CN110607516A - 一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，采用双‑异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）和氧分子（O2）等离子体作为前驱体，通过原子层沉积（ALD）方法制备出三氧化钨（WO3）薄膜。之后通过硫化WO3薄膜得到单层或双层二硫化钨（SW2）薄膜。本发明采用原子层沉积技术，可通过反应周期精确控制薄膜厚度，可生成单层或双层、致密性良好的二硫化钨（SW2）薄膜，具有重复性好、控制精度高等优势。

Description

一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于无机材料制备技术领域，尤其涉及一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法。
背景技术
二硫化钨为六方晶系，层与层之间通过范德华力相互作用。WS2因其存在带隙，而表现出半导体性质，这些特性使WS2在电子和光电领域有广泛的应用前景。二硫化钨具有优异的光吸收与光响应特性。当WS2薄膜层数由多层减双为单层，其带隙由间接带隙转换为直接带隙，带隙宽度由1.3eV增大为2.1eV。当WS2为单层时，带隙最大，光致发光的强度也达到最大值。
目前制备二硫化钨的方法主要有：机械剥离法、水热法和化学气相沉积法等。而机械剥离法制备的二硫化钨剥离过程存在偶然性且剥离尺寸较小，无法实现批量制备；水热法制备的二硫化钨虽质量较高，尺寸均一，却无法控制其厚度；化学气相沉积厚度不均匀。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不能批量制备大尺寸、厚度可控且均匀的缺陷。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将衬底进行清洗并烘干后，放入将原子层沉积腔室中；
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃，将原子层沉积腔室气压抽真空；
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）源至90℃ ~ 100℃；
步骤4、利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室，待双异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5 ~ 10s；
步骤5、利用氩气将蒸发的氧（O2）等离子体分子送入原子层沉积腔室，生成三氧化钨（WO3）薄膜，氧（O2）等离子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5 ~ 10s；
步骤6、重复步骤4～步骤5，直至生成三氧化钨（WO3）薄膜的厚度达到目标厚度，待自然降至室温后取出生长过三氧化钨（WO3）薄膜的衬底；
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨（WO3）与硫（S）粉放入石墨舟，将石墨舟放入硫化炉中，并维持温度在900~1000℃，保持30 ~ 40min；然后在流动的氩气（Ar2）中冷却到室温，即得到单层或双层二硫化钨（WS2）薄膜。
进一步的，所述衬底是硅衬底或者二氧化硅衬底。
进一步的，所述步骤2中，所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的纯度为99.999%以上。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的流量为150 ~ 200sccm。
进一步的，所述步骤4中的利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧（O2）子体分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
本发明的技术效果：本发明提供的这种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，是采用原子层沉积的方法来制备二硫化钨，在一个原子层沉积循环中，一个完整的反应可分为两部分。当衬底表面的活性位点被耗尽后，第一个半反应停止，之后开始另一个半反应。在原子层沉积过程中，每个反应只沉积一层原子。由于自限制反应，不仅可在原子尺度上控制薄膜厚度，而且在复杂结构的衬底上也能保持均匀性。此外，原子层沉积对过量的前驱体不敏感，具有重复性好控制精度高，加热均匀等特点。
附图说明
图1为发明过程的简略流程图。
图2为原子层沉积过程技术方案。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供了一种如图1、图2所示的单层二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将二氧化硅（SiO2）衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水、RAC溶液、去离子水和无水乙醇依次超声清洗，并用氮气吹干；并烘干放入原子层沉积（ALD）腔室中；
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃，将原子层沉积腔室气压抽真空，以便下述的W源与O源更好地结合；
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）源至100℃；
步骤4、利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室，待双异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5~10s，以便清洗残余W源与反应副产物；
步骤5、利用氩气将蒸发的氧（O2）等离子体分子送入原子层沉积腔室，生成三氧化钨（WO3）薄膜，氧（O2）等离子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5~10s，以便清洗残余O2等离子体与反应副产物；
步骤6、重复步骤4～步骤5，经过20个循环得到目标厚度三氧化钨（WO3）薄膜，待自然降至室温后取出生长过三氧化钨（WO3）薄膜的衬底；
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨（WO3）与硫（S）粉放入石墨舟，将石墨舟放入硫化炉中，并维持温度在900~1000℃，保持30 ~ 40min；然后在流动的氩气（Ar2）中冷却到室温，即得到厚度为1nm的单层二硫化钨（WS2）薄膜。
进一步的，所述二氧化硅（SiO2）还可以是硅（Si）衬底。
进一步的，所述步骤2中，所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的纯度为99.999%以上。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的流量为150 ~ 200sccm。
进一步的，所述步骤4中的利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧（O2）子体分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
实施例2
本实施例提供了一种如图1、图2所示的双层二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1、将硅（Si）衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水、RAC溶液、去离子水和无水乙醇依次超声清洗，并用氮气吹干；并烘干放入原子层沉积（ALD）腔室中；
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃，将原子层沉积腔室气压抽真空，以便下述的W源与O源更好地结合；
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）源至100℃；
步骤4、利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室，待双异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5~10s，以便清洗残余W源与反应副产物；
步骤5、利用氩气将蒸发的氧（O2）等离子体分子送入原子层沉积腔室，生成三氧化钨（WO3）薄膜，氧（O2）等离子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5~10s，以便清洗残余O2等离子体与反应副产物；
步骤6、重复步骤4～步骤5，经过35个循环得到目标厚度三氧化钨（WO3）薄膜，待自然降至室温后取出生长过三氧化钨（WO3）薄膜的衬底；
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨（WO3）与硫（S）粉放入石墨舟，将石墨舟放入硫化炉中，并维持温度在900~1000℃，保持30~40min；然后在流动的氩气（Ar2）中冷却到室温，即得到厚度为1.7nm的双层二硫化钨（WS2）薄膜。
进一步的，所述衬底是硅（Si）衬底还可以是二氧化硅（SiO2）衬底。
进一步的，所述步骤2中，所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的纯度为99.999%以上。
进一步的，所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的流量为150 ~ 200sccm。
进一步的，所述步骤4中的利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
所述步骤5利用氩气将蒸发的氧（O2）子体分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。

Claims (7)

1.一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、将衬底进行清洗并烘干后，放入将原子层沉积腔室中；
步骤2、调节原子层沉积腔室温度至280~320℃，将原子层沉积腔室气压抽真空；
步骤3、加热双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）源至90℃ ~ 100℃；
步骤4、利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室，待双异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5 ~ 10s；
步骤5、利用氩气将蒸发的氧（O2）等离子体分子送入原子层沉积腔室，生成三氧化钨（WO3）薄膜，氧（O2）等离子通入结束后，继续通入氩气（Ar2）5 ~ 10s；
步骤6、重复步骤4～步骤5，直至生成三氧化钨（WO3）薄膜的厚度达到目标厚度，待自然降至室温后取出生长过三氧化钨（WO3）薄膜的衬底；
步骤7、将生长在衬底上的三氧化钨（WO3）与硫（S）粉放入石墨舟，将石墨舟放入硫化炉中，并维持温度在900~1000℃，保持30 ~ 40min；然后在流动的氩气（Ar2）中冷却到室温，即得到单层或双层二硫化钨（WS2）薄膜。
2.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底是硅衬底或者二氧化硅衬底。
3.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，所述原子层沉积腔室气压的真空要求是气压低于0.5Pa。
4.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的纯度为99.999%以上。
5.如权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4、步骤5中的氩气（Ar2）的流量为150 ~ 200sccm。
6.权利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4中的利用氩气（Ar2）将蒸发的双-异丙基环戊烯基二氢化钨（WH2(iPrCp)2）分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
7.利要求1所述的一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤5利用氩气将蒸发的氧（O2）子体分子送入原子层沉积腔室的持续时间为400 ~ 500ms。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775516B (zh) * 2021-07-07 2022-08-21 國立雲林科技大學 過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104561937A (zh) * 2015-01-05 2015-04-29 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法
WO2015091781A2 (en) * 2013-12-18 2015-06-25 Imec Vzw Method of producing transition metal dichalcogenide layer
CN105002476A (zh) * 2015-07-07 2015-10-28 南京大学 一种衬底修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法
CN105810569A (zh) * 2016-03-28 2016-07-27 深圳大学 一种硫化钨薄膜及其制备方法
CN106521452A (zh) * 2015-09-15 2017-03-22 超科技公司 2d金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积
CN109161868A (zh) * 2018-11-09 2019-01-08 东南大学 一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法
WO2019073111A1 (en) * 2017-10-11 2019-04-18 Aalto University Foundation Sr COATING OF AN OBJECT

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015091781A2 (en) * 2013-12-18 2015-06-25 Imec Vzw Method of producing transition metal dichalcogenide layer
CN104561937A (zh) * 2015-01-05 2015-04-29 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 原子层沉积制备具有固体润滑作用的ws2薄膜方法
CN105002476A (zh) * 2015-07-07 2015-10-28 南京大学 一种衬底修饰的化学气相沉积生长大尺寸单层二硫化钼薄膜的方法
CN106521452A (zh) * 2015-09-15 2017-03-22 超科技公司 2d金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积
CN105810569A (zh) * 2016-03-28 2016-07-27 深圳大学 一种硫化钨薄膜及其制备方法
WO2019073111A1 (en) * 2017-10-11 2019-04-18 Aalto University Foundation Sr COATING OF AN OBJECT
CN109161868A (zh) * 2018-11-09 2019-01-08 东南大学 一种原子层沉积二硫化钨软涂层刀具及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANTONY CORREIA ANACLETO ET.AL: "novel cyclopentadienyl based precursors for CVD of W containing films", 《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY》 *
巩哲等: "化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨", 《发光学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775516B (zh) * 2021-07-07 2022-08-21 國立雲林科技大學 過渡金屬硫族化合物薄膜的製作方法

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