体22的外周端输入共模噪声，则通过一次线圈以及二次线圈产生的磁通相互成为相同方向而相互增强。因此，作为第一滤波器部20整体相对于共模噪声产生较大的电感，从第三层线圈导体23以及第四层线圈导体24的外周端输出的共模噪声衰减。这样，第一滤波器部20成为通过在层叠方向排列的一次线圈和二次线圈进行磁耦合构成的共模滤波器部。
如图2～图5所示，第二滤波器部30与第一滤波器部20相同，具有沿着高度方向Td排列的第一层线圈导体31、第二层线圈导体32、第三层线圈导体33、以及第四层线圈导体34。对于第一～第四层线圈导体31～34来说，从底面侧朝向顶面侧依次层叠第一层线圈导体31、第二层线圈导体32、第三层线圈导体33、以及第四层线圈导体34。例如分别通过在绝缘层12的各绝缘层上卷绕为螺旋状的Cu、Ag等金属的布线图案构成第一～第四层线圈导体31～34。第一～第四层线圈导体31～34的周围被绝缘层覆盖。
第二滤波器部30的第一层线圈导体31例如配置为与第一滤波器部20的第一层线圈导体21为同一层，即在高度方向Td上大致一致。另外，第二滤波器部30的第二层线圈导体32例如配置为与第一滤波器部20的第二层线圈导体22为同一层，即在高度方向Td上大致一致。第二滤波器部30的第三层线圈导体33例如配置为与第一滤波器部20的第三层线圈导体23为同一层，即在高度方向Td上大致一致。另外，第二滤波器部30的第四层线圈导体34例如配置为与第一滤波器部20的第四层线圈导体24为同一层，即在高度方向Td上大致一致。
第一层线圈导体31的内周端经由在高度方向Td贯通绝缘层12的一部分的绝缘层的第一通孔电极35与第三层线圈导体33的内周端连接。第二层线圈导体32的内周端经由在高度方向Td贯通绝缘层12的一部分的绝缘层的第二通孔电极36与第四层线圈导体34的内周端连接。这样，在第二滤波器部30中，构成包含第一层线圈导体31、第一通孔电极35以及第三层线圈导体33的一次线圈、和包含第二层线圈导体32、第二通孔电极36以及第四层线圈导体34的二次线圈。另外，在第二滤波器部30中，通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈，在工作时一次线圈与二次线圈磁耦合。
如图3所示，在从高度方向Td的一方例如顶面侧观察时第一层线圈导体31与第二层线圈导体32形成为向同方向，例如从外周端朝向内周端顺时针地呈螺旋状。另外，例如在从顶面侧观察时第三层线圈导体33与第四层线圈导体34形成为向同方向，例如从外周端朝向内周端逆时针地呈螺旋状。即，第二层线圈导体32与第三层线圈导体33在高度方向Td相邻并且卷绕方向相互相反。
由此，若在第二滤波器部30中，对第一层线圈导体31以及第二层线圈导体32的外周端输入差动信号，则通过一次线圈以及二次线圈产生的磁通相互成为相反方向而相互抵消。因此，作为第二滤波器部30整体相对于差动信号不产生电感，差动信号以维持其波形的状态从第三层线圈导体33以及第四层线圈导体34的外周端输出。
另一方面，若在第二滤波器部30中，对第一层线圈导体31以及第二层线圈导体32的外周端输入共模噪声，则通过一次线圈以及二次线圈产生的磁通相互成为相同方向而相互增强。因此，作为第二滤波器部30整体相对于共模噪声产生较大的电感，从第三层线圈导体33以及第四层线圈导体34的外周端输出的共模噪声衰减。这样，第二滤波器部30成为通过在层叠方向排列的一次线圈与二次线圈进行磁耦合构成的共模滤波器部。
如图2以及图5所示，第一滤波器部20与第二滤波器部30经由两个中间通孔电极41、42连接。详细而言，第一滤波器部20的第二层线圈导体22与第二滤波器部30的第四层线圈导体34经由中间通孔电极41连接。而且，第一滤波器部20的第一层线圈导体21与第二滤波器部30的第三层线圈导体33经由中间通孔电极42连接。由此，在第一滤波器部20与第二滤波器部30之间，一次线圈彼此串联连接，二次线圈彼此串联连接。
如图2以及图5所示，第一滤波器部20的第四层线圈导体24与第一外部电极51连接。第二滤波器部30的第二层线圈导体32与第二外部电极52连接。换句话说，在本实施方式中，依次串联连接第一外部电极51、第一滤波器部20的第四层线圈导体24、第二通孔电极26、第一滤波器部20的第二层线圈导体22、中间通孔电极41、第二滤波器部30的第四层线圈导体34、第二通孔电极36、第二滤波器部30的第二层线圈导体32、以及第二外部电极52。即，第一外部电极51与第二外部电极52经由第一滤波器部20的一次线圈以及第二滤波器部30的一次线圈的串联电路电连接。
另外，第一滤波器部20的第三层线圈导体23与第三外部电极53连接。第二滤波器部30的第一层线圈导体31与第四外部电极54连接。换句话说，在本实施方式中，依次串联连接第三外部电极53、第一滤波器部20的第三层线圈导体23、第一通孔电极25、第一滤波器部20的第一层线圈导体21、中间通孔电极42、第二滤波器部30的第三层线圈导体33、第一通孔电极35、第二滤波器部30的第一层线圈导体31、以及第四外部电极54。即，第三外部电极53与第四外部电极54经由第一滤波器部20的二次线圈以及第二滤波器部30的二次线圈的串联电路电连接。
如图1以及图2所示第一～第四外部电极51～54构成为设定在共模扼流圈10的绝缘层12的四角并露出到外部。另外，外部电极51～54在高度方向Td的底面侧分别与对应的底面电极55电连接。底面电极55构成为在高度方向Td在底面侧露出。由此，在安装于电路基板等时能够利用底面电极55进行与电路基板上的电路图案等的电连接。
在本实施方式中，例如通过构成为在各滤波器部20、30间各滤波器部20、30的线圈导体21～24、31～34的匝数不同，使各滤波器部20、30中的一次线圈彼此、二次线圈彼此的电感分别为不同的值。其结果，设定为第一滤波器部20中的共振频率f1与第二滤波器部30中的共振频率f2不同。换句话说，在共模扼流圈10存在具有相互不同的共振频率f1、f2的第一滤波器部20和第二滤波器部30。更具体而言，第一滤波器部20的各层线圈导体21～24成为匝数比第二滤波器部30的各层线圈导体31～34少的构成。随之，第一滤波器部20的一次线圈、二次线圈的电感值分别比第二滤波器部30的一次线圈、二次线圈的电感值低。因此，如图6所示第一滤波器部20的共振频率f1比第二滤波器部30的共振频率f2高。
此外，本实施方式的共模扼流圈10通过在同一层排列各滤波器部20、30的各线圈导体21～24、31～34，即在与高度方向Td正交的方向排列，在电流施加时在第一滤波器部20的周围产生的磁通不容易与在第二滤波器部30的周围产生的磁通重合。由此，能够降低第一滤波器部20与第二滤波器部30的磁耦合，能够抑制对共模扼流圈10的特性的负面影响。
这里，一般而言在共模扼流圈中，设定为在构成共模滤波器部的一次线圈与二次线圈中线路长相等。换句话说，在如本例那样设置了存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的共模滤波器部的多个共模滤波器部的情况下，通常来说各共模滤波器部中的一次线圈与二次线圈的线路长相等。但是，本申请发明者在实际制成了这样的构成的共模扼流圈时，发现了如图7中点划线所示，在Sdd21中产生陡峭的衰减(波形的下降部分)，即反共振。
另外，本申请发明者也发现了若与通常的设计思想不同，而在共模滤波器部中，有意地使一次线圈与二次线圈的线路长不同的共模滤波器部存在，则能够抑制上述反共振的产生。例如，发现了在本例的共模扼流圈10中，第一滤波器部20的二次线圈的线路长比一次线圈的线路长更长，此时如图7中实线所示，抑制Sdd21中的反共振。特别是，在共模扼流圈10中，使二次线圈侧的第四层线圈导体24的线路长比一次线圈侧的第一层线圈导体21、第三层线圈导体23、二次线圈侧的第二层线圈导体22的线路长更长。其结果，共模扼流圈10成为在第一滤波器部20中，二次线圈的线路长(第四层线圈导体24与第二层线圈导体22的合计线路长)比一次线圈的线路长(第一层线圈导体21与第三层线圈导体23的合计线路长)长的构成。换句话说，在分别将距离第二滤波器部30中在高度方向Td相邻并且卷绕方向相互相反的一次线圈侧的第三层线圈导体33(基准一次线圈导体)以及二次线圈侧的第二层线圈导体32(基准二次线圈导体)的线路长作为基准，并将第一滤波器部20的一次线圈和二次线圈中位于更远的位置的二次线圈(第二层线圈导体22以及第四层线圈导体24)设为远方侧线圈，将位于更近的位置的一次线圈(第一层线圈导体21以及第三层线圈导体23)设为近方侧的情况下，远方侧线圈的线路长比近方侧线圈的线路长更长。可知通过成为这样的构成，能够进一步抑制Sdd21中的反共振的产生。
此外，也能够将第一滤波器部20的一次线圈和二次线圈中与上述卷绕方向相互相反的第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的任意一个连续地连接的一方(一次线圈)设为近方侧线圈，并将不与第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的任何一个连续地连接的一方，即与不是第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的线圈导体(第一层线圈导体31或者第四层线圈导体34)连续地连接的一方(二次线圈)设为远方侧线圈。
另外，在第一滤波器部20中，在将远方侧线圈的线路长设为L1，并将近方侧线圈的线路长设为L2的情况下，优选设定在L2＜L1≤1.5×L2的范围。图8是表示相对于上述L1的L2的比例(％)与反共振所引起的衰减量的关系的图。如图8所示，通过将L1和L2设定在上述范围，与L1＝L2的情况相比较能够进一步抑制Sdd21中的反共振所引起的衰减量。具体而言，能够使衰减量在±3dB以内。
另外，如图4所示，优选在第一滤波器部20的远方侧线圈中，在第四层线圈导体24的卷绕中心侧将线路长的长度调整为比其它的线圈导体21～23长。即，优选远方侧线圈的内径(第四层线圈导体24的内径)比近方侧线圈的内径(第一层线圈导体21以及第三层线圈导体23的内径)小。由此，能够使第一～第四层线圈导体21～24的外形形状大致相等。即，在第一滤波器部20中，在使远方侧线圈的线路长比近方侧线圈的线路长更长时，通过在远方侧线圈的内径侧确保线路长，不需要变更远方侧线圈的外形的大小，所以能够抑制共模扼流圈10的大型化。
另外，本例的各滤波器部20、30如上述那样匝数不同，优选一次线圈与二次线圈的线路长不同的第一滤波器部20的一次线圈、二次线圈的线路长比第二滤波器部30的一次线圈、二次线圈的线路长要短。换句话说，优选一次线圈与二次线圈的线路长不同的第一滤波器部20的共振频率比第二滤波器部30的共振频率高。共振频率较高，即匝数较少，且一次线圈、二次线圈的线路长较短的第一滤波器部20与共振频率较低，即匝数较多，且一次线圈、二次线圈的线路长较长的第二滤波器部30相比，相对于共模扼流圈10整体的外形在空间上留有余地。因此，即使在使一次线圈与二次线圈的线路长不同时，使第一滤波器部20中第四层线圈导体24的线路长比其它的线圈导体21～23长，也能够减少共模扼流圈10的宽度方向Wd、长度方向Ld大型化的影响。
另外，优选在第二滤波器部30中，一次线圈与二次线圈中与近方侧线圈串联连接的一方(第二层线圈导体32以及第四层线圈导体34)的线路长比与远方侧线圈串联连接的一方(第一层线圈导体31以及第三层线圈导体33)的线路长更长。由此，能够利用第二滤波器部30降低在第一滤波器部20产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
优选第一滤波器部20以及第二滤波器部30的一次线圈的合计线路长与第一滤波器部20以及第二滤波器部30的二次线圈的合计线路长实质上相等。由此，能够利用第二滤波器部30抵消在第一滤波器部20产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
根据以上说明的本实施方式，能够起到以下的作用效果。
(1)在共模扼流圈10的第一滤波器部20中，使二次线圈侧的第四层线圈导体24的线路长比一次线圈侧的第一层线圈导体21、第三层线圈导体23、二次线圈侧的第二层线圈导体22的线路长更长从而成为使二次线圈的线路长比一次线圈的线路长更长的构成。由此，能够降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
(2)在分别将距离在层叠方向相邻并且卷绕方向相互相反的一次线圈侧的第三层线圈导体33(基准一次线圈导体)以及二次线圈侧的第二层线圈导体32(基准二次线圈导体)的线路长作为基准，将第一滤波器部20的一次线圈和二次线圈中位于更远的位置的一方设为远方侧线圈，并将位于更近的位置的一方设为近方侧线圈的情况下，上述远方侧线圈的线路长比上述近方侧线圈的线路长更长。通过成为这样的构成能够进一步降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。此外，也能够将与第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的任意一个连续地连接的一方(一次线圈)设为近方侧线圈，并将不与第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的任何一个连续地连接的一方，即将与不是第二层线圈导体32以及第三层线圈导体33的线圈导体(第一层线圈导体31或者第四层线圈导体34)连续地连接的一方(二次线圈)设为远方侧线圈。
(3)在第一滤波器部20中，在将远方侧线圈的线路长设为L1，并将近方侧线圈的线路长设为L2的情况下，通过成为L2＜L1≤1.5×L2的范围，与L1＝L2的情况相比较能够进一步抑制Sdd21中的反共振所引起的衰减量。具体而言，能够使衰减量在±3dB以内。
(4)在第一滤波器部20中，在远方侧线圈，在第四层线圈导体24的卷绕中心侧将线路长的长度调整为比其它的线圈导体21～23长。即，远方侧线圈的内径(第四层线圈导体24的内径)比近方侧线圈的内径(第一层线圈导体21以及第三层线圈导体23的内径)小。由此，不需要变更各线圈导体21～24的外形的大小，所以能够抑制共模扼流圈10的大型化。
(5)一次线圈和二次线圈的线路长不同的第一滤波器部20的一次线圈、二次线圈的线路长比第二滤波器部30的一次线圈、二次线圈的线路长要短。换句话说，一次线圈和二次线圈的线路长不同的第一滤波器部20的共振频率比第二滤波器部30的共振频率高。这里，共振频率较高，即匝数较少，且一次线圈、二次线圈的线路长较短的第一滤波器部20与共振频率较低，即匝数较多，且一次线圈、二次线圈的线路长较长的第二滤波器部30相比，相对于共模扼流圈10整体的外形在空间上留有余地。即使在使一次线圈与二次线圈的线路长不同时，在第一滤波器部20中使第四层线圈导体24的线路长比其它的线圈导体21～23长，也能够减少共模扼流圈10的宽度方向Wd、长度方向Ld大型化的影响。
(6)在第二滤波器部30中，一次线圈和二次线圈中与近方侧线圈串联连接的一方的线路长比与远方侧线圈串联连接的一方的线路长更长。由此，能够利用第二滤波器部30降低在第一滤波器部20产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
(7)第一滤波器部20以及第二滤波器部30的一次线圈的合计线路长与第一滤波器部20以及第二滤波器部30的二次线圈的合计线路长实质上相等。由此，能够利用第二滤波器部30抵消在第一滤波器部20产生的一次线圈与二次线圈的线路长的差异。
(8)在第一以及第二滤波器部20、30中，一次线圈彼此串联连接，二次线圈彼此串联连接。由此，能够使针对第一以及第二滤波器部20、30的输入输出端子集中，连接变得容易。
(9)在与层叠方向正交的方向排列第一以及第二滤波器部20、30。由此，能够降低第一以及第二滤波器部20、30彼此的磁耦合，能够抑制对共模扼流圈10的特性的负面影响。
(10)具备层叠了多个绝缘层11～13的基体14，第一以及第二滤波器部20、30的一次线圈以及二次线圈的各个包含绝缘层11～13上卷绕的线圈导体21～24、31～34。能够在一个基体14内置第一以及第二滤波器部20、30，共模扼流圈10的处理变得容易。
(11)第一外部电极51与第二外部电极52经由第一以及第二滤波器部20、30的一次线圈的串联电路电连接，第三外部电极53与第四外部电极54经由第一以及第二滤波器部20、30的二次线圈的串联电路电连接。通过成为这样的构成，能够使向第一以及第二滤波器部20、30的输入输出集中到第一外部电极51、第二外部电极52、第三外部电极53以及第四外部电极54，连接变得容易。
(变形例)
此外，上述实施方式也能够以对该实施方式适当地进行了变更的以下的方式实施。
虽然在上述实施方式中，构成为使第一滤波器部20的第四层线圈导体24的线路长比该滤波器部20内的其它的线圈导体的线路长更长，但并不限定于此。
图9是变形例中的共模扼流圈的剖视图，示出相当于图2的剖面的剖面。如图9所示，在该变形例中，第一滤波器部20的第二层线圈导体22与其它的线圈导体21、23、24相比较匝数较多。这样，也可以构成为使第二层线圈导体22的线路长比该滤波器部20内的其它的线圈导体的线路长更长。另外，也可以构成为使第二层线圈导体22的线路长和第四层线圈导体24的线路长比该滤波器部20内的其它的线圈导体的线路长更长。即，若在第一滤波器部20和第二滤波器部30的关系中，第一滤波器部20的二次线圈的线路长比一次线圈的线路长更长，则无论在哪种情况下，都能够起到与上述实施方式相同的效果。
虽然在上述实施方式中，构成为在第一滤波器部20中一次线圈与二次线圈的线路长不同，但例如也可以构成为使第二滤波器部30的一次线圈与二次线圈的线路长不同。该情况下，距离第一滤波器部20中在高度方向Td相邻并且卷绕方向相互相反的一次线圈侧的第三层线圈导体23(基准一次线圈导体)以及二次线圈侧的第二层线圈导体22(基准二次线圈导体)的线路长分别成为基准。因此，该情况下，位于更远的位置的第二滤波器部30的线圈导体31、33的线路长比线路长位于较近的位置的滤波器部30的线圈导体32、34的线路长更长。以下对其一个例子进行说明。
图10是变形例中的共模扼流圈的剖视图，示出相当于图2的剖面的剖面。如图10所示，也可以构成为使构成第二滤波器部30的一次线圈的第一层线圈导体31的线路长比该滤波器部30内的其它的线圈导体的线路长更长。此外，也可以构成为使第三层线圈导体33的线路长比该滤波器部30内的其它的线圈导体的线路长更长。另外，也可以构成为使第一层线圈导体31的线路长和第三层线圈导体33的线路长比该滤波器部30内的其它的线圈导体的线路长更长。通过成为这样的构成，第二滤波器部30的一次线圈的线路长比二次线圈的线路长要长。无论在以上的哪种情况下，都能够起到与上述实施方式相同的效果。如该例所示，在本申请中共模滤波器部的第一、第二只不过为了方便进行区分，双方都可以是第一、第二共模滤波器部。
此外，也可以将实施方式的构成与图10的变形例的构成组合。图11是变形例中的共模扼流圈的剖视图，示出相当于图2的剖面的剖面。如图11所示，也可以构成为使构成第一滤波器部20的二次线圈的第四层线圈导体24的线路长比该滤波器部20内的其它的线圈导体的线路长更长，并使构成第二滤波器部30的一次线圈的第一层线圈导体31的线路长比该滤波器部30内的其它的线圈导体的线路长更长。即使是这样的构成也能够起到与上述实施方式相同的效果。
在上述实施方式中，在远方侧线圈的卷绕中心侧调整了线路长的长度，但也可以在远方侧线圈的外径侧调整线路长的长度，也可以通过缩短近方侧线圈的一部分的线圈导体(第一层线圈导体21、第三层线圈导体23等)的线路长等来调整线路长的长度。
虽然在上述实施方式中，依次连接了外部电极51、第一滤波器部20的第四层线圈导体24、第二通孔电极26、第一滤波器部20的第二层线圈导体22、中间通孔电极41、第二滤波器部30的第四层线圈导体34、第二通孔电极36、第二滤波器部30的第二层线圈导体32、以及外部电极52，但连接方式并不限定于此方式。同样地，虽然依次连接了外部电极53、第一滤波器部20的第三层线圈导体23、第一通孔电极25、第一滤波器部20的第一层线圈导体21、中间通孔电极42、第二滤波器部30的第三层线圈导体33、第一通孔电极35、第二滤波器部30的第一层线圈导体31、以及外部电极54，但连接方式并不限定于此。以下，列举其一个例子。
(例1)
例如，依次连接外部电极51、第一滤波器部20的第一层线圈导体21、第二通孔电极26、第一滤波器部20的第三层线圈导体23、中间通孔电极41、第二滤波器部30的第四层线圈导体34、第二通孔电极36、第二滤波器部30的第二层线圈导体32、以及外部电极52。而且，依次连接外部电极53、第一滤波器部20的第二层线圈导体22、第一通孔电极25、第一滤波器部20的第四层线圈导体24、中间通孔电极42、第二滤波器部30的第三层线圈导体33、第一通孔电极35、第二滤波器部30的第一层线圈导体31、以及外部电极54。
(例2)
例如，依次连接外部电极51、第一滤波器部20的第二层线圈导体22、第二通孔电极26、第一滤波器部20的第四层线圈导体24、中间通孔电极41、第二滤波器部30的第四层线圈导体34、第二通孔电极36、第二滤波器部30的第二层线圈导体32、以及外部电极52。而且，依次连接外部电极53、第一滤波器部20的第一层线圈导体21、第一通孔电极25、第一滤波器部20的第三层线圈导体23、中间通孔电极42、第二滤波器部30的第三层线圈导体33、第一通孔电极35、第二滤波器部30的第一层线圈导体31、以及外部电极54。
上述例1、例2仅是一部分的连接方式，也能够组合包含实施方式在这些例子的任意一个的第一滤波器部20的连接方式与其它的例子的第二滤波器部30的连接方式。此外，在第一滤波器部20以及第二滤波器部30中，一次线圈彼此、二次线圈彼此串联连接，所以根据上述变形，适当地调换一次线圈和二次线圈。另外，如此所示，在本申请中线圈的一次、二次只不过为了方便进行区分，双方都可以是一次、二次线圈。
虽然在上述实施方式中，对于层叠方向，构成为从底面侧朝向顶面侧依次层叠第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、第四层线圈导体，但也可以构成为从顶面侧朝向底面侧依次层叠第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、第四层线圈导体。
虽然在上述实施方式中，构成为在第一滤波器部20与第二滤波器部30中，交替地层叠一次线圈的线圈导体和二次线圈的线圈导体，但并不限定于此。例如，也可以在第二滤波器部中，依次沿着上述层叠方向排列分别卷绕为螺旋状的第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、第四层线圈导体，且第一层线圈导体与第四层线圈导体串联连接构成一次线圈，第二层线圈导体与第三层线圈导体串联连接构成二次线圈。此外，在该情况下在第一滤波器部中，也优选一次线圈与二次线圈的线路长不同。具体而言，在上述的情况下的第二滤波器部中，由于通孔电极的层叠方向的线路长的不同，而一次线圈的线路长比二次线圈的线路长更长。此时，在第一滤波器部中，优选与第二滤波器部相反而二次线圈的线路长比一次线圈的线路长更长。即，该情况下，例如，优选在第一滤波器部中，依次沿着上述层叠方向排列分别卷绕为螺旋状的第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、第四层线圈导体，且第一层线圈导体与第四层线圈导体串联连接构成二次线圈，第二层线圈导体与第三层线圈导体串联连接构成一次线圈。在这种情况下能够确认降低Sdd21中的反共振所引起的信号衰减量。
虽然在上述实施方式中，构成为在与各线圈导体21～24、31～34的层叠方向亦即高度方向Td正交的方向(长度Ld方向)排列第一滤波器部20和第二滤波器部30，但也可以采用在高度方向Td排列第一滤波器部和第二滤波器部的构成。该情况下，在与上述实施方式相同使各滤波器部为四层结构的情况下，成为层叠了八个线圈导体的结构。
虽然在上述实施方式中，分别利用两个线圈导体构成各滤波器部20、30的一次线圈和二次线圈，但也可以分别利用三个以上的线圈导体构成一次线圈和二次线圈。
虽然在上述实施方式中，构成为使外部电极51～54及底面电极55露出，但并不限定于此。例如，也可以采用不使外部电极51～54露出，而仅使底面电极55露出的构成。
虽然在上述实施方式中，独立地构成了外部电极51～54及底面电极55，但也可以使它们一体地构成。
虽然在上述实施方式中，共模滤波器部为第一滤波器部20以及第二滤波器部30这两个，但也可以是具有三个以上的多个共模滤波器部的共模扼流圈。该情况下，只要在多个共模滤波器部具有至少一个具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的共模滤波器部即可，既可以在该共模滤波器部中，一次线圈与二次线圈的线路长不同，也可以在其它的共模滤波器部中，一次线圈与二次线圈的线路长不同。换句话说，共振频率不同的组与线路长不同的组既可以是相同的滤波器部的组，也可以是不同的滤波器部的组。
也可以适当地组合上述实施方式及上述各变形例。

Claims (12)

1.一种共模扼流圈，其中，
具有多个通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈而构成的共模滤波器部，
在上述多个共模滤波器部中存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的滤波器部、以及上述一次线圈与上述二次线圈的线路长不同的滤波器部，
在上述多个共模滤波器部存在共振频率相互不同的第一滤波器部和第二滤波器部，在上述第一滤波器部与上述第二滤波器部之间，上述一次线圈彼此、上述二次线圈彼此串联连接，
在上述第二滤波器部中，沿着上述层叠方向排列有分别卷绕为螺旋状的多个线圈导体，作为构成上述一次线圈的上述多个线圈导体中的一个的基准一次线圈导体与作为构成上述二次线圈的上述多个线圈导体中的一个的基准二次线圈导体在上述层叠方向相邻并且卷绕方向相互相反，
在分别将距离上述基准一次线圈导体、上述基准二次线圈导体的线路长作为基准，将上述第一滤波器部的上述一次线圈和上述二次线圈中位于更远的位置的一方设为远方侧线圈，并将位于更近的位置的一方设为近方侧线圈的情况下，上述远方侧线圈的线路长比上述近方侧线圈的线路长更长，
在将上述远方侧线圈的线路长设为L1，并将上述近方侧线圈的线路长设为L2的情况下，是L2＜L1≤1.5×L2的范围。
2.一种共模扼流圈，其中，
具有多个通过在层叠方向排列一次线圈和二次线圈而构成的共模滤波器部，
在上述多个共模滤波器部中存在具有与其它的共模滤波器部不同的共振频率的滤波器部、以及上述一次线圈与上述二次线圈的线路长不同的滤波器部，
在上述多个共模滤波器部存在共振频率相互不同的第一滤波器部和第二滤波器部，在上述第一滤波器部与上述第二滤波器部之间，上述一次线圈彼此、上述二次线圈彼此串联连接，
在上述第二滤波器部中，沿着上述层叠方向依次排列有分别卷绕为螺旋状的第一层线圈导体、第二层线圈导体、第三层线圈导体、以及第四层线圈导体，从上述第一滤波器部的上述一次线圈或者上述二次线圈的一方连续地依次串联连接上述第四层线圈导体、上述第二层线圈导体，并且从上述第一滤波器部的上述一次线圈或者上述二次线圈的另一方连续地依次串联连接上述第三层线圈导体、上述第一层线圈导体，
在将上述第一滤波器部的上述一次线圈和上述二次线圈中与上述第四层线圈导体连续地连接的一方设为远方侧线圈，并将与上述第三层线圈导体连续地连接的一方设为近方侧线圈的情况下，上述远方侧线圈的线路长比上述近方侧线圈的线路长更长，
在将上述远方侧线圈的线路长设为L1，并将上述近方侧线圈的线路长设为L2的情况下，是L2＜L1≤1.5×L2的范围。
3.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
在上述远方侧线圈中，在卷绕中心侧调整线路长的长度。
4.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
上述远方侧线圈的内径比上述近方侧线圈的内径小。
5.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
上述第一滤波器部的上述一次线圈、上述二次线圈的线路长分别比上述第二滤波器部的上述一次线圈、上述二次线圈的线路长短。
6.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
上述第一滤波器部的共振频率比上述第二滤波器部的共振频率高。
7.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
在上述第二滤波器部中，上述一次线圈与上述二次线圈中与上述近方侧线圈串联连接的一方的线路长比与上述远方侧线圈串联连接的一方的线路长更长。
8.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
上述第一滤波器部以及上述第二滤波器部的上述一次线圈的合计线路长与上述第一滤波器部以及上述第二滤波器部的上述二次线圈的合计线路长实质上相等。
9.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
在上述多个共模滤波器部中，上述一次线圈彼此串联连接，上述二次线圈彼此串联连接。
10.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
在与上述层叠方向正交的方向排列有上述多个共模滤波器部。
11.根据权利要求1或者2所述的共模扼流圈，其中，
还具备层叠了多个绝缘层的基体，
上述多个共模滤波器部的上述一次线圈以及上述二次线圈的各个包含在上述绝缘层上卷绕的线圈导体。
12.根据权利要求11所述的共模扼流圈，其中，
还具备形成在上述基体的第一外部电极、第二外部电极、第三外部电极以及第四外部电极，
上述第一外部电极与上述第二外部电极经由上述多个共模滤波器部的上述一次线圈的串联电路电连接，上述第三外部电极与上述第四外部电极经由上述多个共模滤波器部的上述二次线圈的串联电路电连接。
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