JP2001013208A - 半導体テスト治工具 - Google Patents

半導体テスト治工具

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JP2001013208A
JP2001013208A JP11185167A JP18516799A JP2001013208A JP 2001013208 A JP2001013208 A JP 2001013208A JP 11185167 A JP11185167 A JP 11185167A JP 18516799 A JP18516799 A JP 18516799A JP 2001013208 A JP2001013208 A JP 2001013208A
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JP
Japan
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contact pin
contact
semiconductor test
test jig
hole
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Application number
JP11185167A
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English (en)
Inventor
Masahiro Tanaka
将裕 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/0735Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品点数を削減することにより安価に構成す
ると共に、高周波テストに対応できる半導体テスト治工
具を提供する。 【解決手段】 引き出し内線8が埋設された多層基板3
にスルーホール3aをあけ、このスルーホール内に半田
ボールと直接接触するコンタクトピン6を挿入し、更に
多層基板3の裏面側にはコンタクトピン6の高さ方向の
バラツキを吸収するシリコンゴム5を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造の最終
選別工程に使用される半導体テスト治工具に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】BGA,CSPのような半田ボールを接
触子とするデバイスは最終選別工程にて、ポゴピン方
式、挟み込み方式、板ばね方式の各種コンタクタを使用
し接触させている。図7はポゴピン方式による半導体テ
スト治工具を示す断面図であり、図において、11はデ
バイス、12はポゴピン、13はソケット、14は多層
基板、15はケーブル、16はスルーホールである。
【0003】図8は板ばね方式による半導体テスト治工
具を示す断面図であり、図において、17はデバイス、
18は板ばね、19はソケット、20は多層基板、21
はケーブル、22はスルーホールである。図9は挟み込
み方式による半導体テスト治工具を示す断面図であり、
図において、23はデバイス、24は挟み込み部材、2
5はソケット、26は多層基板、27はケーブル、28
はスルーホールである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体テスト治
工具は以上のように構成されているので、高周波でテス
トを行うデバイスの場合、コンタクトピンの線長がテス
トの質に大きく影響してくることになるが、上記挟み込
み方式、板ばね方式は安価であるが、十分な弾性を持た
せるため、線長を短くすることはできず、高速のテスト
は不可能である。又、ポゴピン方式は構造を変更するこ
とによって線長を短くすることは可能であるが、価格が
高いためテストコストに大きく影響してしまう。更にこ
れらコンタクタを取りつけたソケットはコンタクトの取
りつけ、保持機構のため部品点数も多く、ソケットコス
トを引き上げる要因となっている。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、多層基板内に設置したコンタク
トピンを採用することにより、部品点数を削減し、安価
に構成できるとともに、高周波テストに対応できる半導
体テスト治工具を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
る半導体テスト治工具は、引き出し内線が埋設された多
層基板と、この多層基板にあけられたスルーホールの内
壁に接触して挿入されるコンタクトピンと、多層基板の
下部に設けられると共にコンタクトピンと接触端子(半
田ボール)の高さのバラツキを吸収する弾性材とを備え
たものである。
【0007】この発明の請求項2に係る半導体テスト治
工具は、コンタクトピンの片側を斜めに切り落として構
成したものである。
【0008】この発明の請求項3に係る半導体テスト治
工具は、コンタクトピンの形状を大径部分と小径部分と
を有する2段構造で構成したものである。
【0009】この発明の請求項4に係る半導体テスト治
工具は、引き出し内線が埋設された多層基板と、この多
層基板にあけられたスルーホールに挿入されるばねとを
備えたものである。
【0010】この発明の請求項5に係る半導体テスト治
工具は、ばねの形状を大径部分と小径部分とを有する2
段構造で構成したものである。
【0011】
【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施形態を図について説明する。図1はこの発明の実施
の形態1による半導体テスト治工具を示す断面図、図2
は図1におけるA部拡大図である。図において、1はソ
ケット外形、2はデバイス、3は多層基板、4はケーブ
ル、5はシリコンゴムである。又、6はコンタクトピン
であり、接触が繰り返し確実に行なえるように表面が金
メッキ処理されている。7はコンタクトピン6と多層基
板3との間に設けられた金メッキ、8は多層基板3内に
埋め込まれた引き出し内線である。
【0012】本実施形態においては、配線の引き回しは
多層基板3を使用し、この多層基板3には各層間へ配線
を引き回す為にスルーホールと呼ばれる貫通穴があけら
れており、このスルーホール3aを使用し、デバイス2
から多層基板3までの距離を短くするよう構成する。ス
ルーホール3a内には半田ボールと直接接触するコンタ
クトピン6をその内壁に接触して挿入する。そしてこの
コンタクトピン6に弾性をもたせる為、多層基板3の裏
面には弾性材となるシリコンゴム5を敷き、コンタクト
ピン6の高さのバラツキ及び半田ボールの高さのバラツ
キを吸収するようにする。テスト信号はコンタクトピン
6から直接多層基板3を通る為、最短の経路となり、高
速テストが可能となる。又、コンタクトピン6は部品点
数が1点となり、安価に製造が可能である。
【0013】実施の形態2.本実施形態においては、コ
ンタクトピン6の形状を図3に示すように変更すること
によって、接触安定性を大きくするものである。即ち、
コンタクトピン6の下部片側を斜めに切りおとして傾斜
部6aを形成することにより、コンタクトピン6とスル
ーホール3aとの接触がより上方でなされることとな
り、電気的導通路が短くなる。また、コンタクトピン6
がスルーホール3aの壁に2ヶ所a,bの側面部で確実
に接触するため、より安定した電気経路が得られる。更
に、実施の形態1の場合と同様、部品点数も削減でき
る。
【0014】実施の形態3.上記実施形態におけるコン
タクトピン6は、コンタクトピン自体に弾性がなく、シ
リコンゴム5が必要である。そこで図4に示すように、
コンタクトピンとして、表面が金メッキ処理されたばね
9を用いることによって、コンタクトと弾性との両方の
機能を兼ねそなえたものとすることができる。即ち、ば
ね9はスルーホール3aの径よりも例えば+0.05m
m大きな径とし、これをスルーホール3a内に圧入する
ことにより、ばね9とスルーホール3aの内壁との接触
を確実に行ない、安定した電気経路を確保することがで
きる。これによりシリコンゴムは不必要となり、部品点
数の削減となる。又、コンタクト部材がばねである為、
接触点も多くなり、安定した電気経路が得られる。
【0015】実施の形態4.本実施形態においては、図
5に示すように、コンタクトピン6の形状を大径部分6
bと小径部分6cとを有する2段構造に形成したもので
ある。そして大径部分6bを多層基板3とシリコンゴム
5とで挟み込んで押さえ付けることにより、コンタクト
ピン6と多層基板3との接触性を向上させることができ
る。又、図6に示すように、ばね9の形状を同様に大径
部6bと小径部6cの2段構造とすることもでき、上記
と同様の効果を奏することができる。
【0016】
【発明の効果】この発明の請求項1に係る半導体テスト
治工具によれば、引き出し内線が埋設された多層基板
と、この多層基板にあけられたスルーホールの内壁に接
触して挿入されるコンタクトピンと、多層基板の下部に
設けられると共にコンタクトピンと接触してその高さの
バラツキを吸収する弾性材とを設けたので、高速テスト
が可能になると共に、部品点数が減るため安価に製造す
ることができる。
【0017】この発明の請求項2に係る半導体テスト治
工具によれば、コンタクトピンの片側を斜めに切り落と
して構成したので、接触安定性を向上させることができ
る。
【0018】この発明の請求項3に係る半導体テスト治
工具によれば、コンタクトピンの形状を大径部分と小径
部分とを有する2段構造で構成したので、コンタクトピ
ンと多層基板との接触性を向上させることができる。
【0019】この発明の請求項4に係る半導体テスト治
工具によれば、引き出し内線が埋設された多層基板と、
この多層基板にあけられたスルーホールに挿入されるば
ねとを設けたので、部品点数を削減することができると
共に安定した電気経路を得ることができる。
【0020】この発明の請求項5に係る半導体テスト治
工具によれば、ばねの形状を大径部分と小径部分とを有
する2段構造で構成したので、ばねと多層基板との接触
性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体テスト
治工具を示す断面図である。
【図2】 図1におけるA部拡大図である。
【図3】 この発明の実施の形態2による半導体テスト
治工具を示す断面図である。
【図4】 この発明の実施の形態3による半導体テスト
治工具を示す断面図である。
【図5】 この発明の実施の形態4による半導体テスト
治工具を示す断面図である。
【図6】 この発明の実施の形態4による半導体テスト
治工具を示す断面図である。
【図7】 従来の半導体テスト治工具を示す断面図であ
る。
【図8】 従来の半導体テスト治工具を示す断面図であ
る。
【図9】 従来の半導体テスト治工具を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
3 多層基板、3a スルーホール、5 弾性材、6
コンタクトピン、6a傾斜部、8 引き出し内線、9
ばね。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 引き出し内線が埋設された多層基板と、
    この多層基板にあけられたスルーホールの内壁に接触し
    て挿入されるコンタクトピンと、上記多層基板の下部に
    設けられると共に上記コンタクトピンの高さのバラツキ
    を吸収する弾性材を備えたことを特徴とする半導体テス
    ト治工具。
  2. 【請求項2】 コンタクトピンの片側を斜めに切り落と
    して構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体テ
    スト治工具。
  3. 【請求項3】 コンタクトピンの形状を大径部分と小径
    部分とを有する2段構造で構成したことを特徴とする請
    求項1記載の半導体テスト治工具。
  4. 【請求項4】 引き出し内線が埋設された多層基板と、
    この多層基板にあけられたスルーホールに挿入されるば
    ねとを備えたことを特徴とする半導体テスト治工具。
  5. 【請求項5】 ばねの形状を大径部分と小径部分とを有
    する2段構造で構成したことを特徴とする請求項4記載
    の半導体テスト治工具。
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