CN110824602B - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电子装置，包含基板、网格状结构与多条偏极化导线。所述网格状结构设置在基板上且包含多个开口。所述多条偏极化导线设置在基板上并延伸经过所述多个开口。所述多条偏极化导线在所述多个开口中的一第一开口中的部分具有一第一数量，且所述第一数量的范围为50到15000。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是一种包含多条偏极化导线的电子装置。
背景技术
在电子装置中，偏光片或金属线栅偏振片(wire grid polarizer,WGP)为重要的偏极化元件。此外，金属线栅偏振片可作为电子装置中弯曲的(curved)、弯折的(foldable)或可拉伸的(stretchable)基板的偏极化元件。由于用户对于电子装置的要求越来越高，如何改善光效率已成为电子产业中一个重要的任务。
发明内容
本发明提供一种电子装置，包含基板、网格状结构、以及多条偏极化导线。所述网格状结构设置在基板上且包含多个开口。所述偏极化导线设置在基板上并延伸经过所述多个开口。其中所述多条偏极化导线在所述多个开口中的一个第一开口中的部分具有第一数量，所述第一数量的范围为50到15000。
附图说明
图1为本发明一实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图。
图2为本发明实施例的开口及多条偏极化导线的俯视示意图。
图3为本发明实施例的以蚀刻制程形成的多条偏极化导线的剖视示意图。
图4为本发明实施例的以压印制程形成的多条偏极化导线的剖视示意图。
图5为本发明实施例的电子装置的剖视示意图。
图6为本发明实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图。
图7为本发明另一实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图。
图8为本发明另一实施例的开口及多条偏极化导线的俯视示意图。
图9A为本发明另一实施例的电子装置的阵列基板的剖视示意图。
图9B为本发明另一实施例的电子装置的阵列基板的剖视示意图。
图9C为本发明另一实施例的电子装置的阵列基板的剖视示意图。
图10A为图1所示的部分阵列基板沿切线A-A’的剖视示意图。
图10B为图1所示的部分阵列基板沿切线A-A’的另一剖视示意图。
图10C为图1所示的部分阵列基板沿切线A-A’的又另一剖视示意图。
图11为图1所示的部分阵列基板沿切线B-B’的剖视示意图。
图12为本发明另一实施例的电子装置的剖视示意图。
图13为本发明另一实施例的电子装置的剖视示意图。
附图标记说明：100、10-电子装置；102、202-基板；102a-表面；104、218-网格状结构；106、216-偏极化导线；106B-第一偏极化导线；106G-第二偏极化导线；106R-第三偏极化导线；106T-第四偏极化导线；108、220-开口；108B-第一开口；108C1、108C2、108C3-开口列；108G-第二开口；108R-第三开口；110-绝缘层；114C-半导体层；114D-汲极；114G-闸极；114S-源极；116-闸极绝缘层；118-保护层；118a-通孔；120-像素电极；122-导体材料；126-光转换部；126B-第一光转换部；126G-第二光转换部；126R-第三光转换部；128、130-布拉格层；134-遮盖层；136-微型发光二极管；138-p-n二极管；140-第一接触电极；142-第二接触电极；144-第一半导体层；146-第二半导体层；148-多量子井结构；150-信号线；152-透明导电层；204、112-主动矩阵层；206、132-显示层；208、124-光转换层；210-第一偏光片；212-第二偏光片；214-背光模块；A-A’、B-B’-切线；D1-第一方向；D2-第二方向；DE-延伸方向；DL-数据线；FL-填充层；H-高度；LE-长边；ML-金属层；N-数量；PL-平坦层；SE-短边；SL-扫描线；Tr-晶体管；Tw、Ti-厚度；V-法线方向；P-条距；D-长度；a-线宽；b-间隙；c-比值；w-波长；θ-夹角。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。
应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上，或它可以直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
请参考图1到图4，图1为本发明一实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图，图2为本发明实施例的开口及多条偏极化导线的俯视示意图，图3为本发明实施例的以蚀刻制程形成的多条偏极化导线的剖视示意图，图4为本发明实施例的以压印制程形成的多条偏极化导线的剖视示意图。图中所示的对应到每个开口的偏极化导线的数量仅为说明使用且不以此为限。举例来说，对应到每个开口的偏极化导线的数量可大于图中所示的数量。电子装置可包含显示设备、摄影装置、感测装置、发光装置或天线(例如液晶天线)，但不以此为限。
如图1所示，电子装置100包含基板102、网格状结构104与多条偏极化导线106。网格状结构104设置在基板102的表面102a上，且网格状结构104包含多个开口108。网格状结构104可包含不透明材料，且光线可通过开口108。多个开口108可排列成阵列并形成多个开口列(column)，例如开口列108C1、开口列108C2与开口列108C3。电子装置100可包含沿第一方向D1延伸的多条数据线。开口列108C1、开口列108C2与开口列108C3可沿第一方向D1延伸。开口列108C2包含多个第一开口108B，开口列108C1包含多个第二开口108G，开口列108C3包含多个第三开口108R。在一实施例中，一个第一开口108B对应一个第一电子单元，一个第二开口108G对应一个第二电子单元，一个第三开口108R对应一个第三电子单元。电子装置可包含液晶、有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、发光二极管(light emitting diode,LED)、毫米型发光二极管(mini-LED)、微型发光二极管(micro-LED)、量子点(quantum dots,QDs)、量子点发光二极管(QLEDs or QD-LEDs)、荧光材料、磷光材料、其他材料或上述材料的组合，但不以此为限。
在一些实施例中，电子单元可由网格状结构所定义。举例来说，网格状结构的其中一开口可对应电子单元的其中一个，且在基板102的法线方向V上，电子单元与网格状结构不重迭。在一些实施例中，当电子装置100为液晶装置时，电子单元可例如包含在基板102的法线方向V上，位于其所对应的开口的区域中的元件部分。举例来说，电子单元可例如包含位于所对应的开口的区域中的背光源(包含发光二极管)、光线转换层(例如量子点)、液晶等元件及/或其他元件。在一些实施例中，当电子装置100为发光二极管装置(包含毫米型发光二极管或微型发光二极管装置)或有机发光二极管装置时，电子单元可例如包含在基板102的法线方向V上，位于其所对应开口的区域中的发光二极管、光线转换层或其他元件。在一些实施例中，当电子装置100为显示设备时，电子单元可为子像素。除此之外，第一电子单元可为蓝色电子单元，且发射具有第一波长的第一光线，第二电子单元可为绿色电子单元，且发射具有第二波长的第二光线，第三电子单元可为红色电子单元，且发射具有第三波长的第三光线。具体来说，第一波长可定义为第一光线中主要波段的波峰，第一波长的范围可为380纳米(nanometer，nm)到490纳米，例如439纳米或477纳米；第二波长可定义为第二光线中主要波段的波峰，第二波长的范围可为490纳米到575纳米，例如527纳米或542纳米；第三波长可定义为第三光线中主要波段的波峰，第三波长的范围可为580纳米到780纳米，例如626纳米或640纳米，但不以此为限。在一些实施例中，第一波长小于第二波长，及/或第二波长小于第三波长。第一光线、第二光线与第三光线可定义为由电子装置100所输出并被使用者所看见的光线。
偏极化导线106可包含不透明材料。在一实施例中，偏极化导线106的材料可包含金属、金属合金、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。当偏极化导线106包含金属时，偏极化导线106可为俗称的金属线栅偏极片(Wire Grid Polarizer；WGP)。偏极化导线106可用以将通过相邻两偏极化导线106之间的间隙的光线进行偏振化。在一实施例中，偏极化导线106设置在基板102上。举例来说，偏极化导线106可根据须求设置在电子装置100的任何合适的位置。在一实施例中，开口列的其中一个(例如开口列108C1、开口列108C2与开口列108C3)的延伸方向可实质上平行于其中一条偏极化导线106的延伸方向。如图1所示，其中一条偏极化导线106可沿第一方向D1延伸，且此偏极化导线106延伸经过对应的开口108。部分偏极化导线106(例如第一偏极化导线106B、第二偏极化导线106G或第三偏极化导线106R)在基板102的法线方向V上可延伸经过开口列的其中一个(例如开口列108C1、开口列108C2与开口列108C3)。具体来说，第一偏极化导线106B可延伸经过开口列108C2中至少一第一开口108B，第二偏极化导线106G可延伸经过开口列108C1中至少一第二开口108G，第三偏极化导线106R可延伸经过开口列108C3中至少一第三开口108R。在一实施例中，第一偏极化导线106B、第二偏极化导线106G与第三偏极化导线106R可为连续的，但不以此为限。在此处“连续的”意思为一偏极化导线106可延伸经过一个开口列中至少两相邻的开口108。在一实施例中，如图1所示，至少一偏极化导线106可延伸经过一个开口列(例如开口列108C1、开口列108C2与开口列108C3)中所有的开口108。在一实施例中，偏极化导线可接触网格状结构。在一实施例中，其他元件(或层)可设置在偏极化导线与网格状结构之间。
多条偏极化导线在多个开口中的一第一开口108B中的一部分(例如第一偏极化导线106B)具有一第一数量，且第一数量的范围为50到15000(50≤第一数量≤15000)，第二偏极化导线106G在一第二开口108G中的一部分具有一第二数量，且第二数量的范围为50到15000(50≤第二数量≤15000)，第三偏极化导线106R在一第三开口108R中的一部分具有一第三数量，且第三数量的范围为50到15000(50≤第三数量≤15000)。在一实施例中，第一数量、第二数量与第三数量可不相同。在一实施例中，第一数量可大于第二数量，且第二数量可大于第三数量。在其他实施例中，第一数量、第二数量与第三数量可相同。上述在其中一个对应的开口中的偏极化导线(或一部分偏极化导线)代表在基板的法线方向V上，偏极化导线重迭于所述开口，详细可参考后续剖视示意图。在一实施例中，可选择面板中含有偏极化导线的其中一个基板来测量偏极化导线在一开口中的数量，并可通过扫描式电子显微镜(SEM)分析，但不以此方法为限。通过上述方法，可计算出在基板的法线方向V上，偏极化导线在开口中的数量，其中不包含与网格状结构重迭的偏极化导线。
其中一个开口的延伸方向(例如第一开口的延伸方向DE)与偏极化导线106的延伸方向之间的夹角范围为0度到90度(0度≤夹角≤90度)。
如图2所示，开口108可包含两个长边LE与两个短边SE，但不限于此。在一些实施例中，其中一个短边SE可位于两个长边LE之间并连接两个长边LE，其中一个开口的延伸方向可与其中一个长边LE的延伸方向大致相同，即其中一个开口的延伸方向与其中一个长边LE的延伸方向之间的夹角范围约为0度到5度(0度≤夹角≤5度)，但不以此为限。在一些实施例中，夹角的范围可为0度到30度(0度≤夹角≤30度)。在一些实施例中，夹角的范围可为30度到60度(30度≤夹角≤60度)，例如45度。在一些实施例中，夹角的范围可为60度到90度(60度≤夹角≤90度)。如图2所示，其中一偏极化导线106具有线宽“a”，两相邻的偏极化导线106之间具有间隙(gap)“b”，且偏极化导线106之间的条距(pitch)为“P”。具体来说，线宽“a”例如为一偏极化导线106的最大宽度，间隙“b”例如为两相邻的偏极化导线106之间的最大间隙，条距“P”例如为一个线宽“a”和与其相邻的间隙“b”的总和，即条距(P)＝线宽(a)+间隙(b)。举例来说，在一个第一开口108B中，线宽“a”对间隙“b”的比值“c”的范围为0.3到3(0.3≤比值c≤3)。此外，在一个第二开口108G中，第二偏极化导线106G的比值“c”的范围为0.3到3(0.3≤比值c≤3)，在一个第三开口108R中，第三偏极化导线106R的比值“c”的范围为0.3到3(0.3≤比值c≤3)。比值“c”可被表示为a/b。在一些实施例中，间隙“b”的值为通过偏极化导线106与其所对应的开口108的光线的波长“w”的四分之一，即b＝0.25w。再者，条距“P”可表示为P＝b*c+b或P＝b*(1+c)。由于b＝0.25w，因此条距“P”可表示为P＝(1+c)*0.25w。
可藉由公式N1＝D/(1+c)*0.25w计算出一开口中的条距的数量(N1)。一开口中的条距的数量(N1)大约等于一开口108中偏极化导线106的数量(N)，例如第一偏极化导线106B的第一数量。“D”可为开口108在一方向上的最大长度，上述方向例如与偏极化导线106的延伸方向垂直，但不以此为限。不同开口108的长度“D”可相同或不同。在本实施例中，不同开口108的长度“D”例如相同。根据上述公式，偏极化导线106的数量与通过偏极化导线106和其所对应的开口108的光线的波长成反比。在一实施例中，对应蓝色电子单元的第一偏极化导线106B的第一数量可大于对应红色电子单元的第三偏极化导线106R的第三数量。对应绿色电子单元的第二偏极化导线106G的第二数量可小于第一数量且大于第三数量。在一实施例中，将对应不同颜色的电子单元的开口108中设置不同数量的偏极化导线106可提高偏极化的效果。
此外，在其中一第一开口108B中，相邻两条第一偏极化导线106B之间具有第一间隙。在其中一第二开口108G中，相邻两条第二偏极化导线106G之间具有第二间隙。在其中一第三开口108R中，相邻两条第三偏极化导线106R之间具有第三间隙。由于相邻两条偏极化导线106之间的间隙“b”与通过偏极化导线106的光线的波长“w”成正比，故第一间隙可小于第二间隙，及/或第二间隙可小于第三间隙。
再者，比值“c”与间隙“b”成反比，其中一第一偏极化导线106B的线宽“a”、其中一第二偏极化导线106G的线宽“a”与其中一第三偏极化导线106R的线宽“a”在本实施例中可相同。在一实施例中，多条偏极化导线中的其中一偏极化导线的线宽范围为50纳米到500纳米(50纳米≤线宽≤500纳米)。在一实施例中，一第一开口108B中的其中一第一偏极化导线106B的线宽对相邻两条第一偏极化导线106B之间的间隙的比值定义为第一比值，而一第二开口108G中的其中一第二偏极化导线106G的线宽对相邻两条第二偏极化导线106G之间的间隙的比值定义为第二比值，且第一比值大于第二比值。在一实施例中，其中一第三开口108R中的其中一第三偏极化导线106R的线宽对相邻两条第三偏极化导线106R之间的间隙的比值定义为第三比值，且第二比值大于第三比值。
参考图1和图2，由于在制造过程中可能会产生制程偏差或变异(例如对准偏差)，在考虑制造过程可能产生的制程偏差或变异之下，对应的开口108中的偏极化导线106的数量“N”可被调整。举例来说，对应其中一个开口108中的偏极化导线106的数量范围为“N-25”到“N+25”，其中N可藉由上述公式计算得出。
如图3所示，偏极化导线106可由微影制程或蚀刻制程所形成。举例来说，可对金属层ML执行微影制程或蚀刻制程以形成偏极化导线106。金属层ML设置在基板102上。虽然图3中金属层ML与基板102之间没有存在其他的膜层，但应当了解金属层ML与基板102之间可存在其他适合的膜层，即图3所示的基板102可代表基板或任何设置于其上的其他膜层。举例来说，其中一偏极化导线的线宽“a”的范围可为70纳米到90纳米(70纳米≤a≤90纳米)，例如79.6纳米，相邻两条偏极化导线106之间的间隙“b”的范围可为200纳米到230纳米(200纳米≤a≤230纳米)，例如216纳米。比值“c”可约为0.37，条距“P”可约为295纳米。应当了解，上述的数字仅为举例，并非限制本发明的范围。如图3所示，线宽“a”、间隙“b”及条距“P”可例如大致在偏极化导线106的一半高度(2/H)之处来计算出。在一些实施例中，一绝缘层110(例如氧化硅层或氮化硅层，但不限于此)可设置在偏极化导线106上。在一些实施例中，绝缘层110的厚度Ti范围可为45纳米到60纳米(45纳米≤厚度Ti≤60纳米)，但不以此为限。图3中绝缘层110的形状仅为举例，并不以此为限。
如图4所示，在一些实施例中，偏极化导线106可用压印制程形成。举例来说，偏极化导线106的材料可例如以液滴型态并通过喷嘴喷洒在基板102的表面上，并将具有预定形状的模具印在基板102上以将液滴挤压而形成偏极化导线106。在一些实施例中，偏极化导线106的材料可先填入具有预定形状的模具的沟道中，在材料凝固后，将沟道的开口面朝基板102的表面使偏极化导线106的材料可印在基板102上，形成偏极化导线106。偏极化导线106中的其中一偏极化导线106的线宽“a”范围为70纳米到90纳米(70纳米≤a≤90纳米)，例如为82纳米，相邻两条偏极化导线106之间的间隙“b”的范围为110纳米到130纳米(110纳米≤b≤130纳米)，例如为120纳米。比值“c”可约为0.68，条距“P”可约为202纳米。线宽“a”、间隙“b”及条距“P”可例如在偏极化导线106的一半高度(2/H)之处来计算出。此外，偏极化导线106的厚度Tw(或高度H)的范围为130纳米到150纳米(130纳米≤厚度Tw≤150纳米)。应当了解到，上述的数字仅为举例，并非意于限制本发明的范围。
虽然图3与图4所示的偏极化导线106设置在基板102的表面上，但本发明并不以此为限。偏极化导线106可设置在电子装置的任何合适的层膜上。在一些实施例中，偏极化导线106的线宽“a”的范围为50纳米到500纳米(50纳米≤a≤500纳米)，相邻两偏极化导线106之间的间隙“b”的范围为50纳米到200纳米(50纳米≤b≤200纳米)，偏极化导线106的厚度的范围为50纳米到800纳米(50纳米≤c≤800纳米)，但不以此为限。
图5为本发明实施例的电子装置的剖视示意图，图6为本发明实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图。如图5所示，当电子装置10为显示设备时，电子装置10(如图5所示)可包含基板202、基板102、主动矩阵(active matrix，AM)层204、显示层206、光转换层208、第一偏光片210或第二偏光片212，但不以此为限。在一些实施例中，基板202相对于基板102设置。在一些实施例中，显示层206可包含液晶、有机发光二极管、发光二极管、微型发光二极管、毫米型发光二极管、量子点或上述材料的组合，但不以此为限。在一些实施例中，当电子装置10为液晶装置时，电子装置10可包含背光模块214，基板202可设置在基板102与背光模块214之间，显示层206(例如液晶层)可设置在基板102与基板202之间。在一些实施例中，基板202(或基板102)可包括透明基板，例如玻璃基板、塑料基板、其它合适材料或上述组合，但不限于此。基板202(或基板102)可包括软性电路板或刚性电路板，但不以此为限。基板202(或基板102)的材料可包括玻璃、石英、有机聚合物、金属，但不限于此。有机聚合物可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)，但不以此为限。
在一些实施例中，电子装置10含有多条扫描线与多条数据线，扫描线交错于数据线。详细来说，主动矩阵层204(包含多条扫描线、多条数据线、多个薄膜晶体管或其他电路元件)设置在基板202与显示层206之间。
在一些实施例中，光转换层208可设置在显示层206与基板102之间。在一些实施例中，光转换层208可设置在显示层206与基板202之间。在一些实施例中，光转换层208可设置在第一偏光片210与背光模块214之间。在一些实施例中，光转换层208可设置在第一偏光片210与主动矩阵层204之间。在一些实施例中，光转换层208可设置在显示层206与黑色矩阵(black matrix，BM)层之间。光转换层208可包含彩色滤光片、量子点、荧光材料、磷光材料、颜料或染剂，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，网格状结构104可设置在显示层206与基板102之间。在一些实施例中，网格状结构104可设置在显示层206与基板202之间。在一些实施例中，网格状结构104可设置在显示层206与光转换层208之间。在一些实施例中，网格状结构104可设置在显示层206与第二偏光片212(或第一偏光片210)之间。在一些实施例中，网格状结构104可设置在主动矩阵层204与基板202之间。
在一些实施例中，第一偏光片210或第二偏光片212可包含偏极化导线106。第一偏光片210或第二偏光片212可包含金属线栅偏振片或传统的偏光片。传统的偏光片包含聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)薄膜。在本实施例中(如图5所示)，第二偏光片212(例如金属线栅偏振片)可设置在显示层206与基板102之间，或者，第二偏光片212可设置在显示层206与光转换层208之间。第二偏光片212可电连接到形成于基板102上的共同电极，且共同电极具有固定(或不变)的电位。在一些实施例中，第二偏光片212可设置在光转换层208与显示层206之间。在一些实施例中，第二偏光片212(例如传统的偏光片)可设置在基板102上。在一些实施例中，第一偏光片210(例如金属线栅偏振片)可设置在显示层206与基板202之间，或者，第一偏光片210可设置在主动矩阵层204与基板202之间。第一偏光片210可电连接到形成于基板202上的共同电极，且共同电极具有固定(或不变)的电位。在一些实施例中，第一偏光片210(例如传统的偏光片)可设置在基板202与背光模块214之间。
如图6所示，网格状结构218是由多条扫描线SL与多条数据线DL所定义，网格状结构218例如包含在主动矩阵层204中(图5所示)。数据线DL可沿第一方向D1延伸，扫描线SL可沿第二方向D2延伸。第一方向D1大致上垂直于第二方向D2。扫描线SL交错于数据线DL，并形成多个开口220。扫描线SL(或数据线DL)可包含不透明导体材料，例如金属，但不以此为限。电子装置10可包含一黑色矩阵层，黑色矩阵层的图案例如对应扫描线SL与数据线DL。在基板的俯视视角上，黑色矩阵层例如覆盖扫描线SL与数据线DL，但不以此为限。第一偏光片210(如图6所示)可为金属线栅偏振片，第一偏光片210可包含多条偏极化导线216。偏极化导线216的延伸方向为第二方向D2(扫描线SL的延伸方向)，第一偏光片210的偏振方向实质上垂直于第二偏光片212的偏振方向，但不以此为限。开口220的长边LE的延伸方向与在开口220中的偏极化导线216的延伸方向之间的夹角θ的范围为80度到95度(80度≤夹角θ≤95度)。在一实施例中，所述夹角θ约为90度。
在一些实施例中，当背光模块214提供的光为白光时，至少一开口没有对应设置光转换层208。通过所述开口中第一偏光片210的光可不被光转换层208转换，且开口220中的偏极化导线216的数量可藉由将绿光波长(例如527纳米)带入公式N＝D/(1+c)*0.25w中求得，以提高较佳偏极化效果。此处的“D”可例如对应电子单元的开口的其中一长边的长度。在其中一开口220中的偏极化导线216的数量范围为N-25到N+25。
在一些实施例中，当背光模块214提供的光为蓝光时，至少一开口没有对应设置光转换层208。通过所述开口中第一偏光片210的光可不被光转换层208转换，且开口220中偏极化导线216的数量可藉由将蓝光波长带入公式N＝D/(1+c)*0.25w中求得，以提高较佳的偏极化效果。
在一些实施例中，当通过对应开口中的偏极化导线的光被光转换层208转换时，偏极化导线的数量可通过的光的波长来决定，其中光转换层208(例如量子点、彩色滤光片、荧光材料、磷光材料，但不以此为限。
在一些实施例中，光转换层208(例如彩色滤光片)可设置在第一偏光片210与背光模块214上。当背光模块214提供的光例如为白光时，通过第一偏光片210的光可为白光，因此，在其中一个开口中，第一偏光片210的偏极化导线的数量可由绿光波长所决定，但不限于此。
在一些实施例中，光转换层208可设置在第一偏光片210与背光模块214上。当背光模块214提供的光例如为蓝光时，通过第一偏光片210的光可为蓝光。因此，在其中一个开口中，第一偏光片210的偏极化导线的数量由蓝光波长所决定，但不限于此。
在一些实施例中，第一偏光片210与第二偏光片212可设置在基板202与基板102之间，第二偏光片212可设置在第一偏光片210上，且光转换层208可设置在第一偏光片210与第二偏光片212之间。当背光模块214提供的光为蓝光时，通过第一偏光片210所提供的光为蓝光，而蓝光通过光转换层208后可转换成其它颜色的光(例如红色、绿色或蓝色的光)。另外，通过第二偏光片212的光如上为其它颜色的光(例如红色、绿色或蓝色的光)。在其中一开口中，第二偏光片212的偏极化导线的数量可由上述通过第二偏光片212的所对应的颜色光的波长决定。
请参考图7，图7为本发明另一实施例的电子装置的部分基板的俯视示意图。如图7所示，图1的实施例与图7的实施例的其中一个不同之处在于图7所示的实施例中，网格状结构104是由数据线DL与扫描线SL所定义。扫描线SL与数据线DL互相交错并形成多个开口108，多个开口排列成多个开口列。在本实施例中(如图7所示)，其中一开口列例如沿偏极化导线106的延伸方向延伸，其中一偏极化导线延伸经过其中一开口。详细来说，开口列108C1与开口列108C3可包含沿第一方向D1交替设置的第二开口108G与第三开口108R。在开口列108C1中的第二开口108G与第三开口108R的排列顺序相反于开口列108C3中的第二开口108G与第三开口108R的排列顺序。举例来说，在同一行(row)中，开口列108C1中的开口可为第二开口108G，开口列108C3中的开口可为第三开口108R。同理，在同一行中，开口列108C1中的开口可为第三开口108R，开口列108C3中的开口可为第二开口108G。
在本实施例中(如图7所示)，延伸经过开口列108C1与开口列108C3的部分偏极化导线106可为不连续的。举例来说，偏极化导线106可只延伸经过其中一开口108，但不以此为限。此处的“不连续的”代表偏极化导线没有延伸经过开口列中所有的开口，或者偏极化导线没有延伸经过开口列中至少两个相邻的开口。举例来说，在开口列108C1中，其中一第二开口108G中的第二偏极化导线106G与相邻于所述第二开口108G的第三开口108R中的第三偏极化导线106R分隔开，第三开口108R位于两个第二开口108G之间。举例来说，在开口列108C3中，其中一个第三开口108R中的第三偏极化导线106R与相邻于所述第三开口108R的第二开口108G中的第二偏极化导线106G分隔开，第二开口108G位于两个第三开口108R之间。在开口列108C2中，其中一个第一开口108B中的第一偏极化导线106B与相邻于所述第一开口108B的另一个第一开口108B中的第一偏极化导线106B没有分隔开，或其中一第一开口108B中的第一偏极化导线106B连接到另一个第一开口108B中的第一偏极化导线106B。在开口列108C1或开口列108C3中，对应其中一第二开口108G中的第二偏极化导线106G的数量与对应其中一第三开口108R中的第三偏极化导线106R的数量不同。第一偏极化导线106B的数量可由蓝光波长决定，第二偏极化导线106G的数量可由绿光波长决定，第三偏极化导线106R的数量可由红光波长决定，但不限于此。
在一实施例中(如图7所示)的开口列108C1与开口列108C3中，第二偏极化导线106G的末端在基板的法线方向V上可例如与其所对应的第二开口108G的短边SE大致上对齐，第三偏极化导线106R的末端在基板的法线方向V上可与其所对应的第三开口108R的短边SE大致上对齐。在一些实施例中，第二偏极化导线106G(或第三偏极化导线106R)可突出于其所对应的第二开口108G(或第三开口108R)的短边SE。第一开口108B、第二开口108G与第三开口108R的排列方式并不以图7所示为限。在一些实施例中，延伸经过开口列108C2的第一偏极化导线106B可为不连续的。
请参考图8，图8为本发明另一实施例的开口及多条偏极化导线的俯视示意图。如图8所示，图2所示的实施例与图8所示的本实施例的差别在于，本实施例中的开口108的长边LE的延伸方向与于所述开口108中偏极化导线106的延伸方向之间的夹角θ的范围为30度到60度(30度≤夹角θ≤60度)。在本实施例中，夹角θ的范围可为40度到50度(40度≤夹角θ≤50度)。公式N＝D/(1+c)*0.25w中的“D”可为对应的开口108的对角线长度，长度“D”为在垂直于偏极化导线106的延伸方向的方向上，其所对应的开口108具有的最大宽度。
请参考图9A到图9C，图9A到图9C为本发明三个不同实施例的电子装置的阵列基板的剖视示意图。如图9A所示，设置在基板102的表面102a上的主动矩阵层112可包含偏极化导线106。基板102可为阵列基板，扫描线SL、数据线DL、晶体管Tr与偏极化导线106可设置在基板102的表面102a上。晶体管Tr可包含闸极114G、源极114S(例如第二金属层)、汲极114D(例如第二金属层)与半导体层114C。闸极114G可电连接到扫描线SL。闸极114G、扫描线SL与偏极化导线106可由相同导体层(例如第一金属层)所形成。须注意的是，偏极化导线106的延伸方向与扫描线SL的延伸方向可大致平行。在本实施例中，半导体层114C可设置在第一金属层上。源极114S、汲极114D与数据线DL可由设置在半导体层114C上的另一导体层(例如第二金属层)所形成，源极114S可电连接到数据线DL。在一些实施例中，第二金属层上可设置一保护层118。在一些实施例中，保护层118上可设置像素电极120(包含透明导体材料)，偏极化导线106可设置在像素电极120与基板102之间。在一实施例中，保护层118可具有至少一个通孔118a，导体材料122可设置于通孔118a中以将像素电极120与晶体管Tr的汲极114D电连接。在一些实施例中，汲极114D与源极114S可互相交换，但不以此为限。
如图9B所示，图9A所示的实施例与图9B所示的本实施例的差别在于本实施例中偏极化导线106与数据线DL是由相同的导体层(例如第二金属层)所形成，偏极化导线106的延伸方向可大致平行于数据线DL。图9B的实施例与图9C的实施例的差别在于，于图9C的实施例中，光转换层124可设置在偏极化导线106(第二金属层)与闸极绝缘层116之间。
请参考图10A到图10C，图10A到图10C为图1所示部分沿切线A-A’的三个剖视示意图。如图10A所示，基板102可对应到阵列基板(例如彩色滤光片基板)，网格状结构104可由黑色矩阵层所定义，网格状结构104可设置在偏极化导线106与基板102之间。在本实施例中，电子装置可包含多条第四偏极化导线106T。第四偏极化导线106T可不包含间隙，因此相较于其他偏极化导线(例如第三偏极化导线106R、第二偏极化导线106G与第一偏极化导线106B)可具有较大的宽度。在一些实施例中，第四偏极化导线106T可具有间隙。在一些实施例中，填充层FL与偏极化导线106可交替地设置。在一些实施例中，填充层FL可覆盖偏极化导线106，填充层FL例如用以保护偏极化导线106。在一些实施例中，填充层FL可例如包含氮化硅层或氧化硅层的单层(或多层结构)，但不以此为限。在一些实施例中，平坦层PL可设置在偏极化导线106与网格状结构104之间。由于平坦层PL具有平坦表面，故将偏极化导线106设置在平坦表面上可降低因不平坦的偏极化导线106而影响偏极化效果的机率。
在一些实施例中，当背光模块214为白光时，多个光转换部126可例如设置在基板102上，且多个光转换部126可例如设置于开口108中。包含蓝色滤光片的第一光转换部126B可设置在第一开口108B中，包含绿色滤光片的第二光转换部126G可设置在第二开口108G中，包含红色滤光片的第三光转换部126R可设置在第三开口108R中。在一些实施例中，当背光模块为蓝光(或显示层206发射蓝光)时，第一光转换部126B可为透明介质层，第一光转换部126B可不设置在第一开口108B中，第二光转换部126G(包含绿色量子点或其他适合的光转换材料)可设置在第二开口108G中，第三光转换部126R(包含红色量子点或其他适合的光转换材料)可设置在第三开口108R中。在一些实施例中，偏极化导线106与平坦层PL之间可设置一布拉格层128。在一些实施例中，基板102与光转换部126(例如126G、126B或126R)之间可设置多个布拉格层130。布拉格层例如具有半穿透能力与半反射能力。在一些实施例中，电子装置可不包含布拉格层。
如图10B所示，图10A与图10B所示的结构的差别在于图10B所示的结构中，填充层FL与偏极化导线106可设置在网格状结构104与基板102之间。此外，第四偏极化导线106T可具有较小的宽度，且第四偏极化导线106T可彼此分隔开。电子装置中可不包含平坦层或布拉格层。如图10C所示，填充层FL与偏极化导线106并非设置在网格状结构104与基板102之间，偏极化导线106可设置在其所对应的开口108中，且偏极化导线106可设置在基板102与其所对应的光转换部126之间。举例来说，第三偏极化导线106R与填充层FL可设置在其所对应的第三开口108R中，第三偏极化导线106R可设置在基板102与第三光转换部126R之间。因此，电子装置(如图10C所示)可不包含图10B所示的第四偏极化导线。
请参考图11，图11为图1所示的部分沿切线B-B’的剖视示意图。如图11所示，基板102可为阵列基板，且偏极化导线106与网格状结构104(例如黑色矩阵层)设置在基板102上。举例来说，在其中一第二开口108G中，网格状结构104、第二光转换部126G可设置在闸极绝缘层116上，网格状结构104在基板的法线方向V上与数据线DL(与扫描线SL)重迭。第二开口108G中的第二偏极化导线106G可设置在第二光转换部126G上。保护层118可设置在第二偏极化导线106G与像素电极120之间。第二偏极化导线106G可设置在像素电极120与数据线DL之间。上述提到的设计也可应用于第一开口108B与第三开口108R的结构中。
图12为本发明另一实施例的电子装置的剖视示意图。如图12所示，图5与图12所示的实施例的差别在于图12所示的实施例中，电子装置10可为有机发光二极管装置。在本实施例中，偏极化导线106设置在电子装置10中发光的一侧上。在本实施例中，显示层132(例如有机发光二极管)可设置在主动矩阵层112与遮盖层134之间，且偏极化导线106可设置在遮盖层134上。本实施例中的网格状结构可为像素定义层(pixel define layer，PDL)。偏极化导线106在其所对应的开口中的数量范围为50到15000(50≤数量≤15000)。遮盖层134可包含绝缘材料，此绝缘材料可用来保护显示层132，且遮盖层134可提供一平坦表面用以设置偏极化导线106。
图13为本发明另一实施例的电子装置的剖视示意图。如图13所示，图5与图13所示的实施例的差别在于图13所示的实施例中，电子装置10为微型发光二极管(或毫米型发光二极管)电子装置。在本实施例中，偏极化导线106设置在发光二极管(包括微型或毫米型发光二极管)电子装置中的发光侧上。在本实施例中，主动矩阵层112与遮盖层134之间可设置多个微型发光二极管136，且偏极化导线106设置在遮盖层134上。一个子像素中可设置至少一微型发光二极管136，且微型发光二极管136可电连接到主动矩阵层112中的至少一个晶体管Tr。微型发光二极管136可包含p-n二极管138、第一接触电极140及第二接触电极142，第一接触电极140可位于p-n二极管138一侧，且第二接触电极142可位于p-n二极管138另一侧。p-n二极管138可包含第一半导体层144、第二半导体层146与设置在第一半导体层144与第二半导体层146之间的多量子井(MQW)结构148。第一半导体层144可为p型半导体层，第二半导体层146可为n型半导体层，反之亦然。第一接触电极140可包含金属，第一接触电极140可电连接到晶体管Tr。第二接触电极142可包含透明导电材料，第二接触电极142可藉由透明导电层152电连接到信号线150。此外，电子单元可包含一个或多个微型发光二极管136(可发射相同颜色的光)。本实施例中，网格状结构104可为设置在电子单元(包含微型发光二极管136)周围的分隔结构，微型发光二极管136设置在网格状结构104的开口108中。在一实施例中，分隔结构的材料可包含介电材料、反射材料或其他合适的材料，但不以此为限。在一实施例中，遮盖层134的材料可包含绝缘材料，且可提供一平坦表面用以设置偏极化导线106。
综上所述，偏极化导线可为金属线栅偏振片，偏极化导线在其所对应的开口中的数量范围为50到15000。根据通过对应的开口或对应的电子单元的光的波长，在对应的开口中的偏极化导线的数量可不相同，上述设计可增加偏极化效果。当通过偏极化导线的光具有较短的波长时，偏极化导线在对应的开口中的数量可较大，当通过偏极化导线的光具有较长的波长时，偏极化导线在对应的开口中的数量可较小。此外，其中一偏极化导线的线宽对相邻两条偏极化导线之间的间隙的比值范围为0.3到3。在液晶显示设备中，偏极化导线可设置在彩色滤光片基板上、阵列基板上或同时在彩色滤光片基板与阵列基板上。偏极化导线可设置在有机发光二极管电子装置或微型发光二极管(或毫米型发光二极管)电子装置中的发光侧上。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定为准。

Claims (13)

1.一种电子装置，其特征在于，包含：
一基板；
多条数据线，设置在所述基板上；
一闸极绝缘层，设置在所述基板上；
一光转换层，直接设置在所述闸极绝缘层上；
一显示层，设置在所述基板上；
一网格状结构，设置在所述闸极绝缘层上且包含多个开口，其中所述网格状结构由一黑色矩阵层所形成，所述网格状结构在所述基板的一法线方向上与所述多条数据线重叠，且所述网格状结构位于所述基板与所述显示层之间；以及
多条偏极化导线，设置在所述基板上并延伸经过所述多个开口中的至少一者或切齐于所述多个开口中的至少一者；
其中，所述光转换层位于所述多条偏极化导线与所述闸极绝缘层之间，所述多条偏极化导线在所述多个开口中的一第一开口中的一部分具有一第一数量，所述第一数量的范围为50到15000。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一开口对应一蓝色电子单元，且所述多个开口中的一第二开口对应一绿色电子单元。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中在所述第一开口中的相邻两条所述偏极化导线之间具有一第一间隙，在所述第二开口中的相邻两条所述偏极化导线之间具有一第二间隙，且所述第一间隙小于所述第二间隙。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线的线宽与所述第一开口中的所述多条偏极化导线中的相邻两条偏极化导线之间的间隙的比值为一第一比值，所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线的线宽与所述第二开口中的所述多条偏极化导线中的相邻两条偏极化导线之间的间隙的比值为一第二比值，且所述第一比值大于所述第二比值。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述第一开口中，所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线的线宽与所述多条偏极化导线中的相邻两条偏极化导线之间的间隙的比值为0.3到3。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述多个开口排列成多个开口列，所述多个开口列平行于所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线的延伸方向，且所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线延伸并经过其中一个所述多个开口列中的至少两开口。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述多个开口排列成多个开口列，所述多个开口列平行于所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线的延伸方向，且所述多条偏极化导线中的其中一条偏极化导线延伸经过所述多个开口中的一个开口。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置为一显示设备。
9.如权利要求8所述的电子装置，其特征在于，还包含多个像素电极，其中所述多条偏极化导线设置于所述多个像素电极与所述基板之间。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一开口的延伸方向与所述多条偏极化导线在所述第一开口中的所述部分的延伸方向之间的夹角范围为0度到90度。
11.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多条偏极化导线的其中一条的线宽范围为50纳米到500纳米。
12.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包含一共同电极，其中所述多条偏极化导线电连接到所述共同电极。
13.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述多条偏极化导线与一填充层设置于所述网格状结构与所述基板之间。
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