CN110739910B - 电路装置、振荡器、电子设备和移动体 - Google Patents

电路装置、振荡器、电子设备和移动体 Download PDF

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Abstract

电路装置、振荡器、电子设备和移动体。在待机模式下使上电复位电路的动作停止，从而减少待机模式下的电路装置的消耗电流。电路装置具有输出时钟信号的第1模式和不输出时钟信号的第2模式。电路装置包含：振荡电路；非易失性存储器，其存储振荡电路的特性调整数据；复位电路，其生成复位信号；以及存储电路，其在复位信号从有效成为无效时，从非易失性存储器加载特性调整数据。复位电路在从第2模式转移到第1模式时，使复位信号从有效成为无效。

Description

电路装置、振荡器、电子设备和移动体
技术领域
本发明涉及电路装置、振荡器、电子设备和移动体等。
背景技术
已知有在对电路装置接通电源时对电路装置进行复位解除的上电复位电路。此外，已知有在解除了电路装置的复位时通过将电路装置的设定数据从非易失性存储器加载到寄存器来对电路装置进行初始化的方法。此外，已知有通过根据从端子等输入的激活信号将电路装置设定为待机模式来减少电路装置的消耗电流的方法。
例如，在专利文献1中公开了使振荡装置从待机模式恢复的技术。在专利文献1中，振荡装置包含：振荡器芯；电容加载单元，其与振荡器芯连接；以及存储器装置。存储器装置包含第1存储器单元和第2存储器单元，该存储器装置与电容加载单元连接。第1存储器单元在振荡装置的启动期间内，存储供给到电容加载单元以控制静电电容值的第1值。第2存储器单元在振荡装置的动作期间内，存储供给到电容加载单元以控制静电电容值的第2值。由此，启动控制是灵活的，减少频繁地将振荡器切换到等待模式的复杂度。
专利文献1：日本特表2009-517905号公报
由于在待机模式下停止电路装置的动作，所以，能够减少消耗电流。但是，存在如下课题：当在待机模式下使上电复位电路的动作停止时，在产生了瞬间停止等的异常的情况下，电路装置不会进行复位。瞬间停止是供给到电路装置的电源电压临时下降的现象。在待机模式下产生了瞬间停止的情况下，寄存器所存储的设定数据可能损坏，但由于电路装置不会进行复位，所以，不会从非易失性存储器重新加载设定数据。因此，在从待机模式恢复时，可能根据不适当的设定数据重新开始电路装置的动作。
为了在待机模式下减少消耗电流，优选使上电复位电路的动作停止，但由于上述原因，不能使上电复位电路的动作停止。
发明内容
本发明的一个方式涉及一种电路装置，其具有输出时钟信号的第1模式和不输出时钟信号的第2模式，该电路装置包含：振荡电路，其生成所述时钟信号；非易失性存储器，其存储所述振荡电路的特性调整数据；复位电路，其生成复位信号；以及存储电路，其在所述复位信号从有效成为无效时，从所述非易失性存储器加载所述特性调整数据，所述复位电路在所述电路装置从所述第2模式转移到所述第1模式时，使所述复位信号从有效成为无效。
附图说明
图1是用于说明电源接通时的动作的复位电路的电路图。
图2是说明电源接通时的复位电路的动作的波形图。
图3是本实施方式中的电路装置的结构例。
图4是本实施方式中的复位电路的详细结构例。
图5是说明本实施方式中的复位电路的动作的波形图。
图6是振荡器的结构例。
图7是温度补偿电路的详细结构例。
图8是电子设备的结构例。
图9是移动体的例子。
标号说明
10：振荡电路；40：非易失性存储器；60：存储电路；70：复位电路；71：电压生成电路；72：基准电压生成电路；73：比较器；80：复位电路；81：电压生成电路；82：基准电压生成电路；83：比较器；100：电路装置；120：输出缓冲电路；130：控制电路；150：温度补偿电路；151：温度传感器；152：0次成分产生电路；153：1次成分产生电路；154：3次成分产生电路；155：1次成分增益调整电路；156：3次成分增益调整电路；157：加法电路；160：寄存器；206：汽车；207：车体；208：控制装置；209：车轮；300：电子设备；400：振荡器；510：通信部；520：处理部；530：操作部；540：显示部；550：存储部；CB：电容器；EN：控制信号；LB1：第1信号线；LB2：第2信号线；SQ：时钟信号；T2：控制端子；TVCNT：控制端子；VDETB：第1电压；VRB：基准电压；XPORB：复位信号；XTAL：振子。
具体实施方式
下面，详细说明本发明的优选实施方式。另外，以下说明的本实施方式并非对权利要求书中记载的本发明的内容进行不当限定，在本实施方式中说明的所有结构作为本发明的解决手段不是必需的。
1.电路装置
首先，说明在电路装置接通电源时对电路装置进行复位解除的复位电路的动作。图1是复位电路80的电路图。图2是说明复位电路80的动作的波形图。
如图1所示，复位电路80包含：电压生成电路81，其生成电压VDETA；基准电压生成电路82，其生成基准电压VRA；以及比较器83，其对电压VDETA与基准电压VRA进行比较。电压生成电路81包含晶体管TPA1和电阻RA1、RA2。基准电压生成电路82包含晶体管TPA2、TPA3、电流源IBA、双极型晶体管BPA和电阻RA3。晶体管TPA1～TPA3是P型晶体管。
晶体管TPA2、TPA3和电流源IBA构成电流镜电路。如图2所示，当供给到复位电路80的电源电压VDD上升时，流过晶体管TPA3的镜电流逐渐增加，基准电压VRA上升。基准电压VRA上升至由双极型晶体管BPA的基极-发射极间电压和电阻RA3的电压降决定的电压。
对晶体管TPA1的栅极输入基准电压VRA。设晶体管TPA1的阈值电压为Vthp。当电源电压VDD达到VRA+Vthp时，晶体管TPA1导通，电压VDETA开始上升。电压VDETA是电阻RA1、RA2对电源电压VDD进行分割后的电压。在电压VDETA超过基准电压VRA时，比较器83的输出信号从低电平转变为高电平。该输出信号为复位信号XPORA。复位信号XPORA是包含复位电路80的电路装置的复位信号。即，在复位信号XPORA为低电平时，电路装置成为复位状态，在复位信号XPORA为高电平时，电路装置成为复位解除状态。复位状态是电路装置的非动作状态。复位解除状态是解除复位状态后的状态、即电路装置的动作状态。
如利用图3在后面所述，本实施方式的电路装置根据控制信号EN对通常动作模式与待机模式进行切换。也将控制信号EN称作激活信号。在待机模式下将振荡电路10等模拟电路设定为禁用状态，由此，能够减少待机模式下的消耗电流。假设将复位电路80应用于这样的电路装置。复位电路80不被控制信号EN控制，因此，即使在待机模式下，复位电路80的动作也成为激活。因此，即使在待机模式下，复位电路80也流过消耗电流，所以，待机模式下的消耗电流相应地增加。
另一方面，假设将复位电路80构成为在待机模式下能够将复位电路80设定为禁用状态。但是，在待机模式下，存储电路60所存储的设定数据可能改写为不准确的数据。例如，假想由于瞬间停止或者噪声等而使得设定数据改写为不准确的数据。振荡电路10根据存储电路60所存储的设定数据进行动作，因此，在从待机模式恢复时，振荡电路10可能根据不准确的设定数据进行动作。
图3是本实施方式的电路装置100的结构例。电路装置100包含非易失性存储器40、存储电路60、振荡电路10、复位电路70和端子T1、T2。电路装置100是通过振荡电路10生成时钟信号的电路装置。电路装置100例如是集成电路装置。在电路装置100为集成电路装置的情况下，端子T1、T2是形成在半导体基板上的焊盘或者容纳半导体基板的封装的端子。
非易失性存储器40是非易失性的存储装置，是即使不被供给电源也能够保持并存储数据的装置。非易失性存储器40包含存储器单元阵列、驱动器电路和读写电路等。在存储器单元阵列中配置多个存储器单元、多个字线、多个位线、多个源极线等。驱动器电路进行字线的选择等而进行字线、源极线的驱动。读写电路与位线连接，进行数据的读出或写入。
作为非易失性存储器40，例如存在EEPROM(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory)或闪存等。EEPROM例如可以通过浮栅型的存储器单元等实现。闪存例如可以通过MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)的存储器单元等实现。或者，非易失性存储器40也可以是使用熔丝单元的存储器。在该类型的存储器中，作为存储器单元的熔丝单元包含电阻元件、以及与电阻元件串联连接的选择器元件。选择器元件例如为PN结的二极管。但是，选择器元件也可以为MOS的晶体管。例如，电阻元件的一端与位线连接，电阻元件的另一端与二极管的阴极连接。二极管的阴极与字线连接。作为熔丝元件发挥功能的电阻元件为电阻值可变的可编程电阻。例如，电阻元件具有电阻值较高的多晶电阻、以及形成于多晶电阻的上层且电阻值较低的硅化物。而且，通过在硅化物中流过大电流而对硅化物进行熔断，通过使电阻元件的电阻值从较低的电阻值变化到较高的电阻值，使作为存储器单元的电熔丝单元存储数据。
存储电路60是易失性的存储电路，是在被供给电源时能够保持并存储数据的电路。存储电路60例如是寄存器。或者，存储电路60也可以是SRAM(Static Random AccessMemory)或者DRAM(Dynamic Random Access Memory)等易失性存储器。在存储电路60为寄存器的情况下，存储电路60包含：多个锁存电路，它们存储数据；以及地址解码器，其通过对地址进行解码，选择访问对象的锁存电路。在存储电路60为易失性存储器的情况下，存储电路60包含多个字线、多个位线和多个存储器单元。此外，存储电路60也可以包含：字线选择电路，其选择字线；读出电路，其读出来自存储器单元的数据；以及写入电路，其进行对存储器单元的数据的写入控制。
振荡电路10是生成振荡信号的电路。例如是通过使振子振荡来生成振荡信号的电路。振荡电路10是SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator)中的振荡电路、或者TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)中的振荡电路等。在振荡电路10为TCXO中的振荡电路的情况下，振荡电路10为VCO。在该情况下，电路装置100包含温度补偿电路，温度补偿电路生成VCO的控制电压，由此，对振荡频率的温度特性进行补偿。
复位电路70是上电复位电路。即，复位电路70在电路装置100接通了电源时，对电路装置100进行复位。具体而言，复位电路70在输入到端子T1的电源电压VDD超过规定电压时，使复位信号XPORB从有效转变为无效。在复位信号XPORB为有效时，电路装置100设定为复位状态，在复位信号XPORB为无效时，电路装置100设定为复位解除状态。另外，也将有效称作第1逻辑电平、无效称作第2逻辑电平。
对控制端子T2输入控制信号EN。控制信号EN是在对电路装置100供给了电源的状态下对电路装置100的通常动作模式与待机模式进行切换的信号。在控制信号EN为有效时，电路装置100设定为通常动作模式，在控制信号EN为无效时，电路装置100设定为待机模式。待机模式是在对端子T1供给电源电压VDD的状态下停止电路装置100的动作的状态。具体而言，在待机模式下，振荡电路10和复位电路70设定为禁用状态。禁用状态是减少了电路的消耗电流的状态。具体而言，禁用状态是通过切断从电源线到电路的电流供给而使电路的动作停止的状态。另外，无需在禁用状态下完全地切断对电路的电流供给，与通常动作模式下的电路的消耗电流相比，减少禁用状态下的电路的消耗电流即可。
以下，说明电路装置100的动作。非易失性存储器40存储有振荡电路10的特性调整数据作为设定数据。例如，在制造电路装置100时或者制造包含电路装置100的电子设备时等，在非易失性存储器40中写入特性调整数据。当电路装置100接通电源时，复位电路70使复位信号XPORB从有效转变为无效。这时，从非易失性存储器40读出特性调整数据，该特性调整数据存储到存储电路60中。振荡电路10根据存储电路60所存储的特性调整数据进行动作。
特性调整数据是用于调整振荡电路10的特性的数据。例如，在振荡电路10为TCXO中的振荡电路的情况下，特性调整数据是温度补偿电路中的补偿函数的参数。通过设定补偿函数的参数，调整振荡电路10的振荡频率的温度特性。该参数作为温度补偿数据存储到非易失性存储器40中。或者，特性调整数据也可以是设定振荡电路10输出的时钟信号的频率的数据。振荡电路10也可以包含对振荡信号进行分频的分频电路或者对振荡信号进行倍增的PLL电路等。特性调整数据还可以是设定分频电路的分频比或者PLL电路的倍频率的数据。
如上所述，复位电路70在待机模式下被设定为禁用状态。这时，复位电路70输出有效的复位信号XPORB，电路装置100成为复位状态。在从待机模式转变为通常动作模式时，复位电路70使复位信号XPORB从有效成为无效。由此，电路装置100从复位状态转变为复位解除状态。
根据本实施方式，在从待机模式转变为通常动作模式时，复位电路70使复位信号XPORB从有效成为无效。由此，从非易失性存储器40向存储电路60重新加载特性调整数据，所以，在从待机模式恢复时，振荡电路10能够根据准确的特性调整数据进行动作。即，在待机模式下，即使由于瞬间停止等的异常使存储电路60的存储内容损坏，在从待机模式恢复时也将准确的特性调整数据重新加载到存储电路60。
此外，通过设置这样的重新加载功能，能够在待机模式下使复位电路70成为禁用状态。由此，在待机模式下减少振荡电路10和复位电路70的消耗电流，能够减少待机模式下的消耗电流。
另外，以上说明了根据从控制端子T2输入的控制信号EN对通常动作模式和待机模式进行切换的情况，但本发明的应用对象不限于此。广义而言，通常动作模式也可以是电路装置100输出时钟信号的第1模式。此外，广义而言，待机模式也可以是在对电路装置100供给了电源的状态下，电路装置100不输出时钟信号的第2模式。此外，对第1模式与第2模式进行切换的信号不限于从电路装置100的外部输入的信号，也可以是在电路装置100的内部生成的信号。
2.复位电路
图4是复位电路70的详细结构例。复位电路70包含：电压生成电路71，其生成第1电压VDETB；基准电压生成电路72，其生成基准电压VRB；比较器73，其对第1电压VDETB与基准电压VRB进行比较；电容器CB；第1信号线LB1；以及第2信号线LB2。
电压生成电路71包含晶体管TPB1、TPB4和电阻RB1、RB2。晶体管TPB1、TPB4是P型晶体管。
晶体管TPB4的源极与电源电压VDD的节点连接，晶体管TPB4的漏极与晶体管TPB1的源极连接。对晶体管TPB4的栅极输入作为控制信号EN的逻辑反转信号的信号XEN。晶体管TPB1的漏极与电阻RB1的一端连接。对晶体管TPB1的栅极输入基准电压VRB。电阻RB1的另一端与电阻RB2的一端连接，该电阻RB1的另一端成为电压生成电路71的输出节点。电阻RB2的另一端与接地电压VSS的节点连接。
另外，VDD广义上是高电位侧电源电压，VSS广义上是低电位侧电源电压。即，VDD是高于VSS的电压即可，VSS不限于接地电压。
基准电压生成电路72包含晶体管TPB2、TPB3、TPB5、TNB、电流源IBB、双极型晶体管BPB和电阻RB3。晶体管TPB2、TPB3、TPB5是P型晶体管，晶体管TNB是N型晶体管。
晶体管TPB2和晶体管TPB3构成电流镜电路。具体而言，电流源IBB使电流流过晶体管TPB2，该电流被镜像到晶体管TPB3。晶体管TPB5的源极与电源电压VDD的节点连接，晶体管TPB5的漏极与晶体管TPB2、TPB3的栅极连接。晶体管TNB的漏极与电流源IBB连接，晶体管TNB的源极与接地电压VSS的节点连接。对晶体管TNB的栅极输入控制信号EN。双极型晶体管BPB的发射极与晶体管TPB3的漏极连接，与发射极连接的节点成为基准电压生成电路72的输出节点。双极型晶体管BPB的基极与双极型晶体管BPB的集电极以及电阻RB3的一端连接。电阻RB3的另一端与接地电压VSS的节点连接。
电容器CB的一端与第1信号线LB1连接，电容器CB的另一端与接地电压VSS的节点连接。
另外，本实施方式中的连接为电连接。电连接是以能够传递电信号的方式连接，是能够进行基于电信号的信息传递的连接。电连接也可以是经由信号线、有源元件等的连接。
第1信号线LB1将电压生成电路71的输出节点与比较器73的第1输入节点连接。第1输入节点例如是同相输入节点。第2信号线LB2将基准电压生成电路72的输出节点与比较器73的第2输入节点连接。第2输入节点例如是反相输入节点。
比较器73对输入到第1输入节点的第1电压VDETB与输入到第2输入节点的基准电压VRB进行比较。在VDETB<VRB时，比较器73输出有效的复位信号XPORB，在VDETB>VRB时，比较器73输出无效的复位信号XPORB。比较器73在控制信号EN为有效时，设定为激活状态，在控制信号EN为无效时，设定为禁用状态。比较器73包含用于切断从电源电压VDD的节点到接地电压VSS的节点的电流路径的开关。在禁用状态下，该开关断开，由此，在比较器73内切断从电源电压VDD的节点向接地电压VSS的节点流过的电流。由此，在禁用状态下停止比较器73的动作。
图5是说明复位电路70的动作的波形图。假设在电源接通时，控制信号EN为有效，且为与电源电压VDD相同的信号电平。即，控制信号EN的信号电平与电源电压VDD的上升一起上升。
当供给到复位电路70的电源电压VDD上升时，流过晶体管TPB3的镜电流逐渐增加，基准电压VRB上升。基准电压VRB上升至由双极型晶体管BPB的基极-发射极间电压和电阻RB3的电压降决定的电压。
对晶体管TPB1的栅极输入基准电压VRB。设晶体管TPB1的阈值电压为Vthp。当电源电压VDD达到VRB+Vthp时，晶体管TPB1导通，第1电压VDETB开始上升。第1电压VDETB是电阻RB1、RB2对电源电压VDD进行分割后的电压。在第1电压VDETB超过基准电压VRB时，比较器73的输出信号从低电平转变为高电平。该输出信号是复位信号XPORB。另外，关于图5的复位信号XPORB，低电平对应于有效，高电平对应于无效。
当控制信号EN从高电平变为低电平时，晶体管TPB4截止，第1电压VDETB成为接地电压VSS。此外，晶体管TPB5导通，晶体管TNB截止。由此，晶体管TPB2、TPB3截止，因此，基准电压VRB成为接地电压VSS。另外，关于图5的控制信号EN，高电平对应于有效，低电平对应于无效。在控制信号EN为低电平时，比较器73是禁用状态，比较器73输出高电平的复位信号XPORB。即，在控制信号EN为无效时，电路装置100是复位解除状态，并且，图3的振荡电路10和复位电路70成为禁用状态。该状态是待机模式下的状态。
当控制信号EN从低电平成为高电平时，晶体管TPB5截止，晶体管TNB导通。由此，由晶体管TPB2、TPB3构成的电流镜电路进行动作，因此，基准电压VRB上升。即，基准电压VRB成为由双极型晶体管BPB的基极-发射极间电压和电阻RB3的电压降决定的电压。此外，晶体管TPB4导通，因此，电流流过电阻RB1、RB2。这时，电容器CB与第1信号线LB1连接，因此，第1电压VDETB的上升比基准电压VRB的上升慢。由此，在控制信号EN从低电平成为高电平时，VDETB<VRB，之后，VDETB>VRB。在控制信号EN为高电平时，比较器73成为激活状态，因此，在控制信号EN从低电平成为高电平时，复位信号XPORB为低电平，在成为VDETB>VRB时，复位信号XPORB成为高电平。
这样，复位电路70在控制信号EN从无效成为有效时，在使复位信号XPORB成为有效后，使复位信号XPORB成为无效。即，在控制信号EN从无效成为有效时，对电路装置100进行复位。由此，从图3的非易失性存储器40向存储电路60重新加载特性调整数据。
3.振荡器
图6是包含电路装置100的振荡器400的结构例。振荡器400包含振子XTAL和电路装置100。例如，将振子XTAL和电路装置100收纳在封装中，由此，构成振荡器400。
振子XTAL例如是压电振子。压电振子例如是石英振子。作为石英振子，例如是切角为AT切或SC切等的进行厚度剪切振动的石英振子等。例如，振子是内置于不具有恒温槽的温度补偿型石英振荡器(TCXO)的振子。或者，振子也可以是内置于具有恒温槽的恒温槽型石英振荡器(OCXO)的振子等。此外，作为振子，也可以采用SAW(Surface Acoustic Wave)谐振器、作为使用硅基板而形成的硅制振子的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振子等。
电路装置100包含非易失性存储器40、复位电路70、振荡电路10、寄存器160、控制电路130、温度补偿电路150、输出缓冲电路120和端子TVD、TVS、TVCNT、TQ、TX1、TX2。电路装置100例如是集成电路装置。端子TVD、TVS、TVCNT、TQ、TX1、TX2是形成在半导体基板上的焊盘。另外，对与在图3等中所说明的结构要素相同的结构要素标注相同的标号并适当省略关于该结构要素的说明。
对控制端子TVCNT输入控制电压VCNT或者控制信号EN。控制端子TVCNT的功能设定例如写入非易失性存储器40等中。或者，通过与控制端子TVCNT的功能对应地选择用于形成布线层的掩模，确定控制端子TVCNT的功能。在对控制端子TVCNT输入控制电压VCNT的情况下，控制电路130将控制端子TVCNT与振荡电路10连接，对振荡电路10输入控制电压VCNT。在对控制端子TVCNT输入控制信号EN的情况下，控制电路130向温度补偿电路150和振荡电路10、输出缓冲电路120输出控制信号EN。
振荡电路10经由端子TX1以及端子TX与振子XTAL连接。振荡电路10是用于使振子XTAL振荡的电路。由温度补偿电压VCOMP对振荡频率进行温度补偿。即，即使温度发生变化，也利用温度补偿电压VCOMP控制振荡电路10，使得成为恒定的振荡频率。此外，在对控制端子TVCNT输入控制电压VCNT的情况下，振荡电路10以利用控制电压VCNT设定的振荡频率进行振荡。
例如，振荡电路10是皮尔斯型振荡电路。在该情况下，振荡电路10包含双极型晶体管和连接在双极型晶体管的基极-集电极之间的电阻。双极型晶体管的基极与端子TX1连接，集电极与端子TX2连接。振荡电路10包含可变电容电容器，该可变电容电容器的一端与端子TX1或者端子TX2连接。对可变电容电容器的另一端输入温度补偿电压VCOMP，利用温度补偿电压VCOMP控制可变电容电容器的电容值。由此，对振荡频率进行温度补偿。
在对控制端子TVCNT输入控制信号EN的情况下，振荡电路10利用控制信号EN设定为激活状态或者禁用状态。例如，在皮尔斯型振荡电路中，在对双极型晶体管供给偏置电流的线上设置有开关。在控制信号EN为无效时，开关断开，停止振荡电路10的振荡动作。
输出缓冲电路120是对来自振荡电路10的振荡信号SSC进行缓冲的电路。即，以能够充分地驱动外部负荷的方式进行信号的缓冲。由输出缓冲电路120缓冲后的信号作为时钟信号SQ从输出端子TQ输出到振荡器400的外部。在对控制端子TVCNT输入控制信号EN的情况下，输出缓冲电路120利用控制信号EN设定为激活状态或者禁用状态。例如，输出缓冲电路120包含对振荡信号SSC进行缓冲以驱动负荷的驱动晶体管。在控制信号EN为无效时，驱动晶体管截止，由此，停止输出缓冲电路120的动作。
温度补偿电路150根据来自温度传感器的温度检测结果，生成温度补偿电压VCOMP。具体而言，温度补偿电路150生成以温度为自变量的近似函数的电压作为温度补偿电压VCOMP。近似函数是对振子XTAL和振荡电路10的温度特性进行补偿的函数。温度补偿电路150通过生成这样的温度补偿电压VCOMP，无论温度如何都将振荡电路10的振荡频率补偿为恒定。之后对温度补偿电路150的详细结构进行叙述。
控制电路130是逻辑电路。控制电路130控制电路装置100的各部。具体而言，根据来自复位电路70的复位信号XPORB，将电路装置100设定为复位状态或者复位解除状态。此外，在利用复位信号XPORB解除了复位状态时，控制电路130从非易失性存储器40向寄存器160加载特性调整数据。此外，控制电路130根据寄存器160存储的特性调整数据，进行温度补偿电路150和振荡电路10的动作设定。寄存器160相当于图3的存储电路60。
温度补偿电路150产生的近似函数是多项式，将表示该多项式的系数的参数作为特性调整数据存储到非易失性存储器40中。通过将该参数加载到寄存器160，设定温度补偿电路150产生的近似函数。振子XTAL和振荡电路10的温度特性存在个体偏差，因此，近似函数也存在个体差异。因此，如果寄存器160所存储的参数是不合适的，则无法准确地进行温度补偿。关于此点，根据本实施方式，即使在利用控制信号EN设定为待机模式时寄存器160的存储内容损坏的情况下，在从待机模式恢复时也会将参数重新加载到寄存器160。由此，在从待机模式恢复时，振荡器400能够输出准确地进行温度补偿后的时钟信号。
复位电路70根据从端子TVD输入的电源电压VDD，生成复位信号XPORB。此外，在对控制端子TVCNT输入控制信号EN的情况下，复位电路70根据电源电压VDD和控制信号EN，生成复位信号XPORB。复位电路70的动作如在图4、图5中所说明的那样。
图7是温度补偿电路150的详细结构例。温度补偿电路150包含温度传感器151、0次成分产生电路152、1次成分产生电路153、3次成分产生电路154、1次成分增益调整电路155、3次成分增益调整电路156和加法电路157。另外，图7示出温度补偿电路150产生3次多项式的温度补偿电压VCOMP的情况，但温度补偿电路150也可以产生更高次的多项式的温度补偿电压VCOMP。
温度传感器151输出温度的检测结果作为温度检测电压VT。例如，温度传感器151是根据PN结的正向电压输出温度检测电压VT的电路。PN结的正向电压具有温度依赖性。
0次成分产生电路152输出对振子XTAL的振荡频率具有的温度特性的0次成分进行近似的0次成分电压VS0。0次成分产生电路152例如由电阻分割电路等输出DC电压的电路构成。
1次成分产生电路153输出对振子XTAL的振荡频率具有的温度特性的1次成分进行近似的1次成分电流IS1。1次成分产生电路153例如能够由同相放大器等构成。1次成分增益调整电路155根据寄存器160所存储的增益值A1进行1次成分电流IS1的增益调整，输出1次成分电压VS1＝A1×IS1。
3次成分产生电路154输出对振子XTAL的振荡频率具有的温度特性的3次成分进行近似的3次成分电流IS3。3次成分增益调整电路156根据寄存器160所存储的增益值A3进行3次成分电流IS3的增益调整，输出3次成分电压VS3＝A3×IS3。
加法电路157将0次成分电压VS0和1次成分电压VS1、3次成分电压VS3相加，输出温度补偿电压VCOMP。加法电路157例如是基于放大电路的模拟加法电路。当设为VS0＝A0时，温度补偿电压VCOMP是对下式(1)进行近似的电压。
VCOMP＝A3×(T-T0)3+A1×(T-T0)+A0···(1)
在本实施方式中，增益值A3、A1、A0作为温度补偿数据存储在非易失性存储器40中。温度补偿数据是特性调整数据。在通过接通电源而解除了复位时或者从待机模式恢复到通常动作模式时，增益值A3、A1、A0从非易失性存储器40加载到寄存器160中。
控制电路130对温度传感器151和0次成分产生电路152、1次成分产生电路153、3次成分产生电路154、1次成分增益调整电路155、3次成分增益调整电路156、加法电路157输出控制信号EN。在控制信号EN为无效时，这些电路成为禁用状态。在禁用状态下，切断各电路中包含的放大电路等的偏置电流，由此，停止各电路的动作。
4.电子设备、移动体
图8是包含电路装置100的电子设备300的结构例。该电子设备300包含：振荡器400，其具有电路装置100和振子XTAL；以及处理部520。还可以包含通信部510、操作部530、显示部540、存储部550和天线ANT。
作为电子设备300，可假设各种设备。例如，可假设GPS内置钟表、生物体信息测量设备或者头部佩戴型显示装置等可佩戴设备。生物体信息测量设备是脉搏计、步数计等。或者，可假设智能手机、移动电话、便携式游戏装置、笔记本PC或者平板PC等便携信息终端。或者，可假设发布内容的内容提供终端、数字照相机或摄像机等影像设备、或者基站或路由器等网络相关设备。或者，可假设计测距离、时间、流速或流量等物理量的计测设备、车载设备、机器人等。车载设备是自动驾驶用的设备等。
通信部510进行经由天线ANT从外部接收数据或向外部发送数据的处理。通信部510例如是通信电路。处理部520进行电子设备的控制处理、以及对经由通信部510而收发的数据的各种数字处理等。该处理部520的功能例如可通过微型计算机等处理器而实现。操作部530用于供用户进行输入操作，可通过操作按钮、触摸面板显示器等实现。操作部530例如是操作装置。显示部540用于显示各种信息，可通过液晶、有机EL等显示器实现。存储部550用于存储数据，其功能可通过RAM、ROM等半导体存储器、硬盘驱动器等实现。
图9是包含电路装置100的移动体的结构例。电路装置100可以组装至例如车辆、飞机、摩托车、自行车、机器人或者船舶等各种移动体。移动体例如是具有发动机或马达等驱动机构、方向盘或舵等转向机构、各种电子设备、且在陆地上、空中或海上移动的设备/装置。图9概要地示出作为移动体的具体例的汽车206。汽车206中组装有包含电路装置100的未图示的振荡器。控制装置208根据由该振荡器生成的时钟信号进行各种控制处理。控制装置208例如能够根据车体207的姿态控制悬架的软硬并且控制各个车轮209的制动。另外，组装有电路装置100或者振荡器的设备不限于这样的控制装置208，能够组装到设于汽车206或机器人等移动体中的各种设备。
根据以上的实施方式，电路装置具有输出时钟信号的第1模式和不输出时钟信号的第2模式。电路装置包含：振荡电路，其生成时钟信号；非易失性存储器，其存储振荡电路的特性调整数据；复位电路，其生成复位信号；以及存储电路，其在复位信号从有效成为无效时，从非易失性存储器加载特性调整数据。复位电路在从第2模式转移到第1模式时，使复位信号从有效成为无效。
在从不输出时钟信号的第2模式转移到输出时钟信号的第1模式时，复位电路使复位信号从有效成为无效。由于这样地使复位信号成为无效，从非易失性存储器向存储电路重新加载特性调整数据，所以，在从第2模式恢复到第1模式时，振荡电路能够根据准确的特性调整数据进行动作。此外，通过设置这样的重新加载功能，能够在第2模式下使复位电路成为禁用状态。即，在第2模式下，即使由于瞬间停止等的异常而使存储电路所存储的特性调整数据损坏，在从第2模式恢复到第1模式时也会将特性调整数据重新加载到存储电路。能够在第2模式下使复位电路成为禁用状态，由此，在待机模式下，可减少振荡电路和复位电路的消耗电流，能够减少待机模式下的电路装置的消耗电流。
此外，在本实施方式中，电路装置包含控制端子，该控制端子被输入对第1模式和第2模式进行切换的控制信号。复位电路在电源接通时使复位信号从有效成为无效，在电源接通后，在电路装置根据从控制端子输入的控制信号从第2模式转移到第1模式时，复位电路使复位信号从有效成为无效。
根据本实施方式，在电源接通时使复位信号从有效成为无效的复位电路能够在电源接通后根据控制信号生成复位信号。即，在对电路装置供给了电源的状态下，电路装置通过端子控制而成为第2模式，然后在通过端子控制而成为第1模式时，能够利用复位信号对电路装置进行复位。由此，能够将特性调整数据从非易失性存储器重新加载到存储电路。
此外，在本实施方式中，第1模式也可以是电路装置的通常动作模式。第2模式也可以是电路装置的待机模式。
根据本实施方式，在电路装置从待机模式恢复到通常动作模式时，复位电路在使复位信号成为有效之后成为无效。由此，从非易失性存储器向存储电路重新加载特性调整数据，所以，在从待机模式恢复到通常动作模式时，振荡电路能够根据准确的特性调整数据进行动作。
此外，在本实施方式中，也可以是，复位电路在电源接通时使复位信号从有效成为无效。也可以是，复位电路在电源接通后的第2模式下，设定为禁用状态。
根据本实施方式，通过在电源接通后的第2模式下将复位电路设定为禁用状态，减少第2模式下的复位电路的消耗电流。然后，在从第2模式转移到第1模式时，复位电路在使复位信号成为有效之后成为无效。由此，从非易失性存储器向存储电路重新加载特性调整数据，所以，在从第2模式恢复到第1模式时，振荡电路能够根据准确的特性调整数据进行动作。
此外，在本实施方式中，复位电路也可以包含：电压生成电路，其生成对电源电压进行电压分割后的第1电压；基准电压生成电路，其生成基准电压；以及比较器，其对第1电压与基准电压进行比较，根据比较结果输出复位信号。
第1电压是对电源电压进行电压分割后的电压，因此，电源接通而使电源电压上升，同时，第1电压上升。通过对该第1电压与基准电压进行比较，在电源接通时从有效成为无效的复位信号被输出。
此外，在本实施方式中，也可以是，在第2模式下、电压生成电路、基准电压生成电路和比较器被设定为禁用状态。
根据本实施方式，在第2模式下、电压生成电路、基准电压生成电路和比较器设定为禁用状态，由此，复位电路被设定为禁用状态。
此外，在本实施方式中，也可以是，复位电路包含第1信号线、第2信号线、电容器。第1信号线将电压生成电路的输出节点与被输入第1电压的比较器的第1输入节点连接。第2信号线将基准电压生成电路的输出节点与被输入基准电压的比较器的第2输入节点连接。电容器的一端与第1信号线连接。
电容器的一端与第1信号线连接，由此，第1电压的上升比基准电压的上升慢。由此，在复位电路从禁用状态恢复到激活状态时，在基准电压上升之后，第1电压上升。由此，复位电路能够在从第2模式转移到第1模式时，在使复位信号成为有效之后成为无效。
此外，在本实施方式中，也可以是，在从第2模式转移到第1模式时，在基准电压生成电路输出基准电压之后，电压生成电路使第1电压的电压电平上升。
根据本实施方式，在复位电路从禁用状态恢复到激活状态时，在基准电压上升之后，第1电压上升。由此，复位电路能够在从第2模式转移到第1模式时，在使复位信号成为有效之后成为无效。
此外，在本实施方式中，也可以是，特性调整数据是振荡电路的振荡频率的温度补偿数据。
根据本实施方式，在从第2模式恢复到第1模式时，温度补偿数据从非易失性存储器重新加载到存储电路。由此，在从第2模式恢复到第1模式时，根据准确的温度补偿数据进行振荡频率的温度补偿，所以，可输出准确的振荡频率的时钟信号。
此外，在本实施方式中，电路装置可以包含根据温度补偿数据进行振荡频率的温度补偿的温度补偿电路。温度补偿电路也可以在第2模式下被设定为禁用状态。
根据本实施方式，通过在第2模式下将温度补偿电路设定为禁用状态，能够减少第2模式下的电路装置的消耗电流。
此外，在本实施方式中，振荡电路也可以在第2模式下被设定为禁用状态。
根据本实施方式，通过在第2模式下将振荡电路设定为禁用状态，能够减少第2模式下的电路装置的消耗电流。
此外，在本实施方式中，振荡器包含：上述任意一项所述的电路装置；以及振子，其与振荡电路连接并振荡。
此外，在本实施方式中，电子设备包含上述任意一项所述的电路装置。
此外，在本实施方式中，移动体包含上述任意一项所述的电路装置。
此外，虽然如以上那样对本实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员应当能够容易地理解可进行实质上未脱离本发明的新事项以及效果的多种变形。因此，这种变形例全部包含在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，对于至少一次地与更广义或同义的不同用语一起记载的用语，在说明书或附图的任何位置处，都可以将其置换为不同的用语。此外，本实施方式和变形例的所有组合也包含于本发明的范围内。此外，电路装置、振荡器、电子设备、移动体等的结构或动作等也不限于本实施方式中说明的内容，可实施各种变形。

Claims (20)

1.一种电路装置，其特征在于，其具有输出时钟信号的第1模式和不输出时钟信号的第2模式，该电路装置包含：
振荡电路，其生成所述时钟信号；
非易失性存储器，其存储所述振荡电路的特性调整数据；
复位电路，其生成复位信号；以及
存储电路，其在所述复位信号从有效成为无效时，从所述非易失性存储器加载所述特性调整数据，
所述复位电路在所述电路装置从所述第2模式转移到所述第1模式时，使所述复位信号从有效成为无效，
所述第1模式是所述电路装置的通常动作模式，
所述第2模式是所述电路装置的待机模式。
2.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
所述复位电路在电源接通时使所述复位信号从有效成为无效，
所述复位电路在电源接通后的所述第2模式下被设定为禁用状态。
3.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
所述复位电路包含：
电压生成电路，其生成对电源电压进行电压分割后的第1电压；
基准电压生成电路，其生成基准电压；以及
比较器，其对所述第1电压与所述基准电压进行比较，根据比较结果输出所述复位信号。
4.根据权利要求3所述的电路装置，其特征在于，
在所述第2模式下，所述电压生成电路、所述基准电压生成电路和所述比较器被设定为禁用状态。
5.根据权利要求3所述的电路装置，其特征在于，
所述复位电路包含：
第1信号线，其将所述电压生成电路的输出节点与被输入所述第1电压的所述比较器的第1输入节点连接；以及
第2信号线，其将所述基准电压生成电路的输出节点与被输入所述基准电压的所述比较器的第2输入节点连接；以及
电容器，其一端与所述第1信号线连接。
6.根据权利要求3所述的电路装置，其特征在于，
在所述电路装置从所述第2模式转移到所述第1模式时，在所述基准电压生成电路输出所述基准电压之后，所述电压生成电路使所述第1电压的电压电平上升。
7.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
所述特性调整数据是所述振荡电路的振荡频率的温度补偿数据。
8.根据权利要求7所述的电路装置，其特征在于，
该电路装置包含温度补偿电路，该温度补偿电路根据所述温度补偿数据进行所述振荡频率的温度补偿，
所述温度补偿电路在所述第2模式下被设定为禁用状态。
9.根据权利要求7所述的电路装置，其特征在于，
所述振荡电路在所述第2模式下被设定为禁用状态。
10.一种电路装置，其特征在于，其具有输出时钟信号的第1模式和不输出时钟信号的第2模式，该电路装置包含：
振荡电路，其生成所述时钟信号；
非易失性存储器，其存储所述振荡电路的特性调整数据；
复位电路，其生成复位信号；
存储电路，其在所述复位信号从有效成为无效时，从所述非易失性存储器加载所述特性调整数据；以及
控制端子，其被输入对所述第1模式和所述第2模式进行切换的控制信号，
所述复位电路在电源接通时使所述复位信号从有效成为无效，
在电源接通后，在所述电路装置根据从所述控制端子输入的所述控制信号从所述第2模式转移到所述第1模式时，所述复位电路使所述复位信号从有效成为无效。
11.根据权利要求10所述的电路装置，其特征在于，
所述复位电路包含：
电压生成电路，其生成对电源电压进行电压分割后的第1电压；
基准电压生成电路，其生成基准电压；以及
比较器，其对所述第1电压与所述基准电压进行比较，根据比较结果输出所述复位信号。
12.根据权利要求11所述的电路装置，其特征在于，
在所述第2模式下，所述电压生成电路、所述基准电压生成电路和所述比较器被设定为禁用状态。
13.根据权利要求11所述的电路装置，其特征在于，
所述复位电路包含：
第1信号线，其将所述电压生成电路的输出节点与被输入所述第1电压的所述比较器的第1输入节点连接；以及
第2信号线，其将所述基准电压生成电路的输出节点与被输入所述基准电压的所述比较器的第2输入节点连接；以及
电容器，其一端与所述第1信号线连接。
14.根据权利要求11所述的电路装置，其特征在于，
在所述电路装置从所述第2模式转移到所述第1模式时，在所述基准电压生成电路输出所述基准电压之后，所述电压生成电路使所述第1电压的电压电平上升。
15.根据权利要求10所述的电路装置，其特征在于，
所述特性调整数据是所述振荡电路的振荡频率的温度补偿数据。
16.根据权利要求15所述的电路装置，其特征在于，
该电路装置包含温度补偿电路，该温度补偿电路根据所述温度补偿数据进行所述振荡频率的温度补偿，
所述温度补偿电路在所述第2模式下被设定为禁用状态。
17.根据权利要求15所述的电路装置，其特征在于，
所述振荡电路在所述第2模式下被设定为禁用状态。
18.一种振荡器，其特征在于，该振荡器包含：
权利要求1～17中的任意一项所述的电路装置；以及
振子，其与所述振荡电路连接并振荡。
19.一种电子设备，其特征在于，其包含权利要求1至17中的任意一项所述的电路装置。
20.一种移动体，其特征在于，其包含权利要求1至17中的任意一项所述的电路装置。
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