CN110808214A - 一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，包括：沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；对粘合后的塑料基板进行植球；将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。本发明将金属胶片和塑料基板粘合在一起，以达到电磁屏蔽的效果，且可共用半导体塑封设备，无需重新定位转换，无需特制治具，工艺流程简单，生产投入成本低，能够更好地满足需求。
Description
技术领域
本发明涉及塑封基板切割加工技术领域，更具体地说是指一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法。
背景技术
当前半导体器件的电磁屏蔽采用真空溅镀技术；利用电浆对靶材进行离子轰击，将靶材表面的离子撞击出来，这些靶材原子以气体分子形式发射出来，然后到达沉积的基板上，经过附着，吸附，表面迁移，成核等过程后在半导体器件上形成一层金属层；但是，现有的真空溅镀工艺流程复杂，设备投入费用极高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法。
为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：
一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，包括以下步骤：
沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；
将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；
对粘合后的塑料基板进行植球；
将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。
其进一步技术方案为：所述塑料基板包括PCB基板，及位于所述PCB基板上方的塑封体；所述PCB基板的厚度为0.1mm-0.4mm；所述塑封体的厚度为1mm-3mm。
其进一步技术方案为：所述“沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割”步骤中，预切割包括将塑封体切透，且PCB基板的切割深度为PCB基板厚度的1/2-2/3。
其进一步技术方案为：所述金属胶片为银胶片。
其进一步技术方案为：所述银胶片的厚度为40um-50um。
其进一步技术方案为：所述特定条件包括高温，常压，及模压时间。
其进一步技术方案为：所述高温为170度-180度，常压为200KN-300KN，模压时间为5分钟。
其进一步技术方案为：所述“对粘合后的塑料基板进行植球”步骤中，在PCB基板的表面植入若干球体，所述球体为锡球。
其进一步技术方案为：所述锡球的直径为0.25mm-0.5mm。
其进一步技术方案为：所述预切割和全切割均采用金刚石刀片。
本发明与现有技术相比的有益效果是：将金属胶片和塑料基板粘合在一起，以达到电磁屏蔽的效果，且可共用半导体塑封设备，无需重新定位转换，无需特制治具，工艺流程简单，生产投入成本低，能够更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
其中，现有的真空溅镀工艺包括以下流程：1、在塑封基板的基板面植球；2、将塑封基板进行切割；3、将切割后的塑封基板反向定位到特质治具上(锡球下沉到治具上对应的孔里面)；4、对定位后的塑封基板进行真空溅镀，使得塑封基板上形成一层金属层；5、将塑封基板从治具中抓取出来；上述流程工艺复杂，且需要的设备投入费用极高。
请参阅图1所示的具体实施例，本发明公开了一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，包括以下步骤：
S1，沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；
S2，将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；
S3，对粘合后的塑料基板进行植球；
S4，将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。
其中，所述塑料基板包括PCB基板，及位于所述PCB基板上方的塑封体；所述PCB基板的厚度为0.1mm-0.4mm；所述塑封体的厚度为1mm-3mm；可以根据实际生产需要，选择合适厚度的PCB基板和塑封体。
其中，所述“沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割”步骤中，预切割包括将塑封体切透，且PCB基板的切割深度为PCB基板厚度的1/2-2/3，切割宽度为0.2mm-0.5mm，将PCB基板内的地下铜在预切割后露出来。
其中，所述金属胶片为银胶片，用于与PCB基板内露出来的地下铜进行粘合，形成闭合回路，以达到电磁屏蔽的效果。
进一步地，所述银胶片的厚度为40um-50um，粘合效果更佳且节约用料。
其中，所述特定条件包括高温，常压，及模压时间，在S2中，采用塑封压机将预切割后的塑料基板与金属胶片在高温，常压下进行模压时间的粘合，以使银胶片与PCB基板内露出来的地下铜进行粘合，形成闭合回路，以达到电磁屏蔽的效果。
进一步地，在本实施例中，所述高温为170度-180度，常压为200KN-300KN，模压时间为5分钟，粘合效果好。
其中，所述“对粘合后的塑料基板进行植球”步骤中，在PCB基板的表面植入若干球体，所述球体为锡球，为后续工序做准备，在其他实施例中，也可能用其他材质的球体或者不需要球体。
进一步地，所述锡球的直径为0.25mm-0.5mm，可以根据实际需要，进行选择。
其中，所述预切割和全切割均采用金刚石刀片，快速高效，且不易变形。
本发明将金属胶片和塑料基板粘合在一起，以达到电磁屏蔽的效果，且可共用半导体塑封设备，无需重新定位转换，无需特制治具，工艺流程简单，生产投入成本低，能够更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；
将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；
对粘合后的塑料基板进行植球；
将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。
2.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述塑料基板包括PCB基板，及位于所述PCB基板上方的塑封体；所述PCB基板的厚度为0.1mm-0.4mm；所述塑封体的厚度为1mm-3mm。
3.根据权利要求2所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述“沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割”步骤中，预切割包括将塑封体切透，且PCB基板的切割深度为PCB基板厚度的1/2-2/3。
4.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述金属胶片为银胶片。
5.根据权利要求4所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述银胶片的厚度为40um-50um。
6.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述特定条件包括高温，常压，及模压时间。
7.根据权利要求6所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述高温为170度-180度，常压为200KN-300KN，模压时间为5分钟。
8.根据权利要求2所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述“对粘合后的塑料基板进行植球”步骤中，在PCB基板的表面植入若干球体，所述球体为锡球。
9.根据权利要求8所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述锡球的直径为0.25mm-0.5mm。
10.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述预切割和全切割均采用金刚石刀片。
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