CN110607516B - 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 - Google Patents
一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110607516B CN110607516B CN201911019510.2A CN201911019510A CN110607516B CN 110607516 B CN110607516 B CN 110607516B CN 201911019510 A CN201911019510 A CN 201911019510A CN 110607516 B CN110607516 B CN 110607516B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tungsten
- argon
- atomic layer
- layer deposition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,采用双‑异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)和氧分子(O2)等离子体作为前驱体,通过原子层沉积(ALD)方法制备出三氧化钨(WO3)薄膜。之后通过硫化WO3薄膜得到单层或双层二硫化钨(SW2)薄膜。本发明采用原子层沉积技术,可通过反应周期精确控制薄膜厚度,可生成单层或双层、致密性良好的二硫化钨(SW2)薄膜,具有重复性好、控制精度高等优势。
Description
技术领域
本发明属于无机材料制备技术领域,尤其涉及一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法。
背景技术
二硫化钨为六方晶系,层与层之间通过范德华力相互作用。WS2因其存在带隙,而表现出半导体性质,这些特性使WS2在电子和光电领域有广泛的应用前景。二硫化钨具有优异的光吸收与光响应特性。当WS2薄膜层数由多层减双为单层,其带隙由间接带隙转换为直接带隙,带隙宽度由1.3eV增大为2.1eV。当WS2为单层时,带隙最大,光致发光的强度也达到最大值。
目前制备二硫化钨的方法主要有:机械剥离法、水热法和化学气相沉积法等。而机械剥离法制备的二硫化钨剥离过程存在偶然性且剥离尺寸较小,无法实现批量制备;水热法制备的二硫化钨虽质量较高,尺寸均一,却无法控制其厚度;化学气相沉积厚度不均匀。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不能批量制备大尺寸、厚度可控且均匀的缺陷。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、将衬底进行清洗并烘干后,放入原子层沉积腔室中;
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃,将原子层沉积腔室气压抽真空;步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)源至90℃~100℃;
步骤4、利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室,待双异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s;
步骤5、利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室,生成三氧化钨(WO3)薄膜,氧(O2)等离子体通入结束后,继续通入氩气(Ar)5
~10s;
步骤6、重复步骤4~步骤5,直至生成三氧化钨(WO3)薄膜的厚度达到目标厚度,待自然降至室温后取出生长过三氧化钨(WO3)薄膜的衬底;
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨(WO3)与硫(S)粉放入石墨舟,将石墨舟放入硫化炉中,并维持温度在900~1000℃,保持30~40min;然后在流动的氩气(Ar)中冷却到室温,即得到单层或双层二硫化钨(WS2)薄膜。
进一步的,所述衬底是硅衬底或者二氧化硅衬底。
进一步的,所述步骤2中,所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的纯度为99.999%以上。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的流量为150~200sccm。
进一步的,所述步骤4中的利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
本发明的技术效果:本发明提供的这种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,是采用原子层沉积的方法来制备二硫化钨,在一个原子层沉积循环中,一个完整的反应可分为两部分。当衬底表面的活性位点被耗尽后,第一个半反应停止,之后开始另一个半反应。在原子层沉积过程中,每个反应只沉积一层原子。由于自限制反应,不仅可在原子尺度上控制薄膜厚度,而且在复杂结构的衬底上也能保持均匀性。此外,原子层沉积对过量的前驱体不敏感,具有重复性好控制精度高,加热均匀等特点。
附图说明
图1为发明过程的简略流程图。
图2为原子层沉积过程技术方案。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供了一种如图1、图2所示的单层二硫化钨薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、将二氧化硅(SiO2)衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水、RAC溶液、去离子水和无水乙醇依次超声清洗,并用氮气吹干;并烘干放入原子层沉积(ALD)腔室中;
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃,将原子层沉积腔室气压抽真空,以便下述的W源与O源更好地结合;
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)源至100℃;
步骤4、利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室,待双异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s,以便清洗残余W源与反应副产物;
步骤5、利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室,生成三氧化钨(WO3)薄膜,氧(O2)等离子体通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s,以便清洗残余O2等离子体与反应副产物;
步骤6、重复步骤4~步骤5,经过20个循环得到目标厚度三氧化钨(WO3)薄膜,待自然降至室温后取出生长过三氧化钨(WO3)薄膜的衬底;
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨(WO3)与硫(S)粉放入石墨舟,将石墨舟放入硫化炉中,并维持温度在900~1000℃,保持30~40min;然后在流动的氩气(Ar)中冷却到室温,即得到厚度为1nm的单层二硫化钨(WS2)薄膜。
进一步的,所述二氧化硅(SiO2)还可以是硅(Si)衬底。
进一步的,所述步骤2中,所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的纯度为99.999%以上。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的流量为150~200sccm。
进一步的,所述步骤4中的利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
实施例2
本实施例提供了一种如图1、图2所示的双层二硫化钨薄膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤1、将硅(Si)衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水、RAC溶液、去离子水和无水乙醇依次超声清洗,并用氮气吹干;并烘干放入原子层沉积(ALD)腔室中;
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃,将原子层沉积腔室气压抽真空,以便下述的W源与O源更好地结合;
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)源至100℃;
步骤4、利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室,待双异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s,以便清洗残余W源与反应副产物;
步骤5、利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室,生成三氧化钨(WO3)薄膜,氧(O2)等离子体通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s,以便清洗残余O2等离子体与反应副产物;
步骤6、重复步骤4~步骤5,经过35个循环得到目标厚度三氧化钨(WO3)薄膜,待自然降至室温后取出生长过三氧化钨(WO3)薄膜的衬底;
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨(WO3)与硫(S)粉放入石墨舟,将石墨舟放入硫化炉中,并维持温度在900~1000℃,保持30~40min;然后在流动的氩气(Ar)中冷却到室温,即得到厚度为1.7nm的双层二硫化钨(WS2)薄膜。
进一步的,所述衬底是硅(Si)衬底还可以是二氧化硅(SiO2)衬底。
进一步的,所述步骤2中,所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的纯度为99.999%以上。
进一步的,所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的流量为150~200sccm。
进一步的,所述步骤4中的利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
Claims (7)
1.一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、将衬底进行清洗并烘干后,放入原子层沉积腔室中;
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃,将原子层沉积腔室气压抽真空;
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)源至90℃~100℃;
步骤4、利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室,待双异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s;
步骤5、利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室,生成三氧化钨(WO3)薄膜,氧(O2)等离子体通入结束后,继续通入氩气(Ar)5~10s;
步骤6、重复步骤4~步骤5,直至生成三氧化钨(WO3)薄膜的厚度达到目标厚度,待自然降至室温后取出生长过三氧化钨(WO3)薄膜的衬底;
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨(WO3)与硫(S)粉放入石墨舟,将石墨舟放入硫化炉中,并维持温度在900~1000℃,保持30~40min;然后在流动的氩气(Ar)中冷却到室温,即得到单层或双层二硫化钨(WS2)薄膜。
2.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述衬底是硅衬底或者二氧化硅衬底。
3.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
4.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的纯度为99.999%以上。
5.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤4、步骤5中的氩气(Ar)的流量为150~200sccm。
6.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤4中的利用氩气(Ar)将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨(WH2(iPrCp)2)分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
7.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤5利用氩气将蒸发的氧(O2)等离子体送入原子层沉积腔室的持续时间为400~500ms。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911019510.2A CN110607516B (zh) | 2019-10-24 | 2019-10-24 | 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911019510.2A CN110607516B (zh) | 2019-10-24 | 2019-10-24 | 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110607516A CN110607516A (zh) | 2019-12-24 |
CN110607516B true CN110607516B (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=68895376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911019510.2A Active CN110607516B (zh) | 2019-10-24 | 2019-10-24 | 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110607516B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI775516B (zh) * | 2021-07-07 | 2022-08-21 | 國立雲林科技大學 | 過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104561937A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-04-29 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法 |
CN105810569A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-27 | 深圳大学 | 一种硫化钨薄膜及其制备方法 |
CN106521452A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | 超科技公司 | 2d金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积 |
CN109161868A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-01-08 | 东南大学 | 一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法 |
WO2019073111A1 (en) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | Aalto University Foundation Sr | COATING OF AN OBJECT |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015091781A2 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | Imec Vzw | Method of producing transition metal dichalcogenide layer |
CN105002476B (zh) * | 2015-07-07 | 2017-07-18 | 南京大学 | 一种衬底修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法 |
-
2019
- 2019-10-24 CN CN201911019510.2A patent/CN110607516B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104561937A (zh) * | 2015-01-05 | 2015-04-29 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法 |
CN106521452A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | 超科技公司 | 2d金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积 |
CN105810569A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-27 | 深圳大学 | 一种硫化钨薄膜及其制备方法 |
WO2019073111A1 (en) * | 2017-10-11 | 2019-04-18 | Aalto University Foundation Sr | COATING OF AN OBJECT |
CN109161868A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-01-08 | 东南大学 | 一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
novel cyclopentadienyl based precursors for CVD of W containing films;antony correia anacleto et.al;《surface & coatings technology》;20070503;第201卷;第9120-9124页 * |
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨;巩哲等;《发光学报》;20160831;第37卷(第8期);第984-989页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110607516A (zh) | 2019-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Jang et al. | Wafer-scale, conformal and direct growth of MoS2 thin films by atomic layer deposition | |
CN108559972B (zh) | 一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法和产品 | |
CN109809372B (zh) | 一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法 | |
CN108083339B (zh) | 一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 | |
CN109629004B (zh) | 在无悬挂键基底上范德华外延形成原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的方法 | |
CN112853290B (zh) | 一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 | |
US20210039949A1 (en) | Method and apparatus for producing a nanometer thick film of black phosphorus | |
CN110790313A (zh) | 一种3r相过渡金属硫属化合物二维纳米片的制备方法 | |
KR101881304B1 (ko) | 고균일 2차원 전이금속 디칼코지나이드 박막의 제조 방법 | |
CN109868454B (zh) | 一种二维硫化铬材料的制备方法 | |
KR101682307B1 (ko) | 전이금속 디칼코제나이드 대면적 성장 방법 및 상기 방법에 사용되는 장치 | |
CN107445488B (zh) | 一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法 | |
KR101800363B1 (ko) | 전이금속 칼코겐화합물 박막 제조 방법 | |
CN107043922A (zh) | 一种二维硫化钨薄膜材料的制备方法 | |
US20170051400A1 (en) | Method for manufacturing a doped metal chalcogenide thin film, and same thin film | |
KR20120125102A (ko) | 원자층 증착법을 이용한 주석산화물 박막의 제조방법 | |
CN112663144A (zh) | 二维In2S3/SnS异质结晶体材料的制备方法 | |
CN110607516B (zh) | 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 | |
CN111206230B (zh) | 一种新型二维硫化铬材料的制备方法 | |
CN113088932A (zh) | 一种晶圆级层数可控硫化钼及其制备方法 | |
CN112456452B (zh) | 一种二硒化锗纳米材料的制备方法 | |
CN102249221B (zh) | 一种条纹宽度可控的激光加热制备单层石墨烯的方法 | |
CN111285402B (zh) | 一种单层过渡金属硫化物的制备方法 | |
CN113122818B (zh) | 一种制备晶圆级单层二硫化钼薄膜的方法 | |
CN110886019B (zh) | 一种基于碱金属溶液催化的二硫化钼制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |