CN110544586B - 多层陶瓷电子组件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。所述第一内电极和所述第二内电极包括导电金属和添加剂。在所述陶瓷主体的长度‑厚度(L‑T)平面中的截面中，所述陶瓷主体的上部和下部中的所述第一内电极和所述第二内电极中的添加剂的含量与所述陶瓷主体的中部中的所述第一内电极和所述第二内电极中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03。
Description
本申请要求于2018年5月28日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0060430号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层陶瓷电子组件及其制造方法，更具体地，涉及具有改善的可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
背景技术
通常，使用陶瓷材料的电子组件(诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等)包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上并连接到内电极的外电极。
多层陶瓷电容器包括多个层叠的介电层、彼此面对并且介电层介于其之间的内电极以及电连接到内电极的外电极。
由于多层陶瓷电容器尺寸小、确保高电容并且容易安装，多层陶瓷电容器被广泛地用作诸如计算机、PDA、蜂窝电话等的移动通信装置的组件。
随着技术的进步，由于电气装置和电子装置日益变得更高效、更薄并且尺寸更小，需要小型化、高效率和高电容的电子组件。特别地，由于已经开发出高速CPU，并且电子装置已经小型化、数字化和高效化，已经进行了大量的研究和开发，以实现在高频具有高电容和低阻抗的小型化和薄化的多层陶瓷电容器。
可通过经由片法、印刷法等层叠用于内电极的导电膏以及陶瓷生片并同时烧结来制造多层陶瓷电容器。
然而，为了形成介电层，在高于1100℃的温度下烧结陶瓷生片，并且可在较低温度下烧结和收缩导电膏。
因此，在烧结陶瓷生片的时，内电极可能收缩超越期望的尺寸，并且内电极可能彼此聚集或破裂(变得不连续)，并且内电极的连通性可能降低。
在内电极聚集或破裂的情况下，多层陶瓷电容器的可靠性降低，并且当内电极的连通性降低时，多层陶瓷电容器的电容显著减小。
发明内容
本公开的一方面提供了一种具有改善的可靠性的多层陶瓷电子组件及其制造方法。
根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。所述第一内电极和所述第二内电极包括导电金属和添加剂。在所述陶瓷主体的长度-厚度(L-T)平面中截取的截面中，所述陶瓷主体的上部和下部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量与中部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03。
根据本公开的另一方面，一种制造多层陶瓷电子组件的方法包括：形成陶瓷生片；使用导电膏在所述陶瓷生片上形成内电极图案，所述导电膏包括导电金属、添加剂和500ppm或更少的硫(S)；通过层叠多个陶瓷生片形成陶瓷层压体，每个陶瓷生片包括所述内电极图案；以及通过烧结所述陶瓷层压体形成包括多个介电层和多个内电极的陶瓷主体。在所述陶瓷主体的长度-厚度平面中截取的截面中，所述陶瓷主体的上部和下部中的内电极中的添加剂的含量与设置在中部中的内电极中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解。
图1是根据本公开中的示例实施例的示意性多层陶瓷电容器的透视图。
图2是沿图1中的线2-2截取的截面图。
图3是沿图1中的线3-3截取的截面图。
图4是根据示例实施例的多层陶瓷电容器的介电层和内电极的放大图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
然而，本公开可按照许多不同的形式进行例证，并且不应被解释为局限于在此所阐述的特定实施例。更确切地说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并且将要把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。因此，为了清楚描述，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的元件是相同的元件。
多层陶瓷电子组件
本公开的一方面涉及多层陶瓷电子组件。使用陶瓷材料的电子组件可以是电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等。在以下描述中，将描述多层陶瓷电容器作为多层陶瓷电子组件的示例。
图1是根据示例实施例的多层陶瓷电容器的透视图。
图2是沿图1中的线2-2截取的截面图。
图3是沿图1中的线3-3截取的截面图。
参照图1、图2和图3，多层陶瓷电容器100可包括陶瓷主体110以及形成在陶瓷主体110的外表面上的第一外电极131和第二外电极132，陶瓷主体110包括介电层111以及多个第一内电极121和第二内电极122，所述多个第一内电极121和第二内电极122形成在陶瓷主体110中并彼此面对，并且介电层111介于所述多个第一内电极121和第二内电极122之间。
在示例性实施例中，在图1中，多层陶瓷电容器的长度方向可定义为L方向，宽度方向可定义为W方向，厚度方向可定义为T方向。厚度方向可被视为与层叠介电层的层叠方向相同。
尽管图1示出了具有六面体形状的陶瓷主体110，但是在这方面形状不受限制。在其他实施例中，陶瓷主体110可具有任何期望的形状，例如，可不限于任何特定形状。
陶瓷主体110可通过层叠多个介电层111形成。
形成陶瓷主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且相邻的介电层可成为一体，使得相邻的介电层可彼此合并，并且相邻的介电层之间的边界可以是不清楚的。
介电层111可通过烧结包括陶瓷粉末的陶瓷生片来形成。
陶瓷粉末的类型不限于任何特定的陶瓷粉末，可使用本领域已知的任何陶瓷粉末。
例如，陶瓷粉末可包括BaTiO3陶瓷粉末，但是本公开不限于此。
在其他示例中，陶瓷粉末可以是或包括通过将Ca、Zr等施加到BaTiO3而形成的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3或Ba(Ti1-yZry)O3，但是本公开不限于此。
此外，除陶瓷粉末之外，陶瓷生片还可包括过渡金属、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)、它们的组合等。
介电层111的厚度可根据多层陶瓷电容器的电容设计而改变。
例如，在烧结之后在两个相邻内电极之间形成的介电层111的厚度可以是0.6μm或更小，但不限于此。
第一内电极121和第二内电极122可形成在陶瓷主体110中。
第一内电极121和第二内电极122可形成在陶瓷生片上并且被层叠，并且可通过烧结形成在陶瓷主体110中，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
第一内电极121和第二内电极122可被设置为具有不同极性的成对电极，并且可在介电层的层叠方向上(例如，在图2中的T方向上)彼此面对。
如图2中所示，第一内电极121和第二内电极122的端部可交替地暴露于陶瓷主体110的长度(L)方向的表面。
此外，尽管未示出，但是第一内电极121和第二内电极122可具有引线，并且可通过引线暴露于陶瓷主体的同一表面。
此外，第一内电极121和第二内电极122可具有引线并且可通过引线暴露于陶瓷主体的一个或更多个表面。
第一外电极131和第二外电极132可形成在陶瓷主体110的外表面上。例如，如所示的，第一外电极131和第二外电极132可形成在陶瓷主体110的在长度(L)方向上的端部上。第一外电极131和第二外电极132可分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
具体地，第一外电极131电连接到暴露于陶瓷主体110的表面的第一内电极121，并且第二外电极132电连接到暴露于陶瓷主体110的与所述表面相对的表面的第二内电极122。
尽管未示出，但是多个外电极可形成在陶瓷主体110的相应端部上并且连接到在陶瓷主体的相应端部处的表面上暴露的相应的第一内电极和第二内电极。
第一外电极131和第二外电极132可使用包括金属粉末的导电膏形成。
包括在导电膏中的金属粉末的类型可不限于任何特定的金属粉末。例如，可使用镍(Ni)、铜(Cu)或它们的合金。
可根据预期用途等来确定第一外电极131和第二外电极132的厚度。例如，厚度可以是10μm至50μm。
第一内电极121和第二内电极122可包括导电金属和添加剂，以防止在烧结工艺期间内电极的收缩。
图4是根据示例实施例的多层陶瓷电容器100的介电层111和内电极121(122)的放大图。
参照图4，根据示例性实施例，多层陶瓷电容器的第一内电极121和第二内电极122可包括被称为非电极部分(N)的部分。根据示例性实施例，第一内电极121和第二内电极122的除了非电极部分(N)之外的部分可被称为电极部分(E)。
根据示例性实施例，非电极部分(N)可在第一内电极121和第二内电极122的烧结工艺期间形成，并且可通过形成内电极的导电膏的组合物形成。
非电极部分(N)可包括陶瓷添加剂。然而，实施例在这方面不受限制。
参照图4，第一内电极121和第二内电极122可包括导电金属和添加剂，并且可包括包含导电金属的电极部分(E)和包括添加剂的非电极部分(N)。非电极部分(N)可不对多层陶瓷电容器100的电容(或可选择地，电容效应)有贡献。
形成第一内电极121和第二内电极122的导电金属的类型可不限于任何特定的导电金属。例如，可使用贱金属。
导电金属可包括镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)或它们的合金中的一种或更多种。然而，实施例在这方面不受限制。
添加剂可以是与形成介电层111的陶瓷粉末的材料相同的材料。例如，可使用钛酸钡(BaTiO3)粉末，但是本公开不限于此。
作为另一示例，添加剂可以是或包括钛酸钡(BaTiO3)、ZrO2、Al2O3、TiN、SiN、AlN、TiC、SiC、WC等，但是本公开不限于此。
通过调节包括在第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量，可通过控制第一内电极121和第二内电极122中的非电极部分(N)来增加内电极121和122的强度，并且可通过减小烧结收缩应力来限制裂纹。
具体地，在陶瓷主体110的长度-厚度(L-T)方向的截面(例如，图2中的视图)中，设置在陶瓷主体110的上部120a和下部120b中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在陶瓷主体110的中部120c中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比可以是约0.63至约1.03。
为了防止内电极的收缩(contraction/shrinkage)，现有技术使用将陶瓷添加剂添加到内电极的导电膏的方法或者将硫(S)添加到导电金属的表面以改变镍(Ni)在被用于内电极中时的特性的方法。
当将陶瓷添加剂添加到内电极的导电膏以限制内电极的收缩时，少量的添加剂被束缚在内电极中，并且设置在陶瓷主体中的内电极的各个位置中的添加剂的分数差异高。因此，可能难以实现具有高电容的小尺寸多层陶瓷电容器。
此外，当将硫(S)添加到导电金属的表面以改变镍(Ni)的特性时，与添加的硫(S)的量相比，可能在内电极中保留少量的添加剂。此外，束缚的添加剂不均匀地分散。因此，可能难以实现具有高电容的小尺寸多层陶瓷电容器。
然而，根据示例性实施例，在陶瓷主体110的长度-厚度(L-T)方向的截面中，由于设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03，电极的聚集(或凝聚)和破裂(断开)可最小化。结果，可实现具有改善的可靠性和更高的电容的多层陶瓷电容器。
在以下描述中，将描述使设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比构造为约0.63至约1.03的方法。
为了获得前述含量比，可将硫(S)添加到内电极的导电膏中，并且与现有技术不同，硫(S)含量可以为500ppm或更少。其中，ppm表示基于重量的百万分比(parts permillion，based on weight)。
如果用于内电极的导电膏是镍(Ni)，则可包括180nm或更小的微粒，并且添加剂也可包括30nm或更小的微粒粉末。
由于用于内电极的导电膏包括500ppm或更少的硫(S)含量，并且包括180nm或更小的镍(Ni)微粒和30nm或更小的添加剂微粒，可使内电极的收缩(例如，各向异性收缩)最小化，另外，在烧结工艺期间，添加剂可相对均匀地分散在第一内电极121和第二内电极122中。
因此，根据示例性实施例，设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在陶瓷主体110的中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比可以是约0.63至约1.03。
通常，添加剂可能在热处理工艺期间彼此聚集，并且当内电极被烧结时添加剂可能被挤出(或释放)，并且这些添加剂可能被吸附到介电层中。因此，介电层的厚度可能增加，并且可能难以减小多层陶瓷电子组件的尺寸。
根据示例性实施例，由于内电极的导电膏包括500ppm或更少的低含量的硫(S)，可降低镍(Ni)的收缩起始温度，因此，添加剂可在添加剂聚集之前被束缚在内电极中。
因为添加剂可在相对较低的温度下被束缚在内电极中，所以可降低添加剂被挤出(或释放)到介电层中的可能性。
因此，由于添加剂可在由温度变化引起的各个位置中添加剂的颗粒生长的差异发生之前被束缚，因而可使陶瓷主体中的内电极中的各个位置的添加剂的分散的变化最小化。
此外，通过使用微粒添加剂，添加剂被挤出(或释放)到介电层中的可能性可以是低的，因此，可获得添加剂均匀地分散在内电极中的多层陶瓷电子组件。
通过满足上述条件，可获得具有更高的电容和提高可靠性的多层陶瓷电子组件。
此外，由于内电极的热稳定性可基于上述条件相对增加，因此与被烧结时宽度(W)方向和长度(L)方向上的减小相比，可进一步减小介电层的厚度(T)，从而可减小介电层的厚度。因此，可增加电容。
如果设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比小于约0.63，则内电极的膏中包括的硫(S)含量可能超过500ppm，结果，可能由于电容减小、裂纹增加等导致可靠性降低。
如果设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比超过1.03，则内电极的膏中包括的硫(S)的含量可能太低而不能有效地防止内电极的收缩，因此，可能存在诸如内电极和介电层之间的不匹配、裂纹等的可靠性的问题。
束缚在第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与导电金属的含量的比可以为约0.5％或更高，并且更优选地，束缚在第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与导电金属的含量的比可以为约0.5％至约3.0％。
当在第一内电极121和第二内电极122中束缚(或另外保留)的添加剂与导电金属的含量比为约0.5％至约3.0％时，可获得具有高电容和高可靠性的多层陶瓷电子组件。
如果在第一内电极121和第二内电极122中束缚(或保留)的添加剂与导电金属的含量比小于约0.5％，则可能由于在烧结期间裂纹可能增加而可靠性降低。
如果在第一内电极121和第二内电极122中束缚(或保留)的添加剂与导电金属的含量比超过约3.0％，则添加剂的含量可能增加，并且这可能引起由于非电极部分(N)的增加而导致的电容的减小。
返回参照图2和图3，设置在陶瓷主体110的中部120c中的第一内电极和第二内电极可占据由所有第一内电极121和第二内电极122占据的整个面积的约40％至约60％的面积。
这里为了讨论的目的，设置在陶瓷主体110的中部120c中的第一内电极和第二内电极可总体地指一般位于陶瓷主体110的相对于第一内电极121和第二内电极122的层叠方向(例如，厚度(T)方向)的中央区域中的内电极121和122。
设置在陶瓷主体110的上部120a中的第一内电极和第二内电极和下部120b(相对于厚度(T)方向)中的第一内电极和第二内电极可均占据从最上面的内电极(121/122)到最下面的内电极(121/122)的第一内电极121和第二内电极122占据的整个面积的10％。
设置在陶瓷主体110的上部120a和下部120b中的每者中的第一内电极和第二内电极可包括设置在陶瓷主体110的在第一内电极121和第二内电极122的厚度(T)方向上的最外部分处的内电极或者与该最外部分相邻的内电极。设置在陶瓷主体110的上部120a和下部120b中的每者中的第一内电极和第二内电极占据所有第一内电极121和第二内电极122占据的面积的约10％或更小的面积。在示例中，如在厚度(T)方向上观看的，从最顶部的内电极到最底部的内电极测量由所有第一内电极121和第二内电极122占据的面积。
通过测量包括添加剂的非电极部分的面积，可确定设置在陶瓷主体110的上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比是否为约0.63至约1.03。
参照图4，介电层111的厚度(Td)可以是0.6μm或更小。
可根据预期用途来确定第一内电极121和第二内电极122的厚度(Te)。例如，厚度可以为约0.7μm或更小、约0.1μm至约0.5μm或约0.3μm至约0.5μm。
第一内电极121和第二内电极122的厚度(Te)可指设置在介电层111之间的第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
可通过扫描电子显微镜(SEM)对沿陶瓷主体110的长度-厚度(L-T)平面截取的截面进行扫描来测量第一内电极121和第二内电极122的平均厚度。
例如，可通过在宽度方向上具有恒定间隔的三十个点测量从通过使用扫描电子显微镜(SEM)对长度-厚度(L-T)平面的截面进行扫描而获得的图像中提取的期望内电极的厚度来获得平均值。
可在电容形成部分(第一内电极121和第二内电极122之间的叠置的区域)测量具有恒定间隔的三十个点。
此外，在除了上述之外，当在10个或更多个内电极中测量平均值的情况下，可使内电极的平均厚度进一步一般化。
制造多层陶瓷电容器的方法
根据另一示例性实施例，制造多层陶瓷电子组件的方法可包括形成陶瓷生片，使用包括导电金属、添加剂和约500ppm或更少含量的硫(S)的导电膏形成内电极图案，通过层叠形成有内电极图案的陶瓷生片来形成陶瓷层压体，并通过烧结陶瓷层压体形成包括介电层和内电极的陶瓷主体。在沿陶瓷主体的长度-厚度平面截取的截面中，在第一内电极和第二内电极之中，设置在陶瓷主体的上部和下部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03。
根据另一示例性实施例，制造多层陶瓷电容器的方法还可包括使用包括导电金属、添加剂和约500ppm或更少含量的硫(S)的导电膏形成内电极图案。
为了改变镍(Ni)的特性，可将硫(S)添加到导电金属的表面，但是，与现有技术不同，导电膏中可包括500ppm或更少的硫(S)。
根据另一示例性实施例，由于用于内电极的导电膏包括500ppm或更少的硫(S)，可降低镍(Ni)的收缩起始温度，因此，添加剂可在添加剂聚集之前被束缚(或者另外保留)在内电极中。
根据上述示例实施例，由于用于内电极的导电膏包括低含量的硫(S)，添加剂可在较低温度下被束缚(或保留)在内电极中，因此，可降低添加剂释放到介电层中的可能性。
因此，由于添加剂在由温度变化引起的各个位置中添加剂的颗粒生长的差异发生之前被保留，可减小陶瓷主体中的内电极的各个位置中的添加剂的分散的变化。
此外，由于使用微粒添加剂，可降低添加剂释放到介电层中的可能性，因此，可获得在内电极中具有均匀分散的添加剂的多层陶瓷电子组件。
通过满足上述条件，可实现具有更高电容和更高可靠性的多层陶瓷电子组件。
对于本公开中的制造多层陶瓷电容器的方法，制造多层陶瓷电容器的一般方法可用于除上述特定部分之外的元件。因此，为了简洁起见，省略其详细描述。
示例实施例
下面的表1示出了导电膏中硫(S)的含量、束缚在内电极中的添加剂的所有平均分数以及按照上部和下部中的内电极的添加剂的含量与多层陶瓷电容器的中部中的内电极的添加剂的含量的比是否由于收缩发生裂纹以及是否获得目标电容。
通过进行如下步骤制造多层陶瓷电容器。
通过使用多个陶瓷生片制造介电层，所述陶瓷生片通过利用包括具有约0.05μm至约0.2μm的平均颗粒尺寸的诸如钛酸钡(BaTiO3)的粉末的浆料涂覆载体膜，然后干燥而形成。
然后，根据表1中的比例形成包括镍颗粒、陶瓷添加剂和硫(S)的用于内电极的导电膏。
通过经由丝网印刷工艺利用用于内电极的导电膏涂覆陶瓷生片来形成内电极，并通过层叠200至300层陶瓷生片来形成层压体。
通过切割和压制制造“0603”尺寸的片体，并且在具有约0.1％或更少的H2的还原气氛中，在约1050℃至约1200℃的温度范围内烧结片体。
通过包括形成外电极的工艺、镀覆工艺等的工艺来制造多层陶瓷电容器，并评估电性能。在测量设计的片体的电容时电容降低10％或更多的情况下(例如，在目标电容为4.7μF时，电容值为4.23μF或更小的情况下)，确定没有获得期望的电容。
使用光学显微镜观察到在未印刷内电极的边缘部分与印刷内电极的电容形成部分之间的边界部分周围存在裂纹(如在宽度和厚度(W-T)平面的截面中所看到的)。
在表1中的实验数据中，内电极和介电层之间的厚度比为1︰1。
表1
*：比较示例，○：良好，×：缺陷
参照表1，在样品1和样品2的比较示例中，在第一内电极121和第二内电极122之中，设置在上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量的比为约0.63或更小，并且用于内电极的膏中包括的硫(S)的含量超过500ppm。在这种情况下，可能由于电容减小、烧结期间裂纹的增加等而降低电容器的可靠性。
如果在第一内电极121和第二内电极122之中，设置在上部和下部中的第一内电极121和第二内电极122中的添加剂的含量与设置在中部中的第一内电极121和第二内电极122的添加剂的含量的比超过1.03，则尽管未在表1中指出，但由于内电极的膏中包括的硫(S)的含量太低而没有有效地防止内电极的收缩，结果，可能由于内电极和介电层之间的不匹配、裂纹等而导致可靠性差。
在根据这里公开的示例实施例制备的样品3、样品4和样品5中，当满足本公开中建议的量度范围时，获得期望的电容并且在烧结工艺之后没有观察到裂纹。因此，可获得具有改善的可靠性和更高的电容的多层陶瓷电容器。
根据本公开的一方面，在内电极之中，通过将设置在陶瓷主体的上部和下部中的内电极中的添加剂的含量与设置在陶瓷主体的中部中的内电极中的添加剂的含量的比调整为约0.63至约1.03，可获得具有更高的电容和更高的可靠性的多层陶瓷电子组件。
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，可在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。
Claims (14)
1.一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：
陶瓷主体，包括介电层以及彼此面对的第一内电极和第二内电极，所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述第一内电极和所述第二内电极包括导电金属和添加剂，
其中，在所述陶瓷主体的沿着长度-厚度平面的截面中，所述陶瓷主体的上部和下部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量与所述陶瓷主体的中部中的第一内电极和第二内电极中的添加剂的含量的比为0.63至0.9。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的所述添加剂的含量与所述导电金属的含量的比为0.5％或更高。
3.根据权利要求2所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的所述添加剂的含量与所述导电金属的含量的比为0.5％至3.0％。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述中部中的所述第一内电极和所述第二内电极占据的面积为所述陶瓷主体中所有所述第一内电极和所述第二内电极占据的面积的40％至60％。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，设置在所述陶瓷主体的所述上部和所述下部中的每者中的所述第一内电极和所述第二内电极占据的面积为从最上面的内电极到最下面的内电极的所有所述第一内电极和所述第二内电极占据的面积的10％或更小。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个的厚度Te满足式0.1μm≤Te≤0.5μm。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述添加剂包括陶瓷材料。
8.一种制造多层陶瓷电子组件的方法，所述方法包括：
形成陶瓷生片；
使用导电膏在所述陶瓷生片上形成内电极图案，所述导电膏包括导电金属、添加剂和500ppm或更少的硫；
通过层叠多个陶瓷生片形成陶瓷层压体，每个陶瓷生片包括所述内电极图案；以及
通过烧结所述陶瓷层压体形成包括多个介电层和多个内电极的陶瓷主体，
其中，在所述陶瓷主体的沿着长度-厚度平面截取的截面中，所述多个内电极中的在所述陶瓷主体的上部和下部中的内电极中的添加剂的含量与在所述陶瓷主体的中部中的内电极中的添加剂的含量的比为0.63至0.9。
9.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述内电极中的添加剂的含量与导电金属的含量的比为0.5％或更高。
10.根据权利要求9所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述内电极中的所述添加剂的含量与所述导电金属的含量的比为0.5％至3.0％。
11.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述陶瓷主体的所述中部中的所述内电极占据的面积为所述多个内电极占据的整个面积的40％至60％。
12.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，在所述陶瓷主体的所述上部和所述下部中的每者中的所述内电极占据的面积为从最上面的内电极到最下面的内电极的所述多个内电极占据的整个面积的10％或更小。
13.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述内电极中的每个的厚度Te满足式0.1μm≤Te≤0.5μm。
14.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述添加剂包括陶瓷材料。
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