JPS61146460A - 平面研削方法 - Google Patents

平面研削方法

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JPS61146460A
JPS61146460A JP26621584A JP26621584A JPS61146460A JP S61146460 A JPS61146460 A JP S61146460A JP 26621584 A JP26621584 A JP 26621584A JP 26621584 A JP26621584 A JP 26621584A JP S61146460 A JPS61146460 A JP S61146460A
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JP
Japan
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grinding
wafer
infeed
grindstone
rotary table
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JP26621584A
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Inventor
Satoshi Matsui
敏 松井
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Via Mechanics Ltd
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Hitachi Seiko Ltd
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Publication date
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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕 本発明は、カップ形砥石を用いた
平面研削方法に係り、特に加工面の面粗さを均一に仕上
げるようKした平面研削方法に関する。 〔発明の背景〕 たとえば、トランジスタ、ICなどの
基板材料であるシリコンクエバは、その表面に形成され
る回路パターンの微細化、あるいはシリコンウェハの大
径化により、表面の面粗さ、平面度、加工歪層の深さな
ど九対する高精度化が要求されている。 従来、シリコンウニノーの表面の加工方法の一つとして
、カップ形砥石を用いた平面研削加工が提案されている
。この平面研削加工(おいては、テーブル上に固定され
たシリコンウニノ・と、回転しているカップ形砥石の相
対移動によりシリコンウェハの表面を加工している。こ
のような平面研削加工では、シリコンウニ/Sの如く円
盤状の被加工物を加工する場合、研削の進行に伴ない研
削抵抗が変化するため、研削抵抗によって発生する研削
装置の弾性変形量も変化して、加工面の平面度が低下す
る欠点があった。、tた、加工歪層の深さを小さくする
ためには、研削の切込量を小さくすることが必要である
が、切込量を小さくすると、加工能率が極度に低下する
ことになる。 このような平面加工の欠点をなくす研削方法として、シ
リコンウニノ1を載置するテーブルを回転テーブルとし
、その回転中心(シリコンウニノーの回転中心)を、カ
ップ形砥石の研削作業面内に位置するように配置し、回
転テーブルとカップ形砥石を所定の速度で回転させなが
ら切込みを与えて研削する方法が提案されている。この
ような研削方法によれば、シリコンウェハの表面の平面
度が向上し、かつ微小切込み時の加工能率を向上させる
ことができることが確認されている。しかし、シリーン
クエハの表面の面粗さは、シリコンウェハの回転速度の
影響を受けるために、その中心部に対し外周部の面粗さ
が低下する欠点がある。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の
欠点をなくシ、高精度の加工が行なえるようにした平面
加工方法を提供するにある。
【発明の概要】 上記目的を達成するため、本発明にお
いては、シリコンウェハとカップ形砥石を所定の速度で
回転させながら切込を与え、所定の切込量に達して切込
みを止め、同時にシリコンウェハの回転を減速させて、
スパークアウト研削を行なうことを特徴とする。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面にし
たがって説明する。 カップ形砥石1は、作業面2を備えている0回転テーブ
ル3は、シリコンウェハ4を載置固定し、その回転中心
0が前記カップ形砥石1の作業面2と対向するように配
置されている。前記回転テーブル3とカップ形砥石1は
、それぞれ個別の駆動手段(図示せず)によって矢印方
向く回転駆動されるようになっている。 上記の構成において、回転テーブル3とカップ形砥石1
を、所定の速度で回転させつつ、カップ形砥石1を回転
テーブル3に近すけ、その作業面2をシリコンウェハ4
に切込ませて研削を行なう。 そして、カップ形砥石10作業面2が、所定の位置まで
移動すると、カップ形砥石1の切込方向の移動が停止し
て、研削作業はスパークアウト研削に移行する。このと
き、回転テーブル3を駆動する駆動源への動力の供給が
停止される。すると、回転テーブル3には、その慣性力
と研削抵抗による回転力が作用するが、その回転速度は
しだいに低下する0回転テーブル3の回転が所定の速度
まで低下しえら、カップ形砥石1をシリコンウェハ・か
ら離間させ研削を終了させる。 上述の如く、スパークアウト研削時に、シリコンウェハ
の回転速度、を漸減させるようにしたので、シリコンウ
ェハの中央部と外周部の回転速度差を小さくすることが
でき、回転速度に起因する加工面の面粗さの差を小さく
シ、面粗さを均一化することができる。また、加工面の
平面度や加工歪層の深さは、従来と同様にすることがで
きる。 〔発明の効果〕 以上述べた如く、本発明によれば、仕
上面の精度の高い研削を高能率で行なうことができる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明を説明するための模式図である。 l・・・カップ形砥石、  2・・・作業面、  3・
・・回転テーブル、  4・・・シリコンウェハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被加工物を載置した回転テーブルの回転中心がカップ形
    砥石の研削作業面内に位置するように配置され、回転テ
    ーブルとカップ形砥石を回転させながら切込を与えて、
    被加工物の平面研削を行なう平面研削方法において、ス
    パークアウト研削時に、前記回転テーブルの回転を減速
    させることを特徴とする平面研削方法。
JP26621584A 1984-12-19 1984-12-19 平面研削方法 Granted JPS61146460A (ja)

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JP26621584A JPS61146460A (ja) 1984-12-19 1984-12-19 平面研削方法

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JP26621584A JPS61146460A (ja) 1984-12-19 1984-12-19 平面研削方法

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Publication Number Publication Date
JPS61146460A true JPS61146460A (ja) 1986-07-04
JPH0349705B2 JPH0349705B2 (ja) 1991-07-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001021356A1 (fr) * 1999-09-24 2001-03-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede et dispositif de meulage des deux faces d'un disque fin
CN117840824A (zh) * 2024-03-08 2024-04-09 华侨大学 一种用于半导体晶圆表面的磨削方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5662753A (en) * 1979-10-17 1981-05-28 Tdk Corp Surface grinder

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5662753A (en) * 1979-10-17 1981-05-28 Tdk Corp Surface grinder

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001021356A1 (fr) * 1999-09-24 2001-03-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede et dispositif de meulage des deux faces d'un disque fin
US6726525B1 (en) 1999-09-24 2004-04-27 Shin-Estu Handotai Co., Ltd. Method and device for grinding double sides of thin disk work
CN117840824A (zh) * 2024-03-08 2024-04-09 华侨大学 一种用于半导体晶圆表面的磨削方法
CN117840824B (zh) * 2024-03-08 2024-05-28 华侨大学 一种用于半导体晶圆表面的磨削方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0349705B2 (ja) 1991-07-30

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