CN110706901A - 线圈组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有底表面和顶表面以及多个壁，底表面和顶表面在一个方向上彼此背对，多个壁分别将主体的底表面连接到顶表面；凹部，分别形成在主体的多个壁中的主体的彼此背对的前表面和后表面二者中，并且延伸直到主体的底表面；线圈部，埋设在主体中，并且包括暴露于凹部的内壁和下凸缘表面的第一引出部和第二引出部；第一外电极和第二外电极，分别包括设置在凹部中的连接部以及设置在主体的底表面上的延伸部，并且连接到线圈部；屏蔽层，包括设置在主体的顶表面上的盖部以及分别设置在主体的多个壁上的侧壁部；以及绝缘层，设置在主体与屏蔽层之间并且延伸到凹部的下凸缘表面和内壁上，以覆盖连接部。

Description

线圈组件
本申请要求于2018年7月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0080217号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的代表性无源电子组件。
由于电子装置被设计为具有较高性能并且尺寸减小，因此用在电子装置中的电子组件数量增多并且尺寸减小。
因此，对去除电子组件中造成噪声的因素(诸如电磁干扰(EMI))的需求已逐渐提高。
目前使用的EMI屏蔽技术是：在将电子组件安装在基板上之后，用屏蔽罩包封电子组件和基板。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种能够减小漏磁通的线圈组件。
本公开的另一方面在于提供一种在减小漏磁通的同时具有减小的尺寸和厚度的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，具有底表面和顶表面以及多个壁，所述底表面和所述顶表面在一个方向上彼此背对，所述多个壁分别将所述主体的所述底表面连接到所述顶表面；凹部，分别形成在所述主体的所述多个壁中的所述主体的彼此背对的前表面和后表面二者中，并且延伸直到所述主体的所述底表面；线圈部，埋设在所述主体中，并且包括暴露于所述凹部的内壁和下凸缘表面的第一引出部和第二引出部；第一外电极和第二外电极，分别包括设置在所述凹部中的连接部以及设置在所述主体的所述底表面上的延伸部，并且所述第一外电极和所述第二外电极连接到所述线圈部；屏蔽层，包括设置在所述主体的所述顶表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁上的侧壁部；以及绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间并且延伸到所述凹部的下凸缘表面和内壁上，以覆盖所述连接部。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：主体，包括磁性金属粉末；线圈部，包括引出部并且埋设在所述主体中；凹部，形成在所述主体的下表面与所述主体的侧表面之间的边缘部分上并且包括内壁和下凸缘表面，所述凹部沿着所述主体的侧表面延伸到所述引出部，并且使所述引出部暴露于所述凹部的内壁和下凸缘表面；外电极，形成在所述凹部上和所述主体的下表面上，并且连接到所述线圈部；屏蔽层，设置在所述主体的除了所述主体的下表面、所述凹部的内壁以及所述凹部的下凸缘表面之外的表面上；以及绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间，其中，所述外电极沿着所述凹部的内壁和所述凹部的下凸缘表面形成，以与所述凹部相对应，并且其中，所述绝缘层形成为延伸到所述外电极的至少一部分上。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和优点将被更加清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的示意图；
图2是示出图1中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图；
图3是示出根据本公开中的示例性实施例的从底部观察的一些元件被省略的线圈组件的示图；
图4是沿图1中的线I-I'截取的截面图；
图5是沿图1中的线II-II'截取的截面图；
图6是示出线圈部的分解示图；
图7是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的示意图；
图8是示出图7中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图；
图9是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的示意图；
图10是示出图9中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图；
图11是示出根据本公开中的示例性实施例的从底部观察的一些元件被省略的线圈组件的示图；
图12是沿图9中的线III-III'截取的截面图；
图13是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图；
图14是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图；
图15是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图；
图16是示出根据本公开中的另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
示例性实施例中使用的术语仅用于描述示例性实施例，而非意图限制本公开。除非另外指出，否则单数形式包括复数形式。说明书的术语“包含”、“包括”和“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合，而不排除组合或添加一个或更多个特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合的可能性。另外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件位于物体上或物体下，而不一定意味着元件参照重力方向位于物体上。
术语“连接到”、“结合到”等不仅可表示元件彼此直接且物理接触，而且还可包括其它元件介于该元件之间使得该元件还与其它元件接触的构造。
附图中示出的元件的尺寸和厚度作为便于描述的示例，而本公开中的示例性实施例不限于此。
在附图中，L方向是第一方向或者长度方向，W方向是第二方向或者宽度方向，T方向是第三方向或者厚度方向。
在参照附图描述的本说明书中，相同的元件或者彼此相对应的元件将使用相同的附图标记描述，并且将不重复描述重复的描述。
在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且各种类型的线圈组件可用在电子组件之间以去除噪声或用于其它目的。
换句话说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频电感器、普通磁珠、高频磁珠、共模滤波器等。
第一实施例
图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的示意图。图2是示出图1中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图，更具体地，是示出图1中的没有绝缘层、屏蔽层和覆盖层的线圈组件。图3是示出根据示例性实施例的从底部观察的一些元件被省略的线圈组件的示图，更具体地，示出了没有外电极、绝缘层、屏蔽层和覆盖层的线圈组件。图4是沿图1中的线I-I'截取的截面图。图5是沿图1中的线II-II'截取的截面图。图6是示出线圈部的分解示图；
参照图1至图6，根据示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、内绝缘层IL、凹部R1和R2、线圈部200、外电极300和400、屏蔽层500以及绝缘层600，并且还可包括覆盖层。
主体100可形成线圈组件1000的外观，并且可埋设线圈部200。
主体100可具有六面体形状。
参照图1至图2，主体100可包括在长度方向L上彼此背对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向W上彼此背对的第三表面103和第四表面104、在厚度方向T上彼此背对的第五表面105(顶表面)和第六表面106(底表面)。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可以是主体100的连接主体100的第五表面105与第六表面106的壁。在以下描述中，“主体的前表面和后表面二者”可指第一表面101和第二表面102，并且“主体的侧表面二者”可指主体的第三表面103和第四表面104。
作为示例，主体100可被构造成使得其上形成有外电极300和400的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但其示例性实施例不限于此。在一个实施例中，线圈组件1000的长度为1.9mm、1.8mm、1.7mm、1.6mm或1.5mm。在一个实施例中，线圈组件1000的宽度为1.1mm、1.0mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm或0.6mm。在一个实施例中，线圈组件的厚度为0.60mm、0.55mm、0.50mm、0.45mm、0.40mm、0.35mm或0.30mm。
主体100可包含磁性材料和树脂材料。例如，主体100可通过层叠包括树脂材料和分散在树脂材料中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片而形成。可选地，主体100可具有与磁性材料分散在树脂材料中的结构不同的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。
例如，铁氧体粉末可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn铁氧体、Mn-Zn铁氧体、Mn-Mg铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Mg-Mn-Sr铁氧体以及Ni-Zn铁氧体等)、六角晶系铁氧体(诸如Ba-Zn铁氧体、Ba-Mg铁氧体、Ba-Ni铁氧体、Ba-Co铁氧体、Ba-Ni-Co铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如钇(Y)铁氧体)以及锂(Li)铁氧体中的一种或更多种材料。
磁性金属粉末可包含从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Al合金粉末、Fe-Ni合金粉末、Fe-Ni-Mo合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu合金粉末、Fe-Co合金粉末、Fe-Ni-Co合金粉末、Fe-Cr合金粉末、Fe-Cr-Si合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb合金粉末、Fe-Ni-Cr合金粉末和Fe-Cr-Al合金粉末中的一种或更多种材料。
磁性金属粉末可以是非晶态的或晶态的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr非晶态合金粉末，但磁性金属粉末的示例不限于此。
铁氧体和磁性金属粉末可具有0.1μm至30μm的平均直径，但平均直径的示例不限于此。在一个实施例中，铁氧体和磁性金属粉末的平均直径为0.5μm、1μm、5μm、10μm、15μm、20μm或25μm。
主体100可包含分散在树脂材料中的两种或更多种类型的磁性材料。概念“磁性材料的类型不同”可指磁性材料中的一种磁性材料的平均直径、组成、结晶度以及形状中的一者与其它磁性材料中的该者不同。
树脂材料可包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物和它们的混合物等中的一种，但树脂材料的示例不限于此。
主体100可包括贯穿线圈部200的芯110(稍后将进行描述)。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部200的通孔而形成，但其示例性实施例不限于此。
第一凹部R1和第二凹部R2可分别形成在第一表面101和第二表面102上，并且可延伸到主体100的第六表面106。换句话说，第一凹部R1可形成在主体100的第一表面101上并可延伸到主体100的第六表面106，并且第二凹部R2可形成在主体100的第二表面102上并可延伸到主体100的第六表面106。第一凹部R1和第二凹部R2可不延伸到主体100的第五表面105。换句话说，凹部R1和R2可不在主体100的厚度方向上贯穿主体100。
在示例性实施例中，第一凹部R1和第二凹部R2可在主体100的宽度方向上分别延伸到主体100的第三表面103和第四表面104。凹部R1和R2可以是在主体100的整个宽度方向部分中形成的狭缝。第一凹部R1和第二凹部R2可在通过切割线圈条形成单个线圈组件之前的形式下沿着划分线圈组件的边界线中的与每个线圈组件的宽度方向相对应的边界线通过预切割线圈条而形成。预切割的深度可调整为使得引出部231和232(在以下进行描述)的一部分可与主体的一部分一起被去除。换句话说，预切割的深度可调整为使得引出部231和232可分别暴露于第一凹部R1的下凸缘表面和内壁以及第二凹部R2的下凸缘表面和内壁。
第一凹部R1和第二凹部R2的内壁以及第一凹部R1和第二凹部R2的下凸缘表面还可形成主体100的表面。然而，在示例性实施例中，第一凹部R1和第二凹部R2的内壁和下凸缘表面可与主体100的表面106不同。
第一凹部R1和第二凹部R2可各自包括内壁和下凸缘表面。第一凹部R1和第二凹部R2的内壁可以是在宽度方向W上具有长边并且在厚度方向T上具有短边的矩形形状。第一凹部R1和第二凹部R2的内壁的长边的宽度可分别与主体100的宽度相同。在另一实施例中，第一凹部R1和第二凹部R2的内壁的长边的宽度可短于主体100的宽度。在一个实施例中，凹部R1和R2的内壁的长边的宽度可以是1.2mm、1.1mm、1.0mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm或0.6mm。第一凹部R1和第二凹部R2的内壁的长边的宽度可彼此相同或不同。第一凹部R1和第二凹部R2的内壁的短边的高度可短于主体100的高度。在一个实施例中，第一凹部和第二凹部的内壁的短边的高度可以是0.30mm、0.20mm、0.10mm、0.05mm。
第一凹部R1和第二凹部R2下凸缘表面可以是在宽度方向W上具有长边并且在长度方向L上具有短边的矩形形状。第一凹部R1和第二凹部R2下凸缘表面的长边的宽度可分别与主体100的宽度相同。在另一实施例中，第一凹部R1和第二凹部R2的下凸缘表面的长边的宽度可短于主体100的宽度。在一个实施例中，凹部R1和R2的下凸缘表面的长边的宽度可以是1.2mm、1.1mm、1.0mm、0.9mm、0.8mm、0.7mm或0.6mm。第一凹部R1和第二凹部R2的下凸缘表面的长边的宽度可彼此相同或不同。第一凹部R1和第二凹部R2的下凸缘表面的短边的长度可短于主体100的长度。在一个实施例中，第一凹部和第二凹部的下凸缘表面的短边的长度可以是0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm。第一凹部R1和第二凹部R2的下凸缘表面的短边的长度可彼此相同或不同。
内绝缘层IL可埋设在主体100中。内绝缘层IL可支撑线圈部200。
内绝缘层IL可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或者感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中增强材料(诸如玻璃纤维)或者无机填料浸在这样的绝缘树脂中的绝缘材料形成。例如，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、RF-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光介质(PID)等的绝缘材料形成，但内绝缘层的材料的示例不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料可用作无机填料。
当内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层IL可提供改善的刚性。当内绝缘层IL利用不包括增强材料(例如，玻璃纤维)的绝缘材料形成时，可期望内绝缘层IL减小线圈部200的总厚度。当内绝缘层IL利用包括光敏绝缘树脂的绝缘材料形成时，可减少用于形成线圈部200的工艺的数量，从而可降低制造成本，并且可形成细小的过孔。
线圈部200可埋设在主体100中，并且可体现线圈组件的特性。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部200可将电场存储为磁场，从而可保持输出电压，从而使电子装置的功率稳定。
线圈部200可包括第一线圈图案211和第二线圈图案212、第一引出部231和第二引出部232、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242以及第一过孔221、第二过孔222和第三过孔223。
参照图4和图5，第一线圈图案211、第一引出部231和第二引出部232可设置在内绝缘层IL的与主体100的第六表面106相对的下表面上，并且第二线圈图案212、第一辅助引出部241和第二辅助引出部242可设置在与内绝缘层IL的下表面相对的内绝缘层IL的上表面上。
参照图4至图6，第一线圈图案211可与第一引出部231接触并连接到第一引出部231，并且第一线圈图案211和第一引出部231可在内绝缘层IL的下凸缘表面上与第二引出部232间隔开。另外，第二线圈图案212可与第二辅助引出部242接触并连接到第二辅助引出部242，并且第二线圈图案212和第二辅助引出部242可在内绝缘层IL的上表面上与第一辅助引出部241间隔开。另外，第一过孔221可贯穿内绝缘层IL并且可与第一线圈图案211和第二线圈图案212接触，并且第二过孔222可贯穿内绝缘层IL并且可与第一引出部231和第一辅助引出部241接触。第三过孔223可贯穿内绝缘层IL并且可与第二引出部232和第二辅助引出部242接触。因此，线圈部200可用作单个线圈。
第一线圈图案211和第二线圈图案212均可具有以作为轴的芯110为中心形成至少一匝的平面螺旋形状。例如，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的下表面上以作为轴的芯110为中心形成至少一匝。
第一凹部R1和第二凹部R2可分别延伸到第一引出部231和第二引出部232。因此，第一引出部231可暴露于第一凹部R1的下凸缘表面和内壁，并且第二引出部232可暴露于第二凹部R2的下凸缘表面和内壁。外电极300和400(将在以下描述)可分别形成在暴露于凹部R1的下凸缘表面和内壁的第一引出部231上以及暴露于凹部R2的下凸缘表面和内壁的第二引出部232上，并且线圈部200可连接到外电极300和400。
引出部231和232的暴露于凹部R1和R2的内壁和下凸缘表面的表面的表面粗糙度可高于引出部231和232的其余表面的表面粗糙度。例如，在通过电镀工艺形成引出部231和232之后，当凹部R1和R2形成在引出部231和232上和主体100上时，引出部231和232的一部分可在凹部形成工艺期间被去除。因此，引出部231和232的暴露于凹部R1和R2的内壁和下凸缘表面的表面的表面粗糙度可由于切割末端的磨削工艺而高于引出部231和232的其余表面的表面粗糙度。外电极300和400可形成为薄膜，从而外电极300和400与主体100之间的结合力可能变弱。然而，当外电极300和400与引出部231和232的具有相对高的表面粗糙度的表面接触并连接所述表面时，外电极300和400与引出部231和232之间的结合力可提高。
在示例性实施例中，引出部231和232以及辅助引出部241和242可分别暴露于主体100的前表面101和后表面102。换句话说，第一引出部231可暴露于主体100的第一表面101，并且第二引出部232可暴露于主体100的第二表面102。另外，第一辅助引出部241可暴露于主体100的第一表面101，并且第二辅助引出部242可暴露于主体100的第二表面102。因此，第一引出部231可连续暴露于第一凹部R1的内壁、第一凹部R1的下凸缘表面以及主体100的第一表面101，并且第二引出部232可连续暴露于第二凹部R2的内壁、第二凹部R2的下凸缘表面以及主体100的第二表面102。
线圈图案211和212、过孔221、222和223、引出部231和232以及辅助引出部241和242中的至少一者可包括至少一个或更多个导电层。
例如，当第二线圈图案212、辅助引出部241和242以及过孔221、222和223通过镀覆工艺形成在内绝缘层IL的另一表面上时，第二线圈图案212、辅助引出部241和242以及过孔221、222和223均可包括诸如无电镀层的种子层和电镀层。无电镀层可具有单层结构，或者可具有多层结构。具有多层结构的电镀层可具有电镀层中的一层被另一电镀层覆盖的共形膜结构，或者可具有电镀层中的一层被设置在其它镀层的一个表面上的形式。第二线圈图案212的种子层、辅助引出部241和242的种子层以及过孔221、222和223的种子层可彼此一体化，使得它们之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
作为另一示例，参照图1至图5，当设置在内绝缘层IL的下部上的第一线圈图案211、引出部231和232以及设置在内绝缘层IL的上部上的第二线圈图案212、辅助引出部241和242彼此独立地形成，并且线圈部200通过层叠第一线圈图案211、引出部231和232、第二线圈图案212以及辅助引出部241和242而形成时，过孔221、222和223可包括具有高熔点的金属层以及具有低熔点(比具有高熔点的金属层的熔点相对低)的金属层。具有低熔点的金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。具有低熔点的金属层的至少一部分可因在层叠工艺期间产生的压力和温度而熔化，并且金属间化合物层(IMC层)可形成在例如具有低熔点的金属层与第二线圈图案212之间。
如图4和图5中示出的，线圈图案211和212、引出部231和232以及辅助引出部241和242可形成在例如内绝缘层IL的下表面和上表面上，并且从内绝缘层IL的下表面和上表面突出。作为另一示例，第一线圈图案211以及引出部231和232可形成在内绝缘层IL的下表面上并从内绝缘层IL的下表面突出，并且第二线圈图案212以及辅助引出部241和242可埋设在内绝缘层IL的上表面中，并且第二线圈图案212以及辅助引出部241和242的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。在这种情况下，可在第二线圈图案212的上表面上和/或辅助引出部241和242的上表面上形成凹形部，使得内绝缘层IL的上表面可以不与第二线圈图案212的上表面和/或辅助引出部241和242的上表面共面。
线圈图案211和212、引出部231和232、辅助引出部241和242以及过孔221、222和223均可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。
参照图6，第一辅助引出部241可以与线圈部200的其它组件中的电连接无关，因此在示例性实施例中第一辅助引出部241可被省略。然而，形成第一辅助引出部241可以是可取的，以省去用于使主体100的第五表面105和第六表面106彼此区分的工艺。
第一外电极300和第二外电极400可分别包括：第一连接部310和第二连接部410，设置在凹部R1和R2上；以及第一延伸部320和第二延伸部420，设置在主体100的第六表面106上，并且第一外电极300和第二外电极400可连接到线圈部200。第一外电极300和第二外电极400可在主体100的第六表面106上彼此间隔开。例如，第一外电极300可包括：第一连接部310，设置在第一凹部R1的内壁和下凸缘表面上且连接到第一引出部231；以及第一延伸部320，从第一连接部310延伸并且设置在主体100的第六表面106上。第二外电极400可包括：第二连接部410，设置在第二凹部R2的内壁和下凸缘表面上且连接到第二引出部232；以及第二延伸部420，从第二连接部410延伸并且设置在主体100的第六表面106上。
第一外电极300可沿着凹部R1的下凸缘表面、凹部R1的内壁和主体100的第六表面106形成，并且第二外电极400可沿着凹部R2的下凸缘表面、凹部R2的内壁和主体100的第六表面106形成。换句话说，第一外电极300和第二外电极400均可形成为共形膜。第一外电极300和第二外电极400可在凹部R1和R2的下凸缘表面、凹部R1和R2的内壁以及主体100的第六表面106上彼此成一体。换句话说，连接部310和410以及延伸部320和420可通过同一工艺同时形成并且可彼此成一体。第一外电极300和第二外电极400可通过薄膜工艺(诸如，溅射工艺)形成。
第一外电极300和第二外电极400可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但材料的示例不限于此。第一外电极300和第二外电极400可利用单个层或多个层形成。
屏蔽层500可包括设置在主体100的第五表面105上的盖部510以及分别设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104上的侧壁部521、522、523和524。屏蔽层500可设置在主体100的除了主体100的第六表面106之外的表面上，并且可使线圈组件1000的漏磁通减少。
形成在主体100的第一表面101上的第一侧壁部521可不延伸到凹部R1的下凸缘表面或内壁，形成在主体100的第二表面102上的第二侧壁部522可不延伸到凹部R2的下凸缘表面或内壁。
盖部510与侧壁部521、522、523和524可彼此一体化。换句话说，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过同一工艺形成，使得在盖部510与侧壁部521、522、523和524之间可不形成边界。例如，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过将包括绝缘膜和屏蔽膜的单个屏蔽片附着到主体100的第一表面至第五表面而彼此一体化。屏蔽片的绝缘膜可对应于绝缘层600(稍后将进行描述)。作为另一示例，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可通过在主体100的第一表面至第五表面上利用诸如溅射工艺的气相沉积工艺形成屏蔽层500而彼此一体化。当通过溅射工艺形成屏蔽层500时，由于溅射工艺的台阶覆盖率(step coverage)相对低，屏蔽层500可不形成在凹部R1和R2的下凸缘表面和内壁上。
屏蔽层500可包括导电材料和磁性材料中的至少一种。例如，导电材料可以是包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料的合金或金属，或者可以是Fe-Si合金或Fe-Ni合金。另外，屏蔽层500可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种材料。
屏蔽层500可包括两个或更多个分开的细小结构。例如，当盖部510以及侧壁部521、522、523和524各自利用分别被划分为彼此隔离的多个片的非晶带片形成时，盖部510以及侧壁部521、522、523和524各自可包括彼此隔离的多个细小结构。
屏蔽层500可具有10nm至100μm的厚度。当屏蔽层500的厚度小于10nm时，可能无法实现EMI屏蔽效果，而当屏蔽层500的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，并且可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，屏蔽层500的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
绝缘层600可设置在主体100与屏蔽层500之间，并且可延伸到凹部R1和R2的下凸缘表面和内壁，以覆盖连接部310和410。绝缘层600可使屏蔽层500与主体100以及第一外电极300和第二外电极400电绝缘。
绝缘层600可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如，酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx。
绝缘层600可通过将液体绝缘树脂涂覆到主体100上、通过在主体100上层叠绝缘膜(诸如，干膜(DF))或者通过利用气相沉积工艺在主体100的表面上和连接部310和410上形成绝缘材料而形成。可使用聚酰亚胺膜或不包括感光绝缘树脂的ABF(ajinomoto build-up film)作为绝缘膜。
绝缘层600可具有10nm至100μm的厚度。当绝缘层600的厚度小于10nm时，线圈组件的特性(诸如，Q因子等)可能降低，而当绝缘层600的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，使得可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，绝缘层600的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
覆盖层700可设置在屏蔽层500上以覆盖屏蔽层500，并且覆盖层700可与绝缘层600接触。换句话说，覆盖层700可与绝缘层600一起将屏蔽层500埋设在覆盖层700内。因此，覆盖层700可设置在主体100的第一表面至第五表面以及凹部R1和R2的内壁和下凸缘表面上。覆盖层700可覆盖侧壁部521、522、523和524的端部，使得覆盖层700可防止侧壁部521、522、523和524与外电极300和400之间的电连接。此外，覆盖层700可防止屏蔽层500电连接到外部电子组件。
覆盖层700可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如，酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。
覆盖层700可通过在其上形成有屏蔽层500的主体100上层叠覆盖膜(诸如，干膜(DF))而形成。可选地，覆盖层700可通过利用气相沉积工艺(诸如，化学气相沉积(CVD)工艺)在其上形成有屏蔽层500的主体100上形成绝缘材料而形成。
覆盖层700可具有粘结功能。例如，当通过在主体100上层叠覆盖膜形成覆盖层700时，覆盖层700可包括粘结材料以粘结到屏蔽层500。
覆盖层700可具有10nm至100μm的厚度。当覆盖层700的厚度小于10nm时，绝缘特性可能削弱，使得可能发生电短路，而当覆盖层700的厚度大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能难以减小线圈组件的尺寸。在一个实施例中，覆盖层700的厚度为50nm、100nm、500nm、1μm或50μm。
绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和可大于30nm，并且可以是100μm或更小。当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和小于30nm时，可能出现诸如电短路、线圈组件的特性(诸如，Q因子)降低等的问题，然而，当绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700的厚度之和大于100μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增大，这可能难以减小线圈组件的尺寸。
尽管在示例性实施例中未示出，但是线圈组件还可包括沿着引出部231和232、线圈图案211和212、内绝缘层IL以及辅助引出部241和242的表面形成的绝缘膜。绝缘膜可保护引出部231和232、线圈图案211和212以及辅助引出部241和242，并且绝缘膜可使引出部231和232、线圈图案211和212以及辅助引出部241和242与主体100绝缘，并且绝缘膜可包括已知的绝缘材料(诸如，聚对二甲苯等)。包含在绝缘膜中的材料可不限于任何具体材料。绝缘膜可通过气相沉积工艺等形成，但绝缘膜的示例不限于此。可通过在内绝缘层IL的两个表面上层叠绝缘膜来形成该绝缘膜。
在示例性实施例中，线圈组件还可包括与绝缘层600不同的附加绝缘层，并且附加绝缘层可附着并形成在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的至少一个上。例如，当附加绝缘层形成在主体100的第六表面106上时，外电极300和400的延伸部可延伸到附加绝缘层上。附加绝缘层可包括热塑性树脂(诸如，聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如，酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx。
绝缘层600和覆盖层700可直接设置在线圈组件中，并且在将线圈组件安装在印刷电路板上的工艺期间可以与使线圈组件和印刷电路板成型的模制材料区分开。例如，与模制材料不同，绝缘层600和覆盖层700可不与印刷电路板接触。另外，与模制材料不同，绝缘层600和覆盖层700可不通过印刷电路板支撑或固定到印刷电路板。此外，与围绕将线圈组件连接到印刷电路板的连接构件(诸如，焊球)的模制材料不同，绝缘层600和覆盖层700可不围绕连接构件。由于绝缘层600不是通过加热环氧模塑料等、使加热的环氧模塑料流到印刷电路板上并且执行固化工艺而形成的模制材料，因此可不需要考虑在形成模制材料的工艺期间产生的空隙，或者可不需要考虑由于模制材料的热膨胀系数与印刷电路板的热膨胀系数之间的差异而引起的印刷电路板的翘曲。
在示例性实施例中，屏蔽层500可直接设置在线圈组件中，因此，屏蔽层500可不同于在将线圈组件安装在印刷电路板上之后结合到印刷电路板以屏蔽EMI的屏蔽罩等。例如，与屏蔽罩不同，屏蔽层500可不需要连接到印刷电路板的接地层。作为另一示例，屏蔽层500可不需要用于将屏蔽罩固定到印刷电路板的固定构件。
因此，根据示例性实施例的线圈组件1000可通过在线圈组件中直接形成屏蔽层500来有效地屏蔽在线圈组件中产生的漏磁通。换句话说，随着电子装置的尺寸减小并且具有更高的性能，近来，包括在电子装置中的电子组件的数量以及相邻的电子组件之间的距离已经减小，因此，对去除电子组件中造成噪声的因素(诸如电磁干扰(EMI))的需求已逐渐提高。在示例性实施例中，可屏蔽每个线圈组件，使得可有效地屏蔽在线圈组件中产生的漏磁通，从而减小电子组件的尺寸并且实现高性能。此外，与使用屏蔽罩的构造相比，在示例性实施例中的线圈组件1000中，屏蔽区域中的有效磁性材料的量可增大，从而改善线圈组件的特性。
另外，在根据示例性实施例的线圈组件1000中，在下部中实现电极结构的同时可显著减小线圈组件的尺寸。换句话说，与现有技术不同，由于外电极不从主体的前表面101和后表面102二者或者两个侧表面103和104突出，因此可部分地减缓因绝缘层600、屏蔽层500和覆盖层700导致的线圈组件1000的长度和宽度的增加。另外，由于外电极300和400具有相对减小的厚度，因此线圈组件1000的总厚度可减小。另外，外电极300和400与引出部231和232之间的接触面积可通过形成在主体100中的凹部R1和R2而增大，从而提高组件的可靠性。
第二实施例
图7是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的示意图。图8是示出图7中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图，具体地，示出省略了绝缘层、屏蔽层和覆盖层的线圈组件。
参照图1至图8，在根据示例性实施例的线圈组件2000中，外电极300和400可与前述示例性实施例中的线圈组件1000中的外电极不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的外电极不同的外电极300和400。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图7和图8，在示例性实施例中，第一外电极300和第二外电极400可留出使凹部R1和R2暴露的部分(即，430)；并且可留出使主体100的表面106的暴露的部分(即，330)。换句话说，在示例性实施例中，第一外电极300和第二外电极400可不延伸到凹部R1和R2与主体100的第三表面103和第四表面104之间的边界，并且不延伸到主体100的第六表面106与主体100的第三表面103和第四表面104之间的边界。在示例性实施例中，第一外电极300和第二外电极400各自可既不跨越凹部R1和R2的整个宽度，也不跨越主体100的表面106的整个宽度。
根据示例性实施例，在线圈组件2000安装在印刷电路板上时使用的结合构件(诸如，焊料等)与线圈组件2000之间的接触面积可增大。因此，结合构件与线圈组件之间的结合力可提高。另外，在示例性实施例中，由于结合构件(诸如，焊料等)可设置在暴露的部分330和430中，因此防止结合构件延伸到第一表面101和第二表面102。
第三实施例
图9是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的示意图。图10是示出图9中示出的一些元件被省略的线圈组件的示图，具体地，示出省略了绝缘层、屏蔽层和覆盖层的线圈组件。图11是示出根据示例性实施例的从底部观察的一些元件被省略的线圈组件的示图，具体地，示出省略了绝缘层、屏蔽层和覆盖层的线圈组件。图12是沿图9中的线III-III’截取的截面图。
参照图1至图12，在根据示例性实施例的线圈组件3000中，线圈部200与前述示例性实施例中的线圈组件1000和2000中的线圈部不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的线圈部不同的线圈部200。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
示例性实施例中的线圈部200还可包括从引出部231和232以及辅助引出部241和242延伸并且暴露于主体100的第一表面101和第二表面102的结合增强部251、252、253和254。例如，线圈部200还可包括：第一结合增强部251，从第一引出部231延伸并暴露于主体100的第一表面101；第二结合增强部252，从第二引出部232延伸并暴露于主体100的第二表面102；第三结合增强部253，从第一辅助引出部241延伸并暴露于主体100的第一表面101；以及第四结合增强部254，从第二辅助引出部242延伸并暴露于主体100的第二表面102。与前述示例性实施例不同，在该示例性实施例中，引出部231和232以及辅助引出部241和242可不暴露于主体100的第一表面101和第二表面102，并且从引出部231和232以及辅助引出部241和242延伸到主体100的前表面101和后表面102的结合增强部251、252、253和254可暴露于主体100的前表面101和后表面102。
结合增强部251、252、253和254的宽度可比引出部231和232的宽度以及辅助引出部241和242的宽度小，或者结合增强部251、252、253和254的厚度可比引出部231和232的厚度以及辅助引出部241和242的厚度小。换句话说，结合增强部251、252、253和254可使线圈部200的端部的体积减小，使得线圈部200暴露于主体100的第一表面101和第二表面102的区域可显著减小。
因此，根据示例性实施例的线圈组件3000可使线圈部200的端部与主体100之间的结合力提高。换句话说，通过将体积小于引出部231和232以及辅助引出部241和242的体积的结合增强部251、252、253和254设置在主体100的最外部，在线圈组件3000的最外部中，主体100的有效面积可增大。
另外，在线圈组件3000中，通过提高磁性材料的有效体积，可防止组件特性劣化。
另外，在线圈组件3000中，通过减小线圈部200暴露于主体100的前表面101和后表面102二者的面积，可防止电短路。
在示例性实施例中，在引出部231和232以及辅助引出部241和242中，结合增强部251、252、253和254可形成为多个结合增强部。例如，从第一引出部231延伸并暴露于主体100的第一表面101的第一结合增强部251、从第二引出部232延伸并暴露于主体100的第二表面102的第二结合增强部252、从第一辅助引出部241延伸并暴露于主体100的第一表面101的第三结合增强部253以及从第二辅助引出部242延伸并暴露于主体100的第二表面102的第四结合增强部254中的至少一个可形成为多个结合增强部。
因此，在根据示例性实施例的线圈组件3000中，线圈部200与主体100之间的接触面积可增大，从而可提高线圈部200与主体100之间的结合力。
第四实施例
图13是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图。
参照图1至图13，在根据示例性实施例的线圈组件4000中，盖部510可与前述示例性实施例中的线圈组件1000、2000和3000中的盖部不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的盖部不同的盖部510。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图13，盖部510可被构造为使得中央部的厚度T1大于外围部的厚度T2。在以下描述中，将更详细地描述以上构造。
线圈部200的线圈图案211和212可在内绝缘层IL的两个表面的每个上从内绝缘层IL的中央部朝向内绝缘层IL的外围部形成多匝，并且线圈图案211和212均可在主体100的厚度方向T上层叠并且通过过孔221彼此连接。因此，在线圈组件4000中，沿主体100的垂直于主体100的厚度方向T的长度方向L和宽度方向W截取的平面的中央部具有最高的磁通密度。因此，在示例性实施例中，当形成设置在主体100的第五表面(第五表面基本上平行于沿主体100的长度方向L和宽度方向W截取的平面)上的盖部510时，考虑到沿主体100的长度方向L和宽度方向W截取的平面的磁通密度分布，盖部510的中央部的厚T1可被构造为大于外围部的厚度T2。
因此，在根据示例性实施例中的线圈组件4000中，通过根据磁通密度分布来不同地形成盖部510的各个部分的厚度，可有效地减少漏磁通。
第五实施例
图14是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图。
参照图1至图14，在根据示例性实施例的线圈组件5000中，盖部510以及侧壁部521、522、523和524可与前述示例性实施例中的线圈组件1000、2000、3000和4000中的盖部以及侧壁部不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的盖部以及侧壁部不同的盖部510以及侧壁部521、522、523和524。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图14，盖部510的厚度T3可大于侧壁部521、522、523和524的厚度T4。
如上所述，线圈部200可在主体100的厚度方向T上产生磁场。因此，在主体100的厚度方向T上的漏磁通可大于在其它方向上的漏磁通。因此，设置在主体100的第五表面(第五表面垂直于主体100的厚度方向T)上的盖部510的厚度可被构造为大于设置在主体100的壁上的侧壁部521、522、523和524的厚度，从而有效减少漏磁通。
作为示例，可利用包括绝缘膜和屏蔽膜的屏蔽片在主体100的第一表面至第五表面上形成临时的屏蔽层，并且可仅在主体100的第五表面上附加地形成屏蔽材料，从而使盖部510的厚度形成为大于侧壁部521、522、523和524的厚度。作为另一示例，主体100可被设置成使得主体100的第五表面与目标物相对，并且可执行用于形成屏蔽层500的溅射工艺，从而使盖部510的厚度形成为大于侧壁部521、522、523和524的厚度。然而，其示例性实施例不限于此。
因此，在根据示例性实施例中的线圈组件5000中，针对由线圈部200形成的磁场的方向，可有效地减少漏磁通。
第六实施例
图15是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图。
参照图1至图15，在根据示例性实施例的线圈组件6000中，屏蔽层500A和500B可与前述示例性实施例中的线圈组件中的屏蔽层不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的屏蔽层不同的屏蔽层500A和500B。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
在示例性实施例中，屏蔽层500A和500B可形成为通过绝缘层620而彼此隔离的多个层。例如，屏蔽层500A和500B可包括通过第二绝缘层620而彼此隔离的第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B。
第一屏蔽层500A可设置在主体100的第五表面(第五表面是主体100的顶表面)上。第一绝缘层610可设置在主体100的顶表面与第一屏蔽层500A之间。
第一屏蔽层500A可包括磁性材料。例如，第一屏蔽层500A可包括从由铁氧体、坡莫合金和非晶带组成的组中选择的一种或更多种材料。
第二屏蔽层500B可设置在第一屏蔽层500A上，并且第二屏蔽层500B可设置在主体100的多个壁中的每个壁上。换句话说，第二屏蔽层500B可屏蔽主体100的第五表面。
第二屏蔽层500B可包括导电材料。例如，第二屏蔽层500B可以是包括从由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、铌(Nb)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料的合金或金属，或者可以是Fe-Si合金或Fe-Ni合金。
第二绝缘层620可设置在第一屏蔽层500A与第二屏蔽层500B之间，并且第二绝缘层620可延伸到凹部R1和R2的下凸缘表面和内壁上，以覆盖连接部310和410。换句话说，第二绝缘层620可覆盖主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105以及外电极300和400的连接部310和410。
图15示出了包含磁性材料的屏蔽层(第一屏蔽层500A)设置在包含导电材料的屏蔽层500B的内部的构造，但其示例性实施例不限于此。换句话说，与图15中的示例性实施例不同，包含磁性材料的屏蔽层可设置在包含导电材料的屏蔽层的外部中。
在示例性实施例中，可由包括磁性材料的第一屏蔽层500A实现吸收屏蔽效果以及由包括导电材料的第二屏蔽层500B实现反射屏蔽效果二者。换句话说，在1MHz或更低的较低频带中，可利用第一屏蔽层500A吸收和屏蔽漏磁通，而在高于1MHz的高频带中，可利用第二屏蔽层500B反射和屏蔽漏磁通。因此，根据示例性实施例的线圈组件6000可在相对宽的频带中屏蔽漏磁通。
第七实施例
图16是示出根据另一示例性实施例的线圈组件的与沿图1中的线I-I'截取的截面相对应的截面图。
参照图1至图16，在根据示例性实施例的线圈组件7000中，屏蔽层500可被构造成与前述示例性实施例中的线圈组件1000、2000、3000、4000、5000和6000中的屏蔽层不同。因此，在该示例性实施例中，将仅描述与前述示例性实施例中的屏蔽层不同的屏蔽层500。示例性实施例中其它元件的描述将与前述示例性实施例中的描述相同。
参照图16，屏蔽层500可形成为双层结构。
在示例性实施例中，由于屏蔽层500A和500B形成为双层结构，因此穿透设置为相对靠近主体100的第一屏蔽层500A的漏磁通可在与主体100相对间隔较远的第二屏蔽层500B中被屏蔽。因此，在线圈组件7000中，可以有效地屏蔽漏磁通。
另外，在示例性实施例中，屏蔽层500A和500B可形成在主体100的第一表面至第五表面中的每个表面上。换句话说，双层屏蔽层可形成为跨过主体的五个表面。
利用导电材料形成第一屏蔽层500A和第二屏蔽层500B可以是可取的，但其示例性实施例不限于此。
另外，在示例性实施例中，绝缘层610和620也可形成为多个绝缘层。第一绝缘层610可形成在主体100与第一屏蔽层500A之间并可延伸到连接部310和320上，并且第二屏绝缘层620可形成在第一屏蔽层500A与第二屏蔽层500B之间并可延伸到连接部310和320。
形成在第一屏蔽层500A与第二屏蔽层500B之间的第二绝缘层620可用作从第二屏蔽层500B反射的噪声的波导。
根据前述示例性实施例，可减小漏磁通。
另外，根据前述示例性实施例，漏磁通可减小同时线圈组件的尺寸和厚度减小。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (17)

1.一种线圈组件，包括：
主体，具有底表面和顶表面以及多个壁，所述底表面和所述顶表面在一个方向上彼此背对，所述多个壁分别将所述主体的所述底表面连接到所述顶表面；
凹部，分别形成在所述主体的所述多个壁中的所述主体的彼此背对的前表面和后表面二者中，并且延伸直到所述主体的所述底表面，其中，所述凹部包括内壁和下凸缘表面；
线圈部，埋设在所述主体中，并且包括暴露于所述凹部的内壁和下凸缘表面的第一引出部和第二引出部；
第一外电极和第二外电极，分别包括设置在所述凹部中的连接部以及设置在所述主体的底表面上的延伸部，并且所述第一外电极和所述第二外电极连接到所述线圈部；
屏蔽层，包括设置在所述主体的所述顶表面上的盖部以及分别设置在所述主体的所述多个壁上的侧壁部；以及
绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间并且延伸到所述凹部的所述下凸缘表面和所述内壁上，以覆盖所述连接部。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述连接部和所述延伸部沿着所述凹部的所述下凸缘表面、所述凹部的内壁以及所述主体的所述底表面以一体化的形式形成。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述凹部延伸直到所述主体的两个侧表面，所述两个侧表面连接所述主体的所述多个壁中的所述主体的前表面和后表面二者。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述第一外电极和所述第二外电极分别暴露所述主体的两个侧表面与所述凹部的所述内壁之间的边界以及所述主体的两个侧表面与所述主体的所述底表面之间的边界，并且所述第一外电极和所述第二外电极既不跨越所述凹部的所述内壁的整个宽度，也不跨越所述主体的所述底表面的整个宽度。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一引出部和所述第二引出部的暴露于所述凹部的表面的表面粗糙度高于所述第一引出部和所述第二引出部的除了所述第一引出部和所述第二引出部的所述表面之外的表面的表面粗糙度。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
内绝缘层，埋设在所述主体中，以支撑所述线圈部，
其中，所述第一引出部和所述第二引出部设置在所述内绝缘层的一个表面上并且彼此间隔开，所述内绝缘层的所述一个表面与所述主体的所述底表面相对，并且
其中，所述线圈部包括：
第一线圈图案，设置在所述内绝缘层的所述一个表面上，与所述第一引出部接触并且与所述第二引出部间隔开；
第二线圈图案，设置在所述内绝缘层的另一表面上，所述另一表面与所述内绝缘层的所述一个表面背对；以及
过孔，贯穿所述内绝缘层，以连接所述第一线圈图案和所述第二线圈图案。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，所述线圈部还包括：结合增强部，分别从所述第一引出部和所述第二引出部延伸，并且分别暴露于所述主体的前表面和后表面。
8.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述结合增强部的厚度小于所述第一引出部和所述第二引出部的厚度。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述结合增强部的宽度小于所述第一引出部和所述第二引出部的宽度。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部被构造为使得所述盖部的位于所述主体的所述顶表面的中央部的厚度比所述盖部的位于所述主体的所述顶表面的外围部的厚度大。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述盖部的厚度大于所述侧壁部的厚度。
12.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述屏蔽层包含导电材料和磁性材料中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的线圈组件，
其中，所述屏蔽层包括：第一屏蔽层，包含磁性材料；以及第二屏蔽层，设置在所述第一屏蔽层上并且包含导电材料，并且
其中，所述绝缘层包括：第一绝缘层，设置在所述第一屏蔽层与所述主体之间；以及第二绝缘层，设置在所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间。
14.一种线圈组件，包括：
主体，包括磁性金属粉末；
线圈部，包括引出部并且埋设在所述主体中；
凹部，形成在所述主体的下表面与所述主体的侧表面之间的边缘部分上，所述凹部沿着所述主体的侧表面延伸到所述引出部，并且使所述引出部暴露于所述凹部的内壁和下凸缘表面；
外电极，形成在所述凹部上和所述主体的下表面上，并且连接到所述线圈部；
屏蔽层，设置在所述主体的除了所述主体的下表面、所述凹部的内壁以及所述凹部的下凸缘表面之外的表面上；以及
绝缘层，设置在所述主体与所述屏蔽层之间，
其中，所述外电极沿着所述凹部的内壁和所述凹部的下凸缘表面形成，以与所述凹部相对应，并且
其中，所述绝缘层形成为延伸到所述外电极的至少一部分上。
15.根据权利要求14所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：覆盖层，设置在所述屏蔽层上以覆盖所述屏蔽层，并且所述覆盖层与所述绝缘层接触。
16.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述绝缘层、所述屏蔽层和所述覆盖层的厚度之和大于30nm。
17.根据权利要求16所述的线圈组件，其中，所述绝缘层、所述屏蔽层和所述覆盖层的厚度之和为100μm或更小。
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