CN110655056B - 一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,属于功能纳米材料制备方法技术领域,包括以下步骤:将滑石粉和镁粉混合均匀,通过干压成型将混合后物料压制成块状,将压制后块状物置于程序可控高温管式炉中,采用分段加热方式制得多孔纳米硅碳复合材料粗品,将制备的多孔纳米硅碳复合材料粗品经酸洗、水洗、离心、干燥工艺得到多孔纳米硅碳复合材料;本发明制备方法工艺简单,原料价格低廉,制备成本低,无环境污染且安全,并且所制得的多孔纳米硅碳复合材料具有均匀的纳米孔洞结构、硅‑碳材料比例可调控,没有杂质,可应用于能量存储材料领域。
Description
技术领域
本发明属于功能纳米材料制备方法技术领域,具体涉及一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法。
背景技术
石墨作为目前常用的商用锂离子电池负极材料,其理论比容量仅有372mAh·g-1,且在高倍率下充放电性能较差,在电介质中的稳定性也较差,已不能满足能量存储材料的发展需求;为此,硅作为丰量元素材料且其具有4200mAh·g-1的超高理论比容量、较低的充放电电压等诸多优点,已成为未来高能量密度动力电池存储材料的不二之选,然而,硅材料在充放电过程中由于具有较大的体积变化,造成其循环稳定性较差,为了克服这一难题,目前发展了一些硅的合金化、硅复合材料、硅的纳米化等方法,特别是将硅与碳材料的复合,结合两种材料的优点,可以大幅提高硅基材料的循环稳定性,然而,目前制备纳米硅碳复合材料的方法主要包括气体裂解法、直接混合法等,这些方法存在爆炸风险、环境污染、工艺复杂且成本高等缺点,大大限制了硅碳复合材料的应用进程。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,本发明提供一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,本发明利用滑石粉中含有的硅元素作为硅源,通过与镁的原位还原反应并进一步利用多余的镁还原二氧化碳,后经酸洗、干燥等处理得到纳米多孔硅碳复合材料,此方法制备得到的纳米多孔硅碳复合材料可应用于能量存储材料领域。
为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括以下步骤:
S1,将生滑石粉煅烧,制得煅烧滑石粉D1;
S2,将D1与镁粉充分混合均匀,并压制成块体,制得混合块状材料MD1;
S3,将MD1分段煅烧处理,制得纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
S4,将SMD1经酸洗、去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,制得多孔纳米硅碳复合材料。
优选地,所述S1中生滑石粉煅烧工艺为升温速率为3~5℃/min,保温温度为680~720℃,保温90~150min,保温结束后按3~15℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却。
优选地,所述S2中D1与镁粉的质量比为1:1~3。
优选地,所述S2中压制成块体采用的是干压成型技术,压制压强为50~200MPa,保压时间为3~10min。
优选地,所述S3中分段煅烧分为六个阶段,分别为:
第一阶段:由室温升至600~630℃;第二阶段:在600~630℃保温2~3h;第三阶段:由第二阶段结束后升温至700~720℃;第四阶段:在700~720℃保温2~3h;第五阶段:由第四阶段结束后按照5~10℃/min降温速率降温至300℃;第六阶段:由300℃随炉冷却至室温。
优选地,所述第一阶段和第二阶段真空度分别小于0.01Pa,第三阶段至第六阶段分别通入二氧化碳气体,且气体流量为20ml/min。
优选地,所述S4的酸洗具体为首先将S3得到的SMD1粉在30~50vol%盐酸中浸泡6~12h,然后离心取下层沉淀并用去离子水清洗至中性,进一步浸泡在10~25vol%的氢氟酸中3~6h。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
本发明制备方法工艺简单,原料价格低廉,制备成本低,无环境污染且安全,并且所制得的多孔纳米硅碳复合材料具有均匀的纳米孔洞结构、硅-碳材料比例可调控,没有杂质,可应用于能量存储材料领域。
附图说明
图1为本发明实施例1制得的多孔纳米硅碳复合材料的SEM图;
图2为本发明实施例1制得的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图3为本发明实施例1制得的多孔纳米硅碳复合材料的差热热重分析图;
图4为本发明实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的SEM图;
图5为本发明实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图6为本发明实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的差热热重分析图;
图7为本发明实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的SEM图;
图8为本发明实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图9为本发明实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的差热热重分析图;
图10为本发明实施例4制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图11为本发明实施例5制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图12为本发明实施例6制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图;
图13为本发明实施例7制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案能予以实施,下面结合附图以及具体实施例对本发明作进一步说明,但所举实施例不作为对本发明的限定。
下面各实施例中未注明具体条件的试验方法,均按照本领域的常规方法和条件进行,所用的材料若无特殊说明均为市售。
实施例1
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为4℃/min,保温温度为700℃,保温100min,保温结束后按15℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与镁粉质量比为1:1充分混合均匀,并采用干压成型在50MPa,保压10min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至600℃、第二阶段——在600℃保温3h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至700℃、第四阶段——在700℃保温3h、第五阶段——由第四阶段结束后按照5℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三阶段至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在30vol%盐酸中浸泡12h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在10vol%的氢氟酸中6h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图1给出了实施例1制备的多孔纳米硅碳复合材料的扫描电子显微镜图像,由图1可知,样品为多孔纳米结构的显微形貌;图2给出了实施例1制备的复合材料的拉曼分析图,由图2可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料;图3为实施例1制备的复合材料的热重分析,由图3可知,在600℃附近有一个明显的放热峰,对应的是所制备复合材料中的碳的燃烧放热,多孔纳米硅碳复合材料中碳的占比为35wt%。
实施例2
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为5℃/min,保温温度为720℃,保温90min,保温结束后按4℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与镁粉质量比为1:3充分混合均匀,并采用干压成型在200MPa,保压3min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至620℃、第二阶段——在620℃保温2.5h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至720℃、第四阶段——在720℃保温2h、第五阶段——由第四阶段结束后按照10℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在50vol%盐酸中浸泡6h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在25vol%的氢氟酸中3h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图4给出了实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的扫描电子显微镜图像,由图4可知,样品为多孔纳米结构的显微形貌;图5给出了实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图5可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料;图6为实施例2制备的多孔纳米硅碳复合材料的热重分析,由图6可知,在670℃附近有一个明显的放热峰,对应的是所制备复合材料中的碳的燃烧放热,多孔纳米硅碳复合材料中碳的占比为47wt%。
实施例3
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为4℃/min,保温温度为680℃,保温150min,保温结束后按4℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与的镁粉质量比为1:1.5充分混合均匀,并采用干压成型在100MPa,保压5min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至630℃、第二阶段——在630℃保温2h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至710℃、第四阶段——在710℃保温2.5h、第五阶段——由第四阶段结束后按照10℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在40vol%盐酸中浸泡10h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在15vol%的氢氟酸中5h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图7给出了实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的扫描电子显微镜图像,由图7可知,样品为多孔纳米结构的显微形貌;图8给出了实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图8可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料;图9为实施例3制备的多孔纳米硅碳复合材料的热重分析,由图9可知,在620℃附近有一个明显的放热峰,对应的是所制备复合材料中的碳的燃烧放热,多孔纳米硅碳复合材料中碳的占比为40wt%。
实施例4
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为3℃/min,保温温度为700℃,保温100min,保温结束后按3℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与的镁粉质量比为1:2.5为充分混合均匀,并采用干压成型在50MPa,保压10min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至600℃、第二阶段——在600℃保温3h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至700℃、第四阶段——在700℃保温3h、第五阶段——由第四阶段结束后按照5℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在30vol%盐酸中浸泡12h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在10vol%的氢氟酸中6h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图10给出了实施例4制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图10可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料。
实施例5
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为5℃/min,保温温度为720℃,保温90min,保温结束后按4℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与的镁粉质量比为1:2.2充分混合均匀,并采用干压成型在200MPa,保压3min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至620℃、第二阶段——在620℃保温2h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至720℃、第四阶段——在720℃保温2h、第五阶段——由第四阶段结束后按照10℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在50vol%盐酸中浸泡6h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在25vol%的氢氟酸中3h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图11给出了实施例5制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图11可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料。
实施例6
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为4℃/min,保温温度为680℃,保温150min,保温结束后按4℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与的镁粉质量比为1:2充分混合均匀,并采用干压成型在100MPa,保压5min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至630℃、第二阶段——在630℃保温2h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至710℃、第四阶段——在710℃保温2.5h、第五阶段——由第四阶段结束后按照8℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在40vol%盐酸中浸泡10h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在15vol%的氢氟酸中5h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图12给出了实施例6制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图12可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料。
实施例7
一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤1,将生滑石粉装入刚玉坩埚中,然后放入管式炉内进行煅烧,煅烧生滑石粉的工艺为升温速率为4℃/min,保温温度为700℃,保温150min,保温结束后按4℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却,得到煅烧滑石粉D1;
步骤2,将步骤1中制得的D1按照D1与的镁粉质量比为1:1.25充分混合均匀,并采用干压成型在100MPa,保压5min压制成块体,得到混合块状材料MD1;
步骤3,将步骤2中制得的MD1放入刚玉坩埚,并在管式炉中分六段煅烧处理,分别为:第一阶段——由室温升至630℃、第二阶段——在630℃保温2h、第三阶段——由第二阶段结束后升温至710℃、第四阶段——在710℃保温2.5h、第五阶段——由第四阶段结束后按照10℃/min降温速率降温至300℃、第六阶段——由300℃随炉冷却至室温,其中,在第一阶段和第二阶段为经抽真空至真空度小于0.01Pa进行,第三至第六阶段为通入二氧化碳气体,气体流量为20ml/min,得到纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
步骤4,将步骤3得到的SMD1首先在40vol%盐酸中浸泡10h,然后将样品离心并用去离子水清洗至中性,进一步将样品浸泡在15vol%的氢氟酸中5h,最后经去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,干燥温度为100℃,干燥时间为12h,得到多孔纳米硅碳复合材料。
图13给出了实施例7制备的多孔纳米硅碳复合材料的拉曼分析图,由图13可知,样品中存在明显的硅的拉曼位移信号和碳的D峰和G峰,说明所制备的材料为硅碳复合材料。
综上所述,本发明制备方法工艺简单,原料价格低廉,制备成本低,无环境污染且安全,并且所制得的多孔纳米硅碳复合材料具有均匀的纳米孔洞结构、硅-碳材料比例可调控,没有杂质,可应用于能量存储材料领域。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (3)
1.一种多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,将生滑石粉煅烧,制得煅烧滑石粉D1;
生滑石粉煅烧工艺为升温速率为3~5℃/min,保温温度为680~720℃,保温90~150min,保温结束后按3~15℃/min的降温速率降到300℃后随炉冷却;
S2,将D1与镁粉充分混合均匀,并压制成块体,制得混合块状材料MD1;
D1与镁粉的质量比为1:1~3;
S3,将MD1分段煅烧处理,制得纳米多孔硅碳复合材料粗品SMD1;
分段煅烧分为六个阶段,分别为:
第一阶段:由室温升至600~630℃;第二阶段:在600~630℃保温2~3h;第三阶段:由第二阶段结束后升温至700~720℃;第四阶段:在700~720℃保温2~3h;第五阶段:由第四阶段结束后按照5~10℃/min降温速率降温至300℃;第六阶段:由300℃随炉冷却至室温;
所述第一阶段和第二阶段真空度分别小于0.01Pa,第三阶段至第六阶段分别通入二氧化碳气体,且气体流量为20ml/min;
S4,将SMD1经酸洗、去离子水和无水乙醇交替清洗、离心和干燥处理,制得多孔纳米硅碳复合材料。
2.根据权利要求1所述的多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,所述S2中压制成块体采用的是干压成型技术,压制压强为50~200MPa,保压时间为3~10min。
3.根据权利要求1所述的多孔纳米硅碳复合材料的制备方法,其特征在于,所述S4的酸洗具体为首先将S3得到的SMD1粉在30~50vol%盐酸中浸泡6~12h,然后离心取下层沉淀并用去离子水清洗至中性,进一步浸泡在10~25vol%的氢氟酸中3~6h。
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