CN110521291B

CN110521291B - 载体膜和电子零件的制造方法

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Publication number: CN110521291B
Application number: CN201880025656.5A
Authority: CN
Inventors: 山元一生; 浅井良太
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2017-04-19
Filing date: 2018-04-17
Publication date: 2021-12-28
Anticipated expiration: 2038-04-17
Also published as: KR102193968B1; JPWO2018194066A1; CN110521291A; JP6760493B2; KR20190129085A; WO2018194066A1

Abstract

本发明提供当通过紫外线激光在成形于载体膜上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔时可抑制两者的界面附近处的过度的加工的载体膜和使用它的电子零件的制造方法。载体膜(10)用于片材构件(20)的成形，当被照射具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布的紫外线激光(B)时，载体膜(10)中，紫外线激光(B)的波长分布中的不足375nm的成分的吸收率为50％以上，紫外线激光(B)的波长分布中的375nm以上的成分的吸收率不足50％。

Description

载体膜和电子零件的制造方法

技术领域

本发明涉及在片材构件的成形中使用的载体膜、和包括在成形于载体膜之上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种孔的工序的电子零件的制造方法。

背景技术

片材构件作为电子零件的构成构件、或者电子零件的制造过程中的中间产品的构成构件使用。作为片材构件的一个例子，可举出陶瓷生片。作为包括在陶瓷生片上形成贯通孔的工序的陶瓷电子零件的制造方法的一个例子，可举出日本特开平6-304774号(专利文献1)中记载的陶瓷电子零件的制造方法。

在专利文献1记载的陶瓷电子零件的制造方法中，对由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下简记为PET)构成的载体膜和成形在载体膜之上的陶瓷生片，照射激光。此时，从载体膜侧照射激光。作为其结果，是在载体膜和成形在载体膜之上的陶瓷生片这两者上形成贯通孔。

在上述的贯通孔中填充包含金属粉末的导电性膏。对于在贯通孔中填充有导电性膏的陶瓷生片，当剥离了载体膜之后进行烧制。填充于贯通孔的导电性膏在烧制后成为导通孔导体。

专利文献1:日本特开平6-304774号公报

近年来，伴随着电子零件的小型化，谋求导通孔导体的小径化。考虑有对于在片材构件上形成小径的导通孔导体用的贯通孔的工序中使用的激光，使用适于微小区域的加工的紫外线激光。作为紫外线激光的一个例子，可举出例如具有中心波长为355nm并包含375nm以上波长的波长分布的紫外线激光。

然而，在使用在波长分布的大部分中紫外线激光的吸收率低的材料作为载体膜的材料的情况下，在载体膜上形成贯通孔恐怕较为困难。另一方面，当使用在波长分布的大部分中紫外线激光的吸收率高的材料作为载体膜的材料时，在载体膜上形成贯通孔变得容易进行。但是，在这种情况下，载体膜与片材构件间的界面附近的孔径恐怕变大。

图2是用于对使用在波长分布的大部分中紫外线激光的吸收率高的材料作为载体膜的材料的情况下的问题更详细地进行说明的附图。图2的(A)～(E)是分别示意性地示出在包括通过紫外线激光进行的在片材构件上形成贯通孔的工序的电子零件的制造方法的一个例子中依次进行的各工序的主要部分的剖视图。

图2的(A)是表示制作或者准备载体膜110的工序的剖视图。载体膜110使用例如聚萘二甲酸乙二醇酯(以下简写为PEN)那样的前述的在波长分布的大部分中紫外线激光的吸收率高的材料。图2的(B)是表示在载体膜110的一个主面上成形片材构件120的工序的剖视图。片材构件120的材质和成形方法未特别限定。

图2的(C)是表示通过紫外线激光B的照射，在载体膜110和成形在载体膜110一个主面上的片材构件120形成贯通孔130的工序的剖视图。紫外线激光B从载体膜110的另一个主面侧照射。作为其结果，是在载体膜110和片材构件120形成贯通孔130。

紫外线激光B的中心波长附近的成分容易被从载体膜110的另一个主面侧开始吸收。因此，因紫外线激光B的中心波长附近的成分，使载体膜110被从另一个主面侧开始穿孔。另一方面，前述的波长为375nm以上的成分容易被从载体膜110的一个主面侧开始吸收。因此，载体膜110也容易因上述的成分而被从一个主面侧开始穿孔。

此时，在载体膜110的一个主面上存在片材构件120，因此，在两者的界面处，在穿孔时产生的热容易被闷在里面。因此，由紫外线激光B中的波长为375nm以上的成分进行的加工过度进行，如图2的(C)所示那样，在两者的界面附近形成有孔径变大的部分130a。

图2的(D)是表示在形成于载体膜110和片材构件120的贯通孔中填充导电性膏140的工序的剖视图。导电性膏140也填充于载体膜110与片材构件120的界面附近的孔径变大的部分130a。

图2的(E)是表示从片材构件120剥离载体膜110的工序的剖视图。导电性膏140也被填充于孔径变大的部分130a，结果是，在剥离了载体膜110后的片材构件120之上，产生导电性膏140的不希望从贯通孔溢出的溢出部140a。进而，图2的(E)虽未图示，但在设置有多个导通孔导体的情况下，存在邻接的导通孔导体彼此接触的担忧。

上述的问题不仅当在载体膜上成形陶瓷生片作为片材构件时可以产生，当在载体膜上成形树脂片材作为片材构件时也可以产生。另外，上述的问题不仅当在片材构件形成贯通孔时可以产生，在片材构件形成盲孔时也可以产生。

发明内容

本发明的目的在于提供载体膜，在通过紫外线激光在成形于载体膜上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔时，可抑制两者的界面附近处的过度的加工。另外，提供使用上述的载体膜的电子零件的制造方法。

在本发明所涉及的载体膜中，谋求针对照射的紫外线激光的吸收率的改进。

本发明首先面向载体膜。

本发明所涉及的载体膜用于片材构件的成形。而且，当被照射了具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布的紫外线激光时，紫外线激光的波长分布中的不足375nm的成分的吸收率为50％以上。另外，紫外线激光的波长分布的375nm以上的成分的吸收率不足50％。

在上述的载体膜中，当在一个主面成形有片材构件、上述的紫外线激光从另一个主面侧照射的情况下，可抑制波长为375nm以上的成分被从一个主面侧吸收。因此，当在载体膜形成贯通孔，通过紫外线激光在片材构件形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔时，可抑制两者的界面附近处的过度的加工。

本发明所涉及的载体膜优选具备以下的特征。即，本发明所涉及的载体膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。而且，PEN的重量比PET的重量和PEN的重量之和的比值为0.05以上且0.25以下。

在上述的载体膜中，当在一个主面成形有片材构件，前述紫外线激光从另一个主面侧照射的情况下，容易地实现抑制波长为375nm以上的成分的从一个主面侧开始吸收。

另外，本发明也面向电子零件的制造方法。

本发明所涉及的电子零件的制造方法包括在成形于载体膜上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔的工序。而且，本发明所涉及的电子零件的制造方法具备以下第1～第5工序。

第1工序是制作或者准备载体膜的工序。第2工序是在载体膜的一个主面上成形片材构件的工序。第3工序是通过从载体膜的另一个主面侧在载体膜和成形于载体膜上的片材构件照射紫外线激光而在载体膜形成贯通孔，在片材构件形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔的工序。对于紫外线激光而言，具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布。

第4工序是在形成于载体膜的贯通孔和形成于片材构件的上述孔中填充导电性膏的工序。第5工序是从在上述孔中填充有导电性膏的片材构件上剥离载体膜的工序。而且，上述的载体膜是前述的本发明所涉及的载体膜。

在上述的电子零件的制造方法中，使用本发明所涉及的载体膜。因此，当通过紫外线激光在载体膜上形成贯通孔、在片材构件上形成上述孔时，可抑制两者的界面附近处的过度的加工。因此，可抑制剥离了载体膜之后的片材构件上的导电性膏从上述孔溢出。进而，可抑制邻接的导通孔导体的接触。

在本发明所涉及的载体膜中，当通过紫外线激光在载体膜上形成贯通孔、在片材构件上形成上述孔时，可抑制两者的界面附近处的过度的加工。另外，在本发明所涉及的电子零件的制造方法中，可抑制剥离了载体膜之后的片材构件上的导电性膏从上述孔溢出。进而，可抑制邻接的导通孔导体的接触。

附图说明

图1是针对使用本发明所涉及的载体膜的电子零件的制造方法的一个例子进行说明的附图。

图2是针对用于对本发明欲解决的课题进行说明的使用了由在波长分布的大部分中紫外线激光的吸收率高的材料构成的载体膜的电子零件的制造方法的一个例子进行说明的附图。

具体实施方式

以下示出本发明的实施方式，对成为本发明的特征的方面进一步详细地进行说明。本发明在例如陶瓷多层基板和陶瓷燃料电池等成形并制造陶瓷生片的陶瓷电子零件的制造、以及树脂多层基板等非陶瓷电子零件的制造的任一者中均能够广泛应用。

-载体膜的实施方式-

当在由对于规定的紫外线激光的波长分布的大部分吸收率高的材料构成的载体膜上照射了该紫外线激光时，载体膜从照射面和该照射面的对置面这两个面逐渐穿孔。即，如前述那样，在对置面侧，产生被过度加工了的部分。为了解决这样的课题，发明人反复认真研究的结果，是发现抑制对置面处的紫外线激光的吸收的条件，得到本发明。

本发明所涉及的载体膜具有以下的特征。即，在照射了具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上的波长的波长分布的紫外线激光时，紫外线激光的波长分布中的不足375nm的成分的吸收率为50％以上。另外，紫外线激光的波长分布中的375nm以上的成分的吸收率不足50％。

上述的条件是通过使载体膜包含PET和PEN并且使PEN的重量比PET的重量和PEN的重量之和的比值为0.05以上且0.25以下来实现的。另外，上述的条件也能通过使载体膜包含PET和紫外线吸收剂来实现。但是，用于实现上述条件的载体膜的具体结构不局限于这些。

紫外线吸收剂是从水杨酸苯基酯、水杨酸对叔丁基苯基酯、2,4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-(2'-羟基-5'-甲基苯基)苯并三唑、2-(2'-羟基-5'-叔甲基苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-6-双(1-甲基-1-苯乙基)苯酚、2-氰基-3,3'-二苯基丙烯酸-2-乙基己酯、2-氰基-3,3'-二苯基丙烯酸乙酯中选出的至少1种有机化合物。

基于实验例，对本发明更具体地进行说明。载体膜被制作为厚度25μm。在载体膜的一个主面上使片材构件成形为厚度10μm。此处，片材构件是包含低温烧制陶瓷材料的陶瓷生片。对于照射于载体膜的紫外线激光而言，具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布。紫外线激光从载体膜的另一个主面侧照射。在该实验例中，通过上述的紫外线激光的照射，在载体膜和片材构件双方形成贯通孔。

根据该实验例，规定上述的紫外线激光照射于载体膜时的波长不足375nm的成分的吸收率和波长375nm以上的成分的吸收率。实验例所使用的载体膜可通过例如双轴拉伸法那样的已知的工艺制作。

表1示出上述的紫外线激光照射于该实验例的各种载体膜时的紫外线激光的吸收率和所形成的贯通孔的各种位置的开口径的值。紫外线激光的吸收率分成波长λ为300nm以上且不足355nm的成分、波长λ为355nm以上且不足375nm的成分、波长λ为375nm以上且不足425nm的成分示出。紫外线激光的各波长成分的吸收率通过分光光度计测定。此外，表1的“膜”表示载体膜，“片材”表示片材构件。

(表1见下页)

如试料1那样，在对于波长分布的大部分吸收率低的情况下，在规定时间内形成贯通孔较为困难。另外，如试料2那样，在存在波长λ不足375nm的成分中的吸收率不足50％的试料，波长λ为375nm以上的成分的吸收率为50％以上的情况下，所形成的贯通孔的形状不定形。可认为这是由于从载体膜的一个主面侧和片材构件侧开始的加工推进，因载体膜和片材构件的热分解而产生的气体妨碍从载体膜的另一个主面侧开始的加工。

另外，如试料6～8那样，在对于波长分布的大部分吸收率高的情况下，载体膜与片材构件的界面附近被过度加工。作为其结果，载体膜的紫外线激光的射出侧和片材构件的紫外线激光的入射侧的开口径的值均为100μm以上。

另一方面，如试料3～5那样，在波长λ为不足375nm的成分的吸收率为50％以上、波长λ为375nm以上的成分的吸收率不足50％的情况下，贯通孔的各种位置的开口径的值均不足100μm。此处，在试料3中，PEN的重量比PEN和PET的重量之和的比值为0.05，在试料4中，PEN的重量比PEN和PET的重量之和的比值为0.14，在试料5中，PEN的重量比PEN和PET的重量之和的比值为0.25。因此，在载体膜中，当PEN的重量比PET的重量和PEN的重量之和的比值为0.05以上且0.25以下时，得到良好的加工结果。

-电子零件的制造方法-

图1是对使用本发明所涉及的载体膜的电子零件的制造方法的一个例子进行了说明的附图。图1的(A)～(E)是分别示意性地表示在包括在成形于载体膜上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔的工序的电子零件的制造方法的一个例子中依次进行的各工序的主要部分的剖视图。

在该例子中，示出通过照射紫外线激光，在载体膜和片材构件双方形成贯通孔的情况，但也可以是，在载体膜形成贯通孔，在片材构件形成盲孔。

此外，各附图是示意图，不一定反映实际的产品尺寸。另外，制造工序上产生的各构成要素的形状的不一致等也不一定反映于各附图。即，以下，本说明书中为了说明而使用的附图，可以说是即使存在与实际的产品不同的部分，也在本质上表示实际的产品。

图1的(A)是表示制作或者准备载体膜10的工序(第1工序)的剖视图。载体膜10是本发明所涉及的载体膜，并以前述重量比包含PEN和PET。即，PEN的重量比PET的重量和PEN的重量之和的比值为0.05以上且0.25以下。载体膜10通过对贯通孔的形成所需要的时间和在后述的第2工序中形成于载体膜10之上的片材构件20的操作加以考虑，制作为例如成为25μm～100μm之间的厚度。

也可以是，在载体膜10的一个主面侧(在后述的第2工序中形成片材构件20这侧)，赋予在后述的第5工序中用于使片材构件20的剥离性提高的离型层。离型层使用有机硅树脂或者氟树脂形成。

另外，也可以是，在载体膜10中添加有用于调整热膨胀系数、提高机械强度和防止卷绕错位等的无机材料粉末。无机材料粉末的材质是从氧化铝等氧化物、氮化硅等氮化物、和碳化硅等碳化物中选出的至少1种。无机材料粉末的形状为球状或者薄片状。从填充性的观点出发，优选球状。

图1的(B)是表示在载体膜10的一个主面上成形片材构件20的工序(第2工序)的剖视图。此处，片材构件20是包含低温烧制陶瓷材料的陶瓷生片。例如，通过使用唇口涂敷机等将混合陶瓷材料粉末、粘合剂、增塑剂以及有机溶剂而成的浆料涂布在载体膜10的一个主面上，从而成为片材构件20。片材构件20成形为例如5μm～100μm之间的厚度。

图1的(C)是表示通过照射紫外线激光B而在载体膜10和成形于载体膜10一个主面上的片材构件20形成贯通孔30的工序(第3工序)的剖视图。紫外线激光B从载体膜10的另一个主面侧照射。对于紫外线激光B而言，具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布。作为其结果，是在载体膜10和片材构件20双方开设贯通孔30。贯通孔30的孔径设定于例如20μm～200μm之间。

载体膜10如前述那样是本发明所涉及的载体膜。即，当紫外线激光B从另一个主面侧照射于在一个主面成形有片材构件20的载体膜10时，可抑制波长为375nm以上的成分的从一个主面侧开始的吸收。因此，当在载体膜10和成形于载体膜10之上的片材构件20上形成由紫外线激光形成的贯通孔30时，可抑制两者的界面附近处的过度的加工。

图1的(D)是表示在形成于载体膜10和片材构件20的贯通孔30中填充导电性膏40的工序(第4工序)的剖视图。导电性膏40的材质和填充方法未特别限定。使用丝网印刷机等将由例如铜等金属粉末、粘合剂、增塑剂以及有机溶剂混合而成的导电性膏40填充于贯通孔30。

另外，也可以是，在导电性膏40中添加有用于调整烧结时的收缩率等的无机材料粉末。作为无机材料粉末的材质，优选片材构件20所含的陶瓷材料粉末。

图1的(E)是表示从在贯通孔中填充有导电性膏40的片材构件20上剥离载体膜的工序(第5工序)的剖视图。如图1的(E)所示那样，在本发明所涉及的电子零件的制造方法中，可抑制剥离载体膜10之后的片材构件20上的导电性膏40从贯通孔30溢出。作为其结果，可抑制未图示的邻接的导通孔导体的接触。

上述的电子零件的制造方法的例子是针对片材构件为陶瓷生片的情况进行了说明的例子，但即便片材构件为树脂片材，若实施相同的工序，则也可得到相同的效果。另外，在该例子中，对在片材构件上形成贯通孔的情况进行了说明，但在通过改变紫外线激光的照射时间和能量中至少一种而形成有盲孔的情况下，也可得到相同的效果。

此外，该说明书记载的实施方式是例示的方式，本发明不限定于上述的实施方式，能够在本发明的范围内施加各种应用、变形。

附图标记说明

10...载体膜；20...片材构件；30...贯通孔；40...导电性膏。

Claims

1.一种载体膜，用于片材构件的成形，所述载体膜的特征在于，

当被照射具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布的紫外线激光时，

所述紫外线激光的波长分布中的不足375nm的成分的吸收率为50％以上，所述紫外线激光的波长分布中的375nm以上的成分的吸收率不足50％。

2.根据权利要求1所述的载体膜，其特征在于，

包含聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯，

聚萘二甲酸乙二醇酯的重量比聚对苯二甲酸乙二酯的重量和聚萘二甲酸乙二醇酯的重量之和的比值为0.05以上且0.25以下。

3.一种电子零件的制造方法，包括在形成于载体膜上的片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔的工序，

所述电子零件的制造方法的特征在于，具备：

第1工序，制作或者准备所述载体膜；

第2工序，在所述载体膜的一个主面上成形所述片材构件；

第3工序，通过从所述载体膜的另一个主面侧，在所述载体膜和成形于所述载体膜上的所述片材构件上，照射具有中心波长为355nm～365nm并包含375nm以上波长的波长分布的紫外线激光，来在所述载体膜形成贯通孔，从而在所述片材构件上形成作为贯通孔和盲孔中至少一种的孔；

第4工序，在形成于所述载体膜的所述贯通孔和形成于所述片材构件的所述孔中填充导电性膏；以及

第5工序，从在所述孔填充有所述导电性膏的所述片材上构件剥离所述载体膜，

所述载体膜为权利要求1或2所述的载体膜。