CN110684964B - 基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品 - Google Patents

基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品 Download PDF

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Abstract

本发明属于纳米晶薄膜制备领域，并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热；(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；(c)向反应腔内通入氧气等离子体，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。通过本发明，解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能的问题，具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。

Description

基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品
技术领域
本发明属于纳米晶薄膜制备领域，更具体地，涉及一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。
背景技术
纳米晶又称为量子点，是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。它的粒径一般介于1～10nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，具有带隙可调、宽的激发谱和窄的发射谱等效应，在太阳能电池、发光器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。
虽然量子点具有优异的发光性能，但其容易受到水、氧、光和热的侵蚀，造成配体脱落和晶格畸变，使其发光性能下降，稳定性较差；另外，量子点巨大的比表面积很容易导致表面产生缺陷位点(低配位原子，悬断键)而大大延长电子-空穴对的复合时间，降低量子点的发光效率。
为解决上述技术问题，现有技术已经提出了化学锚定方法，能够在一定程度取得改善。然而，进一步的研究表明，上述现有技术仍存在以下的缺陷或不足：一方面，配体与量子点表面成键作用力较弱，在集成制造过程中，配体脱落形成的表面悬挂键难以实现完全钝化；另一方面，对量子点的热、水氧稳定性提升效果有限，自发氧化难以精确控制而影响量子点的本征属性。相应地，本领域亟需对此作出进一步的改进，以便符合更高性能及效率的纳米晶处理工艺需求。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品，通过采用离子体增强原子层沉积方法在纳米晶薄膜表面沉积氧化硅包覆层，以此方式不仅能够有效解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能等问题，而且具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。
为实现上述目的，按照本发明，提供了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，该方法包括下列步骤：
(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热，使得所述反应腔体内的温度上升至50℃～60℃；
(b)向反应腔体内通入气态硅烷，该气态硅烷与所述纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持所述反应腔内的气压恒定；
(c)向所述反应腔内通入氧气等离子体，该氧气等离子体与步骤(b)中气态硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持所述反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在所述纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至所述氧化硅的厚度达到预设厚度值。
进一步优选地，在步骤(b)和(c)中，所述气态硅烷和氧气等离子体通入的时间为0.1s～1.0s，流量优选为50ml/min～500ml/min。
进一步优选地，在步骤(b)和(c)中，所述通入载气的流量为50ml/min～100ml/min，所述反应腔体出口压力为100Pa～500Pa。
进一步优选地，在步骤(d)中，所述预设厚度值优选为5nm～10nm。
进一步优选地，在步骤(a)中，所述制备纳米晶薄膜包括下列步骤：
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至150℃～180℃使得所述混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中所述油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为12～18:7～10:1～4；
(a2)在所述前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应5s～10s，以此获得量子点胶体，将所述量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，所述硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比1～3:10～15混合形成的混合溶液，所述量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.5～1：10～15；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为1500r/min～3000r/min，时间为10s～30s。
进一步优选地，在步骤(c)前，还包括下列步骤：清除所述反应腔内未与所述纳米晶薄膜反应的气态硅烷，以及气态硅烷与所述纳米晶薄膜反应产生的副产物，该副产物包括烷烃和二氧化碳。
按照本发明的另一个方面，还提供了一种利用上述所述的方法制备获得的被氧化硅包覆的纳米晶薄膜。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
1、本发明中通过采用等离子体增强原子层沉积的方式在纳米晶薄膜表面包覆一层纳米厚度的氧化硅包覆层，其中，氧等离子体的氧化性更强，；降低在生成氧化硅的过程中的反应温度，避免对纳米晶薄膜本身的性能造成破坏，进而使得反应可以在低温下进行，避免高温反应过程中纳米晶薄膜的破坏，与现有技术相比能够在低温下沉积质量较好的氧化硅包覆层，以此保证量子点不受水氧侵蚀，制备工艺简单方便，制备成本低；
2、本发明通过在现制备的纳米晶薄膜的表面沉积氧化硅包覆层，避主要是纳米晶薄膜不易保存，若采用现成的纳米晶薄膜，其在保存过程中发生变质，侵蚀，即便最终采用氧化硅将纳米晶薄膜包覆，但是其在包覆前即已经发生侵蚀，达不到理想的效果；
3、本发明还对等离子体增强原子层沉积技术的关键工艺条件譬如添加量、载气及流化气的流量及通入时间、腔体的出口压力等专门进行研究与设定，实际测试表明可确保制备氧化硅包覆层厚度为5nm～10nm的量子点保护层同时具备便于操控、稳定性好、便于大批量生产等优点。
附图说明
图1是按照本发明的优选实施例所构建的一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1所示，本发明通过对整个工艺过程的处理方式、反应机理及多个关键参数等方面进行研究和改进，相应与现有工艺相比，可充分借助于热注入法和旋涂法来制备厚度均匀的纳米晶薄膜，同时高效可控地将纳米厚度的氧化硅包覆到纳米晶表面上，不仅有效地保持其固有发光性能，更提高了其耐水、氧、热的稳定性。
一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，该制备方法主要包括下列步骤：
步骤一、制备纳米晶胶体
将油胺、油酸、溴化铅按照质量分数为12～18:7～10:1～4的比例进行混合，并在惰性气氛下加热到150℃～180℃直至形成完全溶解的前驱体；向该前驱体中立即注入一定比例配置好的硬脂酸铯-十八烯混合溶液，该混合溶液中硬脂酸铯与十八烯的质量比为1～3:10～15，反应5s～10s后整体置于冰水混合物中冷却且使得反应停止；接着，将反应产物量子点胶体离心提纯后加入正己烷溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.5～1：10～15，形成纳米晶胶体。
步骤二、制备纳米晶薄膜。
将普通载玻片切成2cm×2cm的正方形片子，随后放入超声机中，分别倒入丙酮、无水乙醇和去离子水进行超声，液面要超过载玻片，每种溶液超声15-20min，随后取出片子在加热板上90～100℃下干燥，干燥完从加热板上取下来冷却，接着将干燥的片子放到旋涂仪上，旋涂仪转速设为2000～3000r/min，时间为10～15s，每次用移液枪滴入20～30ul步骤一中所得胶体溶液，重复两次，即得纳米晶薄膜；
步骤三、纳米晶薄膜表面氧化硅的包覆处理步骤。
在通过以上步骤所形成的纳米晶薄膜采用等离子体增强原子层沉积的方式，在厚度均匀的纳米晶薄膜表面上继续沉积纳米厚度或亚微米厚度的氧化硅包覆层，由此完成整体的纳米晶薄膜表面包覆过程。
更具体而言，所述原子层沉积的过程可以包括以下子步骤：
将所述纳米晶薄膜片子放入平面腔体中，一边通氮气一边抽真空，然后加热腔体至50℃～60℃，较低的温度会导致沉积的氧化硅包覆层不致密，温度较高则会破坏纳米晶本身的发光性能；向所述腔体内通入第一种气态前驱体分子，并使其与纳米晶薄膜表面上化学基团发生反应，反应过程中不断通入载气，该第一种气态前驱体分子为硅烷，例如：双二乙氨基二氢硅烷；清除所述腔体内剩余的第一种流化气和反应副产物；向所述腔体内通入第二种气态前驱体分子氧等离子体，并使其与上次反应后吸附在所述纳米晶颗粒表面上的第一种流化气的外露基团发生反应，反应过程中不断通入载气；清除所述腔体内剩余的第二种流化气和反应副产物，完成首次的离心原子层沉积反应，氧化硅包覆层为两种反应前驱体发生化学反应形成；采取以上方式重复多次等离子体增强原子层沉积反应，使得氧化硅包覆层在纳米晶表面上的沉积厚度不断增长，直至完成对纳米晶薄膜表面的充分包覆。
在上述步骤中，气态硅烷分子和氧气等离子体的流量优选设定为50～500标准毫升每分钟，载气的流量优选为50～100标准毫升每分钟，流量设置的太高，气态硅烷分子和氧气等离子体分子不能进入反应腔体，太低，会清洗不充分，不能完全清除气态硅烷分子或氧气等离子体分子。
在各次等离子体增强原子层沉积反应中，气态硅烷分子和氧气等离子体与纳米晶的反应时间均优选为0.1s～1.0s，在该反应时间内两种前驱体分子在样品基底表面达到充分吸附，腔体出口压力为100Pa～500Pa，前述载气的流量决定了此出口压力。
氧化硅薄膜的沉积厚度优选设定为5nm～10nm，原子层沉积的优势是可以沉积致密均匀的氧化物薄膜，该厚度已足够阻隔空气中水氧的侵蚀。
下面将结合具体的实施例进一步说明本发明。
实施例1
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至150℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为12:7:1；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应5s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比1:10混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.5：10；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为1500r/minn，时间为10s。
(b)向反应腔体内通入气态双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为50ml/min，时间为0.1s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为50ml/min，反应腔体出口压力为100Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为50ml/min，时间为0.1s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为50ml/min，反应腔体出口压力为100Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到5nm。
实施例2
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至180℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为18:10:4；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应10s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比3:15混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为1：15；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为3000r/min，时间为30s。
(b)向反应腔体内通入双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为500ml/min，时间为1.0s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为100ml/min，反应腔体出口压力为500Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为500ml/min，时间为1.0s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为100ml/min，反应腔体出口压力为500Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到10nm。
实施例3
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至160℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为15：8：3；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应8s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比2:13混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.8：13；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为2000r/min，时间为20s。
(b)向反应腔体内通入双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为200ml/min，时间为0.8s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为80ml/min，反应腔体出口压力为300Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为300ml/min，时间为0.8s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为70ml/min，反应腔体出口压力为300Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到7nm。
实施例4
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至170℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为14:9:3；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应9s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比2:14混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.7：13；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为2500r/min，时间为25s。
(b)向反应腔体内通入双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为400ml/min，时间为0.7s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为80ml/min，反应腔体出口压力为350Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为100ml/min，时间为0.5s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为90ml/min，反应腔体出口压力为400Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到9nm。
实施例5
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至170℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为16:9:3；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应8s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比2:12混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.7：11；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为2000r/min，时间为25s。
(b)向反应腔体内通入双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为150ml/min，时间为0.5s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为50ml/min，反应腔体出口压力为500Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为300ml/min，时间为0.8s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为70ml/min，反应腔体出口压力为300Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到10nm。
实施例6
(a1)将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至180℃使得混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为18:7:1；
(a2)在前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应8s，以此获得量子点胶体，将量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比3:10混合形成的混合溶液，量子点胶体与正己烷溶液的质量比为1：10；
(a3)利用步骤(a2)获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为3000r/min，时间为30s。
(b)向反应腔体内通入双二乙氨基二氢硅烷，通入的流量为500ml/min，时间为1.0s，双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为80ml/min，反应腔体出口压力为300Pa；
(c)向反应腔内通入氧气等离子体，通入的流量为350ml/min，时间为0.7s，氧气等离子体与步骤(b)中双二乙氨基二氢硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，通入载气的流量为80ml/min，反应腔体出口压力为400Pa，反应生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；
(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到8nm。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
（a）制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热，使得所述反应腔体内的温度上升至50℃～60℃；
（b）向反应腔体内通入气态硅烷，该气态硅烷与所述纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持所述反应腔体内的气压恒定；
（c）向所述反应腔体内通入氧气等离子体，该氧气等离子体与步骤（b）中气态硅烷与纳米晶薄膜反应获得的产物的外露基团反应，反应过程中不断通入载气以保持所述反应腔体内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在所述纳米晶薄膜的表面；
（d）重复步骤（b）～（c）,直至所述氧化硅的厚度达到预设厚度值；
其中，在步骤（b）和（c）中，所述气态硅烷和氧气等离子体通入的时间为0.1s～1.0s，流量优选为50ml/min～500ml/min。
2.如权利要求1所述的一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，其特征在于，在步骤（b）和（c）中，所述通入载气的流量为50ml/min～100ml/min，所述反应腔体出口压力为100Pa～500Pa。
3.如权利要求1所述的一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，其特征在于，在步骤（d）中，所述预设厚度值优选为5nm～10nm。
4.如权利要求1所述的一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，其特征在于，在步骤（a）中，所述制备纳米晶薄膜包括下列步骤：
（a1）将油胺溶液、油酸溶液、溴化铅粉末混合形成混合溶液，在惰性气氛下加热至150℃～180℃使得所述混合溶液充分溶解，以此获得前驱体溶液，该前驱体溶液中所述油胺、油酸和溴化铅质量分数之比为12～18:7～10:1～4；
（a2）在所述前驱体溶液中加入硬脂酸铯-十八烯混合溶液，反应5s～10s，以此获得量子点胶体，将所述量子点胶体离心提纯，然后加入正己烷溶液，以此形成纳米晶胶体，其中，所述硬脂酸铯-十八烯混合溶液为将硬脂酸铯与十八烯混合按照质量比1～3:10～15混合形成的混合溶液，所述量子点胶体与正己烷溶液的质量比为0.5～1：10～15；
（a3）利用步骤（a2）获得纳米晶胶体旋涂在载体上，固化后获得所需的纳米晶薄膜，其中，旋涂的转速为1500 r/min～3000r/min，时间为10s～30s。
5.如权利要求1所述的一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法，其特征在于，在步骤（c）前，还包括下列步骤：清除所述反应腔体内未与所述纳米晶薄膜反应的气态硅烷，以及气态硅烷与所述纳米晶薄膜反应产生的副产物，该副产物包括烷烃和二氧化碳。
6.一种利用权利要求1-5任一项所述的方法制备获得的被氧化硅包覆的纳米晶薄膜。
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