JPH02120005A - 半導体ウェーハのダイシング装置 - Google Patents
半導体ウェーハのダイシング装置Info
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- JPH02120005A JPH02120005A JP63272734A JP27273488A JPH02120005A JP H02120005 A JPH02120005 A JP H02120005A JP 63272734 A JP63272734 A JP 63272734A JP 27273488 A JP27273488 A JP 27273488A JP H02120005 A JPH02120005 A JP H02120005A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハをチップ毎に分割するダイシ
ング装置に関する。
ング装置に関する。
多数のＩＣやＬＳＩ等が作り込まれた半導体つ工−ハを
ダイシングする場合、エキスパンドテープ上にウェーハ
を貼り付け、このウェーハに高速回転する薄口盤状のダ
イヤモンドブレードによってウェーハを貫通するダイシ
ング溝を切り込み、チップ単位に分割することが従来よ
り行われている。
ダイシングする場合、エキスパンドテープ上にウェーハ
を貼り付け、このウェーハに高速回転する薄口盤状のダ
イヤモンドブレードによってウェーハを貫通するダイシ
ング溝を切り込み、チップ単位に分割することが従来よ
り行われている。
この場合、ダイヤモンドブレードにより切り込まれるダ
イシング溝が深すぎると、チッピング（欠損）の増大を
招いたり、溝切り後にエキスパンドテープを引き伸した
ときにエキスパンドテープに裂けが生じたり、或いは、
粘着性を有したチー、プの切り屑を研削水によっては取
り除けない為、チップ表面にこれが付着してチップが汚
れるなどの不゛一部合が生じる。逆に、切り込み深さが
浅すぎると、ダイシング溝がウェーハを貫通せず、分割
不良を生じ、好ましくない。
イシング溝が深すぎると、チッピング（欠損）の増大を
招いたり、溝切り後にエキスパンドテープを引き伸した
ときにエキスパンドテープに裂けが生じたり、或いは、
粘着性を有したチー、プの切り屑を研削水によっては取
り除けない為、チップ表面にこれが付着してチップが汚
れるなどの不゛一部合が生じる。逆に、切り込み深さが
浅すぎると、ダイシング溝がウェーハを貫通せず、分割
不良を生じ、好ましくない。
上述のことから明らかなように、ダイヤモンドブレード
によって切り込まれるダイシング溝は、深すぎずかつ浅
すぎず適当な範囲の深さに管理されていることが望まし
い。
によって切り込まれるダイシング溝は、深すぎずかつ浅
すぎず適当な範囲の深さに管理されていることが望まし
い。
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、ダイシング溝の
深さを所望の深さに管理し得るダイシング装置を提供す
ることを目的としている。
深さを所望の深さに管理し得るダイシング装置を提供す
ることを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による半導体ウェー
ハのダイシング装置においては、半導体ウェーハを貫通
してエキスパンドテープに達するダイシング溝を切り込
む際に、エキスパンドテープの半導体ウェーハが貼付さ
れていない部分に切り込まれた溝の深さを監視し、この
溝の深さが所定範囲内になかったときはダイシング溝の
切り込みを中断することとしている。
ハのダイシング装置においては、半導体ウェーハを貫通
してエキスパンドテープに達するダイシング溝を切り込
む際に、エキスパンドテープの半導体ウェーハが貼付さ
れていない部分に切り込まれた溝の深さを監視し、この
溝の深さが所定範囲内になかったときはダイシング溝の
切り込みを中断することとしている。
この様に、半導体ウェーハが貼付されていない部分のエ
キスパンドテープに切り込まれた溝の深さが、所定範囲
内になかったときは、ダイシング溝の切り込みを中断す
ることとしているので、深すぎたり、浅すぎたりするダ
イシング溝が切り込まれることが防止される。
キスパンドテープに切り込まれた溝の深さが、所定範囲
内になかったときは、ダイシング溝の切り込みを中断す
ることとしているので、深すぎたり、浅すぎたりするダ
イシング溝が切り込まれることが防止される。
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ、
説明する。
説明する。
第１図に示したように、本発明によるダイシング装置に
おいては、エキスパンドテープ１に貼り付けられた半導
体ウェーハ（以下、単にウェーハと称す）２にダイシン
グ溝３を切り込む溝切り手段として、例えば、厚さ２０
〜４０μｍ程度の蓮田盤状のブレード５を有している。
おいては、エキスパンドテープ１に貼り付けられた半導
体ウェーハ（以下、単にウェーハと称す）２にダイシン
グ溝３を切り込む溝切り手段として、例えば、厚さ２０
〜４０μｍ程度の蓮田盤状のブレード５を有している。
このブレード５としては、ダイヤモンドブレード、カー
ボンブレード等の公知のブレードが使用される。ブレー
ド５は図示しない制御部により制御され、制御部からの
停止命令が無い限り、ウェーハ２に自動的にダイシング
溝３を切り込むように制御されている。
ボンブレード等の公知のブレードが使用される。ブレー
ド５は図示しない制御部により制御され、制御部からの
停止命令が無い限り、ウェーハ２に自動的にダイシング
溝３を切り込むように制御されている。
また、本発明によるダイシング装置は、ブレード５がウ
ェーハ２に切り込んだダイシング溝３の深さを計ａｌｌ
ｌする計測手段を有している。この計測手段は、第２図
に示した如く、先端部の直径が１０μｍ程度の触針６を
用いて表面粗さ計の原理でダイシング溝３の深さを計測
するもので、制御部からの命令により、ダイシング溝３
の深さを計測する。この計測手段によるダイシング溝３
の計測結果は、制御部に入力され、ダイシング溝３の深
さが所定範囲内に無いと判断された場合には、制御部は
停止命令を発し、ブレード５によるダイシング溝３の切
り込みを中断させる。この他の構成は、従来から゛ある
自動ダイシング装置と同様の構成ゆえ、その説明は省略
する。
ェーハ２に切り込んだダイシング溝３の深さを計ａｌｌ
ｌする計測手段を有している。この計測手段は、第２図
に示した如く、先端部の直径が１０μｍ程度の触針６を
用いて表面粗さ計の原理でダイシング溝３の深さを計測
するもので、制御部からの命令により、ダイシング溝３
の深さを計測する。この計測手段によるダイシング溝３
の計測結果は、制御部に入力され、ダイシング溝３の深
さが所定範囲内に無いと判断された場合には、制御部は
停止命令を発し、ブレード５によるダイシング溝３の切
り込みを中断させる。この他の構成は、従来から゛ある
自動ダイシング装置と同様の構成ゆえ、その説明は省略
する。
次に、本発明によるダイシング装置の動作について説明
する。ブレード５は制御部の命令に従ってモータ６によ
り高速回転せしめられ、ウェーハ２上を移動せしめられ
てウェーハ２及びエキスパンドテープ１にダイシング溝
３を切り込む。ブレード５によるダイシング溝３の切り
込み深さはつ工−ハ２を貫通してエキスパンドテープ１
に達する深さに調節される。具体的には、例えばエキス
パンドテープ１の表面に深さ２〜３μｍ程度の溝が形成
されるように、ブレード５のエキスパンドテープ１に対
する高さが調整される。
する。ブレード５は制御部の命令に従ってモータ６によ
り高速回転せしめられ、ウェーハ２上を移動せしめられ
てウェーハ２及びエキスパンドテープ１にダイシング溝
３を切り込む。ブレード５によるダイシング溝３の切り
込み深さはつ工−ハ２を貫通してエキスパンドテープ１
に達する深さに調節される。具体的には、例えばエキス
パンドテープ１の表面に深さ２〜３μｍ程度の溝が形成
されるように、ブレード５のエキスパンドテープ１に対
する高さが調整される。
そして、第１図に示したように、ブレード５は、エキス
パンドテープ１のウェーハ２が貼付されていない部分（
第１図の手前側）から溝を切り始め、エキスパンドテー
プ１の表面に沿って平行に移動せしめられ、ウェーハ２
及びエキスパンドテープ１にダイシング溝３を切り込ん
だ後、ウェーハ２の向こう側すなわちウェーハ２が貼付
されていない部分まで溝を切って一本のダイシング溝３
を切り終える。ダイシング溝３を切り終えたところで、
制御部は計ａ１３手段にダイシング溝３の深さの計測を
命じる。この制御部による計δ１１手段への命令は、−
本若しくは所定本数のダイシング溝３が切り終わる毎に
なされるようになっている。この命令を受けて計ΔＰＪ
手段はダイシング溝３の深さを測定する。
パンドテープ１のウェーハ２が貼付されていない部分（
第１図の手前側）から溝を切り始め、エキスパンドテー
プ１の表面に沿って平行に移動せしめられ、ウェーハ２
及びエキスパンドテープ１にダイシング溝３を切り込ん
だ後、ウェーハ２の向こう側すなわちウェーハ２が貼付
されていない部分まで溝を切って一本のダイシング溝３
を切り終える。ダイシング溝３を切り終えたところで、
制御部は計ａ１３手段にダイシング溝３の深さの計測を
命じる。この制御部による計δ１１手段への命令は、−
本若しくは所定本数のダイシング溝３が切り終わる毎に
なされるようになっている。この命令を受けて計ΔＰＪ
手段はダイシング溝３の深さを測定する。
計測手段によるダイシング溝３の深さの測定は、第２図
に示したように、エキスパンドテープｌのウェーハ２が
貼付されていない部分、すなわち、ウェーハ２が貼付さ
れている部分の外側の部分に、ダイシング溝３を切り込
む際ブレード５によって切られた溝の深さを計ｎＪする
ことによって行われる。
に示したように、エキスパンドテープｌのウェーハ２が
貼付されていない部分、すなわち、ウェーハ２が貼付さ
れている部分の外側の部分に、ダイシング溝３を切り込
む際ブレード５によって切られた溝の深さを計ｎＪする
ことによって行われる。
すなわち、計測手段は制御部からの命令を受けると、ま
ず、エキスパンドテープ１上に切られた最新の溝の近傍
表面に触針６の先端を当接させる。
ず、エキスパンドテープ１上に切られた最新の溝の近傍
表面に触針６の先端を当接させる。
そして、この触針６に若干の下方への押圧力を加えたま
ま（この押圧力は触針６自身の自重によるものでも良い
）、溝の延在する方向と直角な方向に溝を縦断するよう
に走査させる。このときの触針６の上下方向の動きより
、エキスバンドテープ１上に形成された溝の深さが計測
される。この計測の結果は制御部に入力され、この溝の
深さが所定の範囲内、例えば、２〜３μｍの範囲におさ
まっていると制御部が判断した場合には、そのままブレ
ード５によるダイシング溝３の切り込みが続行され、こ
の溝の深さが所定の範囲内にないと判断された場合には
、制御部は停止命令を発してブレード５によるダイシン
グ溝３の切り込みを中断させる。
ま（この押圧力は触針６自身の自重によるものでも良い
）、溝の延在する方向と直角な方向に溝を縦断するよう
に走査させる。このときの触針６の上下方向の動きより
、エキスバンドテープ１上に形成された溝の深さが計測
される。この計測の結果は制御部に入力され、この溝の
深さが所定の範囲内、例えば、２〜３μｍの範囲におさ
まっていると制御部が判断した場合には、そのままブレ
ード５によるダイシング溝３の切り込みが続行され、こ
の溝の深さが所定の範囲内にないと判断された場合には
、制御部は停止命令を発してブレード５によるダイシン
グ溝３の切り込みを中断させる。
この中断は、エキスパンドテープ１に対するブレード５
の高さが再調整されると解除され、ブレード５によるダ
イシング溝３の切り込みが再度自動的に行われる。
の高さが再調整されると解除され、ブレード５によるダ
イシング溝３の切り込みが再度自動的に行われる。
なお、エキスパンドテープ１に溝が形成されている間は
、ダイシング溝３がウェーハ２を貫通していると言える
が、エキスパンドテープ１に溝が切られなくなったとき
には、既にウェーハ２の切断不良が生じてしまった可能
性があり、この場合にはウェーハ２に切られたダイシン
グ溝３の深さがどれほどのものか知ることができなくな
る。そこで、エキスパンドテープ１に溝が切られなくな
る前に切られた溝の深さが所定の深さ未満（上述の例で
は２μｍ未満）となったところで、ダイシング溝３の切
り込みを中断してブレード５の高さを調整することとし
ておけば、ウェーハ２の切断不良が生ずることを防止で
きると共に、切り込まれたダイシング溝３の深さを知る
ことができなくなることがない。また、その後のダイシ
ング溝３の切り込みによってブレード５が摩耗してダイ
シング溝３の深さが浅くなったとしても、所定深さ分（
上述の例では２μｍ）の余裕があるので、溝の深さ計測
後のブレード５の摩耗によって切断不良が生じることを
防止出来る。更に、溝の深さの計４ｐ１に誤差が生じた
としても、所定深さ分の余裕が有るので計／１ｐ１誤差
による切断不良も防止できる。
、ダイシング溝３がウェーハ２を貫通していると言える
が、エキスパンドテープ１に溝が切られなくなったとき
には、既にウェーハ２の切断不良が生じてしまった可能
性があり、この場合にはウェーハ２に切られたダイシン
グ溝３の深さがどれほどのものか知ることができなくな
る。そこで、エキスパンドテープ１に溝が切られなくな
る前に切られた溝の深さが所定の深さ未満（上述の例で
は２μｍ未満）となったところで、ダイシング溝３の切
り込みを中断してブレード５の高さを調整することとし
ておけば、ウェーハ２の切断不良が生ずることを防止で
きると共に、切り込まれたダイシング溝３の深さを知る
ことができなくなることがない。また、その後のダイシ
ング溝３の切り込みによってブレード５が摩耗してダイ
シング溝３の深さが浅くなったとしても、所定深さ分（
上述の例では２μｍ）の余裕があるので、溝の深さ計測
後のブレード５の摩耗によって切断不良が生じることを
防止出来る。更に、溝の深さの計４ｐ１に誤差が生じた
としても、所定深さ分の余裕が有るので計／１ｐ１誤差
による切断不良も防止できる。
以上説明したように、本発明による半導体つ工−ハのダ
イシング装置においては、半導体ウェーハを貫通するダ
イシング溝を切り込む際にエキスパンドテープの半導体
ウェーハが貼付されていない部分に切り込まれた溝の深
さを監視し、この溝の深さが所定範囲内になかったとき
はダイシング溝の切り込みを中断することとしているの
で、ダイシング溝が深すぎたり、浅すぎたりすることが
防止される。それゆえ、チップのチッピング（欠損）が
減少すると共に、チップの分割不良がなくなり、効率よ
くかつ歩留まりの高いダイシングが可能となる。
イシング装置においては、半導体ウェーハを貫通するダ
イシング溝を切り込む際にエキスパンドテープの半導体
ウェーハが貼付されていない部分に切り込まれた溝の深
さを監視し、この溝の深さが所定範囲内になかったとき
はダイシング溝の切り込みを中断することとしているの
で、ダイシング溝が深すぎたり、浅すぎたりすることが
防止される。それゆえ、チップのチッピング（欠損）が
減少すると共に、チップの分割不良がなくなり、効率よ
くかつ歩留まりの高いダイシングが可能となる。
第１図は、ウェーハにダイシング溝を切り込む様子を示
した斜視図、第２図は、ダイシング溝の深さをｉＰＩ定
する様子を示した部分拡大斜視図である。 １・・・エキスパンドテープ、２・・・半導体ウェーハ
、３・・・ダイシング溝、５・・・ブレード、６・・・
触針。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹溝、ロリの様子 第 図 鼻の啄さう則定−才爪子
した斜視図、第２図は、ダイシング溝の深さをｉＰＩ定
する様子を示した部分拡大斜視図である。 １・・・エキスパンドテープ、２・・・半導体ウェーハ
、３・・・ダイシング溝、５・・・ブレード、６・・・
触針。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹溝、ロリの様子 第 図 鼻の啄さう則定−才爪子
Claims (1)
- エキスパンドテープに貼り付けられた半導体ウェーハを
チップ単位に分割するダイシング装置であって、前記半
導体ウェーハを貫通して前記エキスパンドテープに達す
るダイシング溝を切り込む溝切り手段と、前記溝切り手
段が前記ダイシング溝を切り込むときに前記エキスパン
ドテープの前記半導体ウェーハが貼付されていない部分
に切り込んだ溝の深さを計測する計測手段とを備え、前
記計測手段により計測された溝の深さが所定範囲内にな
かったときは前記溝切り手段は前記ダイシング溝の切り
込みを中断することを特徴とするダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27273488A JP2662703B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27273488A JP2662703B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02120005A true JPH02120005A (ja) | 1990-05-08 |
| JP2662703B2 JP2662703B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17518035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27273488A Expired - Fee Related JP2662703B2 (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 半導体ウェーハのダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662703B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04189457A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-07 | Seiko Electronic Components Ltd | 矩形部材の面取り加工方法 |
| JP2008166546A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードの先端形状検査方法 |
| JP2019202356A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27273488A patent/JP2662703B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04189457A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-07 | Seiko Electronic Components Ltd | 矩形部材の面取り加工方法 |
| JP2008166546A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削ブレードの先端形状検査方法 |
| JP2019202356A (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| CN110509444A (zh) * | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
| CN110509444B (zh) * | 2018-05-21 | 2022-10-18 | 株式会社迪思科 | 被加工物的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2662703B2 (ja) | 1997-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |