CN110711557A - 一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米多孔硅吸附剂的改性领域,具体涉及一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法及其应用。
背景技术
重金属水体污染是一个十分严重的社会和环境问题。其中,砷和含砷金属的开采、冶炼,用砷或砷化合物作原料的玻璃、颜料、原药、纸张的生产以及煤的燃烧等过程,都可产生含砷废水、废气和废渣,对环境造成污染。大气含砷污染除岩石风化、火山爆发等自然原因外,主要来自工业生产及含砷农药的使用、煤的燃烧。含砷废水、农药及烟尘都会污染土壤。砷在土壤中累积并由此进入农作物组织中。砷和砷化物一般可通过水、大气和食物等途径进入人体,造成危害。元素砷的毒性极低,砷化物均有毒性。因此,如何科学有效解决As5+污染水体日益重要,同时也已经成为世界各国以及广大的环保科研工作者研究关注的热点之一。
目前,处理重金属离子的传统方法主要有离子交换,反渗透,电化学处理,化学沉淀,膜分离,它们不能有效去除As5+,而且成本高,选择性差,产生二次废物。吸附法,因其成本低,效率高,工艺简单,选择性高,可再生利用,已被认为是处理含As5+废水最有前景的一种方法。目前常见的吸附剂,如沸石,活性炭,生物吸附剂,粘土和工农业废料,由于比表面积低,孔隙率差,表面缺乏有机官能团,吸附效果受到较大限制。
近年来,随着各国光伏产业的蓬勃发展,太阳能级硅料的产量也随之迅猛增长。据统计,2018年度全球硅片产量高达109.2GW(折合为硅片约230亿片,硅量达58万吨)。我国作为全球第一大光伏产品制造国,每年高纯太阳能级硅的产量已超过40万吨。通常,太阳能级硅片是通过对太阳能级硅锭(纯度为99.9999%)进行多线切割而成。无论是在传统砂浆碳化硅切割还是现行的金刚线切割方式中,由于切割钢线直径(d~110微米)与硅片厚度相差不大,从而导致了硅锭切割过程中将有40%的高纯硅料以亚微米级的切割锯末的形式进入切割液中,仅以2018年度为例,要实现109.2GW的硅片切割,就将产生高达38万吨的切割废料。太阳能级高纯硅料的制备本身就是长流程、高耗能的过程,如此大量且细微的切割废料直接排放将带来严重的环境破坏和资源浪费,因此,寻求有效的技术路线或工艺实现对其的综合回收和高效利用,不但能极大地解决光伏产业硅废料的处理难题,还将带来巨大的经济和环境效益。若能将硅废料作为硅基材料改性后应用到处理有毒重金属离子的研究中,并能实现良好的循环使用性能和选择性,将有力地推动硅材料的规模化制备和商业化应用,并能有效地解决光伏产业切割硅废料的处理难题,将会带来极大的经济和环境效益。
发明内容
针对现有技术中硅废料的利用以及重金属离子吸附的技术问题,本发明的目的在于避免现有技术的不足,提供一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法及其应用。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂,该改性纳米多孔硅的结构式为:
一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂,制备方法至少包括以下步骤:将多孔硅与含3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷的原料反应,进行一次改性,得到改性纳米多孔硅A;将所述改性纳米多孔硅A与含四乙烯五胺的原料反应,进行二次改性,得到所述吸附剂。
进一步的,一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂,制备方法具体步骤如下:
(1)将通过金刚石线切割硅片所得到的硅废料进行化学纯化处理,以除去残留于硅粉上的大部分有机切割液以及其它金属颗粒杂质,得到纯化硅粉;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化得到的硅粉通过两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法进行刻蚀,并得到具有50~200nm孔道的硅细粉;
(3)将步骤(2)的具有纳米级孔道的硅细粉置于硝酸溶液中搅拌5~120min,固液分离得到硅粉并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅细粉;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中活化30~120min得到活化纳米多孔硅粉;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅粉和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为50~70℃回流反应12~48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,50-70℃真空干燥得到改性纳米多孔硅A;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,加热回流12~24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂。
进一步的,步骤(1)纯化处理的具体步骤为:
1)将金刚石线切割废料进行破碎并研磨至粒径为10~50μm的含有各种杂质的废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2与H2O的混合溶液中浸泡搅拌2~6h,再分别采用无水乙醇和去离子水反复洗涤2~3,干燥后得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌2~6h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗反复洗涤2~3次,干燥后得到初步纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌1~120min得到二次纯化硅粉,其中所述氢氟酸溶液浓度为0.05~2mol/L。
进一步的,所述步骤(2)金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为:
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应10~180s得到表面沉积有金属纳米粒子的硅粉;其中金属纳米粒子为Au、Ag、Cu或Pt;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂混合液中化学刻蚀1~240min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,在HF-氧化剂混合液中,HF的浓度为0.1~10mol/L、氧化剂的浓度为0.01~5mol/L,氧化剂为H2O2、硝酸、硝酸铁、高锰酸钾、铬酸钾、碘酸钾中的一种或多种。
进一步的,所述步骤(3)中硝酸溶液的质量浓度为20%~60%。
进一步的,所述步骤(4)中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3~3.5:1,活化温度为室温~95℃;步骤(4)或为将步骤(3)的多孔硅加入到甲磺酸溶液中并在温度为室温~60℃条件下处理30~180min得到活化纳米多孔硅,或者将步骤(3)的多孔硅置于低压汞弧灯光下氧化处理30~180min得到活化纳米多孔硅。
进一步的,所述步骤(5)中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20~30:1,活化纳米多孔硅与3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷的液固比mL:g为1~3:1。
进一步的,所述步骤(6)中反应温度为40~60℃;无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20~30:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5-10:1。
进一步的,本发明所述改性纳米多孔硅吸附剂作为砷离子选择性吸附剂的应用。
进一步的,本发明所述改性纳米多孔硅吸附剂为采用上述任意项所述方法制备得到。
进一步的,本发明所述改性纳米多孔硅吸附剂作为As5+但不仅限于As5+的选择性吸附剂。
与现有技术相比,本发明至少具有以下有益效果:
(1)本发明以金刚石线切割硅废料为原料,采用金属辅助化学刻蚀法制备的纳米多孔硅具有较大的孔隙率和较多的活性位点,具有活跃的表面化学活性,高的比表面积和可控的形貌,易于改性;
(2)本发明通过对纳米多孔硅进行有机改性所得改性纳米多孔硅材料,可实现废水中As5+的快速高效富集和去除;
(3)本发明的改性纳米多孔硅材料对砷离子吸附容量高达10mg/g以上,吸附效率高达90%以上,在吸附时间为30min即可达到吸附平衡,可用于工业废水中砷离子的快速高效去除和分离。
附图说明
图1为纳米多孔硅有机改性流程图;
图2为实施例1纳米多孔硅的FE-SEM图;
图3为实施例1改性后纳米多孔硅的FT-IR图
图4为实施例1As5+初始浓度对改性纳米多孔硅吸附剂的As5+去除效率和吸附容量的影响;
图5为实施例1吸附时间对改性纳米多孔硅吸附剂的As5+去除效率的影响。
具体实施方式
如图1-5所示:
实施例1:
本实施例改性纳米多孔硅的结构式为:
改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,具体步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅废料进行纯化处理得到纯化硅粉;其中纯化处理的具体步骤为
1)将金刚石线切割废料进行破碎研磨至粒径为10μm得到废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液中搅拌2h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中搅拌2h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到二次纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌处理30min以彻底去除切割硅废料表面的氧化层得到纯化硅粉,其中氢氟酸溶液浓度为0.1mol/L;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化硅粉进行金属纳米颗粒辅助化学刻蚀得到含有纳米级孔道的硅颗粒;其中金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应得到表面沉积有金属纳米粒子(纳米铜粒子)的硅粉;其中金属纳米粒子为铜;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂(H2O2)混合液中化学刻蚀60min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,其中HF-氧化剂(H2O2)混合液中HF的浓度为4.5mol/L、氧化剂(H2O2)的浓度为0.5mol/L;
(3)将步骤(2)的含有纳米级孔道的硅颗粒置于硝酸溶液中浸泡30min,取出硅颗粒并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅;其中硝酸溶液的质量浓度为60%;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中在活化温度为90℃条件下活化3h增加多孔硅表面的硅羟基键得到活化纳米多孔硅;其中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3:1;本实施例纳米多孔硅比表面积为82.6m2/g;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为65℃回流反应48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅A,记为GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1,活化纳米多孔硅与3-氨丙基三乙氧基硅烷的液固比mL:g为2:1;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,在60℃下反应24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂,记为TEPA-GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5:1。
本实施例步骤(5)~(6)为纳米多孔硅的有机改性方法,其改性流程图见图1;
本实施例纳米多孔硅的FE-SEM图如图2所示,从图2中可知,经刻蚀后的金刚石线切割硅废料表面较为粗糙,表面有一定孔洞结构。
本实施例改性后纳米多孔硅的FT-IR图如图3所示,从图3中可知,461、805、1108cm-1处的峰值分别为Si-O-Si弯曲振动、对称拉伸振动和拉伸振动。950cm-1处的峰值归因于Si-OH基团的振动。在吸水和硅烷醇基团的作用下,3440和1630cm-1处的峰值分别为O-H拉伸振动和变形振动。在GTS-NPSi的谱图中,2934和2834cm-1处的峰均为C-H拉伸振动,说明有机硅烷成功嫁接到硅纳米颗粒表面。在TEPA-GTS-NPSi的谱图中,1384cm-1处的波段归因于-NH2和-NH弯曲振动。以上分析表明,改性纳米多孔硅的制备是成功的。
吸附实验:将本实施例的改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi加入到含As5+的废水溶液中进行吸附,本实施例As5+初始浓度对改性纳米多孔硅吸附剂的As5+去除效率和吸附容量的影响如图4所示,从图4中可知,TEPA-GTS-NPSi吸附As5+的平衡吸附容量随着As5+的浓度的增大而增大,但是其增大的趋势逐渐减小,当初始离子浓度为100mg/L时,达到饱和吸附量(13.2mg/g)。本实施例吸附时间对改性纳米多孔硅吸附剂的As5+去除效率的影响如图5所示,从图5中可知,在前10min内吸附剂TEPA-GTS-NPSi对As5+的吸附速率非常快,随着吸附的进行,吸附剂对As5+的吸附速率逐渐变慢,在30min后逐渐达到吸附动态平衡;综上分析可得,改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi能实现对水中As5+的高效、快速吸附。
实施例2:
实施例2:本实施例改性纳米多孔硅的结构式为:
改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,具体步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅废料进行纯化处理得到纯化硅粉;其中纯化处理的具体步骤为
1)将金刚石线切割废料进行破碎研磨至粒径为50μm得到废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水水洗涤3次,干燥得到二次纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌处理120min以彻底去除切割硅废料表面的氧化层得到纯化硅粉,其中氢氟酸溶液浓度为1mol/L;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化硅粉进行金属纳米颗粒辅助化学刻蚀得到含有纳米级孔道的硅颗粒;其中金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应得到表面沉积有金属纳米粒子(纳米铜粒子)的硅粉;其中金属纳米粒子为铜;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂(H2O2)混合液中化学刻蚀60min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,其中HF-氧化剂(H2O2)混合液中HF的浓度为4.5mol/L、氧化剂(H2O2)的浓度为0.5mol/L;
(3)将步骤(2)的含有纳米级孔道的硅颗粒置于硝酸溶液中浸泡30min,取出硅颗粒并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅;其中硝酸溶液的质量浓度为60%;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中在活化温度为90℃条件下活化3h增加多孔硅表面的硅羟基键得到活化纳米多孔硅;其中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3:1;本实施例纳米多孔硅比表面积为78.2m2/g;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为65℃回流反应48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅A,记为GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1,活化纳米多孔硅与3-氨丙基三乙氧基硅烷的液固比mL:g为2:1;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,在60℃下反应24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂,记为TEPA-GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5:1。
吸附实验:将本实施例的改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi加入到含As5+的废水溶液中进行吸附,TEPA-GTS-NPSi用于对含As5+的吸附效率为90%以上,吸附容量达12.6mg/g,30min达到吸附平衡,能实现对水中As5+的快速高效吸附。
实施例3:
本实施例改性纳米多孔硅的结构式为:
改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,具体步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅废料进行纯化处理得到纯化硅粉;其中纯化处理的具体步骤为
1)将金刚石线切割废料进行破碎研磨至粒径为50μm得到废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液中搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤2~3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌处理120min以彻底去除切割硅废料表面的氧化层得到纯化硅粉,其中氢氟酸溶液浓度为1mol/L;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化硅粉进行金属纳米颗粒辅助化学刻蚀得到含有纳米级孔道的硅颗粒;其中金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应得到表面沉积有金属纳米粒子(纳米银粒子)的硅粉;其中金属纳米粒子为银;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂(H2O2)混合液中化学刻蚀60min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,其中HF-氧化剂(H2O2)混合液中HF的浓度为4.5mol/L、氧化剂(H2O2)的浓度为0.5mol/L;
(3)将步骤(2)的含有纳米级孔道的硅颗粒置于硝酸溶液中浸泡30min,取出硅颗粒并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅;其中硝酸溶液的质量浓度为60%;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中在活化温度为90℃条件下活化3h增加多孔硅表面的硅羟基键得到活化纳米多孔硅;其中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3:1;本实施例纳米多孔硅比表面积为81.3m2/g;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为65℃回流反应48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅A,记为GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1,活化纳米多孔硅与3-氨丙基三乙氧基硅烷的液固比mL:g为2:1;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,在60℃下反应24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂,记为TEPA-GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5:1。
吸附实验:将本实施例的改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi加入到含As5+的废水溶液中进行吸附,TEPA-GTS-NPSi用于对含As5+的吸附效率为95%以上,吸附容量达13.1mg/g,30min达到吸附平衡,能实现对水中As5+的快速高效吸附。
实施例4:
本实施例改性纳米多孔硅的结构式为:
改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,具体步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅废料进行纯化处理得到纯化硅粉;其中纯化处理的具体步骤为
1)将金刚石线切割废料进行破碎研磨至粒径为50μm得到废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液中搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤2~3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到二次纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌处理120min以彻底去除切割硅废料表面的氧化层得到纯化硅粉,其中氢氟酸溶液浓度为1mol/L;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化硅粉进行金属纳米颗粒辅助化学刻蚀得到含有纳米级孔道的硅颗粒;其中金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应得到表面沉积有金属纳米粒子(纳米银粒子)的硅粉;其中金属纳米粒子为银;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂(H2O2)混合液中化学刻蚀60min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,其中HF-氧化剂(H2O2)混合液中HF的浓度为4.5mol/L、氧化剂(H2O2)的浓度为0.1mol/L;
(3)将步骤(2)的含有纳米级孔道的硅颗粒置于硝酸溶液中浸泡60min,取出硅颗粒并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅;其中硝酸溶液的质量浓度为50%;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中在活化温度为95℃条件下活化3h增加多孔硅表面的硅羟基键得到活化纳米多孔硅;其中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3:1;本实施例纳米多孔硅比表面积为81.8m2/g;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为65℃回流反应48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅A,记为GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1,活化纳米多孔硅与3-氨丙基三乙氧基硅烷的液固比mL:g为2:1;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,在60℃下反应24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂,记为TEPA-GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5:1。
吸附实验:将本实施例的改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi加入到含As5+的废水溶液中进行吸附,TEPA-GTS-NPSi用于对含As5+的吸附效率为95%以上,吸附容量达16.6mg/g,30min达到吸附平衡,能实现对水中As5+的快速高效吸附。
实施例5:
本实施例改性纳米多孔硅的结构式为:
改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,具体步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅废料进行纯化处理得到纯化硅粉;其中纯化处理的具体步骤为
1)将金刚石线切割废料进行破碎研磨至粒径为50μm得到废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下NH3·H2O、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到初步纯化硅粉;其中NH3·H2O、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌3h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗涤3次,干燥得到二次纯化硅粉;其中HCl、H2O2、H2O的比例为2:2:5;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌处理120min以彻底去除切割硅废料表面的氧化层得到纯化硅粉,其中氢氟酸溶液浓度为1mol/L;
(2)室温下,将步骤(1)的纯化硅粉进行金属纳米颗粒辅助化学刻蚀得到含有纳米级孔道的硅颗粒;其中金属纳米颗粒辅助化学刻蚀的具体步骤为
1)将纯化硅粉加入到HF-金属离子盐混合溶液中进行化学沉积反应得到表面沉积有金属纳米粒子(纳米银粒子)的硅粉;其中金属纳米粒子为银;
2)在搅拌条件下,将步骤1)的表面沉积有金属纳米粒子的硅粉置于HF-氧化剂(H2O2)混合液中化学刻蚀60min得到含有纳米级孔道的硅颗粒,其中HF-氧化剂(H2O2)混合液中HF的浓度为4.5mol/L、氧化剂(H2O2)的浓度为0.1mol/L;
(3)将步骤(2)的含有纳米级孔道的硅颗粒置于硝酸溶液中浸泡60min,取出硅颗粒并采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅;其中硝酸溶液的质量浓度为50%;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于低压汞弧灯光下氧化处理60min得到活化纳米多孔硅;本实施例纳米多孔硅比表面积为76.8m2/g;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为65℃回流反应48h,固液分离,采用无水乙醇和去离子水反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅A,记为GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1,活化纳米多孔硅与3-氨丙基三乙氧基硅烷的液固比mL:g为1:1;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,在60℃下反应24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂,记为TEPA-GTS-NPSi;其中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为10:1.
吸附实验:将本实施例的改性纳米多孔硅吸附剂TEPA-GTS-NPSi加入到含As5+的废水溶液中进行吸附,TEPA-GTS-NPSi用于对含As5+的吸附效率为90%以上,吸附容量达12.8mg/g,30min达到吸附平衡,能实现对水中As5+的快速高效吸附。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
2.根据权利要求1所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,制备方法至少包括以下步骤:
将多孔硅与含3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷的原料反应,进行一次改性,得到改性纳米多孔硅A;将所述改性纳米多孔硅A与含四乙烯五胺的原料反应,进行二次改性,得到所述吸附剂。
3.根据权利要求2所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,具体制备步骤如下:
(1)将金刚石线切割硅片得到的硅废料进行化学纯化处理,除去残留于硅粉上的有机切割液以及其它金属颗粒杂质,得到纯化硅粉;
(2)室温下,将步骤(1)得到的纯化硅粉通过两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法进行刻蚀,并得到具有50~200nm纳米级孔道的硅细粉;
(3)将步骤(2)的具有纳米级孔道的硅细粉置于硝酸溶液中搅拌5~120min,固液分离得到硅粉,采用去离子水洗涤至洗液为中性,过滤、干燥得到多孔硅细粉;
(4)将步骤(3)的多孔硅置于H2SO4/H2O2混合液中活化30~120min,得到活化纳米多孔硅粉;
(5)将步骤(4)的活化纳米多孔硅粉和3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷溶于无水甲苯中,在温度为50~70℃回流反应12~48h,固液分离,洗涤,50-70℃真空干燥得到改性纳米多孔硅A;
(6)将步骤(5)的改性纳米多孔硅A和四乙烯五胺加入无水甲苯中,加热回流12~24h,固液分离,采用无水乙醇反复洗涤固体,真空干燥得到改性纳米多孔硅吸附剂。
4.根据权利要求3所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,还包括:步骤(1)纯化处理的具体步骤为:
1)将金刚石线切割废料进行破碎并研磨至粒径为10~50μm的废硅粉;
2)将步骤1)的废硅粉置于室温下,在NH3·H2O、H2O2与H2O的混合溶液中浸泡搅拌2~6h,再分别采用无水乙醇和去离子水反复洗涤2~3次,干燥后得到初步纯化硅粉;
3)将步骤2)初步纯化硅粉置于室温下HCl、H2O2、H2O混合溶液中浸泡搅拌2~6h,再分别采用无水乙醇和去离子水洗反复洗涤2~3次,干燥后得到初步纯化硅粉;
4)将步骤3)处理的硅粉加入到氢氟酸溶液中,在室温条件下搅拌1~120min得到二次纯化硅粉,其中所述氢氟酸溶液浓度为0.05~2mol/L。
5.根据权利要求3所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中H2SO4/H2O2混合液中硫酸与双氧水的体积比为3~3.5:1,活化温度为室温~95℃。
6.根据权利要求3所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,步骤(4)或为将步骤(3)的多孔硅加入到甲磺酸溶液中并在温度为室温~60℃条件下处理30~180min得到活化纳米多孔硅,或者将步骤(3)的多孔硅置于低压汞弧灯光下氧化处理30~180min得到活化纳米多孔硅。
7.根据权利要求3所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(5)中无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20~30:1,活化纳米多孔硅与3-甘二氧基丙基三甲氧基硅烷的液固比mL:g为1~3:1。
8.根据权利要求3所述的一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)中反应温度为40~60℃;无水甲苯与活化纳米多孔硅的液固比mL:g为20~30:1;无水甲苯与四乙烯五胺的体积比为5~10:1。
9.一种用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂,其特征在于,为采用权利要求2~8中任意项所述方法制备得到。
10.一种使用权利要求1所述的用于As的多步改性纳米多孔硅吸附剂的应用,其特征在于,作为As5+但不仅限于As5+的选择性吸附剂。
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