CN110771038A - 弹性波装置、前端电路以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

弹性波装置(1)具备：元件基板(10)，具有压电性；功能电极(21)，设置在元件基板(10)中的第一主面(10a)；引出布线(221a、222a)，与功能电极(21)电连接，设置为从元件基板(10)中的第一主面(10a)起到达侧面(10c)；外部端子(51、52)，与引出布线(221a、222a)电连接，设置在元件基板(10)中的第二主面(10b)上；第一树脂部(31)，设置为对弹性波装置(1)进行密封；以及第二树脂部(32)，至少设置在设置于侧面(10c)的引出布线(221a、222a)与第一树脂部(31)之间。第二树脂部(32)的杨氏模量比第一树脂部(31)小。

Description

弹性波装置、前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及具备密封树脂的弹性波装置、具备该弹性波装置的前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，作为带通滤波器而广泛使用弹性波装置。作为该弹性波装置的一个例子，在专利文献1记载了如下的弹性波装置，其具备：元件基板；IDT电极，形成在元件基板的表面侧；以及外部端子，形成在元件基板的背面(安装面)侧。在该弹性波装置中，IDT电极和外部端子经由形成在元件基板的侧面的引出布线连接(参照专利文献1的图10)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2016/208287号
发明内容
发明要解决的课题
然而，在专利文献1记载的弹性波装置中，存在如下的问题，即，在进行了树脂密封之后，在发生了对弹性波装置施加了外力的情况的情况下，设置在元件基板的侧面的引出布线断线。
本发明的目的在于，在具备密封树脂的弹性波装置中，抑制设置在元件基板的侧面的引出布线断线。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方式涉及的弹性波装置具备：元件基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面、和将第一主面和第二主面相连的侧面，且在至少一部分具有压电性；功能电极，设置在元件基板中的第一主面；引出布线，与功能电极电连接，设置为从元件基板中的第一主面起到达侧面；外部端子，与引出布线电连接，直接或间接地设置在元件基板中的第二主面上；第一树脂部，设置为对弹性波装置进行密封；以及第二树脂部，至少设置在设置于侧面的引出布线与第一树脂部之间，第二树脂部的杨氏模量比第一树脂部小。
像这样，通过在引出布线与第一树脂部之间设置第二树脂部，并使第二树脂部的杨氏模量比第一树脂部的杨氏模量小，从而在对弹性波装置施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线的力。由此，能够抑制设置在元件基板的侧面的引出布线断线。
此外，本发明的一个方式涉及的弹性波装置具备：元件基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面、和将第一主面和第二主面相连的侧面，且在至少一部分具有压电性；功能电极，设置在元件基板中的第一主面；引出布线，与功能电极电连接，设置为从元件基板中的第一主面起到达侧面；外部端子，与引出布线电连接，直接或间接地设置在元件基板中的第二主面上；第一树脂部，设置为对弹性波装置进行密封；以及第二树脂部，至少设置在设置于侧面的引出布线与第一树脂部之间，第二树脂部的填料的含有率比第一树脂部小。
像这样，通过在引出布线与第一树脂部之间设置第二树脂部，并使第二树脂部的填料的含有率比第一树脂部的填料的含有率小，从而能够使第二树脂部的杨氏模量比第一树脂部的杨氏模量小，因此在对弹性波装置施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线的力。由此，能够抑制设置在元件基板的侧面的引出布线断线。
此外，也可以是，弹性波装置还具备第三树脂部，元件基板具有作为第二主面与侧面相交的部分的第一角部，引出布线还设置为从侧面起到达第一角部以及第二主面，第三树脂部至少设置在设置于第一角部的引出布线与第一树脂部之间，且杨氏模量比第一树脂部小。
像这样，通过在第一角部处在引出布线与第一树脂部之间设置第三树脂部，并使第三树脂部的杨氏模量比第一树脂部的杨氏模量小，从而在对弹性波装置施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线的力。由此，能够抑制设置在元件基板的角部的引出布线断线。
此外，也可以是，弹性波装置还具备覆盖层，功能电极为IDT电极，第二树脂部还在沿着第一主面的方向上设置在IDT电极的周围，覆盖层在与第一主面垂直的方向上设置在第二树脂部上，使得覆盖IDT电极。
此外，也可以是，弹性波装置还具备绝缘层，元件基板至少具有：支承基板，包含硅材料；以及压电体层，直接或间接地形成在支承基板上，绝缘层设置在引出布线与支承基板之间。
像这样，通过在支承基板与引出布线之间设置绝缘层，从而能够抑制在支承基板内流过漏电流。
此外，也可以是，元件基板至少具有：支承基板；以及压电体层，直接或间接地形成在支承基板上，在从与第一主面垂直的方向对元件基板进行了剖视的情况下，压电体层的侧面位于比元件基板的侧面靠内侧，引出布线设置为从第二主面起到达压电体层的侧面以及元件基板的侧面。
据此，例如，在使用划片刀对由多个元件基板构成的母基板进行切割而制造弹性波装置的情况下，能够防止划片刀触碰到压电体层，能够抑制压电体层的破裂、界面剥离。
此外，也可以是，元件基板具有：支承基板；以及压电体层，直接形成在支承基板上，功能电极设置在压电体层上，支承基板传播的体波声速与在压电体层传播的弹性波声速相比为高速。
据此，能够使从压电体层传播的弹性波在支承基板与压电体层的界面反射并返回到压电体层。由此，能够将弹性波能量有效地封闭在压电体层内。
此外，也可以是，元件基板具有：支承基板；压电体层，间接地形成在支承基板上；以及中间层，设置在支承基板与压电体层之间，功能电极设置在压电体层上，中间层传播的体波声速与在压电体层传播的弹性波声速相比为低速，支承基板传播的体波声速与在压电体层传播的弹性波声速相比为高速。
据此，能够使从压电体层传播到中间层的弹性波在支承基板与中间层的界面反射并返回到压电体层。由此，能够将弹性波能量有效地封闭在压电体层内。
此外，也可以是，元件基板具有：支承基板；压电体层，间接地形成在支承基板上；以及中间层，设置在支承基板与压电体层之间，功能电极设置在压电体层上，中间层具有：低声速膜，传播的体波声速与在压电体层传播的弹性波声速相比为低速；以及高声速膜，传播的体波声速与在压电体层传播的弹性波声速相比为高速，低声速膜设置在压电体层与支承基板之间，高声速膜设置在低声速膜与支承基板之间。
据此，能够使从压电体层传播到低声速膜的弹性波在高声速膜与低声速膜的界面反射并返回到压电体层。由此，能够将弹性波能量有效地封闭在压电体层内。
此外，也可以是，元件基板经由外部端子与安装基板的一个主面接合，第一树脂部还覆盖安装基板的一个主面。
像这样，即使是第一树脂部覆盖安装基板的一个主面的情况，也能够在对弹性波装置施加了外力的情况下缓解施加于引出布线的力。
此外，本发明的一个方式涉及的前端电路具备上述弹性波装置。
据此，能够提供一种具有抑制了引出布线的断线的弹性波装置的前端电路。
此外，本发明的一个方式涉及的通信装置具备：上述前端电路；以及信号处理电路，对高频信号进行处理。
据此，能够提高通信装置的可靠性。
发明效果
根据本发明，在具备密封树脂的弹性波装置中，能够抑制设置在元件基板的侧面的引出布线断线。
附图说明
图1是示出实施方式1涉及的弹性波装置的一个例子的剖视图。
图2A是示出实施方式1涉及的弹性波装置的元件基板、功能电极、第一引出布线以及第二引出布线的一个例子的立体图。
图2B是从背面侧观察了图2A所示的元件基板、第一引出布线以及第二引出布线的情况下的立体图。
图3是示出实施方式1涉及的弹性波装置的另一个例子的剖视图。
图4是示出实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的流程图。
图5是示出实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的图。
图6是接着图5示出实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的图。
图7是接着图6示出实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的图。
图8是示出实施方式1的变形例1涉及的弹性波装置的剖视图。
图9是示出实施方式1的变形例2涉及的弹性波装置的剖视图。
图10是示出实施方式1的变形例3涉及的弹性波装置的剖视图。
图11是示出实施方式1的变形例4涉及的弹性波装置的剖视图。
图12是示出实施方式1的变形例5涉及的弹性波装置的剖视图。
图13是示出实施方式2涉及的前端电路以及通信装置的电路结构图。
图14是示出比较例的弹性波装置的剖视图。
具体实施方式
以下，使用实施方式以及附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性的或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。
(实施方式1)
[1-1.弹性波装置的结构]
图1是示出实施方式1涉及的弹性波装置1的一个例子的剖视图。图2A是示出弹性波装置1的元件基板10、功能电极21、第一引出布线221以及第二引出布线222的一个例子的立体图。图2B是从背面侧观察了图2A所示的弹性波装置1的元件基板10、第一引出布线221以及第二引出布线222的情况下的立体图。另外，在图2A以及图2B中，省略第一树脂部31、第二树脂部32、第三树脂部33、覆盖层40、第一外部端子51以及第二外部端子52的记载。
如图1所示，弹性波装置1具备元件基板10、设置在元件基板10的功能电极21、第一引出布线221以及第二引出布线222、覆盖功能电极21的覆盖层40、与第一引出布线221连接的第一外部端子51、以及与第二引出布线222连接的第二外部端子52。此外，弹性波装置1具备设置为对弹性波装置1进行密封的第一树脂部31、设置在元件基板10与第一树脂部31之间的第二树脂部32、以及第三树脂部33。弹性波装置1经由第一外部端子51以及第二外部端子52安装在安装基板60。
以下，有时将第一引出布线221称为引出布线221，将第二引出布线222称为引出布线222，将第一外部端子51称为外部端子51，将第二外部端子52称为外部端子52。
元件基板10为平板状，具有相互背对的第一主面10a以及第二主面10b、和侧面10c，侧面10c是与第一主面10a以及第二主面10b的双方相交的面，且将第一主面10a和第二主面10b相连。第二主面10b是在将弹性波装置1安装到安装基板60的情况下位于安装基板60侧的面。元件基板10具有作为第一主面10a与侧面10c相交的部分的第二角部17，此外，具有作为第二主面10b与侧面10c相交的部分的第一角部16。在图1所示的剖视图中表示了两个侧面10c、两个第一角部16以及两个第二角部17。另外，侧面10c也可以相对于第一主面10a或第二主面10b倾斜地设置。第一主面10a以及第二主面10b也可以相互不平行。元件基板10的剖面可以是梯形、平行四边形或四边形。
此外，元件基板10具有支承基板12和直接设置在支承基板12上的压电体层11。压电体层11的上表面成为前述的第一主面10a，支承基板12的下表面成为前述的第二主面10b。压电体层11例如由LiTaO3、LiNbO3等压电单晶或压电陶瓷构成。支承基板12由绝缘体或半导体构成。支承基板12的材料例如为Si、Al2O3等。支承基板12传播的体波(bulk wave)声速与在压电体层11传播的弹性波声速相比为高速。
功能电极21是设置在元件基板10的第一主面10a的金属膜。功能电极21例如是IDT(INTERDIGITAL TRANSDUCER，叉指换能器)电极以及反射器。在图2A示出了由IDT电极以及反射器构成的弹性波谐振器i1～i7。在图2A中，弹性波谐振器i1～i7通过用矩形的框包围了X的符号以简图方式示出。弹性波谐振器i1～i7在第一主面10a上电连接，形成梯型滤波器等滤波器电路。功能电极21由Al、Cu、AlCu合金等金属或合金构成。此外，功能电极21并不限于单个金属膜，也可以由层叠了多个金属膜的层叠金属膜形成。另外，弹性波谐振器i1～i7并不限于声表面波谐振器，也可以是声边界波谐振器。
第一引出布线221以及第二引出布线222各自为带状，分别设置在元件基板10的第一主面10a、侧面10c以及第二主面10b。具体地，引出布线221具有相互连接的引出布线221a以及引出布线221b。引出布线221a与功能电极21电连接，设置为从第一主面10a侧起经过第二角部17到达侧面10c。引出布线221b与设置在侧面10c的引出布线221a的端部连接，设置为从第一角部16起到达第二主面10b。
第二引出布线222具有相互连接的引出布线222a以及引出布线222b。引出布线222a与功能电极21电连接，设置为从第一主面10a侧起经过第二角部17到达侧面10c。引出布线222b与设置在侧面10c的引出布线222a的端部连接，设置为从第一角部16起到达第二主面10b。
引出布线221b以及引出布线222b在第二主面10b上相互相邻。
在该弹性波装置1中，成为如下的构造，即，引出布线221、222各自沿着元件基板10的外周引绕，能够将由于功能电极21的驱动而在第一主面10a侧产生的热经由各引出布线221、222传递到第二主面10b侧进行散热。此外，功能电极21设置在第一主面10a，各引出布线221、222从功能电极21起经由第一主面10a以及侧面10c延伸设置至到达第二主面10b，因此引出布线221、222的长度变长，成为能够提高散热性的构造。
引出布线221、222各自例如由包含Cu的金属材料形成。另外，引出布线221、222并不限于Cu，也可以由包含Al的金属材料形成。此外，引出布线221、222也可以具有金镀层等被覆层。
第一外部端子51与设置在第二主面10b的引出布线221b电连接。第二外部端子52与设置在第二主面10b的引出布线222b电连接。外部端子51、52各自由包含Sn以及Ag的金属构件形成。元件基板10经由该外部端子51、52与安装基板60的一个主面60a接合。
第二树脂部32设置在元件基板10的第一主面10a侧以及侧面10c侧。第二树脂部32设置在功能电极21的周围，使得在从与第一主面10a垂直的方向观察的情况下，在沿着第一主面10a的方向上包围功能电极21。此外，第二树脂部32设置为覆盖引出布线221a、222a。第一主面10a侧的第二树脂部32的高度比功能电极21的高度高。另外，关于侧面10c侧的第二树脂部32的结构，将在后面叙述。
覆盖层40是片状的聚酰亚胺树脂，在与第一主面10a垂直的方向上设置在第二树脂部32上，使得覆盖功能电极21。覆盖层40相对于功能电极21空开给定的间隔进行配置。在弹性波装置1形成有被覆盖层40、第二树脂部32以及元件基板10包围的密闭空间A。覆盖层40的面积比元件基板10大，覆盖层40的侧面位于比元件基板10的侧面10c靠外侧。
第一树脂部31是对弹性波装置1进行密封的密封树脂。第一树脂部31设置在元件基板10的第一主面10a、第二主面10b以及侧面10c各自的外侧，使得包围元件基板10、功能电极21以及引出布线221、222。此外，如前所述，第一树脂部31覆盖安装基板60的一个主面60a。
第一树脂部31是包含填料的绝缘性材料，例如由包含二氧化硅粒子的环氧树脂形成。例如，该环氧树脂的杨氏模量(弹性系数)为17GPa。
第二树脂部32在元件基板10的侧面10c的外侧设置在各引出布线221a、222a与第一树脂部31之间。此外，第二树脂部32在第二角部17的外侧设置在各引出布线221a、222a与第一树脂部31之间。第二树脂部32的侧面与覆盖层40的侧面形成在同一面。第二树脂部32与引出布线221a、222a相接，相对于此，第一树脂部31与引出布线221a、222a不相接。
第二树脂部32是绝缘性材料，例如由环氧树脂形成。例如，该环氧树脂的杨氏模量为2GPa。即，第二树脂部32的杨氏模量比第一树脂部31的杨氏模量小。在弹性波装置1中，通过减小第二树脂部32的杨氏模量，从而成为如下的构造，即，即使在施加了外力的情况下，也可缓解施加于引出布线221a、222a的力。
另外，如果使第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小，则能够使第二树脂部32的杨氏模量比第一树脂部31的杨氏模量小，因此能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。
此外，通过使第二树脂部32的线膨胀系数比第一树脂部31的线膨胀系数接近引出布线221a、222a的线膨胀系数，从而不仅能够抑制施加于引出布线221a、222a的外力，还能够抑制施加于引出布线221a、222a的热应力。
第三树脂部33在元件基板10的第二主面10b的外侧设置在各引出布线221b、222b与第一树脂部31之间。此外，第三树脂部33在第二主面10b的未形成引出布线221b、222b的区域设置在支承基板12与第一树脂部31之间。此外，第三树脂部33在第一角部16的外侧设置在各引出布线221b、222b与第一树脂部31之间。第三树脂部33与引出布线221b、222b相接，相对于此，第一树脂部31与引出布线221b、222b不相接。
第三树脂部33由绝缘性的树脂材料形成，例如包含聚酰胺酸酯以及乳酸乙酯。形成第三树脂部33的树脂材料的玻璃化转变点为200℃。在玻璃化转变点以下的温度，第三树脂部33的树脂材料的杨氏模量为3.5GPa。即，第三树脂部33的杨氏模量比第一树脂部31的杨氏模量小。在弹性波装置1中，通过减小第三树脂部33的杨氏模量，从而成为如下的构造，即，即使在施加了外力的情况下，也可缓解施加于引出布线221b、222b的力。
另外，第三树脂部33的填料的含有率如果比第一树脂部31的填料的含有率小，则能够使第三树脂部33的杨氏模量比第一树脂部31的杨氏模量小，因此能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。
另外，通过使第三树脂部33的线膨胀系数比第一树脂部31接近引出布线221b、222b的线膨胀系数，从而不仅能够抑制施加于引出布线221a、222a的外力，而且能够抑制施加于引出布线221b、222b的热应力。
图3是示出弹性波装置1的另一个例子的剖视图，弹性波装置1成为高频模块的一部分。高频模块例如由弹性波装置1、安装部件65、以及安装基板60构成。
安装基板60是印刷电路基板，在安装基板60的一个主面60a形成有连接盘电极61。弹性波装置1的外部端子51、52经由该连接盘电极61与安装基板60连接。在安装基板60，除了弹性波装置1以外还安装有作为安装部件65的层叠陶瓷部件以及IC芯片。第一树脂部31设置在安装基板60的一个主面60a侧，使得覆盖弹性波装置1以及安装部件65。像这样，也可以以弹性波装置1与安装基板60成为一体的状态形成高频模块。
[1-2.弹性波装置的制造方法]
接着，对弹性波装置1的制造方法进行说明。图4是示出弹性波装置1的制造方法的流程图。图5是示出弹性波装置1的制造方法的图，图6是接着图5示出弹性波装置1的制造方法的图，图7是接着图6示出弹性波装置1的制造方法的图。
首先，如图5的(a)所示，在元件基板10形成功能电极21(S11)。形成功能电极21的面是作为压电体层11的上表面的第一主面10a。功能电极21例如是成为IDT电极以及反射器的电极膜。元件基板10是被单片化之前的母基板的状态。在图5的(a)，作为一个例子示出了两个元件基板10。
接着，如图5的(b)所示，在元件基板10形成槽c1(S12)。从与第一主面10a垂直的方向观察，槽c1形成为格子状。通过该槽c1的形成，形成元件基板10的侧面10c。
接着，如图5的(c)所示，在槽c1的表面以及元件基板10的表面形成引出布线221a、222a(S13)。引出布线221a、222a沿着作为槽c1的侧面的元件基板10的侧面10c、以及元件基板10的第一主面10a以给定的膜厚形成。第一主面10a侧的引出布线221a、222a形成为与功能电极21连接。
接着，如图5的(d)所示，在形成了引出布线221a、222a的槽c1以及第一主面10a上涂敷第二树脂材料b2(S14)。树脂材料b2形成为覆盖引出布线221a、222a。此外，树脂材料b2形成为在高度方向上比功能电极21高，使得在沿着第一主面10a的方向上包围功能电极21。通过涂敷该树脂材料b2并使其固化，从而在元件基板10的侧面10c的外侧以及第二角部17的外侧形成第二树脂部32。
接着，如图6的(a)所示，在第二树脂部32上形成覆盖层40(S15)。覆盖层40是片状的聚酰亚胺树脂，通过粘接，粘附于第二树脂部32。通过该覆盖层40的形成，在功能电极21上形成密闭空间A。
接着，如图6的(b)所示，通过磨具等将元件基板10的背面除去(S16)。通过该除去，形成元件基板10的第二主面10b，此外，形成在槽c1的引出布线221a、222a的一部分以及第二树脂部32的一部分露出。
接着，如图6的(c)所示，在露出的第二主面10b延伸设置引出布线221b、222b(S17)。引出布线221b、222b各自形成为与在步骤S13中形成的引出布线221a、222a各自连接。
接着，如图6的(d)所示，在形成了引出布线221b、222b的第二主面10b上涂敷第三树脂材料b3(S18)。树脂材料b3形成为除了形成外部端子51、52的区域以外覆盖引出布线221b、222b，且覆盖第二主面10b。通过涂敷该树脂材料b3并使其固化，从而在元件基板10的第二主面10b的外侧以及第一角部16的外侧形成第三树脂部33。未形成第三树脂部33的区域成为凹状，并露出引出布线221b、222b。
接着，如图7的(a)所示，在未形成第三树脂部33的区域形成外部端子51、52(S19)。外部端子51、52例如为金属凸块。通过该外部端子51、52的形成，引出布线221b与外部端子51连接，引出布线222b与外部端子52连接。
接着，如图7的(b)所示，对具有多个元件基板10的母基板进行切割而进行单片化(S20)。切割时的刀的宽度比步骤S12中的槽c1的宽度小。通过该切割，形成作为弹性波装置1的一部分的元件d1，此外，形成覆盖层40、第二树脂部32以及第三树脂部33各自的侧面。
接着，如图7的(c)所示，将进行了单片化的元件d1安装到安装基板60(S21)。元件d1通过焊料等与安装基板60的连接盘电极61接合。
然后，在安装基板60的一个主面60a涂敷第一树脂材料而使得覆盖元件d1，并使其固化(S22)。通过第一树脂材料的固化，设置第一树脂部31，使得包围元件基板10、功能电极21以及引出布线221、222，进而包围其外侧的覆盖层40、第二树脂部32、第三树脂部33，形成如图1所示的弹性波装置1。
[1-3.效果等]
具有上述结构的弹性波装置1能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a的断线。为了使其容易理解，对比较例中的弹性波装置的结构进行说明。
图14是示出比较例的弹性波装置501的剖视图。比较例的弹性波装置501具备元件基板10、设置在元件基板10的功能电极21以及引出布线221、222、覆盖功能电极21的覆盖层40、与引出布线221连接的外部端子51、以及与引出布线222连接的外部端子52。此外，弹性波装置501具备对覆盖层40进行支承的第二树脂部32和包围元件基板10、引出布线221、222以及覆盖层40的整体的第一树脂部31。
在比较例的弹性波装置501中，侧面10c的引出布线221、222未被第二树脂部32覆盖，第一树脂部31与引出布线221、222相接。因此，在弹性波装置501中，若被施加外力，则这些力经由第一树脂部31传递到侧面10c的引出布线221、222，引出布线221、222容易断线。
相对于此，本实施方式涉及的弹性波装置1具有以下的结构。即，弹性波装置1具备：元件基板10，具有相互背对的第一主面10a以及第二主面10b、和将第一主面10a和第二主面10b相连的侧面，且在至少一部分具有压电性；功能电极21，设置在元件基板10中的第一主面10a；引出布线221a、222a，与功能电极21电连接，设置为从元件基板10中的第一主面10a起到达侧面10c；外部端子51、52，与引出布线221a、222a电连接，直接或间接地设置在元件基板10中的第二主面10b上；第一树脂部31，设置为对弹性波装置1进行密封；以及第二树脂部32，至少设置在设置于侧面10c的引出布线221a、222a与第一树脂部31之间。第二树脂部32的杨氏模量比第一树脂部31小。
像这样，通过在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置第二树脂部32，并使第二树脂部32的杨氏模量比第一树脂部31的杨氏模量小，从而在对弹性波装置1施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
此外，本实施方式涉及的弹性波装置1具备上述的元件基板10、功能电极21、引出布线221a、222a、第一树脂部31、以及设置在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间的第二树脂部32，第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31小。
像这样，通过在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置第二树脂部32，并使第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小，从而在对弹性波装置1施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
此外，通过在第一角部16或第二角部17处在引出布线221、222与第一树脂部31之间设置第二树脂部32，从而在对弹性波装置1施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221、222的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的角部的引出布线221、222断线。
[1-4.实施方式1的变形例1]
图8是示出实施方式1的变形例1涉及的弹性波装置1A的剖视图。在图8示出了安装到安装基板60之前的状态的弹性波装置1A。在弹性波装置1A中，第一树脂部31未设置在安装基板60，仅设置在弹性波装置1A，这一点与在安装基板60设置有第一树脂部31的上述实施方式1不同。这样的第一树脂部31例如能够通过印刷法、浸渍法等形成。
在变形例1的弹性波装置1A中，也在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置有第二树脂部32，第二树脂部32的杨氏模量也比第一树脂部31的杨氏模量小。此外，在弹性波装置1A中，第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小。因此，在对弹性波装置1A施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
[1-5.实施方式1的变形例2]
图9是示出实施方式1的变形例2涉及的弹性波装置1B的剖视图。图9所示的弹性波装置1B的元件基板10仅由压电体层形成，这一点与元件基板10由支承基板12和压电体层11构成的上述实施方式1不同。
在变形例2的弹性波装置1B中，也在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置有第二树脂部32，第二树脂部32的杨氏模量也比第一树脂部31的杨氏模量小。此外，在弹性波装置1B中，第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小。因此，在对弹性波装置1B施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
[1-6.实施方式1的变形例3]
图10是示出实施方式1的变形例3涉及的弹性波装置1C的剖视图。在图10所示的弹性波装置1C中，功能电极21设置在支承基板12与压电体层11之间、以及压电体层11上，这一点与在支承基板12与压电体层11之间不存在功能电极21的上述实施方式1不同。各引出布线221a、222a与作为第一主面10a侧的压电体层11上的功能电极21连接。
在变形例3的弹性波装置1C中，也在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置有第二树脂部32，第二树脂部32的杨氏模量也比第一树脂部31的杨氏模量小。此外，在弹性波装置1C中，第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小。因此，在对弹性波装置1C施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
[1-7.实施方式1的变形例4]
图11是示出实施方式1的变形例4涉及的弹性波装置1D的剖视图。在变形例4的弹性波装置1D中，元件基板10由包含硅材料的支承基板12、设置在支承基板12上的中间层14、以及设置在中间层14上的压电体层11构成，这一点与元件基板10由支承基板12和压电体层11构成的上述实施方式1不同。弹性波装置1D的压电体层11间接地形成在支承基板12上。支承基板12具有作为与元件基板10的第二主面10b相同的面的另一个主面12b、和作为另一个主面12b的相反的面的一个主面12a。
中间层14由高阶模泄漏层13a、高声速膜13b以及低声速膜13c构成。具体地，在支承基板12上层叠有由屏蔽高阶模的泄漏的膜构成的高阶模泄漏层13a，在高阶模泄漏层13a上层叠有声速相对高的高声速膜13b，在高声速膜13b上层叠有声速相对低的低声速膜13c，在低声速膜13c上层叠有压电体层11。另外，也可以在中间层14与支承基板12之间形成有适当的材料。
高阶模泄漏层13a能够由屏蔽高阶模的泄漏的适当的材料形成。作为这样的材料，能够列举氧化硅等。
高声速膜13b具有如下功能，即，将弹性波封闭在层叠有压电体层11以及低声速膜13c的部分，使得弹性波不会泄漏到比高声速膜13b靠下侧。高声速膜13b例如由氮化铝构成。不过，只要能够封闭上述弹性波，就能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这些材料为主成分的介质、以这些材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。欲将弹性波封闭在层叠有压电体层11以及低声速膜13c的部分，高声速膜13b的膜厚越厚越优选，优选为弹性波的波长λ的0.1倍以上，进一步优选为1.5倍以上。
低声速膜13c由氧化硅构成。不过，作为构成低声速膜13c的材料，能够使用具有与在压电体层11传播的体波相比为低声速的体波声速的适当的材料。作为这样的材料，能够使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽，此外，能够使用在氧化硅添加了氟、碳、硼的化合物等以上述材料为主成分的介质。
另外，所谓高声速膜13b，是指高声速膜13b中的体波的声速与在压电体层11传播的表面波、边界波这样的弹性波相比成为高速的膜。此外，所谓低声速膜13c，是指低声速膜13c中的体波的声速与在压电体层11传播的体波相比成为低速的膜。
像这样，通过在压电体层11与支承基板12之间配置高阶模泄漏层13a、高声速膜13b以及低声速膜13c，从而能够提高Q值。
此外，在弹性波装置1D中，在从与第二主面10b垂直的方向观察的情况下，压电体层11以及中间层14的外形比支承基板12小，在剖视的情况下，压电体层11以及中间层14的侧面10d位于比元件基板10的侧面10c靠内侧。例如，通过预先形成为压电体层11以及中间层14的侧面10d位于比元件基板10的侧面10c靠内侧，从而在对母基板进行单片化的工序(参照图7的(b))中使用划片刀进行切割的情况下，能够防止划片刀触碰到压电体层11以及中间层14，能够抑制压电体层11以及中间层14的破裂、界面剥离。
各引出布线221a、222a从第一主面10a侧起沿着压电体层11以及中间层14的侧面10d、支承基板12的一个主面12a形成，到达侧面10c侧。
在变形例4的弹性波装置1D中，也在引出布线221a、222a与第一树脂部31之间设置有第二树脂部32，第二树脂部32的杨氏模量也比第一树脂部31的杨氏模量小。此外，在弹性波装置1D中，第二树脂部32的填料的含有率比第一树脂部31的填料的含有率小。因此，在对弹性波装置1D施加了外力的情况下，能够缓解施加于引出布线221a、222a的力。由此，能够抑制设置在元件基板10的侧面10c的引出布线221a、222a断线。
此外，在弹性波装置1D中，在元件基板10的侧面10c以及支承基板12的一个主面12a形成有第四树脂部34。即，在元件基板10的侧面10c以及支承基板12的一个主面12a与引出布线221a、222a之间设置有第四树脂部34。例如，在元件基板10的侧面10c与引出布线221a、222a相接的情况下，容易在支承基板12内流过漏电流。相对于此，像弹性波装置1D那样，通过在元件基板10的侧面10c与引出布线221a、222a之间设置第四树脂部34，从而能够抑制在支承基板12内流过漏电流。
另外，在本实施方式中，元件基板10也可以具有以下的层叠构造。
元件基板10由支承基板12、设置在支承基板12上的中间层14、以及设置在中间层14上的压电体层11构成。压电体层11间接地形成在支承基板12上。
支承基板12具有相互对置的一个主面12a以及另一个主面12b。支承基板12由传播的体波声速与在压电体层11传播的弹性波声速相比成为高速的材料形成。作为支承基板12的材料，例如，可列举Si等半导体、蓝宝石、LiTaO3(以下，称为“LT”)、LiNbO3(以下，称为“LN”)、玻璃等。这些材料可以单独使用，也可以并用多种。
中间层14设置在支承基板12的一个主面12a上。此外，中间层14位于压电体层11的正下方，与压电体层11相接。通过中间层14与压电体层11相接，从而能够防止在压电体层11传播的弹性波的能量在厚度方向上泄漏。
中间层14由传播的体波声速与在压电体层11传播的弹性波声速相比成为低速的材料形成。中间层14例如由多晶、非晶体或单轴定向的膜形成，具有晶体粒子G1以及晶界G2。
具体地，中间层14由SiO2层形成。不过，作为形成中间层14的材料，除了SiO2以外，还能够使用氮化硅、氮化铝等。它们可以单独使用，也可以并用多种。此外，从提高与支承基板12的密接性的观点出发，作为构成中间层14的材料，优选使用SiO2。
压电体层11设置在中间层14上。压电体层11为薄膜状，在将弹性波的波长设为λ的情况下，压电体层11的厚度例如优选为3.5λ以下的厚度。在该情况下，能够进一步激励弹性波。压电体层11由LT构成。不过，作为构成压电体层11的材料，也可以使用LN等其它压电单晶，还可以使用压电陶瓷。
[1-8.实施方式1的变形例5]
图12是示出实施方式1的变形例5涉及的弹性波装置1E的剖视图。在变形例5的弹性波装置1E中，在支承基板12的一个主面12a、另一个主面12b以及侧面12c与各引出布线221、222之间设置有绝缘层45，这一点与未设置绝缘层45的上述实施方式1不同。
弹性波装置1E的元件基板10由包含硅材料的支承基板12、设置在支承基板12上的中间层14、以及设置在中间层14上的压电体层11构成。
在弹性波装置1E中，在从与第一主面10a垂直的方向观察的情况下，压电体层11以及中间层14的外形比支承基板12小，在剖视的情况下，压电体层11以及中间层14的侧面10d位于比元件基板10的侧面10c靠内侧。例如，通过预先形成为压电体层11以及中间层14的侧面10d位于比元件基板10的侧面10c靠内侧，从而在对母基板进行单片化的工序(参照图7的(b))中使用划片刀进行切割的情况下，能够防止划片刀触碰到压电体层11以及中间层14，能够抑制压电体层11以及中间层14的破裂、界面剥离。
上述构造的元件基板10的剖面具有凸状的形状。具体地，元件基板10具有第一主面10a、第二主面10b、侧面10c以及侧面10d。侧面10c是与第二主面10b相交的面，与第二主面10b连接。侧面10d是与第一主面10a相交的面，与第一主面10a连接。在此所说的元件基板10的侧面10d与前述的压电体层11以及中间层14的侧面10d相同。此外，构成元件基板10的支承基板12具有一个主面12a、另一个主面12b以及侧面12c。支承基板12的另一个主面12b是与第二主面10b相同的面，支承基板12的侧面12c是与侧面10c相同的面。支承基板12的一个主面12a与侧面10d以及侧面10c的双方相交，一个主面12a的一部分将侧面10d以及侧面10c相连。另外，侧面10c、12c也可以相对于第一主面10a或第二主面10b倾斜地设置。第一主面10a、第二主面10b以及一个主面12a也可以不平行。
此外，元件基板10具有作为第二主面10b与侧面10c相交的部分的第一角部16，具有作为第一主面10a与侧面10d相交的部分的第二角部17，具有作为一个主面12a与侧面10c相交的部分的第三角部18。
各引出布线221a、222a沿着压电体层11的侧面10d、以及将压电体层11的侧面10d和元件基板10的侧面10c相连的路径设置。更具体地，各引出布线221a、222a从第一主面10a起沿着第二角部17、侧面10d、一个主面12a、第三角部18以及侧面10c设置为阶梯状。另外，引出布线221a、222a在支承基板12的一个主面12a上沿着未设置压电体层11以及中间层14的面设置。此外，引出布线221b、222b各自与设置在侧面10c的引出布线221a、222a各自的端部连接，并沿着第一角部16以及第二主面10b设置。但是，本实施方式中的引出布线221a、221b以及222a、222b与支承基板12不相接。
在本实施方式的弹性波装置1E中，在支承基板12的一个主面12a、另一个主面12b以及侧面12c形成有绝缘层45。具体地，在支承基板12的一个主面12a与引出布线221a、222a之间、以及侧面12c与引出布线221a、222a之间设置有绝缘层45。此外，在支承基板12的另一个主面12b与引出布线221b、222b之间设置有绝缘层45。绝缘层45例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)等材料形成。绝缘层45也可以设置在一个主面12a、另一个主面12b以及侧面12c各自的整个面。
像这样，通过在引出布线221、222与包含硅材料的支承基板12之间设置绝缘层45，从而成为引出布线221、222与支承基板12不相接的构造。例如，在支承基板12与引出布线221、222相接的情况下，容易在包含硅材料的支承基板12内流过漏电流。相对于此，像弹性波装置1E那样，通过在支承基板12与引出布线221、222之间设置绝缘层45，从而能够抑制在包含硅材料的支承基板12内流过漏电流，能够抑制弹性波装置1E的特性劣化。
本实施方式涉及的弹性波装置1E具备：元件基板10，具有第一主面10a、与第一主面10a背对的第二主面10b、以及将第一主面10a和第二主面10b相连的侧面10c，且在至少一部分包含硅材料；功能电极21，设置在元件基板10中的第一主面10a；引出布线221、222，与功能电极21电连接，设置为从第一主面10a起到达侧面10c；以及绝缘层45，在侧面10c的外侧设置在元件基板10与引出布线221、222之间。像这样，通过在元件基板10的侧面10c与引出布线221、222之间设置绝缘层45，从而能够抑制在包含硅材料的元件基板10内流过漏电流。
此外，引出布线221、222进一步设置为从侧面10c起到达第二主面10b，绝缘层45在第二主面10b的外侧设置在元件基板10与各引出布线221、222之间。像这样，通过在元件基板10的第二主面10b与引出布线221、222之间设置绝缘层45，从而能够抑制在包含硅材料的元件基板10内流过漏电流。
此外，元件基板10具有：支承基板12，具有作为与第二主面10b相同的面的另一个主面12b和与另一个主面12b背对的一个主面12a，包含硅材料；以及压电体层11，位于支承基板12的一个主面12a上，压电体层11的侧面10d位于比元件基板10的侧面10c靠内侧，引出布线221、222进一步沿着压电体层11的侧面10d、以及作为将压电体层11的侧面10d和元件基板10的侧面10c相连的路径的、至少支承基板12的一个主面12a的一部分形成，绝缘层45在一个主面12a的外侧设置在支承基板12与引出布线221、222之间。像这样，通过在支承基板12的一个主面12a与各引出布线221、222之间设置绝缘层45，从而能够抑制在包含硅材料的支承基板12内流过漏电流。
另外，在本实施方式中，中间层14具有以下的层叠构造。
中间层14由高阶模泄漏层13a、高声速膜13b以及低声速膜13c构成。具体地，在支承基板12上层叠有由屏蔽高阶模的泄漏的膜构成的高阶模泄漏层13a，在高阶模泄漏层13a上层叠有声速相对高的高声速膜13b，在高声速膜13b上层叠有声速相对低的低声速膜13c，在低声速膜13c上层叠有压电体层11。另外，也可以在中间层14与支承基板12之间形成有适当的材料。
高阶模泄漏层13a能够由屏蔽高阶模的泄漏的适当的材料形成。作为这样的材料，能够列举氧化硅等。
高声速膜13b具有如下功能，即，将弹性波封闭在层叠有压电体层11以及低声速膜13c的部分，使得弹性波不会泄漏到比高声速膜13b靠下侧。高声速膜13b例如由氮化铝构成。不过，只要能够封闭上述弹性波，就能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以这些材料为主成分的介质、以这些材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。欲将弹性波封闭在层叠有压电体层11以及低声速膜13c的部分，高声速膜13b的膜厚越厚越优选，优选为弹性波的波长λ的0.1倍以上，进一步优选为1.5倍以上。
低声速膜13c由氧化硅构成。不过，作为构成低声速膜13c的材料，能够使用具有与在压电体层11传播的体波相比为低声速的体波声速的适当的材料。作为这样的材料，能够使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽，此外，能够使用在氧化硅添加了氟、碳、硼的化合物等以上述材料为主成分的介质。
另外，所谓高声速膜13b，是指高声速膜13b中的体波的声速与在压电体层11传播的表面波、边界波这样的弹性波相比成为高速的膜。此外，所谓低声速膜13c，是指低声速膜13c中的体波的声速与在压电体层11传播的体波相比成为低速的膜。
像这样，通过在压电体层11与支承基板12之间配置高阶模泄漏层13a、高声速膜13b以及低声速膜13c，从而能够提高Q值。
[1-9.实施方式1的其它变形例]
对其它变形例进行说明。例如，虽然在实施方式1中，由压电体层11和支承基板12构成了元件基板10，但是并不限于此，也可以将元件基板10作为一体物而由例如压电陶瓷材料形成。
此外，在实施方式1中，元件基板10的第一主面10a上的电极构造没有特别限定，功能电极21也可以不具有反射器。功能电极21只要至少具有激励弹性波的电极构造即可。
(实施方式2)
接着，对实施方式2涉及的前端电路108以及通信装置109进行说明。图13是示出实施方式2涉及的前端电路108以及通信装置109的电路结构图。
在该前端电路108以及通信装置109中，在第一滤波器111以及第二滤波器112包含实施方式1涉及的弹性波装置1。
在图13所示的前端电路108以及通信装置109中，为了将输入的信号放大，在第一端子116与RFIC104之间、以及第二端子117与RFIC104之间分别设置有LNA(Low NoiseAmplifier，低噪声放大器)103。此外，为了切换与天线元件102的连接状态，在第一滤波器111与天线公共端子115之间、以及第二滤波器112与天线公共端子115之间设置有多端口开关105。多端口开关105是能够同时进行导通/断开的开关，能够在第一滤波器111与天线公共端子115连接时，即，在第一滤波器111进行信号处理的情况下，使得第二滤波器112也与天线公共端子115连接。
在具有这样的电路结构的前端电路108以及通信装置109中，也与实施方式1同样地，能够在弹性波装置的元件基板的侧面抑制引出布线断线。
此外，虽然在上述实施方式2中，将第一滤波器111设为接收滤波器，但是并不限于此，也可以将包含弹性波装置1的第一滤波器111设为发送滤波器。例如，通过将位于作为发送滤波器的第一滤波器111与RFIC104之间的LNA103置换为PA(Power Amplifier，功率放大器)，从而能够构成能够进行收发的通信装置109。
此外，构成前端电路108以及通信装置109的各滤波器并不限于声表面波滤波器，也可以是声边界波滤波器。由此，也可达到与上述实施方式涉及的弹性波装置1等具有的效果同样的效果。
(其它方式)
以上，基于实施方式以及变形例对本发明涉及的弹性波装置1～1E、前端电路108以及通信装置109进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式以及变形例。将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的弹性波装置的各种设备也包含于本发明。
产业上的可利用性
本发明的弹性波装置可广泛用于各种各样的电子设备、通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C、1D、1E：弹性波装置；
10：元件基板；
10a：第一主面；
10b：第二主面；
10c、10d：侧面；
11：压电体层；
12：支承基板；
12a：一个主面；
12b：另一个主面；
12c：侧面；
14：中间层；
16：第一角部；
17：第二角部；
18：第三角部；
21：功能电极；
221、221a、221b、222、222a、222b：引出布线；
31：第一树脂部；
32：第二树脂部；
33：第三树脂部；
34：第四树脂部；
40：覆盖层；
45：绝缘层；
51、52：外部端子；
60：安装基板；
60a：一个主面；
61：连接盘电极；
65：安装部件；
102：天线元件；
103：LNA；
104：RFIC；
105：开关；
108：前端电路；
109：通信装置；
111、112：滤波器；
115、116、117：端子；
A：密闭空间；
i1～i7：弹性波谐振器；
b2、b3：树脂材料；
c1：槽；
d1：元件。

Claims (12)

1.一种弹性波装置，具备：
元件基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面、和将所述第一主面和所述第二主面相连的侧面，且在至少一部分具有压电性；
功能电极，设置在所述元件基板中的所述第一主面；
引出布线，与所述功能电极电连接，设置为从所述元件基板中的所述第一主面起到达所述侧面；
外部端子，与所述引出布线电连接，直接或间接地设置在所述元件基板中的所述第二主面上；
第一树脂部，设置为对弹性波装置进行密封；以及
第二树脂部，至少设置在设置于所述侧面的所述引出布线与所述第一树脂部之间，
所述第二树脂部的杨氏模量比所述第一树脂部小。
2.一种弹性波装置，具备：
元件基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面、和将所述第一主面和所述第二主面相连的侧面，且在至少一部分具有压电性；
功能电极，设置在所述元件基板中的所述第一主面；
引出布线，与所述功能电极电连接，设置为从所述元件基板中的所述第一主面起到达所述侧面；
外部端子，与所述引出布线电连接，直接或间接地设置在所述元件基板中的所述第二主面上；
第一树脂部，设置为对弹性波装置进行密封；以及
第二树脂部，至少设置在设置于所述侧面的所述引出布线与所述第一树脂部之间，
所述第二树脂部的填料的含有率比所述第一树脂部小。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备第三树脂部，
所述元件基板具有作为所述第二主面与所述侧面相交的部分的第一角部，
所述引出布线还设置为从所述侧面起到达所述第一角部以及所述第二主面，
所述第三树脂部至少设置在设置于所述第一角部的所述引出布线与所述第一树脂部之间，且杨氏模量比所述第一树脂部小。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备覆盖层，
所述功能电极为IDT电极，
所述第二树脂部还在沿着所述第一主面的方向上设置在所述IDT电极的周围，
所述覆盖层在与所述第一主面垂直的方向上设置在所述第二树脂部上，使得覆盖所述IDT电极。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备绝缘层，
所述元件基板至少具有：支承基板，包含硅材料；以及压电体层，直接或间接地形成在所述支承基板上，
所述绝缘层设置在所述引出布线与所述支承基板之间。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述元件基板至少具有：支承基板；以及压电体层，直接或间接地形成在所述支承基板上，
在从与所述第一主面垂直的方向对所述元件基板进行了剖视的情况下，所述压电体层的侧面位于比所述元件基板的所述侧面靠内侧，
所述引出布线设置为从所述第二主面起到达所述压电体层的侧面以及所述元件基板的侧面。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述元件基板具有：支承基板；以及压电体层，直接形成在所述支承基板上，
所述功能电极设置在所述压电体层上，
所述支承基板传播的体波声速与在所述压电体层传播的弹性波声速相比为高速。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述元件基板具有：支承基板；压电体层，间接地形成在所述支承基板上；以及中间层，设置在所述支承基板与所述压电体层之间，
所述功能电极设置在所述压电体层上，
所述中间层传播的体波声速与在所述压电体层传播的弹性波声速相比为低速，
所述支承基板传播的体波声速与在所述压电体层传播的弹性波声速相比为高速。
9.根据权利要求1～6中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述元件基板具有：支承基板；压电体层，间接地形成在所述支承基板上；以及中间层，设置在所述支承基板与所述压电体层之间，
所述功能电极设置在所述压电体层上，
所述中间层具有：低声速膜，传播的体波声速与在所述压电体层传播的弹性波声速相比为低速；以及高声速膜，传播的体波声速与在所述压电体层传播的弹性波声速相比为高速，
所述低声速膜设置在所述压电体层与所述支承基板之间，
所述高声速膜设置在所述低声速膜与所述支承基板之间。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的弹性波装置，其中，
所述元件基板经由所述外部端子与安装基板的一个主面接合，
所述第一树脂部还覆盖所述安装基板的一个主面。
11.一种前端电路，具备权利要求1～10中的任一项所述的弹性波装置。
12.一种通信装置，具备：
权利要求11所述的前端电路；以及
信号处理电路，对高频信号进行处理。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417374B (zh) * 2016-07-01 2022-07-22 株式会社村田制作所 弹性波装置以及电子部件
JPWO2018105201A1 (ja) * 2016-12-08 2019-08-08 株式会社村田製作所 複合部品及びその実装構造
WO2021079910A1 (ja) * 2019-10-24 2021-04-29 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134370A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品パッケージ
CN104145426A (zh) * 2012-08-01 2014-11-12 株式会社村田制作所 电子元器件及电子元器件模块
WO2016208287A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4645233B2 (ja) * 2005-03-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 弾性表面波装置
WO2013128823A1 (ja) * 2012-02-28 2013-09-06 パナソニック株式会社 弾性波装置およびその製造方法
JP2013247593A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Murata Mfg Co Ltd 圧電薄膜共振子
WO2014034326A1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6393092B2 (ja) 2013-08-07 2018-09-19 日東電工株式会社 中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法
CN107078714B (zh) 2014-10-17 2021-04-20 株式会社村田制作所 压电器件、压电器件的制造方法
WO2017013968A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 株式会社村田製作所 弾性波装置
CN110771037B (zh) * 2017-06-23 2023-09-12 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置
JP7057690B2 (ja) * 2018-03-19 2022-04-20 株式会社村田製作所 弾性波装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134370A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品パッケージ
CN104145426A (zh) * 2012-08-01 2014-11-12 株式会社村田制作所 电子元器件及电子元器件模块
WO2016208287A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置

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