JPS6171968A - 回転砥石の摩耗補償方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 円環状等の円形状でかつ肉薄の回転砥石を具備すゝる精
密加工装置を用いて半導体ウェハにダイシング加工した
シ、或は磁気ヘッドに溝加工する場合における回転砥石
の摩耗補償方法に関する。

（発明の目的） 円形状でかつ肉薄の回転砥石を具備した精密加工装置を
用いて半導体ウェハにダイシング加工したり、或は磁気
ヘッドに溝加工する技術において、被加工材の種類によ
っては耐摩耗性を犠牲にして回転砥石を選択使用するこ
とが近年要求さ九ている。その結果、回転砥石の摩耗が
加工精度に影響する場合がしばしば生じ、回転砥石の摩
耗補償を頻繁に行わなければならないという問題が生じ
ている。

例えば、半導体ウェハをダイサーによってダイシング加
工する技術において以下に具体的に説明する。

通常、半導体ウェハのダイシング加工に用いられるダイ
サーの回転砥石は、半導体ウエノ・にチツビンーグを生
じ易いという欠点はあるが、摩耗速度が低い即ち耐摩耗
性に優れているという利点を有していることから、電着
砥石が用いられている。

ところが、近年個別半導体（ディスクリートとも称する
）のウェハのダイシング加工に際して、耐摩耗性に優れ
ており、しかも加工中摩耗補償を行う必要がない電着砥
石を使用し離い状況が生じている。

即ち、個別半導体はＩＣ，ＬＳＩ等の集積回路を形成し
た半導体に比べてチップ寸法が著しく微小であるため、
同一径のウェハに形成されるチップ素材の数は、ＩＣ，
ＬＳＩ等の集積回路を形成した半導体のウェハよりも個
別半導体のウェハの方が遥かに多い。その結果、チップ
素材を区分する縦横に設けられたストリートの数につい
ても同様である。

ストリートはダイシング加工によって切削除去される部
分であるが、個別半導体のウェハにおいてハ、前記のよ
うにストリートの数が多いため、ウェハに占めるストリ
ートの面積が広くガリウエハの有効利用面積が低いとい
う傾向がある。

近年、個別半導体のウェハの有効利用面積を広くシ、ウ
ェハの歩留シを向上させることが要求され、ストリート
の幅を狭くしたものが出現している。このような個別半
導体のウェハを従来のように電着砥石を用いてダイシン
グ加工した際には、砥石の摩耗に基〈溝の加工精度が許
容誤差の範囲を越えるという問題は起きにくいが、生じ
るチッピングがストリートの幅が狭いためにチップ素材
にまで達し、チップの製品品質を低下させるという問題
が生じる。従って、前記スｌ−ＩＪ　−）の幅が狭い個
別半導体のウエノ・をダイシング加工する場合には、従
来のように電着砥石を用いることが困難である。一方、
レジンポンド砥石を用いてダイシング加工した際には、
チップの製品品質を低下させる程のチッピングを生じる
ことがほとんどないが、砥石の摩耗速度が著しく早く、
シかも１枚のウェハに形成すべき溝の数が非常に多いた
め、溝の加工精度を許容誤差の範囲内とするためには１
枚のウェハの加工中頻繁に砥石の摩耗補償を行うことが
必要である。

更に、前記個別、半導体のウェハにおいて、外囲を溶融
ガラスで被覆したものが出現しており、レジンボンド砥
石を用いてダイシング加工する際には、より一層頻繁に
砥石の摩耗補償を行うことが必要である。

以上の半導体ウェハのダイシング加工にみられるように
、近年、耐摩耗性を犠牲にして回転砥石を選択使用しな
ければならない場合があシ、その結果、被加工材の加工
精度を許容誤差の範囲内とするために、回転砥石の摩耗
補償を加工中において頻繁に行わ々ければ々らないとい
う問題が生じている。

゛　　しかしながら、前記のような摩耗補償を行うのに
適し、かつ簡単な摩耗補償方法が、従来開発されていな
い。

例えば、回転砥石を具備した溝加工装置を用いて半導体
ウェハに溝加工する際に、１枚の半導体ウェハの溝加工
を完了す兄毎に回転砥石の摩耗を補償する方法が、実公
昭５９−３７８９号公報に記載されている。即ち、半導
体ウェハの載置テーブルを非作動位置から回転砥石にゆ
っくりと上昇し接触した時点を電気的に検知し、該接触
した時点における前記テーブルの位置を基準点として溝
の切残し１分だけ前記テーブルを下降させ溝の切込量を
設定する。しかる後、１枚の半導体ウエノ・に全ての溝
を加工し、再度前記テーブルを回転砥石に接触させ、そ
の時点の前記テーブルの位置と前記基準点との差、即ち
回転砥石の摩耗量、を計測し、誤差が所定量に達しだ場
合に回転砥石をドレッシングする。ドレッシングした後
、前記と同様にテーブルを回転砥石に接触し切込量を設
定すると共に、新しい半導体ウエノ・をテーブルに載置
し溝加工を行う。以降、同様に回転砥石の摩耗補償を行
うようにしたものである。

前記回転砥石の摩耗を補償する方法は、１枚の半導体ウ
エノ・の溝加工を完了する毎に回転砥石の摩耗を補償す
るものであって、前記個別半導体のウェハを加工する場
合のように、１枚のウエノ・の加工中に頻繁に摩耗補償
をしなければならないようｋものには、適用し難いもの
である。

他の摩耗補償方法として、回転砥石の摩耗量を加工中常
時検知し、摩耗量に応じて摩耗補償する方法が開発され
ているが、この方法を実施するための装置は構成が複雑
であると共に高価なものになる。

以上のように、従来の回転砥石の摩耗補償方法は、１個
の被加工材の溝加工中に回転砥石の摩耗補償を行うのに
適したものとは云い難いものである０ 本発明は、前記従来の問題を解消すべく、ダイサー、ス
ライサー等の円盤状或は円環状等の円形状でかつ肉薄の
回転砥石を具備する精密加工装置ヲ用いて半導体ウェハ
にダイシング加工したり或は磁気ヘッドに溝加工する際
に、簡単な手段により回転砥石の摩耗を補償することに
よって、溝の加工精度を許容誤差の範囲内になし得る回
転砥石の摩耗補償方法を提供することを目的とするもの
である。

（発明の構成） 本発明は、円盤状或は円環状等の円形状でかつ肉薄の回
転砥石を具備する精密加工装置を用いて半導体ウニ・・
にダイシング加工したり或は磁気ヘッドに溝力Ｕ工する
場合において、１個の被加工材に溝加工するととによっ
て生じる回転砥石の全摩耗量が、被加工材２回転砥石、
加工条件等に応じて夫々加工された溝の長さ及び溝の本
数、特に溝の長さ、によって決る、即ち各加工時点にお
いて加工された溝の長さを検知することによって、回転
砥石の摩耗量を近似的に把握することができる、という
知見に基いて発明されたものである。

本発明は、円形状でかつ肉薄の回転砥石を具備する精密
加工装置を用いて被加工材に溝加工する際に回転砥石を
摩耗補償する方法において、回転砥石を摩耗補償する時
期と摩耗補償の量とを、実験の結果や経験から得られた
摩耗量と加工された溝の長さとの関連に基いて、予め設
定することを特徴とする回転砥石の摩耗補償方法であっ
て、被加工材の溝加工中に前記の設定された時期に設定
された量の摩耗補償を周期的に行うことによって、常に
加工精度を許容誤差の範囲内とすべく回転砥石の摩耗補
償を行い得るものである。

即ち、本発明の構成は、回転砥石を具備する精密加工装
置を用いて被加工材に溝加工する際の回転砥石の摩耗補
償方法において、溝を加工するととによって生ずる回転
砥石の摩耗量が溝の加工精度の許容誤差範囲である溝の
長さ及び前記回転砥石の摩耗量に相当する摩耗補償量を
予め設定し、黴とする回転砥石の摩耗補償方法である。

本発明は、前記の如く、実験の結果や経験から得られた
摩耗量と加工された溝の長さとの関連に基いて、回転砥
石を摩耗補償する時期と摩耗補償の量とを設定し、加工
精度を許容誤差の範囲内に維持し得る。即ち、回転砥石
を摩耗補償する時期を溝の加工長さによって設定し、摩
耗補償の量を前記溝の加工長さに対応した回転砥石の摩
耗量に相当する量として設定している。

々お、前記設定される溝の加工長さは、切削送シ量及び
又は被加工材の加工される溝に対応した割出し位置決め
回数によって設定し得る。具体的には、被加工材の載置
テーブル及び又は回転砥石の移動量を設定することによ
って行い得るものである。前記回転砥石の摩耗補償の量
は、回転砥石の切込量を増加することによって設定し得
る。具体的には、被加工材の載置テーブル及び又は回転
砥石の移動量を設定することによって行い得るものであ
る。

（実施例） 本発明を実施例に基いて詳細に説明する。

本実施例は、レジンボンド砥石から成る円形状でかつ肉
薄の回転砥石を具備するダイサーを用いて外囲を溶融ガ
ラスで被覆しだ個別半導体のウェハに溝加工する際の回
転砥石の摩耗補償方法において、溝の加工精度を許容誤
差の範囲内に維持する範囲の摩耗量を生ずる所定数の溝
を加工する毎に、回転砥石の切込量を前記摩耗量相当分
増加するようにしたことを特徴とする回転砥石（以下砥
石と略称する）の摩耗補償方法である。

個別半導体のウェハは、前記発明の目的の項で説明した
如＜、ＩＣ，ＬＳＩ等の集積回路を形成した半導体のウ
ニ・・よりも遥に多くのチップ素材が形成されているた
め、チップ素材を縦横に区分するス）　ＩＪ−トも遥か
に多数形成されている。例えば、ウェハ径が１００ｍＲ
φの場合に、ＩＣ，ＬＳＩ等の集積回路を形成した半導
体のウェハには４　ｓｎ　Ｘ　４　ａｒｍの寸法のチッ
プ及び５０本のストリートが形成されているのに対して
、個別半導体のウェハには０．４ｗｎＸ０．４ｍ＋の寸
法のチップ及び５００本のストリートが形成されている
。

前記の如く、個別半導体のウェハはストリートの数が多
く有効利用面積が低い傾向にあるが、近年ウェハの有効
利用面積を広くするために、ストリートの幅を狭くした
個別半導体のウェハが出現している。

前記ストリートの幅を狭くした個別半導体のウェハをダ
イサーによってダイシング加工する際、前記発明の目的
の項で説明した如く、耐摩耗性に優れた電着砥石がチッ
プ素材の製品品質を低下させるチッピングを生じるため
使用され難く、レジンボンド砥石が使用されることが多
い。

レジンボンド砥石を使用する場合には、チッピングをほ
とんど生じないが、耐摩耗性が低いために溝の加工精度
を許容誤差の範囲内とするだめには、頻繁に砥石の摩耗
補償を行うことが必要である。

例えば、ウェハ径１００胡φ、ウェハ厚３００μｍ。

ストリート数５００本の個別半導体のウェハを肉厚２０
μｍ、直径５０簡２回転数３０，０００　ｒｐｍのレジ
ンボンド砥石から成る砥石で深さ２００μｍの溝を形成
するダイシング加工において、１枚の個別半導体のウェ
ハを加工することによって、電着砥石の摩耗Ｉ゛がＩ　
Ｊｉｍ程度であるのに対して１００μｍ程度に達する。

一般に、半導体のウェハはダイシング加工後に破断処理
されてチップに形成されることから、ストリートに加工
される溝の深さ、即ち切り残し量、の加工精度は厳密々
ものではなく、許容誤差の範囲が切残し量１００　ｔｔ
ｍに対して±１０μｍ程度である。従って、１枚の個別
半導体のウェハを加工する間に、少くとも１０回の摩耗
補償を行う必要がある。

摩耗補償を行う時期は、砥石の摩耗量が加工される溝の
長さに比例していることがら、砥石の摩耗量が溝の加工
精度の許容誤差の範囲内で設定された値に達する時点ま
でに加工される溝の長さによって設定することが望まし
い。しかし、前記ダイシング加工においては溝の加工精
度が前記の如く厳密なものが要求されていないことから
、加工される溝の本数によって設定しても溝の加工精度
を許容誤差の範囲内に維持し得る。

即ち、半導体のウェハは円形状であるため、中心部を通
る弦に沿ったストリートは長く、中心部から離れた周辺
部を通る弦に沿ったス）！Ｊ−トは短い。その結果、中
心部を通る弦に沿ったストリートに溝を加工する際と中
心部から離れた周辺部を通る弦に沿ったストリートに溝
を加工する際とにおける砥石の摩耗量に多少の差異を生
じる。即ち、前者における摩耗量は、後者におけるもの
よシも幾分大きい。従って、溝一本当シの砥石の平均摩
耗量に相当する摩耗補償を行う場合には、前者において
は補償不足となシ、後者においては補償過剰となる。し
かしながら、半導体のウェハの直交する二方向のストリ
ートに加工される溝の本数は夫々２５０本であシ、又、
夫々の方向における半円弧内に形成される溝の本数及び
数構を加工することによる砥石の摩耗量は同一であって
夫々１２５本及び２５μｍである。又、溝１本当りの砥
石の平均摩耗量は０．２μｍである。夫々の方向におけ
る半円弧内の溝１２５本を加工することによって砥石は
２５μｍ摩耗するが、溝の加工精度を許容誤差の範囲内
とするために、例えば溝を２５本加工する毎に砥石の平
均摩耗量に相当する５μｍの摩耗補償を行う。この場合
、１方向の溝が加工される前半の半円弧においては、中
心部から離れた周辺部を通る弦に沿った平均より短いス
）　ＩＪ−トから溝加工が開始され、２５本の溝加工を
完了した後に、５μｍの摩耗補償が行われる。以後、順
次２５本のストリートに溝加工す石毎に５μｍの摩耗補
償を行い、中心部寄りの弦に沿った平均より長いス）　
ＩＪ−トに溝加工し５回目の摩耗補償を行った後には、
砥石は最初の位置に設定される。即ち、最初の２５本の
ストリートに溝加工した時点においては砥石の摩耗量が
平均摩耗量よシも小さいため、５μｍの摩耗補償を行う
と補償過剰となる。又、以後、順次２５本のストリート
に溝加工する毎に５μｍの摩耗補償を行うが、実際の砥
石の位置が実際の砥石の摩耗量の累積量と摩耗補償量の
累積量との差によって設定されるため、各回の摩耗補償
の状態は夫々における過不足によって左右されるだけで
はなく、それ以前の砥石の摩耗量の累積量と摩耗補償量
の累積量との差によって左右される。従って、中心部寄
りの弦に沿った平均よシ長いストリートに溝加工し５回
目の摩耗補償を行った時、５回目の摩耗補償自体では補
償不足であるが、前記累積量の差によって、摩耗補償の
過不足を生ずることなく砥石は最初の位置に設定される
。即ち、前半の半円弧においては、ストリートに加工さ
れる溝の長短に係らず、各回の摩耗補償は、加工精度の
許容誤差の範囲内で過剰に補償される。一方、後半の半
円弧においては、前記前半の半円弧とは逆に、中心部寄
りの弦に沿った平均より長いストリートから溝加工が開
始され、２５本の溝加工を完了した後に５μｍの摩耗補
償が行われるため、補償は不足する。従って、以後順次
行われる摩耗補償は、加工精度の許容誤差の範囲内で、
補償不足の状態で行われ、５回目の摩耗補償では過不足
を生ずること々く砥石は最初の位置に設定される。

以上の如く、半導体のウェハの一方向のス）　ＩＪ−ト
に溝加工を行う際に、加工される溝の所定本数毎に平均
摩耗量に相当する摩耗補償を行うことによって、加工さ
れる溝の長短に基く摩耗補償の過不足よ）も、加工され
る溝の配列に基き摩耗補償の過不足を生ずる。しかし、
前記の如く、前半の半円弧において摩耗補償不足を、後
半の半円弧において摩耗補償過剰を生ずるが、共に溝の
加工精度が許容誤差の範囲内であるため、半導体のウェ
ハのダイシング加工において、加工される溝の本数によ
って摩耗補償を行う時期を設定しても溝の加工精度を許
容誤差の範囲内に維持し得る。

なお、摩耗補償を行う時期を短く設定することによって
摩耗補償の過不足の幅を小さくし得ることは勿論のこと
である。

本実施例を図に基いて説明する。

第１図は、本実施例の方法を実施するダイサーの概略側
面図、第２図は、第１図に示すダイサーの概略平面図で
ある。第３図は、回転砥石の各動作状態における位置及
びそれらの関連を説明する図で、（ａ）　、　（ｂ）及
び（ｃ）は、夫々回転砥石の基準位置決め動作状態、溝
加工の動作状態及び溝加工の後から溝加工を開始する直
前までの動作状態における回転砥石の位置を示す。第４
図は、個別半導体のウェハの概略平面図で、溝を加工す
るストリート２５本毎に示すものである。第５図は、半
導体のウェハの溝加工中における回転砥石の切込送り動
作の説明図で、回転砥石軸の動作位置によって示す。第
６図は、半導体のウエノ・の一方向のストリートに溝加
工する際の回転砥石の摩耗補償の状態を説明する図で、
回転砥石の外周縁と加工される最初の溝の底面の位置と
の関連によって示す。

第７図は、回転砥石を摩耗補償する装置の一例を示す回
路図である。

第１図及び第２図に基き、本実施例の方法を実施するダ
イサーの構成を説明する。

１は、機台、２は、機台１上をＸ矢印の方向（以下Ｘ軸
方向と称す）に往復動するメインテーブル。

３は回転するターンテーブル、４は、個別半導体のウェ
ハを載置するチャックテーブルである。５け、Ｙ矢印の
方向（以下、Ｙ軸方向と称す）に往復動する摺動台であ
る。６は、摺動台５上に設けられたパルスモータ、７は
、送りネジ、８は、作動板である。９は、揺動腕、１０
は、摺動台５上に設けられた揺動軸受、１１は、揺動腕
９に支持された導電性の回転砥石で、送りネジ７１作動
板８及び揺動腕９を介してパルスモータ６によって２矢
印の方向（以下Ｚ軸方向と称す）に往復動する。１２は
、メインテーブル２．ターンテーブル３、摺動台５の各
駆動装置（図示せず）及びパルスモータ６の作動を制御
する数値制御装置である。

ｘ、ｙ、ｚ及びθは、夫々、前記駆動装置を制御する制
御信号である。

前記構成のダイサーにより本実施例の方法を実施する態
様及びダイサーの動作について説明する。

ダイサーは、数値制御装置に予め設定されたプログラム
に従って、回転砥石の基準位置決め、溝加工の動作２回
転砥石の摩耗補償等の各動作を以下のように行う。

先ず、回転砥石１１の基準位置決めは、回転砥石１１の
切込量を設定する基準点を決める動作であって、チャッ
クテーブル４上に個別半導体のウェハＷを載置し力い状
態で行われる。第３図の（ａ）及び（ｂ）に示す如く、
回転砥石１１を溝加工時と同じ速度、例えば３０　、０
０Ｏｒｐｍで回転させながら緩りと下降させる。回転砥
石１１がチャックテーブル４の表面（又は基準面とも称
す）に接触し、接触したことが電気的に検知され基準位
置が設定されると、回転砥石１１は直に適当量２軸方向
に上昇されチャックテーブル４の不必要な摩耗が防止さ
れる。そして前記基準位置に基づいて回転砥石１１の最
初の切込み位置が設定される。又、回転砥石１１とチャ
ックテーブル４との接触を電気的に検知するために、回
転砥石１１とチャックテーブル４は導電性を付与された
ものであシ、かつ両者を含む電気的検出回路（図示せず
）が設けられている。第３図の（ａ）　、　（ｂ）及び
（○）において、０ｏ−Ｏｎ　、ＯＳ　　０１　＋　０
２　０２　＋　Ｏ５Ｏ３は、夫々、溝加工抜溝加工開始
直前、基準位置決め開始時、基準位置決め時、最初の切
込み位置決め時における回転砥石１１の軸心の位置を示
す。

次に、個別半導体のウェハＷの溝加工の動作について説
明する。

前記の如く回転砥石１１の最初の切込み位置が設定さｔ
また後、チャックテーブル４上に個別半導体のウェハＷ
が載置される。個別半導体のウェハＷは、直交する二方
向に夫々等間隔で配列された２５０本のストリートが形
成されているが、先ず一方向に配列されたストリートに
溝が順次加工される。即ち、前記ストリートの配列間隔
と同一の間隔でＹ軸方向に間歇的に割出し位置決めされ
る摺動台５が、最初のストリートに回転砥石１１が合致
すへく、割出し位置決めされる。次いで、往行程は緩り
で復行程は早く一定の行程をＸ軸方向に往復動するメイ
ンテーブル２が、移動さし、最初のストリートに溝が加
工される。その後、回転砥石１１は、前記ウェハＷに接
触しない位置、即ち回転砥石の軸心位置が第３図の（ｃ
）に示す０ｏ−ｏ。

の位置に上昇され、メインテーブル２が復帰サレる。次
いで、回転砥石１１を第２番目のストリートに合致すべ
く摺動台５を割出し位置決めすると共に、回転砥石１１
を切込み位置に設定し、メインテーブル２を移動するこ
とによってストリートに溝を加工する。以後、同様の動
作を繰り返して一方向のストリートを全て溝加工した後
、ターンテーブル３を９０°回転して他方向のストリー
トに溝加工を行う。

次に、回転砥石１１の摩耗補償について説明する。

前記溝加工の動作において、２５本のストリートに溝加
工する毎に５μｍの摩耗補償を行うべく数値制御装置１
２に予めプログラムされている。

以下第４図乃至第６図に基いて説明する。

溝加工すべきストリートは、第４図に示す如く一方向に
配列されたものを２５本毎に実線で示し、他方向に配列
されたものを同じく２５本毎に点線で示す。Ｐｌ　＋　
Ｐ２　＋　”・＋　Ｐ９　Ｊ　Ｐｉｎは、夫々一方向に
配列された２５本毎のストリート群を示し、Ｆ。

Ｒは、夫々前後の半円弧を示す。

摩耗補償の状態は、第５図に示す通りであって、回転砥
石１１の切込送りの動作によって示す。第５図において
、横軸は時間を、縦軸は第３図に示す溝加工抜溝加工開
始直前の回転砥石１１の軸心位置Ｏｎ　−Ｏｎを基準と
する回転砥石１１の軸心位置を示す。

なお、ｄは、溝加工の状態、ｅは、割出し位置決めの状
態、Δ２は、摩耗補償量＋　Ｐ１＋　Ｐ２　＋・・・。

Ｐｎけ、第４図に示す２５本毎のストリート群に溝加工
する状態を示す。

第５図に示す如く、回転砥石１１の軸心位置は、Ｐｌの
ストリート群の最初のストリートに溝加工した（ｄ）後
、０ｏ−ｏｏに位置する如く上昇され、割出し位置決め
（ｅｌ後第２番目のストリートの溝加工に当って最初の
ストリートの溝加工の場合と同一の位置に下降される。

以後、同様に回転砥石１１は上下動され、Ｐｌのストリ
ート群の最後である第２５番目のストリートに溝加工し
た後、第２６番目のストリート即ちＰ２のストリート群
の最初のストリートに溝加工を開始する時、回転砥石１
１の軸心位置ばＰｌのストリート群の場合よシΔＺ＝５
μｍ余分に下降される。即ち、ΔＺ＝５μｍの摩耗補償
が行われる。以後、順次同様に摩耗補償が行われる。

各ストリート群の加工される溝の長さが同一である場合
には、第５図に示す如く摩耗補償することによって、過
不足々〈摩耗補償される。しかし、第４図に示す如く半
導体のウェハは円形状をな苓しているため、中心部と中
心部より離れた周辺部とのストリート群の長さに多少差
異がある。その結果、第５図に示す如く摩耗補償した際
には、実際の回転砥石１１の摩耗補償は、第６図に示す
如くである。第６図において、横軸は加工される溝の本
数を、縦軸は加工される最初の溝の底面からの回転砥石
の外周縁の位置を表わす。Ｐｌ、Ｐ２゜・・・Ｐ９１　
Ｐｌｏけ、第４図及び第５図に対応したストリート群を
溝加工する順に示す。回転砥石１１の外周縁の位置は、
摩耗補償無しの場合は、溝１本当りの平均摩耗量に基き
、又摩耗補償有シの場合は、６溝の加工される長さに応
じた摩耗量に基き示す。

第６図に示す如く、Ｐ、からＰ５までのストリート群の
溝加工による摩耗補償は過剰に行われ、Ｐ６から”＋０
４でのストリート群の溝加工による摩耗補償は不足して
いるが、共に溝の加工精度を許容誤差の範囲内に維持す
るよう摩耗補償し得る。

従って、本実施例においては、摩耗補償を行うまでに加
工される溝の長さに多少の差異があるとしても、第５図
に示す如く摩耗補償を行うことによって、第６図に示す
如く、溝の加工精度が許容誤差の範囲内となるように摩
耗補償を行い得る。

なお、個別半導体のウェハの一方向のストリートに溝加
工する際に、溝の加工精度を許容誤差の範囲に維持する
ように摩耗補償し得るが、他方向のストリートに溝加工
する際にも同様に々し得る。

以上の如く、本実施例は、摩耗補償の時期を加工される
溝の本数及び摩耗補償の量を前記加工される溝の本数に
基く平均摩耗量に相当する量として、数値制御のプログ
ラムに予め設定することによって、個別半導体のウェハ
の全ての溝を許容誤差の範囲内の加工精度で加工し得る
。

なお、本実施例は、リチュウムタンタレート、リチュウ
ムナイオベート、ガリウムヒ素等の結晶性の強い化合物
半導体のウエノ・にダイシング加工する場合、磁気ディ
スクに溝加工する場合、メタルレジンボンド砥石を使用
する場合等にも有効に適用し得るものである。更に、耐
摩耗性に優れた電着砥石或はメタルボンド砥石であって
も、摩耗補償を必要とする場合には、本実施例の方法を
適用し得る。

又、摩耗補償を制御する手段として、数値制御以外に、
シーフェンス制御、プログラム制御、倣い制御等の制御
手段を採用し得る。

次に、本実施例の方法を実施する装置における数値制御
装置の１変形例を第７図に基いて説明する。

第７図に示す回転砥石を摩耗補償する装置は、第１図及
び第２図に示す装置に組み入れて使用し得るものである
。

６は、パルスモータ、１２は、数値制御装置である。１
３は、プリセットカウンタで、数値制御装置１２から送
出されるＹ軸方向の切削送υを行なうための指令パルス
を計数し、その計数値が一定の数、即ち摩耗補償の時期
を設定する所定の溝本数、に一致する毎に出力パルスを
発信すると共に、自動的にリセットされるリピータプル
プリセットカウンタ或はデバイダである。１４は、パル
ス分配器で、プリセットカウンタ１３が出力パルスを発
信する毎に一定数のパルスを発信する乗算回路である。

１５は、オア回路、１６は、パルスモータ６を駆動する
パルス電源回路、１７は、極性制御回路である。

前記数値制御装置１２からの指令パルスがプリセットカ
ウンタ１３により計数され、該計数値が所定数に達する
と、出力パルスが発信される。該出力パルスは、数値制
御装置１２から発信される通常のパルスモータ６のだめ
の駆動信号と同様に、オア回路１５を介してパルス電源
回路１６に加えられる。パルス電源回路１６はその入力
信号パル（２６〕 スと同数のパルスモータ駆動パルスを出力し、該パルス
モータ駆動パルスは極性制御回路１７を介シテ、パルス
モータ６に伝達される。

以上により、プリセットカウンタ１３に設定シた本数の
溝加工が終了する毎に、パルス分配器１４に設定した数
に比例して、回転砥石１１はＺ軸方向に所定量移動され
、摩耗補償される。従って、本変形例は、数値制御装置
のプログラムとは無関係に、回転砥石の摩耗補償を行い
得るものである。

（発明の効果） 本発明は、被加工材２回転砥石、加工条件等に転砥石の
摩耗量と加工される溝の長さとの関係に基いて回転砥石
を摩耗補償する時期及び量を予め設定することによって
、常に溝の加工精度が許容誤差の範囲内であるように摩
耗補償を行い得る。

又、本発明は、回転砥石を摩耗補償する時期及び量を予
め設定し得るため、溝加工中における回転砥石の摩耗量
を検知する手段等を用いるとと無く、数値制御、シーフ
ェンス制御、プログラム制御或は倣い制御等による簡単
な手段によって箋容易に実施し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例の方法を実施するダイサーの概略側面
図、第２図は、第１図に示すダイサーの概略平面図、第
３図は、回転砥石の各動作状態における位置及びそれら
の関連の説明図、第４図は、個別半導体ウェハの概略平
面図、第５図は、回転砥石の切込送り動作の説明図、第
６図は、回転砥石の摩耗補償の説明図、第７図は、回転
砥石を摩耗補償する装置の説明図である。 １・・・機台、　　　　　　　２・・・メインテーブル
、３・・・ターンテーブル、　　４・・・チャックテー
ブル、５・・・［ｔ）＋台、６・・・パルスモータ、７
・・・送りネジ、　　　　　８・・・作動板、９・・・
揺動腕、１０・・・揺動軸受、１１・・・回転砥石、１
２・・・数値制御装置、Ｐ１〜Ｐｎ・・・溝加工される
２５本毎のストリート群、Δ２・・・摩耗補償量、 ０ｏ−０゜・・・溝加工抜溝加工開始直前の回転砥石の
軸心位置、 ０３−０３・・・最初の切込み位置決め時の回転砥石の
軸心位置、 Ｆ、Ｒ・・・個別半導体のウェハの前後の半円弧。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）回転砥石を具備する精密加工装置を用いて被加工
   材に溝加工する際の回転砥石の摩耗補償方法において、
   溝を加工することによつて生ずる回転砥石の摩耗量が溝
   の加工精度の許容誤差範囲である溝の長さ及び前記回転
   砥石の摩耗量に相当する摩耗補償量を予め設定し、前記
   溝の長さを加工する毎に前記回転砥石に前記摩耗補償量
   分の摩耗補償を行うようにすることを特徴とする回転砥
   石の摩耗補償方法。