CN110582708A - 多层辐射探测器 - Google Patents
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Abstract
一种探测器包括第一探测层(1141)和第二探测层(1142)。所述第一探测层包括第一闪烁体(204、7041)、第一主动感光区域(210、7081)以及第一基板(208、7061)的第一部分(206、7261)，所述第二探测层包括第二闪烁体(216、7042)、第二主动感光区域(220、7082)以及第二基板(208、7062)的第二部分(218、7262)。一种成像系统(100)包括辐射源(110)、包括多个多层探测器(112)的辐射敏感探测器阵列(108)以及被配置为重建所述探测器阵列的输出并且产生图像的重建器(118)。所述探测器阵列包括第一探测器层和第二探测器层，所述第一探测器层具有第一闪烁体、第一主动感光区域以及第一基板的第一部分，所述第二探测器层具有第二闪烁体、第二主动感光区域以及第二基板的第二部分。
Description
技术领域
下文总体上涉及成像探测器，并且更具体地涉及多层探测器，并且结合计算机断层摄影(CT)进行描述。
背景技术
计算机断层摄影(CT)扫描器包括被安装在可旋转机架上的X射线管，该可旋转机架围绕检查区域绕z轴旋转。X射线管发射横穿检查区域和位于检查区域中的对象或物体的辐射。X射线敏感辐射探测器阵列以角度弧与X射线管的检查区域相对，探测横穿检查区域的辐射，并且生成指示该辐射的信号。重建器处理信号并且重建指示检查区域和对象或物体的部分的体积图像数据。
示例性探测器包括光学耦合到光电二极管层的闪烁体层。闪烁体材料响应于吸收的X射线光子而产生光子，该光子然后被光电二极管转换成电信号(例如，电流)。多能量(谱)探测器包括多个堆叠的闪烁体层，每个闪烁体层均被配置为吸收具有特定能量范围内的能量的X射线光子。例如，在双层探测器的情况下，顶部闪烁体层(最靠近X射线管的那一层)吸收较低能量的X射线光子并且使较高能量的X射线光子通过，而底部闪烁体层(其相对于X射线管位于顶部闪烁体层下面)吸收较高能量的X射线光子。
在水平双层探测器配置的情况下，顶部光电二极管阵列被设置在顶部闪烁体层与底部闪烁体层之间，并且底部光电二极管阵列被设置在底部闪烁体层下方。两个光电二极管阵列都包括将生成的电信号路由到读出电子器件的轨道。顶部光电二极管阵列包括背照式光电二极管阵列或前照式光电二极管阵列。背照式光电二极管电荷收集层通常较厚(例如＞100μm)，因此易于受到光电二极管阵列基板内的X射线的直接转换的影响，不幸的是，这可能会降低图像质量。前照式光电二极管阵列需要硅通孔(TSV)将电信号路由通过光电二极管，不幸的是，这会增加成本和复杂性。
发明内容
本文描述的各方面解决了上述问题和/或其他问题。
在一个方面中，一种探测器包括第一探测层和第二探测层。所述第一探测层包括第一闪烁体、第一主动感光区域以及第一基板的第一部分，所述第二探测层包括第二闪烁体、第二主动感光区域以及第二基板的第二部分。
在另一方面中，一种成像系统包括第一探测层和第二探测层。所述第一探测层包括第一闪烁体、第一主动感光区域以及第一基板的第一部分，所述第二探测层包括第二闪烁体、第二主动感光区域以及第二基板的第二部分。
在另一方面中，一种方法包括：利用探测器阵列来接收X射线辐射；使用所述探测器阵列来产生指示所接收的辐射的电信号；并且利用所述电信号来重建图像。此外，所述探测器阵列包括第一探测层和第二探测层，第一闪烁体和第二闪烁体，第一主动感光区域和第二主动感光区域，第一基板的第一部分以及第二基板的第二部分。
通过参考本文描述的(一个或多个)实施例，这些方面和其他方面将变得显而易见。
附图说明
本发明可以采用各种部件和各种部件的布置，以及各个步骤和各个步骤的安排的形式。附图仅出于图示优选实施例的目的，并且不应被解释为对本发明的限制。
图1示意性地图示了根据本文描述的实施例的具有多个多层探测器的成像系统。
图2示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的示例。
图3示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的基板的示例。
图4示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的基板的另一示例。
图5示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的另一示例。
图6示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的另一示例。
图7示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的另一示例。
图8示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的另一示例。
图9示意性地图示了根据本文描述的实施例的多层探测器的另一示例。
图10示意性地图示了根据本文描述的实施例的基板上的光学透明且导电的触点和轨道的示例。
图11图示了根据本文描述的实施例的方法。
具体实施方式
图1示意性地图示了成像系统100，例如，计算机断层摄影(CT)扫描器，其被配置用于多能量(谱)成像。成像系统100包括大致固定的机架102和旋转机架104，旋转机架104由固定机架102可旋转地支撑。旋转机架104围绕检查区域106绕纵轴或z轴旋转。诸如X射线管的辐射源110由旋转机架104支撑并且随着旋转机架104一起旋转，并且发射横穿检查区域106的X射线辐射。
辐射敏感探测器阵列108跨检查区域106以角度弧与辐射源110相对，并且探测横穿检查区域106的辐射并且输出指示该辐射的电信号(线积分或投影数据)。所图示的辐射敏感探测器阵列108包括多个多层探测器112，每个多层探测器具有多个层1141、……、114N，其中，N是大于或等于一的正整数，这多个层在本文中被统称为层114。层1141、……、114N相对于彼此以水平配置进行空间布置，在该水平配置中，在从放射源110到探测器112的X射线辐射路径116的方向上，一层堆叠在另一层的顶部。
如下面更详细地描述的，在一个实例中，层114中的每层包括柔性的(基本上)光学透明的基板，在该基板上耦合有有机光电二极管。也如下面更详细地描述的，在另一实例中，层114中的每层包括具有(基本上)光学透明的电触点和轨道的前照式基板。本文中的一些实施例可以例如通过消除对TSV的任何需求来降低总体探测器组件的复杂性和/或成本。本文中的一些实施例相对较薄(例如＜20μm)，与其中探测器112不包括本文描述的(一个或多个)基板的配置相比，这样可以减少探测器层中的X射线的直接转换。这能够减轻因基板中的X射线的直接转换而导致的图像质量下降。
重建器118重建电信号并且生成体积三维图像数据。在一个实例中，这包括采用谱(多能量)重建算法来生成针对特定能量范围(例如，高能和低能)或特定能量的图像数据。额外地或替代地，这包括采用常规的(非谱)重建算法以生成在发射的辐射的能量谱上的常规的(非谱)图像数据。
诸如卧榻的对象支撑物120在检查区域106中支撑对象或物体。通用计算系统充当操作者控制台122，其包括诸如显示器和/或打印机之类的人类可读输出设备以及诸如键盘和/或鼠标之类的输入设备。驻留在控制台122上的软件允许操作者控制成像系统100的操作。
图2示意性地图示了多层探测器112的示例性实施例200。为了说明的目的，结合两个探测层(N＝2)(即，双层探测器202配置)来描述该实施例。应当理解，双层探测器202的部件的相对几何形状(即，形状、尺寸等)不是限制性的。
(顶部)探测层1141包括：第一闪烁体204；柔性基板208的第一部分206；第一主动感光区域210，其被耦合到柔性基板208的外侧或第一侧214上的第一区域212；以及第一反射层236，其被耦合到柔性基板208的内侧或相对的第二侧234。(底部)探测层1142包括：第二闪烁体216；同一柔性基板208的第二部分218；第二主动感光区域220，其被耦合到同一柔性基板208的同一外侧/第一侧214上的不同的第二区域222；以及第二反射层238，其被耦合到第二主动感光区域220。反射层236和238分别将横穿柔性基板208的光子引导回到它们各自的主动感光区域210或220。在一些实施例中，反射性涂料等在闪烁体204和216的未被耦合到主动感光区域210和220的侧上。
第一闪烁体204包括探测表面224和相对表面226，探测表面224接收横穿检查区域106的X射线辐射，相对表面226例如经由诸如光学粘合剂等的光学耦合而被耦合到第一主动感光区域210，在第一闪烁体204中产生的光子通过该光学耦合被引导到第一主动感光区域210。第二闪烁体216包括探测表面228和相对表面230，探测表面228接收横穿(顶部)探测层1141的X射线辐射。探测表面228与第一反射层236相邻，并且相对表面230例如经由诸如光学粘合剂等的光学耦合而被耦合到柔性基板208的内侧/第二侧234。在第二闪烁体中产生的光子通过该光学耦合被引导到第二主动感光区域220。
柔性基板208包括在第一部分206与第二部分218之间的中间部分240。在该实施例中，中间部分240不包括主动感光区域。中间部分240包括对由第一主动感光区域210生成的电信号进行路由的电通路(例如，导电轨道等)。该电通路从第一部分206延伸到与读出电子器件电连通的基板的部分。中间部分240从第一闪烁体204的下方向外延伸并且沿着第二闪烁体216的侧232垂直横穿并且缠绕到第二闪烁体216的相对表面230下方的部分218。柔性基板208还包括延伸到读出电子器件(未示出)的部分242，该读出电子器件可以包括集成芯片(IC)、专用集成电路(ASIC)等。
在该实施例中，第一主动感光区域210和第二主动感光区域220包括有机光电二极管(OPD)。在一个实例中，柔性基板包括塑料，并且OPD经由印刷、化学沉积等被沉积在柔性基板上。用于OPD的基板208上的阳极和阴极的触点和轨道(不可见)包括诸如氧化铟锡(ITO)、薄银、三氧化钼(MoO3)等的透明金属。柔性基板208对光子基本上是透明的。例如，在一个实例中，柔性基板的光学透明度至少为50％。在另一实例中，柔性基板208的光学透明度至少为75％。在另一实例中，柔性基板208的光学透明度至少为90％。在其他实例中，柔性基板208具有更多或更少的光学透明度。
在一个实例中，主动感光区域(210或220)与柔性基板208的组合的厚度小于20μm，即，在0.50μm至20μm之间，例如但不限于6.5μm、9μm、10μm、12μm、更大的厚度、更小的厚度或介于两者之间的厚度。在所图示的实施例中，第一主动感光区域210在柔性基板208的外侧/第一侧214上，并且第二主动感光区域220在柔性基板208的同一侧214上。这种配置的示例如图3所示。在该实施例中，由第二闪烁体216生成的光横穿光学透明的基板208以及光学透明的阳极和阴极的触点和轨道并且被OPD接收。在变型中，第一主动感光区域210和第二主动感光区域220在柔性基板208的相对侧上。这种配置的示例如图4所示。
图5示意性地描绘了图2中描述的实施例的变型。在该变型中，第一主动感光区域210和第二主动感光区域220都被耦合到柔性基板208的内侧/第二侧234。第一闪烁体204直接堆叠在第二闪烁体216的顶部。此外，第一主动感光区域210被耦合到第一闪烁体204的探测表面224，而不是第一闪烁体204的相对侧226。此外，第二主动感光区域220被耦合到第二闪烁体216的相对表面230。
此外，第一反射层236被耦合到柔性基板208的与第一主动感光区域210相对的外侧/第一侧214，并且第二反射层238被耦合到柔性基板208的与第二主动感光区域220相对的外侧/第一侧214。在图2中，第一主动感光区域210直接被光子照射，而第二主动感光区域220被穿过光学透明的基板208的光子照射。在图5中，第一主动感光区域210和第二主动感光区域220都直接被来自相应的感光区域210和220的光子照射。
此外，第一主动感光区域210与第二主动感光区域220并不光学耦合。在一个实例中，第三反射层244被设置在第一闪烁体204与第二闪烁体216之间，并且将横穿第一闪烁体204的光子引导回到主动感光区域210。在另一实例中，基板208不是光学透明的，并且省略了反射层236、238和244。探测器112的其余部分如结合图2所描述的那样。
图6示意性地描绘了图2中描述的实施例的另一变型。为了说明性目的和清楚起见，仅示出了基板208。在该变型中，基板208在第一闪烁体204的下方开始，横穿第一闪烁体204的相对表面226，缠绕在第一闪烁体204周围，并且横穿第一闪烁体204的探测表面224，缠绕在第一闪烁体204周围，并且横穿第二闪烁体216的探测表面228，缠绕在第二闪烁体216周围，并且横穿第二闪烁体216的相对侧230，然后与读出电子器件接口连接。
在一个实例中，基板208包括仅被耦合到闪烁体204和216中的每个闪烁体的单个侧的主动感光区域，如图2和图5所示。在另一实例中，基板208包括被耦合到闪烁体204和216中的至少一个闪烁体的侧中的两个侧的主动感光区域。在另一实例中，基板208包括的被耦合到闪烁体204和216中的至少一个闪烁体的侧中的三个侧的主动感光区域。在另一实例中，基板208包括被耦合到闪烁体204和216中的至少一个闪烁体的侧中的四个侧的主动感光区域。探测器112的其余部分在本文中至少如结合图2所描述的那样。
图7示意性地描绘了多层探测器112的实施例700。类似于图2，出于说明的目的，结合两个探测层(N＝2)(即，双层探测器702配置)来描述该实施例，并且双层探测层202的部件的相对几何形状(即，形状、尺寸等)不受限制。
在该示例中，这两层基本相似，因此，为了简洁和清楚起见，下面仅详细讨论顶层。然而，应当理解，该讨论也适用于底层。此外，在第一探测层1141和第二探测层1142的元件基本相同的情况下，应用于第二探测层1142的元件的附图标记与针对第一探测层1141的元件的附图标记基本相同，不同之处仅在于用下标2来指代第二探测层1142的元件(即，第一探测层1141中的7XX1对应于第二探测层1142中的7XX2)。
顶部探测层1141包括第一闪烁体7041、具有第一部分7261和第二部分7241的基板7061、第一主动感光区域7081以及非敏感区域7101。第一闪烁体7041包括探测表面7121和相对表面7141，探测表面7121接收横穿检查区域106的X射线辐射，相对表面7141例如经由诸如光学粘合剂等的光学耦合被耦合到基板7061的第一侧/顶侧7181的第一区域7161。
基板7061包括光学透明的触点7201和例如包括ITO和/或其他光学透明材料的轨道(不可见)。光学透明触点7201位于基板7061的第二侧/底侧7221上。基板7061的第一部分7261被设置在第一闪烁体7041与第一主动感光区域7081之间。延伸超过非敏感区域7101的第二部分7241将由第一主动感光区域7081生成的信号从第一部分7261路由到读出电子器件。
第一主动感光区域7081包括光学透明的阳极7281和阴极7301(例如包括ITO和/或其他光学透明材料)、第一表面/顶表面7321和第二表面/底表面7341。阳极7281和阴极7301被设置在第一主动感光区域7081的第一表面/顶表面7321上。阳极7281和阴极7301经由光学透明且导电的粘合元件7361(例如，光学透明导电胶的珠子等)被电耦合到基板7061的光学透明触点7201。
在一个实例中，使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT：PSS)和厚度小于20纳米(例如，厚度为10nm)的D-山梨醇层来耦合触点7201与阳极7281和阴极7301。在一个实例中，(利用四点测量确定的)电导率为100Scm-1(西门子每厘米)，从而对于厚度为30μm，横截面积为300μm×300μm的粘合剂得到电阻为33毫欧(mOhm)。PEDOT：PSS包含碳(C)、氢(H)、氧(O)和硫(S)(Z＝16)。相比之下，具有较高Z材料的焊料(例如，包括铟锡(InSn)(Z＝49和50)和Pb(Z＝82)的焊料)吸收更多的X射线。在一个实施例中，第一主动感光区域7081包括硅(Si，Z＝14)。
在所图示的实施例中，光学透明且导电的粘合元件7361之间的区域包括光学透明的非导电的底部填充物7401。在另一实施例中，省略底部填充物7401。第一主动感光区域7081的第二表面/底表面7341被耦合到非敏感区域7101的第一表面/顶表面7381。在该实施例中，第一主动感光区域7081和非敏感区域7101是前照式光电二极管的部分。在所图示的实施例中，第一主动感光区域7081和非敏感区域7101的组合的厚度小于20μm，例如，在0.50至20μm之间，例如厚度级别为7.5μm、9.5μm、10μm、11μm、更小的厚度、更大的厚度或介于两者之间的厚度。
图8示意性地描绘了图7中描述的实施例的变型。图8中的顶部探测器层1141与图7中描述的顶部探测器层1141相同。在该实施例中，第二闪烁体7042的相对表面7142被耦合到第二主动感光区域804的第一侧/顶侧802。第二主动感光区域804包括阳极806和阴极808，阳极806和阴极808被设置在第二主动感光区域804的第二表面/底表面810上。阳极806和阴极808被电耦合到基板812。此外，第二感光区域804是背照式感光区域。在该实例中，基板812是光学不透明的。
图9示意性地描绘了图7中描述的实施例的另一变型。在该变型中，基板7061和基板7062是同一基板902的子部分。基板7061在第一闪烁体7041的下方开始，横穿第一闪烁体7041的相对表面7141，并且缠绕在第二闪烁体7042周围并且达到基板7062。基板7062横穿第二闪烁体7042的相对表面7142，并且与读出电子器件接口连接。
图10示意性地图示了基板706的部分1000的实施例，示出了光学透明且导电的触点720(图7)和轨道1002的位置和布线的非限制性示例。在该示例中，部分1000包括阳极触点的16×16配置10041,1、……、100416,1、……10041,16、100416,16以及阴极触点的6×6配置10061,1、……、10066,1、……10061,6、……10066,6。轨道1002的不同轨道分别从基板706上的阳极触点中的每个阳极触点延伸到读出电子器件。本文还预想到其他配置，包括更大或更小的阳极和/或阴极配置。
在一个实例中，光学透明且导电的轨道1002中的至少一个轨道的宽度级别为或至少为50μm，例如，在1.0μm至50μm之间，例如为15μm、25μm、30μm、更小的宽度、更大的宽度或介于两者之间的宽度。相邻的光学透明且导电的轨道1002之间分开的距离宽度级别为或至少为50μm，例如，在1.0μm至50μm之间，例如为15μm、25μm、30μm、更小的宽度、更大的宽度或介于两者之间的宽度。在一个实例中，基板706是柔性电缆载体，例如，具有层压有100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄箔的连贯ITO层的柔性箔。合适的箔的示例包括P86-P88导电膜和箔(德国Kitagawa GmbH的产品)。
图9图示了根据本文描述的实施例的方法。
在1102处，成像系统100的辐射源110产生并且发射X射线。
在1104处，探测器阵列108接收横穿检查区域的X射线并且生成指示该X射线的信号。探测器阵列108包括在本文中描述的多个探测器112。
在1106处，重建器118重建电信号并且生成体积三维图像数据。在一个实例中，这包括采用谱(多能量)重建算法来生成针对特定能量范围或特定能量的图像数据。
以上操作可以以计算机可读指令的方式实施，该计算机可读指令被编码或嵌入在计算机可读存储介质(其排除瞬态介质)上，该计算机可读指令当由(一个或多个)计算机处理器运行时令(一个或多个)处理器执行所描述的动作。额外地或替代地，计算机可读指令中的至少一个由信号、载波或其他瞬态介质来承载。计算机程序可以被存储/分布在合适的介质上，例如，与其他硬件一起或作为其他硬件的部分供应的光学存储介质或固态介质，但是也可以以其他形式分布，例如，经由互联网或其他有线或无线的电信系统分布。
虽然已经在附图和前面的描述中详细图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述应当被认为是图示性或示例性的，而非限制性的；本发明不限于所公开的实施例。本领域技术人员通过研究附图、公开内容以及权利要求，在实践请求保护的发明时能够理解并实现对所公开的实施例的其他变型。
在权利要求中，“包括”一词不排除其他元件或步骤，并且词语“一”或“一个”不排除多个。单个处理器或其他单元可以实现在权利要求中记载的若干项的功能。虽然某些措施被记载在互不相同的从属权利要求中，但是这并不指示不能有利地使用这些措施的组合。权利要求中的任何附图标记都不应被解释为对范围的限制。
Claims (21)
1.一种探测器(112)，包括：
第一探测器层(1141)，其包括：
第一闪烁体(204、7041)；
第一主动感光区域(210、7081)；以及
第一基板(208、7061)的第一部分(206、7261)；以及
第二探测器层(114N)，其包括：
第二闪烁体(216、7042)；
第二主动感光区域(220、7082)；以及
第二基板(208、7062)的第二部分(218、7262)。
2.根据权利要求1所述的探测器，其中，所述第一基板和所述第二基板是单个基板的不同子部分，所述第一基板和所述第二基板包括光学透明度至少为75％的材料，所述第一主动感光区域包括有机光电二极管的第一集合，并且所述第二主动感光区域包括有机光电二极管的第二集合。
3.根据权利要求2所述的探测器，其中，有机光电二极管的所述第一集合和所述第一基板的组合厚度在10-15微米的范围内。
4.根据权利要求2所述的探测器，其中，所述基板还包括外侧/第一侧(214)和内侧/第二侧(234)，其中，所述外侧/第一侧与所述内侧/第二侧相对，所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域被耦合到所述基板的所述外侧/第一侧。
5.根据权利要求2所述的探测器，其中，所述基板还包括外侧/第一侧和内侧/第二侧，其中，所述外侧/第一侧与所述内侧/第二侧相对，并且所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域被耦合到所述基板的所述内侧/第二侧。
6.根据权利要求2所述的探测器，其中，所述基板还包括外侧/第一侧和内侧/第二侧，其中，所述外侧/第一侧与所述内侧/第二侧相对，并且所述第一主动感光区域被耦合到所述外侧/第一侧，并且所述第二主动感光区域被耦合到所述基板的所述内侧/第二侧。
7.根据权利要求2所述的探测器，其中，所述基板还包括外侧/第一侧和内侧/第二侧，其中，所述外侧/第一侧与所述内侧/第二侧相对，并且所述第一主动感光区域被耦合到所述内侧/第二侧，并且所述第二主动感光区域被耦合到所述基板的所述外侧/第一侧。
8.根据权利要求4至6中的任一项所述的探测器，其中，所述基板还包括在所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分(240)，其中，所述第一部分在所述第一闪烁体与所述第二闪烁体之间，并且所述第二部分与所述第二闪烁体相邻。
9.根据权利要求4至6中的任一项所述的探测器，其中，所述基板还包括在所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分，其中，所述第一部分与所述第一闪烁体相邻，并且所述第二部分与所述第二闪烁体相邻。
10.根据权利要求4至6中的任一项所述的探测器，其中，所述第一闪烁体和所述第二闪烁体包括多个侧，并且所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域与所述多个侧中的至少一个相邻。
11.根据权利要求1所述的探测器，其中，至少所述第一基板包括光学透明的触点(720)和轨道(802)。
12.根据权利要求10所述的探测器，其中，至少所述第一主动感光区域包括光学透明的阳极(728)和光学透明的阴极(730)。
13.根据权利要求12所述的探测器，其中，所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域包括第一表面/顶表面(732)，所述第一基板和所述第二基板包括第二侧/底侧(722)，所述阳极和所述阴极被设置在所述第一基板和所述第二基板的第一表面/顶表面上，所述光学透明的轨道位于所述第一基板和所述第二基板的所述第二侧/底侧，并且光学透明且导电的粘合元件(736)将所述第一基板和所述第二基板的阳极和阴极耦合到所述第一基板和所述第二基板的光学透明且导电的轨道。
14.根据权利要求13所述的探测器，其中，所述元件之间的区域包括光学透明的非导电底部填充物(740)。
15.根据权利要求11至14中的任一项所述的探测器，其中，所述光学透明的轨道中的每条轨道具有在二十五微米级别的宽度。
16.根据权利要求11至15中的任一项所述的探测器，其中，相邻的光学透明的轨道间隔开在二十五微米级别的距离。
17.根据权利要求11至16中的任一项所述的探测器，其中，所述第一基板和所述第二基板是单个基板的不同子部分。
18.一种成像系统(100)，包括：
辐射源(110)，
辐射敏感探测器阵列(108)，其包括多个多层探测器，其中，所述多个多层探测器中的每个多层探测器包括：
第一探测器层，其包括：
第一闪烁体；
第一主动感光区域；以及
第一基板的第一部分；
第二探测器层，其包括：
第二闪烁体；
第二主动感光区域；以及
第二基板的第二部分；以及
重建器(118)，其被配置为重建所述探测器阵列的输出并且产生图像。
19.根据权利要求18所述的成像系统，其中，所述第一基板和所述第二基板是单个基板的不同子部分，所述第一基板和所述第二基板包括光学透明度至少为75％的材料，并且所述第一主动感光区域包括有机光电二极管的第一集合，并且所述第二主动感光区域包括有机光电二极管的第二集合。
20.根据权利要求18所述的成像系统，其中，所述第一基板和所述第二基板包括光学透明的触点和光学轨道，并且所述光学透明的触点通过光学透明且导电的元件被电耦合到所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域的光学透明的阳极和阴极。
21.一种方法，包括：
利用成像系统的探测器阵列来接收X射线辐射，其中，所述探测器阵列包括多层探测器，所述多层探测器包括：
第一探测器层，其包括：
第一闪烁体；以及
第一主动感光区域；
第一基板的第一部分；以及
第二探测器层，其包括：
第二闪烁体；
第二主动感光区域；以及
第二基板的第二部分；
利用所述探测器阵列来产生指示所接收的辐射的电信号；并且
利用所述电信号来重建图像，
其中，所述第一基板和所述第二基板是单个基板的不同子部分，所述第一基板和所述第二基板包括光学透明度至少为75％的材料，并且所述第一主动感光区域包括有机光电二极管的第一集合，并且所述第二主动感光区域包括有机光电二极管的第二集合，或者其中，所述第一基板和所述第二基板包括光学透明的触点和光学轨道，并且所述光学透明的触点通过光学透明且导电的元件被电耦合到所述第一主动感光区域和所述第二主动感光区域的光学透明的阳极和阴极。
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