CN110662970B - 改善助焊剂扩散的探针及其制造方法 - Google Patents

改善助焊剂扩散的探针及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110662970B
CN110662970B CN201780091039.0A CN201780091039A CN110662970B CN 110662970 B CN110662970 B CN 110662970B CN 201780091039 A CN201780091039 A CN 201780091039A CN 110662970 B CN110662970 B CN 110662970B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flux
probe
needle
mask
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780091039.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110662970A (zh
Inventor
李在桓
尹敏焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Withmems Co ltd
Original Assignee
GigaLane Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GigaLane Co Ltd filed Critical GigaLane Co Ltd
Publication of CN110662970A publication Critical patent/CN110662970A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110662970B publication Critical patent/CN110662970B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

本发明涉及一种探针卡用探针，更详细而言，涉及一种当把探针粘贴到空间变换器的电极上时防止助焊剂沿探针扩散的改善助焊剂扩散的探针及其制造方法。为此，本发明包括：针主体部；针弹性部，其从所述针主体部具有弹性地延伸而形成；以及针接触部，其形成在所述针弹性部的另一侧，所述针主体部还包括助焊剂防止部，其形成为用于围住助焊剂以防止助焊剂沿所述针主体部扩散的凹槽形状。

Description

改善助焊剂扩散的探针及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种探针卡用探针，更详细而言，涉及一种当把探针粘贴到空间变换器的电极上时防止助焊剂沿探针扩散的改善助焊剂扩散的探针及其制造方法。
背景技术
一般而言，在为制作半导体的封装(package)之前的步骤，即晶片步骤中，为了检测晶片有无异常而使用探针卡。
这样的探针卡包括与晶片接触并接收信号的探针与从探针接收到信号并将信号传递给测试机(tester)的PCB及在探针与PCB之间传递信号的空间变换器(spacetransformer)。
这样的探针粘贴在空间变换器上，如图1所示，一般而言，位置固定臂20将涂有焊料5(solder)的探针10安放在空间变换器的电极30上，用激光L熔化焊料5而粘贴到空间变换器的电极30上。
此时，涂在用于粘贴到空间变换器的电极30上的探针10上的焊料5包含助焊剂(flux)，因此存在当受到激光L的加热时沿探针10扩散到将探针10安装到空间变换器的电极30上的位置固定臂20的问题。
此时，助焊剂的黏的性质影响探针与位置固定臂的分离，因此当为了分离而施加必要以上的力时，存在探针损坏的问题。
此外，如果助焊剂残留并固化在探针的弹性部上，则存在无法实现探针的弹性导致探针的接触无法正常进行的问题。
现有技术
专利文献0001_韩国注册专利第10-1399537号
专利文献0002_韩国注册专利第10-1748583号
专利文献0003_韩国注册专利第10-0974563号
发明内容
技术课题
上述的现有技术存在如前述的问题，本发明的课题旨在解决这样的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种当把探针粘贴到空间变换器的电极上时防止助焊剂沿着探针扩散的改善助焊剂扩散的探针及其制造方法。
本发明的目的不局限于上面所提及的目的，没有被提及的本发明的其他目的及优点可以通过下述的说明被理解，并可以通过本发明的实施例得到进一步的阐明。此外，可以容易地理解本发明的目的及优点可以通过权利要求书的范围所示出的方法及其组合得以实现。
技术方案
为实现上述的目的，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针包括：针主体部；针弹性部，其从所述针主体部具有弹性地延伸而形成；以及针接触部，其形成在所述针弹性部的另一侧，所述针主体部还包括助焊剂防止部，其形成为用于围住助焊剂以防止助焊剂沿所述针主体部扩散的凹槽形状。
在形成有所述助焊剂防止部的区域还包括助焊剂贯通部，其形成为贯通所述针主体部的孔状。
本发明的特征在于，所述助焊剂防止部的大小大于所述助焊剂贯通部的大小。
本发明的特征在于，所述助焊剂防止部以所述助焊剂贯通部为中心，形成在所述针主体部的两面上。
本发明的特征在于，所述助焊剂贯通部包括两个以上的孔。
本发明的特征在于，所述针主体部还包括：针粘贴部，其粘贴到空间变换器的电极上；以及针支撑部，其从所述针粘贴部向垂直方向延伸，并在延伸的一侧面上以使所述针弹性部与所述针粘贴部隔开的方式向水平方向延伸，所述助焊剂防止部横跨针粘贴部及针支撑部的边界面形成。
为实现上述目的，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针包括：针主体部；针弹性部，其从所述针主体部具有弹性地延伸而形成；以及针接触部，其形成在所述针弹性部的另一端，所述针主体部还包括：助焊剂贯通孔，其形成为用于围住助焊剂以防止助焊剂沿针主体部扩散的贯通的孔状；以及助焊剂防止部，其在所述助焊剂贯通孔贯通的所述针主体部的两面之间形成为大于所述助焊剂贯通孔的大小。
为实现上述目的，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法中，所述方法用于制造通过半导体工艺在薄片上层叠第一探针层及第二探针层而形成的探针，包括：(1)在薄片上形成用于形成第一探针层及助焊剂防止部的第一掩模的步骤；(2)对所述第一掩模中为了形成所述第一探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第一探针层的步骤；(3)去除所述第一掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤；(4)将用于形成第二探针层及助焊剂贯通部的第二掩模形成为高于第一探针层的高度的步骤；(5)对所述第二掩模中为了形成所述第二探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第二探针层的步骤；以及(6)去除所述第二掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤。
所述第(6)步骤之后的步骤还包括：(7)将用于形成第三探针层及助焊剂防止部的第三掩模形成为高于第二探针层的高度的步骤；(8)对所述第三掩模中为了形成所述第三探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第三探针层的步骤；以及(9)去除所述第三掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤。
为实现上述目的，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法中，所述方法用于制造通过半导体工艺在薄片上层叠第一探针层及第二探针层而形成的探针，包括：(1)在薄片上形成用于形成第一探针层及助焊剂贯通部的第一掩模的步骤；(2)对所述第一掩模中为了形成所述第一探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第一探针层的步骤；(3)去除所述第一掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤；(4)将用于形成第二探针层及助焊剂防止部的第二掩模形成为高于第一探针层的高度的步骤；(5)对所述第二掩模中为了形成所述第二探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第二探针层的步骤；以及(6)去除所述第二掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤。
所述第(6)步骤之后的步骤还包括：(7)将用于形成第三探针层及助焊剂骨头弄部的第三掩模形成为高于第二探针层的高度的步骤；(8)对所述第三掩模中为了形成所述第三探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第三探针层的步骤；以及(9)去除所述第三掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤。
发明的效果
如上所述的本发明起到当改善助焊剂扩散的探针粘贴到空间变换器的电极上时防止助焊剂扩散的效果。
还具有如下附加效果：防止助焊剂流入位置固定臂中，使得探针与固定位置臂的分离顺畅，并且助焊剂不残留在探针的弹性部上，因而不阻碍探针与晶片的接触。
附图说明
图1是用于说明现有的探针的图。
图2是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的图。
图3a是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的一面的图。
图3b是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的另一面的图。
图3c是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的截面的图。
图4a是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的一面的图。
图4b是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的另一面的图。
图4c是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的截面的图。
图5是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的助焊剂贯通部的图。
图6至图8是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法的图。
图9a是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的一面的图。
图9b是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的另一面的图。
图9c是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的截面的图。
图10至图12是用于说明本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法的图。
符号说明
100：针主体部，200：针弹性部，300：针接触部，400：助焊剂防止部，500：助焊剂贯通部。
具体实施方式
上述的目的、特征及优点可以参照附图并通过后述的详细说明得到进一步阐明，由此本发明所属领域的一般技术人员可以容易地实施本发明的技术思想。此外，在本发明的说明过程中，当被判断为对与本发明相关的公知技术的具体说明有可能不必要地模糊本发明的主旨时，将省略其详细说明。
并且在说明书全文中，当说明某一部分与另一部分“连接”时，不仅包括“直接连接”的情况，还包括其中间存在其他元件并“电连接”的情况。此外，当某一部分“包括”或“具备”某一构成要素时，除非特别存在与此相反的记载，意味着还可以包括和具备其他构成要素而不是排除其他构成要素。此外，在说明书全文的记载中，部分构成要素记载成单数并不意味着本发明局限于此，可以理解该构成要素可以形成为复数个。
下面参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。
如图2所示，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针包括针主体部100；针弹性部200，其从针主体部100具有弹性地延伸而形成；以及针接触部300，其形成在针弹性部200的另一侧，针主体部100还包括助焊剂防止部400，其为了将助焊剂围住以防止助焊剂沿针主体部100扩散而形成为凹槽形状。
在针主体部100的形成有助焊剂防止部400的区域与没有形成助焊剂防止部400的区域台阶式地形成，利用这样的台阶可以起到防止助焊剂扩散的作用。
此外，形成有助焊剂防止部400的区域还可以包括助焊剂贯通部500，其形成为贯通所述针主体部的孔状。
此时，优选助焊剂防止部400的大小大于助焊剂贯通部500的大小，形成有助焊剂防止部400的区域与形成有助焊剂贯通部500的区域台阶式地形成，从而可以进一步提升防止助焊剂扩散的效果。
如图3所示，助焊剂防止部400以在针主体部100的一侧面上形成助焊剂防止部400，在另一侧面上形成贯通部500的方式形成在针主体部100的单面上。
此外，如图4所示，助焊剂防止部400可以以助焊剂贯通部500为中心形成在针主体部100的两面上。
如图5a所示，助焊剂贯通部500可以包括一个孔，如图5b所示，助焊剂贯通部500可以包括两个以上的孔，并且如图5c所示，图5a与图5b的助焊剂贯通部500的形状可以复合式地形成。
关于助焊剂防止部400形成的位置，其特征在于，针主体部100还包括针粘贴部110，其粘贴到空间变换器的电极上；以及针支撑部120，其从针粘贴部110向垂直方向延伸，并在延伸的一侧面上以使针弹性部200与针粘贴部110隔开的方式向水平方向延伸，助焊剂防止部400形成为横跨针粘贴部110及针支撑部120的边界面。
如图6至图8所示，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法通过半导体工艺在薄片W上层叠第一探针层600、第二探针层700及第三探针层800而形成。
首先，第一探针层600的层叠方法如图6a所示，是在薄片W上形成用于形成第一探针层600及助焊剂防止部400的第一掩模610。
如图6b所示，对第一掩模610中为了形成第一探针层而开口的区域进行镀金以形成第一探针层600。
如图6c所示，去除第一掩模610以形成助焊剂防止部400。
第二探针层700的层叠方法如图7a所示，将用于形成第二探针层700及助焊剂贯通部500的第二掩模710形成为高于第一探针层600的高度。
如图7b所示，对第二掩模710中为了形成第二探针层700而开口的区域进行镀金以形成第二探针层700。
如图7c所示，去除第二掩模710以形成助焊剂贯通部500。
如此，通过前面所述的制造工艺，制造在针主体部100的单面上形成有助焊剂防止部400的改善助焊剂扩散的探针，进一步地，在针主体部100的两面上形成有助焊剂防止部400的改善助焊剂扩散的探针的制造方法如图8所示，在第二探针层700的上部进一步层叠第三探针层800。
如图8a所示，将用于形成第三探针层800及助焊剂防止部400的第三掩模810形成为高于第二探针层700的高度。
如图8b所示，对第三掩模810中为了形成第三探针层800而开口的区域进行镀金以形成第三探针层800。
如图8c所示，去除第三掩模810以形成助焊剂防止部400。
如此，通过前面所述的制造工艺，制造在针主体部100的两面上形成有助焊剂防止部400的改善助焊剂扩散的探针。
如图9所示，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针包括针主体部100；针弹性部200，其从针主体部100具有弹性地延伸而形成；以及针接触部300，其形成在针弹性部200的另一端，针主体部100还包括助焊剂贯通孔500，其形成为用于围住助焊剂以防止助焊剂沿针主体部扩散的贯通的孔状；以及助焊剂防止部400，其在助焊剂贯通孔500贯通的针主体部100的两面之间形成为大于助焊剂贯通孔500的大小。
如图10至图12所示，本发明的实施例的改善助焊剂扩散的探针的制造方法通过半导体工艺以在薄片W上层叠第一探针层600、第二探针层700及第三探针层800而形成。
首先，第一探针层600的层叠方法如图10a所示，是在薄片W上形成用于形成第一探针层600及助焊剂贯通部500的第一掩模610。
如图10b所示，对第一掩模610中为了形成第一探针层而开口的区域进行镀金以形成第一探针层600。
如图10c所示，去除第一掩模610以形成助焊剂贯通部500。
第二探针层700的层叠方法如图11a所示，将用于形成第二探针层700及助焊剂防止部400的第二掩模710形成为高于第一探针层600的高度。
如图11b所示，对第二掩模710中为了形成第二探针层700而开口的区域进行镀金以形成第二探针层700。
如图11c所示，去除第二掩模710以形成助焊剂防止部400。
如此，通过前面所述的制造工艺，制造在针主体部100的单面上形成有助焊剂贯通部500的改善助焊剂扩散的探针，进一步地，在针主体部100的两面上形成有助焊剂贯通部500的改善助焊剂扩散的探针的制造方法如图12所示，在第二探针层700上部还层叠第三探针层800。
如图12a所示，将用于形成第三探针层800及助焊剂贯通部500的第三掩模810形成为高于第二探针层700的高度。
如图12b所示，对第三掩模810中为了形成第三探针层800而开口的区域进行镀金以形成第三探针层800。
如图12c所示，去除第三掩模810以形成助焊剂贯通部500。
如此，通过前面所述的制造工艺，制造在针主体部100的两面上形成有助焊剂贯通部500的改善助焊剂扩散的探针。
如上所述，尽管本发明通过限定的实施例与图进行了说明，但本发明并部仅限于上述的实施例，本发明所属领域的一般技术人员能够根据上述的记载，在不脱离本发明的技术思想的范围内进行多种替换，变形及变更。
因此，本发明的范围不应被局限于所说明的实施例，而应被权利要求书和与本权利要求书同等的范围所决定。
产业上利用的可能性
本发明提供一种当把探针粘贴到空间变换器的电极上时防止助焊剂沿探针扩散的改善助焊剂扩散的探针及其制造方法。

Claims (10)

1.一种改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，包括：
针主体部；
针弹性部，其从所述针主体部具有弹性地延伸而形成；以及
针接触部，其形成在所述针弹性部的另一侧，
所述针主体部还包括助焊剂防止部，其形成为用于围住助焊剂以防止助焊剂沿所述针主体部扩散的凹槽形状，
在形成有所述助焊剂防止部的区域还包括助焊剂贯通部，其形成为贯通所述针主体部的两面的孔状，
所述针主体部与形成有所述助焊剂防止部的区域台阶式地形成，形成有所述助焊剂防止部的区域与形成有助焊剂贯通部的区域台阶式地形成。
2.根据权利要求1所述的改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，
所述助焊剂防止部的大小大于所述助焊剂贯通部的大小。
3.根据权利要求2所述的改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，
所述助焊剂防止部以所述助焊剂贯通部为中心，形成在所述针主体部的两面上。
4.根据权利要求2所述的改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，
所述助焊剂贯通部包括两个以上的孔。
5.根据权利要求2所述的改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，
所述针主体部还包括：
针粘贴部，其粘贴到空间变换器的电极上；以及
针支撑部，其从所述针粘贴部向垂直方向延伸，并在延伸的一侧面上以使所述针弹性部与所述针粘贴部隔开的方式向水平方向延伸，
所述助焊剂防止部横跨针粘贴部及针支撑部的边界面形成。
6.一种改善助焊剂扩散的探针，其特征在于，包括：
针主体部；
针弹性部，其从所述针主体部具有弹性地延伸而形成；以及
针接触部，其形成在所述针弹性部的另一端，
所述针主体部还包括：
助焊剂贯通孔，其形成为贯通所述针主体部的两面的孔状，用于围住助焊剂以防止助焊剂沿所述针主体部扩散；以及
助焊剂防止部，其在所述助焊剂贯通孔贯通的所述针主体部的两面之间形成为大于所述助焊剂贯通孔的大小，
形成有所述助焊剂防止部的区域与形成有助焊剂贯通孔的区域台阶式地形成。
7.一种改善助焊剂扩散的探针的制造方法，其用于制造通过半导体工艺在薄片上层叠第一探针层及第二探针层而形成的探针，所述改善助焊剂扩散的探针的制造方法的特征在于，包括：
(1)在薄片上形成用于形成第一探针层及助焊剂防止部的第一掩模的步骤；
(2)对所述第一掩模中为了形成所述第一探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第一探针层的步骤；
(3)去除所述第一掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤；
(4)将用于形成第二探针层及助焊剂贯通部的第二掩模形成为高于第一探针层的高度的步骤；
(5)对所述第二掩模中为了形成所述第二探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第二探针层的步骤；以及
(6)去除所述第二掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤。
8.根据权利要求7所述的改善助焊剂扩散的探针的制造方法，其特征在于，
所述第(6)步骤之后的步骤还包括：
(7)将用于形成第三探针层及助焊剂防止部的第三掩模形成为高于第二探针层的高度的步骤；
(8)对所述第三掩模中为了形成所述第三探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第三探针层的步骤；以及
(9)去除所述第三掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤。
9.一种改善助焊剂扩散的探针的制造方法，其用于制造通过半导体工艺在薄片上层叠第一探针层及第二探针层而形成的探针，所述改善助焊剂扩散的探针的制造方法的特征在于，包括：
(1)在薄片上形成用于形成第一探针层及助焊剂贯通部的第一掩模的步骤；
(2)对所述第一掩模中为了形成所述第一探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第一探针层的步骤；
(3)去除所述第一掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤；
(4)将用于形成第二探针层及助焊剂防止部的第二掩模形成为高于第一探针层的高度的步骤；
(5)对所述第二掩模中为了形成所述第二探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第二探针层的步骤；以及
(6)去除所述第二掩模以形成所述助焊剂防止部的步骤。
10.根据权利要求9所述的改善助焊剂扩散的探针的制造方法，其特征在于，
所述第(6)步骤之后的步骤还包括：
(7)将用于形成第三探针层及助焊剂贯通部的第三掩模形成为高于第二探针层的高度的步骤；
(8)对所述第三掩模中为了形成所述第三探针层而开口的区域进行镀金以形成所述第三探针层的步骤；以及
(9)去除所述第三掩模以形成所述助焊剂贯通部的步骤。
CN201780091039.0A 2017-07-27 2017-08-24 改善助焊剂扩散的探针及其制造方法 Active CN110662970B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095081A KR101977473B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법
KR10-2017-0095081 2017-07-27
PCT/KR2017/008075 WO2019022272A1 (ko) 2017-07-27 2017-08-24 플럭스 확산이 개선된 프로브핀 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110662970A CN110662970A (zh) 2020-01-07
CN110662970B true CN110662970B (zh) 2022-05-10

Family

ID=65040939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780091039.0A Active CN110662970B (zh) 2017-07-27 2017-08-24 改善助焊剂扩散的探针及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101977473B1 (zh)
CN (1) CN110662970B (zh)
WO (1) WO2019022272A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102088205B1 (ko) * 2019-08-30 2020-03-16 주식회사 프로이천 디스플레이 패널 검사용 프로브 핀

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2277585Y (zh) * 1996-11-19 1998-04-01 鸿海精密工业股份有限公司 插座连接器
KR20090040648A (ko) * 2007-10-22 2009-04-27 세크론 주식회사 프로브 카드 제조방법
CN101581757A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 纬创资通股份有限公司 测试系统及测试方法
JP2010169417A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Denso Corp 検査用プローブ及びプリント基板検査装置
CN101946367A (zh) * 2007-12-20 2011-01-12 莫列斯公司 防爬越端子和连接器
CN102725912A (zh) * 2010-01-29 2012-10-10 住友电木株式会社 导电连接片、端子间的连接方法、连接端子的形成方法、半导体装置和电子设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030096425A (ko) * 1994-11-15 2003-12-31 폼팩터, 인크. 인터포저
JP3426801B2 (ja) * 1995-08-15 2003-07-14 株式会社ミツバ 電子部品
JP5060965B2 (ja) 2006-01-25 2012-10-31 株式会社日本マイクロニクス 通電試験用プローブ、プローブ組立体およびその製造方法
JP4424519B2 (ja) * 2007-08-09 2010-03-03 ヒロセ電機株式会社 基板実装型コネクタ
KR100960437B1 (ko) * 2008-01-30 2010-05-28 송광석 통전핀,그의 통전핀 제조방법
KR101748583B1 (ko) 2015-08-04 2017-06-21 크루셜머신즈 주식회사 프로브핀 본딩 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2277585Y (zh) * 1996-11-19 1998-04-01 鸿海精密工业股份有限公司 插座连接器
KR20090040648A (ko) * 2007-10-22 2009-04-27 세크론 주식회사 프로브 카드 제조방법
CN101946367A (zh) * 2007-12-20 2011-01-12 莫列斯公司 防爬越端子和连接器
CN101581757A (zh) * 2008-05-12 2009-11-18 纬创资通股份有限公司 测试系统及测试方法
JP2010169417A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Denso Corp 検査用プローブ及びプリント基板検査装置
CN102725912A (zh) * 2010-01-29 2012-10-10 住友电木株式会社 导电连接片、端子间的连接方法、连接端子的形成方法、半导体装置和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019022272A1 (ko) 2019-01-31
CN110662970A (zh) 2020-01-07
KR20190012338A (ko) 2019-02-11
KR101977473B1 (ko) 2019-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7104054B2 (ja) 高周波応用分野用の改善されたプローブカード
US7667329B2 (en) Electronic micromodule and method for manufacturing the same
TW200610078A (en) Packaging with metal studs formed on solder pads
EP2930747A1 (en) Lead for connection to a semiconductor device
TW200603698A (en) Methods of forming solder bumps on exposed metal pads and related structures
WO2007111610A8 (en) Hybrid chip fuse assembly having wire leads and fabrication method therefor
CN110662970B (zh) 改善助焊剂扩散的探针及其制造方法
US9412691B2 (en) Chip carrier with dual-sided chip access and a method for testing a chip using the chip carrier
JP2008060551A (ja) 熱コンジット
CN101536261A (zh) 具有高密度低成本连接的电子部件
TW200644138A (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
SG128597A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
CN104541366A (zh) 半导体装置及其制造方法
RU2635338C2 (ru) Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа
JP2009517729A (ja) 電気接点及び基板を含むデバイス，並びにトランスポンダ
US7691728B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2001013208A (ja) 半導体テスト治工具
JP2002270320A (ja) 半導体パッケージ用ソケット
CN107305849B (zh) 封装结构及其制作方法
US20140374853A1 (en) Component including means for reducing assembly-related mechanical stresses and methods for manufacturing same
JP2005337904A (ja) 半導体装置特性測定用治具および半導体装置特性測定方法
KR101757742B1 (ko) 프로브 및 프로브 제조방법
JP2007287800A (ja) 配線とこれを用いた半導体装置用パッケージ部品及び配線基板
KR20120082750A (ko) 솔더크림 수용공간을 갖는 전자파 차단용 쉴드캔 고정클립
CN109979902A (zh) 半导体器件以及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240912

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: WithMEMS Co.,Ltd.

Country or region after: Republic of Korea

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: GIGALANE Co.,Ltd.

Country or region before: Republic of Korea