CN110509444B - 被加工物的加工方法 - Google Patents

被加工物的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110509444B
CN110509444B CN201910417678.2A CN201910417678A CN110509444B CN 110509444 B CN110509444 B CN 110509444B CN 201910417678 A CN201910417678 A CN 201910417678A CN 110509444 B CN110509444 B CN 110509444B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
height
workpiece
cutting unit
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910417678.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110509444A (zh
Inventor
台井晓治
古川良
水口雅则
小野隆之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN110509444A publication Critical patent/CN110509444A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110509444B publication Critical patent/CN110509444B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/023Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/024Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with the stock carried by a movable support for feeding stock into engagement with the cutting blade, e.g. stock carried by a pivoted arm or a carriage
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Abstract

提供被加工物的加工方法,不会大幅降低生产率而能够适当地调整切削刀具的高度。被加工物的加工方法包含如下的工序:基准设定工序,设定切削单元的作为基准的高度;目标设定工序,设定切削单元的作为目标的高度以便切削刀具切入至划片带的规定的深度;第1切削工序,在将切削单元定位于作为目标的高度的状态下使切削单元和卡盘工作台相对地移动,从而对被加工物进行切削加工;校正值获取工序,根据通过切削刀具而形成在划片带的接触痕的长度而获取校正值;以及第2切削工序,在将切削单元定位于通过校正值对作为目标的高度进行了校正的高度的状态下使切削单元和卡盘工作台相对地移动,从而对被加工物进行切削加工。

Description

被加工物的加工方法
技术领域
本发明涉及被加工物的加工方法,对粘贴有划片带的板状的被加工物进行切削加工。
背景技术
在对以半导体晶片或封装基板为代表的板状的被加工物进行加工时,例如使用在主轴上安装有环状的切削刀具的切削装置。一边使主轴旋转而使切削刀具切入被加工物,一边使主轴和切削刀具与被加工物相对地移动,从而能够沿着该相对移动的方向对被加工物进行切削加工。
但是,当利用上述那样的切削装置对被加工物进行切削加工时,切削刀具的磨损不断推进,其直径慢慢变小。当一直使用直径因磨损而变小的切削刀具时,切削刀具相对于被加工物的切入变浅,无法适当地对被加工物进行切削加工。
因此,如下的方法被实用化:在任意的时机对切削刀具的前端(下端)的位置进行检测,以该前端的位置为基准来控制切削刀具对于被加工物的切入(例如,参照专利文献1)。在该方法中,使切削刀具进入设置于切削装置的光学式的传感器,通过切削刀具遮断传感器内的光路而对切削刀具的前端的位置进行检测。
专利文献1:日本特开2001-298001号公报
近年来,随着从被加工物切出的芯片的小型化等,设定于该被加工物的加工预定线(间隔道)的数量也增加。因此,容易产生如下的状况:在对一张被加工物进行切削加工的中途,切削刀具发生较大磨损,必须确认前端的位置而调整切削刀具的高度。
当产生这样的状况时,在停止被加工物的切削加工并利用上述的传感器检测到切削刀具的前端的位置之后,调整切削刀具的高度而再次开始切削加工。但是,在该情况下,必须使切削刀具在被加工物与传感器之间相对地移动,因此生产率容易降低。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供被加工物的加工方法,不会大幅降低生产率而能够适当地调整切削刀具的高度。
根据本发明的一个方式,提供被加工物的加工方法,使用切削装置对粘贴有划片带的被加工物进行切削加工,该划片带粘贴于环状的框架的开口,该切削装置包含:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;切削单元,其安装有对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行切削加工的切削刀具;以及设置单元,其根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为基准的高度,该被加工物的加工方法包含如下的工序:基准设定工序,根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为该基准的高度;目标设定工序,设定该切削单元的作为目标的高度以便该切削刀具切入至该划片带的规定的深度;第1切削工序,在将该切削单元定位于作为该目标的高度的状态下使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工;校正值获取工序,与该第1切削工序同时或在该第1切削工序之后,根据通过该切削刀具而形成在该划片带上的接触痕的长度而获取校正值,该校正值用于该切削单元的作为该目标的高度的校正;以及第2切削工序,在将该切削单元定位于通过该校正值对作为该目标的高度进行了校正的高度的状态下,使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工。
在本发明的一个方式中,也可以是,在该第1切削工序中,在使该切削单元在该被加工物与该框架之间的露出有该划片带的第1区域中下降至作为该目标的高度之后,使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,以使得该切削刀具移动至相对于该被加工物位于与该第1区域相反的一侧的露出有该划片带的第2区域,从而对该被加工物进行切削加工并且在该划片带上形成该接触痕。
另外,在本发明的一个方式中,也可以是,该被加工物的加工方法还包含如下的接触痕形成工序:在该第1切削工序之后且在该校正值获取工序之前,使该切削单元在该被加工物与该框架之间的露出有该划片带的区域中下降至作为该目标的高度,从而在该划片带上形成该接触痕。
另外,在本发明的一个方式中,也可以是,在该校正值获取工序中,根据由该接触痕的长度和该切削刀具的外径计算出的接触痕的深度而获取该校正值。
在本发明的一个方式的被加工物的加工方法中,根据通过切削刀具而形成在划片带上的接触痕的长度而获取校正值,校正值用于切削单元的作为目标的高度的校正,然后将切削单元定位于通过该校正值进行了校正的高度而对被加工物进行切削加工。
由此,每当切削刀具发生磨损时,即使不利用设置单元对切削刀具的外周的前端的高度进行检测,也能够适当地调整切削单元的高度。即,在调整切削刀具的高度时,不像以往那样使切削刀具的相对移动的距离增大即可,因此不会大幅降低生产率而能够适当地调整切削刀具的高度。
附图说明
图1是示出被加工物等的结构例的立体图。
图2是示出切削装置的结构例的立体图。
图3是将切削单元和刀具位置检测单元放大而得的立体图。
图4的(A)和图4的(B)是示出对被加工物进行切削加工的情况的局部剖视侧视图。
图5的(A)是示出切削加工后的被加工物等的俯视图,图5的(B)是示出接触痕的深度的概念图。
图6的(A)是示出对被加工物进行切削加工的情况的局部剖视侧视图,图6的(B)是示出切削加工后的被加工物等的俯视图。
图7是示出利用其他工序形成了接触痕的划片带等的俯视图。
标号说明
11:被加工物;11a:正面;11b:背面;11c、11d:切口(切开口);13:加工预定线(间隔道);15:器件;21:划片带;21a:第1面;21b、21c:接触痕;23:框架;23a:开口;2:切削装置;4:基台;4a、4b、4c:开口;6:盒升降机;8:盒;10:X轴移动机构(加工进给机构);10a:工作台罩;12:波纹状罩;14:卡盘工作台(保持工作台);14a:保持面;14b:吸引路;16:夹具;18:切削单元;20:支承结构;22:切削单元移动机构(分度进给机构、切入进给机构);24:Y轴导轨;26:Y轴移动板;28:Y轴滚珠丝杠;30:Z轴导轨;32:Z轴移动板;34:Z轴滚珠丝杠;36:Z轴脉冲电动机;38:主轴壳体;40:主轴;42:切削刀具;44:相机(拍摄单元);46:刀具位置检测单元(设置单元);48:清洗单元;50:控制单元(设置单元);54:检测器;54a:支承部;54b:检测部;54c:刀具进入部;56:发光部;58:受光部;60:空气提供喷嘴;62:液体提供喷嘴;64:连结件;66:罩。
具体实施方式
参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出利用本实施方式的被加工物的加工方法进行切削加工的被加工物11等的结构例的立体图。如图1所示,被加工物11例如是使用硅(Si)等半导体材料形成的圆盘状的晶片。
该被加工物11的正面11a侧由相互交叉的多条加工预定线(间隔道)13划分出多个小区域,在各小区域内形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)等器件15。将直径比被加工物11大的划片带21的第1面21a侧粘贴于被加工物11的背面11b侧。
另外,将划片带21的第1面21a侧的外周部分粘贴于具有大致圆形的开口23a的环状的框架23上。即,在被加工物11的背面11b侧粘贴有粘贴于环状的框架23的开口23a的划片带21,被加工物11借助该划片带21而支承于框架23。
另外,在本实施方式中,将由硅等半导体材料形成的圆盘状的晶片作为被加工物11,但对于被加工物11的材质、形状、结构、大小等没有限制。例如也可以使用由其他半导体、陶瓷、树脂、金属等材料形成的基板等作为被加工物11。同样地,对于器件15的种类、数量、形状、结构、大小、配置等也没有限制。也可以不在被加工物11上形成器件15。
另外,在本实施方式中,对在被加工物11的背面11b侧粘贴有划片带21而从正面11a侧对被加工物11进行切削加工的例子进行说明,但也可以将划片带21粘贴于被加工物11的正面11a侧。在该情况下,从背面11b侧对被加工物11进行切削加工。
在本实施方式的被加工物的加工方法中,首先进行用于利用切削装置对上述的被加工物11进行切削加工的准备。图2是示出在本实施方式的被加工物的加工方法中所使用的切削装置2的结构例的立体图。另外,在图2中,将一部分构成要素用功能块示出。如图2所示,切削装置2具有对各构成要素进行支承的基台4。
在基台4的前方的角部形成有开口4a,在该开口4a内设置有通过升降机构(未图示)进行升降的盒升降机6。在盒升降机6的上表面上载置有盒8,该盒8用于对借助划片带21而支承于框架23的状态的被加工物11进行收纳。另外,在图2中,为了便于说明,仅示出盒8的轮廓。
在盒升降机6的侧方形成有在X轴方向(前后方向、加工进给方向)上较长的开口4b。在开口4b内配置有滚珠丝杠式的X轴移动机构(加工进给机构)10和覆盖X轴移动机构10的上部的波纹状罩12。X轴移动机构10具有X轴移动工作台(未图示),使该X轴移动工作台在X轴方向上移动。另外,该X轴移动工作台的上部被工作台罩10a覆盖。
在X轴移动工作台上以从工作台罩10a露出的方式配置有卡盘工作台(保持工作台)14,该卡盘工作台(保持工作台)14用于隔着划片带21而对被加工物11进行保持。卡盘工作台14与电动机等旋转驱动源(未图示)连结,绕与Z轴方向(铅垂方向)大致平行的旋转轴旋转。另外,卡盘工作台14通过上述的X轴移动机构10与X轴移动工作台一起在X轴方向上移动(加工进给)。
卡盘工作台14的上表面的一部分是用于对被加工物11进行保持的保持面14a。保持面14a相对于X轴方向和Y轴方向(左右方向、分度进给方向)大致平行地形成,经由形成于卡盘工作台14的内部的吸引路14b(参照图4的(A))等而与吸引源(未图示)连接。另外,在卡盘工作台14的周围设置有四个夹具16,该四个夹具16用于从四边对支承被加工物11的环状的框架23进行固定。
在开口4b的上方配置有用于将上述的被加工物11(框架23)搬送至卡盘工作台14等的搬送单元(未图示)。搬送单元所搬送的被加工物11例如按照正面11a侧向上方露出的方式载置于卡盘工作台14的保持面14a上。即,在本实施方式中,使粘贴于被加工物11的背面11b侧的划片带21与卡盘工作台14的保持面14接触。
在开口4b的侧方配置有悬臂梁状的支承结构20,该支承结构20用于对切削被加工物11的切削单元18进行支承。在支承结构20的前表面上部设置有使切削单元18在Y轴方向和Z轴方向上移动的切削单元移动机构(分度进给机构、切入进给机构)22。
切削单元移动机构22具有一对Y轴导轨24,它们配置于支承结构20的前表面上,与Y轴方向大致平行。在Y轴导轨24上以能够滑动的方式安装有构成切削单元移动机构22的Y轴移动板26。
在Y轴移动板26的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部中螺合有与Y轴导轨24大致平行的Y轴滚珠丝杠28。在Y轴滚珠丝杠28的一个端部连结有Y轴脉冲电动机(未图示)。若利用Y轴脉冲电动机使Y轴滚珠丝杠28旋转,则Y轴移动板26沿着Y轴导轨24在Y轴方向上移动。
在Y轴移动板26的正面(前表面)上设置有与Z轴方向大致平行的一对Z轴导轨30。在Z轴导轨30上以能够滑动的方式安装有Z轴移动板32。
在Z轴移动板32的背面侧(后表面侧)设置有螺母部(未图示),在该螺母部中螺合有与Z轴导轨30平行的Z轴滚珠丝杠34。在Z轴滚珠丝杠34的一个端部连结有Z轴脉冲电动机36。若利用Z轴脉冲电动机36使Z轴滚珠丝杠34旋转,则Z轴移动板32沿着Z轴导轨30在Z轴方向上移动。
在Z轴移动板32的下部固定有构成切削单元18的筒状的主轴壳体38。在主轴壳体38中收纳有作为旋转轴的主轴40(参照图3)。主轴40的一个端部从主轴壳体38的一端侧露出到外部,在该主轴40的一个端部安装有用于对被加工物11进行切削加工的切削刀具42。在主轴40的另一端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示)。
在与切削单元18相邻的位置设置有用于对卡盘工作台14所保持的被加工物11等进行拍摄的相机(拍摄单元)44。若利用切削单元移动机构22使Y轴移动板26在Y轴方向上移动,则切削单元18和相机44在Y轴方向上移动(分度进给)。另外,若利用切削单元移动机构22使Z轴移动板32在Z轴方向上移动,则切削单元18和相机44在Z轴方向上移动(切入进给)。
在开口4b的上方且在比切削单元18低的位置配置有刀具位置检测单元(设置单元)46,该刀具位置检测单元(设置单元)46用于对切削刀具42的刃尖(外周的前端)的Z轴方向的位置(高度)进行检测。另外,在相对于开口4b与开口4a相反的一侧的位置形成有开口4c。在开口4c内配置有用于对切削加工后的被加工物11等进行清洗的清洗单元48。
在X轴移动机构10、切削单元18、切削单元移动机构22、相机44、刀具位置检测单元46等各构成要素上连接有控制单元(设置单元)50。控制单元50例如根据被加工物11的加工条件等而对切削装置2的各构成要素进行控制。
图3是将切削单元18和刀具位置检测单元46放大而得的立体图。另外,在图3中,省略了切削单元18的一部分结构要素。如图3所示,刀具位置检测单元46具有位于切削单元18的下方的检测器54。检测器54例如包含:支承部54a,其构成为大致长方体状;以及检测部54b,其设置于支承部54a的后端侧(X轴方向的一侧)的上方。
在检测部54b的上端部形成有刀具进入部54c,该刀具进入部54c是按照切削刀具42能够进入的方式进行切除而成的。刀具进入部54c具有在Y轴方向上面对的一对内侧面,在该一对内侧面上分别配置有构成光学式的传感器的发光部56和受光部58。即,发光部56和受光部58夹着刀具进入部54c而面对。
在位于检测部54b的前方侧(X轴方向的另一侧)的支承部54a的上表面上,设置有用于对发光部56和受光部58提供空气的两个空气提供喷嘴60。另外,在空气提供喷嘴60的前方设置有用于对发光部56和受光部58提供水等液体的两个液体提供喷嘴62。例如在通过从液体提供喷嘴62提供的液体对发光部56和受光部58进行清洗之后,通过从空气提供喷嘴60提供的空气对发光部56和受光部58进行干燥。
在检测器54的后端面上借助由铰链等形成的连结件64而安装有长方体状的罩66。该罩66的内部是中空的。因此,例如使罩66以连结件64为中心进行旋转,从而能够将检测部54b、空气提供喷嘴60、液体提供喷嘴62等收纳于罩66的内部。
另一方面,在利用刀具位置检测单元46对切削刀具42的外周的前端的位置进行检测时,将罩66旋转至图3所示的位置,使检测部54b、空气提供喷嘴60、液体提供喷嘴62等露出。由此,能够使切削刀具42进入至刀具进入部54c而对其外周的前端的位置进行检测。
在本实施方式的被加工物的加工方法中,首先根据上述的切削刀具42的外周的前端的高度,在切削装置2中设定切削单元18的作为基准的高度(基准高度H0)(基准设定工序)。具体而言,首先将旋转的切削刀具42定位于刀具位置检测单元46的检测器54的上方。然后,如图3所示,在从发光部56放射光的状态下使切削单元18下降,使旋转的切削刀具42进入至刀具进入部54c(发光部56与受光部58之间)。
由此,从发光部56向受光部58放射的光被切削刀具42部分地遮挡,受光部58的受光量慢慢降低。控制单元50对受光部58的受光量(相当于受光量的电压值等)和切削单元18的高度进行监视,例如将受光部58的受光量降低至规定的阈值时的切削单元18的高度作为基准高度H0而存储于控制单元50内的存储部。
在本实施方式中,将切削刀具42的外周的前端与卡盘工作台14的保持面14a接触时的切削单元18的高度设定为基准高度H0。即,对受光部58的受光量的阈值等进行调整,以便设定该基准高度H0。但是,基准高度H0可以不必按照切削刀具42的外周的前端与卡盘工作台14的保持面14a接触的方式进行设定。
另外,在本实施方式中,对使用上述的刀具位置检测单元46以非接触的方式设定基准高度H0的例子进行了说明,但基准高度H0的设定方法没有限制。例如也可以利用在卡盘工作台14与切削刀具42之间形成电位差并使它们接触而确认导通的方法来设定基准高度H0
在设定了基准高度H0之后,按照能够适当地将卡盘工作台14所保持的被加工物11切断的方式在切削装置2中设定切削单元18的作为目标的高度(目标高度H1)(目标设定工序)。更具体而言,按照能够使切削刀具42切入至与被加工物11一起被保持于卡盘工作台14的划片带21的规定的深度的方式设定目标高度H1
例如在划片带21的厚度为T0并且希望切削刀具42切入至距离该划片带21的第1面21a的深度为D0的位置的情况下(即,第1面21a与切削刀具42的最下点之间的距离为D0的情况下),目标高度H1为H0+T0-D0
控制单元50将所得到的目标高度H1存储于控制单元50内的存储部。另外,在目标高度H1的计算中所用的深度D0优选为5μm~35μm,代表性地为10μm左右。但是,深度D0的值可在能够适当地将被加工物11切断的范围内任意调整。
在设定了基准高度H0和目标高度H1之后,对被加工物11进行切削加工(第1切削工序)。图4的(A)和图4的(B)示出对被加工物11进行切削加工的情况的局部剖视侧视图。具体而言,首先使粘贴于被加工物11的背面11b侧的划片带21与卡盘工作台14的保持面14a接触并作用吸引源的负压。然后,利用夹具16对框架23进行固定。由此,被加工物11在正面11a侧向上方露出的状态下被保持。
接着,例如使卡盘工作台14旋转而使对象的加工预定线13与切削装置2的X轴方向对齐。另外,使卡盘工作台14和切削单元18相对地移动而使切削刀具42的位置对齐在对象的加工预定线13的延长线的上方。
并且,如图4的(A)所示,一边使切削刀具42旋转一边使切削单元18下降至目标高度H1。其结果是,切削刀具42在被加工物11与框架23之间的露出有划片带21的第1区域中切入至划片带21。
然后,使卡盘工作台14在X轴方向上移动。具体而言,如图4的(A)和图4的(B)所示,使卡盘工作台14在X轴方向上移动,以使得切削刀具42相对地移动至相对于被加工物11位于与第1区域相反的一侧的第2区域。
由此,沿着对象的加工预定线13对被加工物11进行切削加工。另外,在该第2区域中,也与第1区域同样地,划片带21露出。在本实施方式中,将卡盘工作台14在X轴方向上移动的距离(使切削刀具42相对地移动的距离)设为x0
图5的(A)是示出切削加工后的被加工物11等的俯视图。上述的切削加工的结果是,在被加工物11上形成有沿着对象的加工预定线13将被加工物11切断的形态的切口(切开口)11c。在本实施方式中,使切削刀具42一边切入至划片带21一边从第1区域相对地移动至第2区域。因此,如图5的(A)所示,在划片带21上也通过与切削刀具42的接触而形成有接触痕21b。
例如在沿着对象的加工预定线13对被加工物11进行切削加工,并且在划片带21上形成了接触痕21b之后,获取用于上述目标高度H1的校正的校正值(校正值获取工序)。在本实施方式中,根据由接触痕21b的长度和切削刀具42的外径(直径)计算出的接触痕21b的深度而获取校正值。
另外,这里为了便于说明,对在沿着一条加工预定线13对被加工物11进行了切削加工之后获取校正值的例子进行了说明,但也可以在沿着多条加工预定线13对被加工物11进行了切削加工之后获取校正值。在获取校正值之前进行切削加工的加工预定线13的数量(即,利用第1切削工序进行切削加工的加工预定线的数量)等根据切削刀具42的磨损的状况等进行调整。
图5的(B)是概念图,示出了使切削刀具42原位切入的情况下(即,未使切削刀具42在X轴方向上相对地移动的情况下)所形成的接触痕的深度D。根据图5的(B)所示的几何学关系,将切削刀具42的直径设为d,将该接触痕的长度(X轴方向上的长度)设为L0,用式(1)表示使切削刀具42原位切入的情况下所形成的接触痕的深度D。
【式1】
(1)
Figure BDA0002064952320000091
如上所述,在本实施方式中,将为了形成接触痕21b而使切削刀具42相对移动的距离设定为x0。因此,当将接触痕21b的长度(X轴方向上的长度)设为L1时,L0=L1-x0。即,使用接触痕21b的长度L1用式(2)表示接触痕21b的深度D1(≈D)。
【式2】
(2)
Figure BDA0002064952320000092
由此,在获取校正值时,首先获取接触痕21b的长度L1。在本实施方式中,利用相机44对接触痕21b进行拍摄而形成图像,根据拍摄到该图像中的接触痕21b,控制单元50计算出长度L1。另外,接触痕21b的拍摄和长度L1的获取可以与上述的被加工物11的切削加工并行地进行。在该情况下,校正值获取工序的一部分与第1切削工序同时进行。
切削刀具42的直径d和切削刀具42的相对移动的距离x0是已知的。由此,计算出接触痕21b的长度L1,从而根据上述式(2)能够计算出接触痕21b的深度D1。磨损等所导致的切削刀具42的直径d的减少对接触痕21b的深度D1几乎没有影响,因此可以无视。
控制单元50在计算出接触痕21b的深度D1之后,根据该深度D1而获取校正值。在本实施方式中,将在计算目标高度H1时所用的深度D0与接触痕21b的深度D1之差(D0-D1)作为校正值。控制单元50获取校正值并存储于控制单元50内的存储部。
在获取了校正值之后,将切削单元18定位于通过该校正值校正了目标高度H1的高度而对被加工物11进行切削加工(第2切削工序)。图6的(A)是示出对被加工物11进行切削加工的情况的局部剖视侧视图,图6的(B)是示出切削加工后的被加工物11等的俯视图。
具体的切削加工的步骤与上述的第1切削工序相同。具体而言,首先使卡盘工作台14和切削单元18相对地移动而将切削刀具42的位置对齐在对象的加工预定线13的延长线上方。另外,在之前刚进行了切削加工的加工预定线13的朝向与对象的加工预定线13的朝向不同的情况下,需要预先使卡盘工作台14旋转而使对象的加工预定线13与切削装置2的X轴方向对齐。
接着,如图6的(A)所示,一边使切削刀具42旋转一边使切削单元18下降至规定的高度H2。在本实施方式中,例如将目标高度H1与校正值(D0-D1)之差即H1-(D0-D1)用作规定的高度H2。这意味着按照由于切削刀具42的磨损而使切入变浅的量将切削单元18定位于较低的位置。
然后,使卡盘工作台14在X轴方向上移动。由此,沿着对象的加工预定线13对被加工物11进行切削加工。图6的(B)是示出切削加工后的被加工物11等的俯视图。上述的切削加工的结果是,在被加工物11上沿着对象的加工预定线13形成将被加工物11切断的方式的切口(切开口)11d。
这里,通过按照上述的步骤所获取的校正值对目标高度H1进行校正,因此即使在切削刀具42发生磨损的情况下,也能够使该切削刀具42切入至适当的高度而对被加工物11进行切削加工。另外,之后在切削刀具42发生了磨损等的情况下,再次进行校正值获取工序而获取校正值然后进行进一步的切削工序即可。
如上所述,在本实施方式的被加工物的加工方法中,根据通过切削刀具42而形成于划片带21的接触痕21b的长度来获取校正值,该校正值用于切削单元18的作为目标的高度的校正,然后将切削单元18定位于通过该校正值进行了校正的高度而对被加工物11进行切削加工。
由此,每当切削刀具42发生磨损时,即使不利用刀具位置检测单元(设置单元)46等对切削刀具42的外周的前端的高度进行检测,也能够适当地调整切削单元18的高度。即,在调整切削刀具42的高度时,不必像以往那样使切削刀具42的相对移动的距离增大便能够实现,因此不会大幅降低生产率而能够适当地调整切削刀具42的高度。
另外,本发明不限于上述实施方式的记载,可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中,在对被加工物11进行切削加工的第1切削工序中,在被加工物11上形成切口11c并且在划片带21上形成接触痕21b,但也可以在第1切削工序之后利用其他工序形成接触痕(接触痕形成工序)。
图7是示出利用与上述实施方式不同的工序形成了接触痕21c的划片带21等的俯视图。在形成这样的接触痕21c的情况下,例如在利用第1切削工序沿着对象的加工预定线13对被加工物11进行切削加工之后,使切削刀具42切入至比第2区域更靠外侧(即,框架23侧)的第3区域。
即,在利用第1切削工序对被加工物11进行了切削加工之后使切削单元18上升,进而使卡盘工作台14在X轴方向上移动。具体而言,使卡盘工作台14在X轴方向上移动,以使得切削刀具42相对地移动至第3区域的上方。
然后,例如在卡盘工作台14未移动的状态下使切削单元18下降至目标高度H1。其结果是,切削刀具42在被加工物11与框架23之间的露出有划片带21的第3区域中切入至划片带21。
由此,在划片带21上形成接触痕21c。这样通过使切削刀具42原位切入的步骤而形成的接触痕21c的长度(X轴方向上的长度)L2与上述式(1)中的接触痕的长度L0相等。由此,控制单元50能够根据式(1)计算出接触痕21c的深度D2(=D)。
除此以外,上述实施方式的结构、方法等只要不脱离本发明的目的的范围,则可以适当变更并实施。

Claims (2)

1.一种被加工物的加工方法,使用切削装置对粘贴有划片带的被加工物进行切削加工,该划片带粘贴于环状的框架的开口,
该切削装置包含:
卡盘工作台,其对被加工物进行保持;
切削单元,其安装有对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行切削加工的切削刀具;以及
设置单元,其根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为基准的高度,
该被加工物的加工方法的特征在于,包含如下的工序:
基准设定工序,根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为该基准的高度;
目标设定工序,设定该切削单元的作为目标的高度以便该切削刀具切入至该划片带的规定的深度;
第1切削工序,在将该切削单元定位于作为该目标的高度的状态下使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工;
校正值获取工序,与该第1切削工序同时或在该第1切削工序之后,根据通过该切削刀具而形成在该划片带上的接触痕的长度而获取校正值,该校正值用于该切削单元的作为该目标的高度的校正;以及
第2切削工序,在将该切削单元定位于通过该校正值对作为该目标的高度进行了校正的高度的状态下,使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工,
在该第1切削工序中,在使该切削单元在该被加工物与该框架之间的露出有该划片带的第1区域中下降至作为该目标的高度之后,使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,以使得该切削刀具移动至相对于该被加工物位于与该第1区域相反的一侧的露出有该划片带的第2区域,从而对该被加工物进行切削加工并且在该划片带上形成该接触痕,
在该校正值获取工序中,根据由该接触痕的长度和该切削刀具的外径计算出的接触痕的深度而获取该校正值。
2.一种被加工物的加工方法,使用切削装置对粘贴有划片带的被加工物进行切削加工,该划片带粘贴于环状的框架的开口,
该切削装置包含:
卡盘工作台,其对被加工物进行保持;
切削单元,其安装有对该卡盘工作台所保持的该被加工物进行切削加工的切削刀具;以及
设置单元,其根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为基准的高度,
该被加工物的加工方法的特征在于,包含如下的工序:
基准设定工序,根据该切削刀具的外周的前端的高度而设定该切削单元的作为该基准的高度;
目标设定工序,设定该切削单元的作为目标的高度以便该切削刀具切入至该划片带的规定的深度;
第1切削工序,在将该切削单元定位于作为该目标的高度的状态下使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工;
接触痕形成工序,在该第1切削工序之后,在使该切削单元上升后的状态下使该切削单元和该卡盘工作台进一步相对地移动,从而将该切削单元定位在该被加工物与该框架之间的露出有该划片带的区域的上方,接着,使该切削单元下降至作为该目标的高度,从而在该划片带上形成该接触痕;
校正值获取工序,在该接触痕形成工序之后,根据通过该切削刀具而形成在该划片带上的接触痕的长度而获取校正值,该校正值用于该切削单元的作为该目标的高度的校正;以及
第2切削工序,在将该切削单元定位于通过该校正值对作为该目标的高度进行了校正的高度的状态下,使该切削单元和该卡盘工作台相对地移动,从而对该被加工物进行切削加工,
在该校正值获取工序中,根据由该接触痕的长度和该切削刀具的外径计算出的接触痕的深度而获取该校正值。
CN201910417678.2A 2018-05-21 2019-05-20 被加工物的加工方法 Active CN110509444B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-097231 2018-05-21
JP2018097231A JP2019202356A (ja) 2018-05-21 2018-05-21 被加工物の加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110509444A CN110509444A (zh) 2019-11-29
CN110509444B true CN110509444B (zh) 2022-10-18

Family

ID=68622443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910417678.2A Active CN110509444B (zh) 2018-05-21 2019-05-20 被加工物的加工方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2019202356A (zh)
CN (1) CN110509444B (zh)
TW (1) TWI779194B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120005A (ja) * 1988-10-28 1990-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのダイシング装置
JPH0393509A (ja) * 1989-09-07 1991-04-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd スライシングマシンの切断方法
JPH1187278A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Nec Yamaguchi Ltd 半導体基板のダイシング方法
CN104772830A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 株式会社迪思科 切削方法
JP2015214002A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ 切削方法
JP2016192494A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN107303695A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 株式会社迪思科 切削装置的设置方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5858684B2 (ja) * 2011-08-15 2016-02-10 株式会社ディスコ 切削方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120005A (ja) * 1988-10-28 1990-05-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウェーハのダイシング装置
JPH0393509A (ja) * 1989-09-07 1991-04-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd スライシングマシンの切断方法
JPH1187278A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Nec Yamaguchi Ltd 半導体基板のダイシング方法
CN104772830A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 株式会社迪思科 切削方法
JP2015214002A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社ディスコ 切削方法
JP2016192494A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN107303695A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 株式会社迪思科 切削装置的设置方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI779194B (zh) 2022-10-01
JP2019202356A (ja) 2019-11-28
CN110509444A (zh) 2019-11-29
TW202003183A (zh) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11171056B2 (en) Wafer processing method
TWI657494B (zh) 晶圓之加工方法
CN106024709B (zh) 晶片的分割方法
CN109746506B (zh) 切削装置
JP5214332B2 (ja) ウエーハの切削方法
TWI751354B (zh) 切割裝置及晶圓的加工方法
CN108527678B (zh) 被加工物的切削方法
JP5762005B2 (ja) 加工位置調製方法及び加工装置
JP6202962B2 (ja) 切削装置
KR102551970B1 (ko) 절삭 장치의 셋업 방법
CN110509444B (zh) 被加工物的加工方法
JP2021121031A (ja) ウェーハの位置決め装置及びそれを用いた面取り装置
CN113246324A (zh) 切削装置和切削方法
JP2019046923A (ja) ウエーハの加工方法
JP5356803B2 (ja) ウエーハの加工装置
CN112297257B (zh) 切削单元的位置检测方法和切削装置
JP6296881B2 (ja) 切削装置
CN114535826A (zh) 切割装置的判定方法和切割装置
JP6905419B2 (ja) 切削方法
KR102457882B1 (ko) 부채형 웨이퍼편의 가공 방법
JP7058908B2 (ja) 切削装置
JP2018032825A (ja) 被加工物のアライメント方法
JP2009032867A (ja) 分割装置
JP2013026595A (ja) 溝アライメント方法
KR20190101871A (ko) 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant