KR100987024B1 - 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 - Google Patents
나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100987024B1 KR100987024B1 KR1020080014964A KR20080014964A KR100987024B1 KR 100987024 B1 KR100987024 B1 KR 100987024B1 KR 1020080014964 A KR1020080014964 A KR 1020080014964A KR 20080014964 A KR20080014964 A KR 20080014964A KR 100987024 B1 KR100987024 B1 KR 100987024B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- top layer
- protective layer
- layer
- metal pattern
- forming
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
- G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
- G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
- G02B6/0056—Means for improving the coupling-out of light from the light guide for producing polarisation effects, e.g. by a surface with polarizing properties or by an additional polarizing elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/584—Scratch resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
Description
Claims (22)
- 투명 기판;상기 투명 기판 위에 형성된 나노 구조물;상기 나노 구조물의 적어도 일부를 커버하는 보호층;상기 보호층의 상부에 형성된 금속 패턴;상기 금속 패턴의 상부에 형성된 탑 레이어; 및상기 탑 레이어와 상기 보호층 및 금속 패턴 사이에 형성된 기공;을 포함하고,상기 보호층은 3000 Å 이하의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, BaF2, CaF2, CeF3, LaF3, PbF2, LiF, MgF2, Na3AlF6, NaF, SrF2, YF3, AlN, BN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN, Al2O3, Bi2O3, CaO, CeO, Cr2O3, CuO, Eu2O3, Fe2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2, Y2O3, I.C.O, I.T.O, I.Z.O, La2O3, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, Nd2O3, NiO, PbO, Pr6O11, Sb2O3, SiO, SiO2, SnO2, Ta2O5, TiO, TiO2, V2O5, WO2.9, WO3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, Y.S.Z, BaTiO3, BaZrO3, LaAlO3, LaGaO3, LiNbO3, Li3PO4, PbTiO3, PbZrO3, 및 SrTiO3 로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 탑 레이어는 180~300㎚의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, SiO2, ITO, ZnO, AZO, Al2O3, CrO2, MgO2, IZO, TiO2, Nb2O5, MgF2, 및 DLC(Diamond like Carbon)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 탑 레이어는 상기 금속 패턴 상에 증착된 증착 물질이 성장하여 서로 연결된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판.
- 삭제
- 투명 기판에 나노 구조물을 형성하는 단계;상기 나노 구조물 위에 보호층을 증착하는 단계;상기 보호층 위에 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴 상에 탑 레이어를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 탑 레이어를 형성하는 단계에서 상기 탑 레이어와 상기 보호층 및 금속 패턴 사이에 기공이 형성되고,상기 보호층은 3000 Å 이하의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, BaF2, CaF2, CeF3, LaF3, PbF2, LiF, MgF2, Na3AlF6, NaF, SrF2, YF3, AlN, BN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN, Al2O3, Bi2O3, CaO, CeO, Cr2O3, CuO, Eu2O3, Fe2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2, Y2O3, I.C.O, I.T.O, I.Z.O, La2O3, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, Nd2O3, NiO, PbO, Pr6O11, Sb2O3, SiO, SiO2, SnO2, Ta2O5, TiO, TiO2, V2O5, WO2.9, WO3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, Y.S.Z, BaTiO3, BaZrO3, LaAlO3, LaGaO3, LiNbO3, Li3PO4, PbTiO3, PbZrO3, 및 SrTiO3 로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 탑 레이어는 180~300㎚의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, SiO2, ITO, ZnO, AZO, Al2O3, CrO2, MgO2, IZO, TiO2, Nb2O5, MgF2, 및 DLC(Diamond like Carbon)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 나노 구조물 위에 보호층을 증착하는 단계는, 상기 나노 구조물의 적어도 일부를 커버하도록 상기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 보호층 위에 금속 패턴을 형성하는 단계는,상기 보호층 위에 금속층을 증착하는 단계; 및상기 금속층의 일부를 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 탑 레이어를 형성하는 단계는,상기 금속 패턴 상에 탑 레이어 재료를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 탑 레이어 재료들이 서로 연결되어 탑 레이어를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 금속 패턴상에 탑 레이어 재료를 성장시키는 단계는,상기 탑 레이어 재료를 PE-CVD, 스퍼터링, 이베포레이션 중 어느 하나로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 탑 레이어를 형성하는 단계는,상기 탑 레이어 재료를 경사 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제6항에 있어서,상기 탑 레이어의 상면을 연마 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 투명 기판;상기 투명 기판 위에 형성된 나노 구조물;상기 나노 구조물 위에 형성된 금속 패턴;상기 나노 구조물 또는 상기 금속 패턴의 적어도 일부를 커버하는 보호층;상기 보호층의 상부에 형성된 탑 레이어; 및상기 탑 레이어와 보호층 사이에 형성된 기공;을 포함하고,상기 보호층은 3000 Å 이하의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, BaF2, CaF2, CeF3, LaF3, PbF2, LiF, MgF2, Na3AlF6, NaF, SrF2, YF3, AlN, BN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN, Al2O3, Bi2O3, CaO, CeO, Cr2O3, CuO, Eu2O3, Fe2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2, Y2O3, I.C.O, I.T.O, I.Z.O, La2O3, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, Nd2O3, NiO, PbO, Pr6O11, Sb2O3, SiO, SiO2, SnO2, Ta2O5, TiO, TiO2, V2O5, WO2.9, WO3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, Y.S.Z, BaTiO3, BaZrO3, LaAlO3, LaGaO3, LiNbO3, Li3PO4, PbTiO3, PbZrO3, 및 SrTiO3 로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 탑 레이어는 180~300㎚의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, SiO2, ITO, ZnO, AZO, Al2O3, CrO2, MgO2, IZO, TiO2, Nb2O5, MgF2, 및 DLC(Diamond like Carbon)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판.
- 삭제
- 삭제
- 제13항에 있어서,상기 탑 레이어는 상기 보호층 상에 증착된 증착 물질이 성장하여 서로 연결된 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판.
- 삭제
- 투명 기판에 나노 구조물을 형성하는 단계;상기 나노 구조물 위에 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 금속 패턴 또는 상기 나노 구조물의 적어도 일부에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층 상에 탑 레이어를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 탑 레이어를 형성하는 단계에서 상기 탑 레이어와 상기 보호층 사이에 기공이 형성되고,상기 보호층은 3000 Å 이하의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, BaF2, CaF2, CeF3, LaF3, PbF2, LiF, MgF2, Na3AlF6, NaF, SrF2, YF3, AlN, BN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN, Al2O3, Bi2O3, CaO, CeO, Cr2O3, CuO, Eu2O3, Fe2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2, Y2O3, I.C.O, I.T.O, I.Z.O, La2O3, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, Nd2O3, NiO, PbO, Pr6O11, Sb2O3, SiO, SiO2, SnO2, Ta2O5, TiO, TiO2, V2O5, WO2.9, WO3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, Y.S.Z, BaTiO3, BaZrO3, LaAlO3, LaGaO3, LiNbO3, Li3PO4, PbTiO3, PbZrO3, 및 SrTiO3 로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되고,상기 탑 레이어는 180~300㎚의 두께를 가지며, 폴리프로필렌, 아크릴, PVC, 파릴렌, SiO2, ITO, ZnO, AZO, Al2O3, CrO2, MgO2, IZO, TiO2, Nb2O5, MgF2, 및 DLC(Diamond like Carbon)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 나노 구조물 위에 금속 패턴을 형성하는 단계는,상기 나노 구조물 위에 금속층을 증착하는 단계; 및상기 금속층의 일부를 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제18항에 있어서,상기 탑 레이어를 형성하는 단계는,상기 보호층 상에 탑 레이어 재료를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 탑 레이어 재료들이 서로 연결되어 탑 레이어를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 보호층 상에 탑 레이어 재료를 성장시키는 단계는,상기 탑 레이어 재료를 PE-CVD, 스퍼터링, 이베포레이션 중 어느 하나로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 탑 레이어를 형성하는 단계는,상기 탑 레이어 재료를 경사 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광판 제조 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080014964A KR100987024B1 (ko) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 |
PCT/KR2008/007534 WO2009104861A1 (en) | 2008-02-19 | 2008-12-18 | Wire grid polarizer and manufacturing method thereof |
TW097149613A TW200937052A (en) | 2008-02-19 | 2008-12-19 | Wire grid polarizer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080014964A KR100987024B1 (ko) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090089671A KR20090089671A (ko) | 2009-08-24 |
KR100987024B1 true KR100987024B1 (ko) | 2010-10-11 |
Family
ID=40985710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080014964A KR100987024B1 (ko) | 2008-02-19 | 2008-02-19 | 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100987024B1 (ko) |
TW (1) | TW200937052A (ko) |
WO (1) | WO2009104861A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120040870A (ko) * | 2010-10-20 | 2012-04-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20120040869A (ko) * | 2010-10-20 | 2012-04-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 와이어 그리드 편광자 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
KR101319444B1 (ko) * | 2010-10-20 | 2013-10-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101978190B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2019-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자 및 이의 제조방법 |
KR102089661B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2020-03-17 | 삼성전자주식회사 | 와이어 그리드 편광판 및 이를 구비하는 액정 표시패널 및 액정 표시장치 |
KR102295624B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2021-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광자, 편광자의 제조 방법 및 표시 패널 |
US10534120B2 (en) | 2015-04-03 | 2020-01-14 | Moxtek, Inc. | Wire grid polarizer with protected wires |
US10408983B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-09-10 | Moxtek, Inc. | Durable, high performance wire grid polarizer having permeable junction between top protection layer |
US10444410B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-10-15 | Moxtek, Inc. | Overcoat wire grid polarizer having conformal coat layer with oxidation barrier and moisture barrier |
US10571614B2 (en) | 2016-08-16 | 2020-02-25 | Moxek, Inc. | Wire grid polarizer heat sink having specified reflective layer, absorptive layer, and heat-dissipation layer |
US11249232B2 (en) * | 2018-08-14 | 2022-02-15 | Innolux Corporation | Electronic device |
WO2020072060A1 (en) * | 2018-10-03 | 2020-04-09 | Moxtek, Inc. | Durable, high performance wire grid polarizer |
JP7203187B2 (ja) * | 2020-12-28 | 2023-01-12 | デクセリアルズ株式会社 | ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両 |
WO2022145422A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | デクセリアルズ株式会社 | ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007017762A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Seiko Epson Corp | ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、液晶装置、プロジェクタ |
JP2007033558A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI223103B (en) * | 2003-10-23 | 2004-11-01 | Ind Tech Res Inst | Wire grid polarizer with double metal layers |
US20070242352A1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-10-18 | Macmaster Steven William | Wire-grid polarizers, methods of fabrication thereof and their use in transmissive displays |
JP2007310246A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Hitachi Maxell Ltd | ワイヤグリッド偏光子の製造方法、及びワイヤグリッド偏光子 |
-
2008
- 2008-02-19 KR KR1020080014964A patent/KR100987024B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-18 WO PCT/KR2008/007534 patent/WO2009104861A1/en active Application Filing
- 2008-12-19 TW TW097149613A patent/TW200937052A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007017762A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Seiko Epson Corp | ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、液晶装置、プロジェクタ |
JP2007033558A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200937052A (en) | 2009-09-01 |
WO2009104861A1 (en) | 2009-08-27 |
KR20090089671A (ko) | 2009-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100987024B1 (ko) | 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 | |
US6951400B2 (en) | High index coated light management films | |
US8179034B2 (en) | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices | |
US7605883B2 (en) | Wire grid polarizer and liquid crystal display device using the polarizer | |
EP2174169B1 (en) | Organic light emitting diode device with light extraction film | |
TWI396463B (zh) | 照明裝置及液晶顯示裝置 | |
JP3785093B2 (ja) | 導光板、その製造方法、照明装置、及び液晶表示装置 | |
US11217775B2 (en) | Optical waveguide and manufacturing method thereof, display substrate and display device | |
JP2008108705A (ja) | 有機発光装置 | |
KR20100067252A (ko) | 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 | |
EP2116891B1 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
KR20100079856A (ko) | 다층 탑레이어가 형성된 나노 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 | |
WO2004112435A1 (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 | |
WO2004112434A1 (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 | |
KR100962064B1 (ko) | 박막 탑 레이어를 갖는 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법 | |
KR100962065B1 (ko) | 광학 특성이 향상된 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 | |
KR100956508B1 (ko) | 취급성이 향상된 와이어 그리드 편광판 및 그 제조 방법 | |
AU2003294393A1 (en) | High index of refraction coated light management films | |
KR20090042099A (ko) | 나노 와이어 그리드 편광자 유닛 및 그 제조 방법 | |
KR100927955B1 (ko) | 나노 와이어 그리드 편광자 유닛 및 그 제조 방법 | |
WO2004112442A1 (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 | |
JP2004265851A (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 | |
TWI232701B (en) | Photonic crystal organic light-emitting device | |
JP2004265850A (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 | |
JP2005011021A (ja) | タブレット及び液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131001 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141002 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151001 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160906 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180910 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190821 Year of fee payment: 10 |