CN110504362B - 一种SnO2电子选择传输层的改性方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及SnO2电子选择传输层的改性方法,包括步骤:1)掺杂剂为无机酸、磺酸、氨基酸或含硫铵盐,掺杂浓度为0.1‑10at%;2)前驱液制备:按所述掺杂浓度将所需掺杂剂加入事先制备好的1‑5wt%浓度的SnO2溶胶中,30‑80W超声震荡30‑60min,使之充分混合,均匀分散;3)薄膜制备:ITO玻璃清洗后紫外臭氧处理,然后在ITO玻璃表面旋涂制备好的掺杂SnO2溶胶;4)薄膜退火。本发明的有益效果是:本发明提出的SnO2电子选择传输层的改性方法,提高了SnO2载流子迁移率和电子抽取能力,减小了SnO2与钙钛矿层的能级失配度,提高了SnO2薄膜光学透过率,提高了钙钛矿层结晶质量和稳定性,提高了钙钛矿电池短路电流、开路电压、填充因子、效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种SnO2电子选择传输层的改性方法,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
SnO2作为一种常见n型氧化物半导体材料,常被用做钙钛矿太阳能电池的电子传输层材料。但在实际应用中普遍存在能级失配严重、实际载流子浓度低、表面缺陷态大等问题。为解决这些问题,目前流行的方法如下:
1.金属元素掺杂
掺杂是调控材料电学性能的常用方法,因此也常用来调控SnO2电子传输层的电学性质,以期获得更高的应用价值。Li元素离子半径小,其化合物功函数普遍较低,因此常用来掺杂n型氧化物半导体。2016年Park等用Li掺杂的SnO2做电子传输层,大大提高了其电导率,同时,得益于更大的内建电势,电池效率明显提高。和Li元素相似,Mg元素也被用来掺杂SnO2。Xiong等研究了Mg掺杂浓度对SnO2电子传输层电学性能的影响,实验表明,7.5%为最佳掺杂浓度,高于此浓度则电子迁移率严重下降,因而导致掺杂效果变差。除此之外,Y,Sb,Ga等金属元素掺杂也偶有报道。
2.退火
一定温度及氛围的退火是提高薄膜性能的常用方法。Wang等详细研究了退火温度对SnO2光电性能的影响,研究发现150℃退火后其综合性能最佳。我们组之前的工作系统研究了不同退火氛围对SnO2光电性能及钙钛矿电池性能的影响,结果表明纯氧氛围中效果最好。
3.表面等离子体处理
Subbiah等采用N2等离子体低温处理SnO2表面,研究发现,处理后SnO2能级与钙钛矿层匹配度提高,载流子提取能力增强。
4.改变制备方法
SnO2薄膜可以通过多种制备方法制得,其中最常用的是溶液法。但溶液法效果普遍不如预期,因此人们采用原子层沉积(ALD)、化学浴沉积(CBD)、脉冲激光沉积、磁控溅射、电子束沉积等多种方法对制备方法进行了改进。
5.增加界面修饰层
界面修饰层经常被用于SnO2层与钙钛矿层之间的界面钝化。富勒烯(C60)及其衍生物(如C60-SAM,PCBM等)具有很好的导电性,同时又有一定的钝化作用,因此常被用于钝化SnO2/钙钛矿界面。Xie等研究了石墨烯量子点(GQDs)界面修饰层的作用。在光照下,石墨烯中产生的光生电子进入SnO2导带,因此填充电子缺陷态,同时使导带底升高,使之与钙钛矿能级更加匹配。经修饰后电池效率明显提高,最高可达20.23%。
然而,目前的一些方法仍存在如下问题:
1.金属元素掺杂往往减小透过率,增加寄生吸收损失;
2.金属元素掺杂往往造成功函数升高,使电池能级失配加剧;
3.许多掺杂元素属于稀有金属,价格昂贵,不利于产业化;
4.表面等离子体处理只对表面有效;
5.高温退火耗能耗时,不适合柔性化要求,且效果未必很好;
6.低温退火SnO2结晶度较低,缺陷态严重;
7.界面修饰层多富勒烯及其衍生物,价格昂贵,稳定性较差,且只对界面有修饰作用,而忽略了SnO2薄膜内部;
8.物理气相沉积、化学气相沉积等方法价格昂贵,且往往粗糙度较大;
9.化学浴、电化学沉积、溶胶凝胶法等往往粗糙度较大、表面形貌不均;
10.原子层沉积法速度慢、面积小,不适合工业化生产。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足,提供一种SnO2电子选择传输层的改性方法,通过非金属掺杂SnO2电子选择传输层内部及表面缺陷态密度,提高电子迁移率、透过率,减小其与钙钛矿能级失配度。
这种SnO2电子选择传输层的改性方法,包括以下步骤:
1)掺杂剂为无机酸、磺酸、氨基酸或含硫铵盐,掺杂浓度为0.1-10at%(在掺杂剂-Sn源混合物中所占的百分比);
2)前驱液制备:按所述掺杂浓度将所需掺杂剂加入事先制备好的1-5wt%浓度的SnO2溶胶中,30-80W超声震荡30-60min,使之充分混合,均匀分散;
3)薄膜制备:ITO玻璃清洗后紫外臭氧处理,然后进行以下操作:用匀胶机在ITO玻璃表面旋涂制备好的掺杂SnO2溶胶,转速3000-5000rpm,旋转时间30-60s;或者采用刮膜法,刮刀与衬底间距20-50nm,移动速度0.5-5mm/s;或者采用喷涂法,喷枪压力由高纯氮气提供,压力为0.1-1MPa,喷嘴与衬底距离10-60cm,喷涂时间2-5min;
4)薄膜退火:管式退火炉中通入1000-3000sccm的惰性气体,缓慢升温至退火温度150-500℃,保持10-30min后放入样品,退火30-120min;最终得到25-50nm厚的掺杂SnO2薄膜。
作为优选:所述步骤1)中,无机酸包括磷酸、焦磷酸、硼酸或草酸;磺酸包括苯磺酸、牛磺酸或氨基苯磺酸;氨基酸包括半胱氨酸、酪氨酸、门冬氨酸、谷氨酸、赖氨酸或精氨酸;含硫铵盐包括硫化铵、硫脲、硫酸铵或硫代硫酸铵。
作为优选:所述步骤4)中,惰性气体采用高纯氮气或氩气。
本发明的有益效果是:本发明提出的SnO2电子选择传输层的改性方法,提高了SnO2载流子迁移率和电子抽取能力,减小了SnO2与钙钛矿层的能级失配度,提高了SnO2薄膜光学透过率,提高了钙钛矿层结晶质量和稳定性,提高了钙钛矿电池短路电流、开路电压、填充因子、效率。
附图说明
图1为SnO2及P-SnO2的红外光谱图;
图2为SnO2及S-SnO2的红外光谱图;
图3为SnO2及S-SnO2薄膜的J-V曲线图;
图4为基于SnO2及S-SnO2的钙钛矿电池效率统计误差图;
图5为基于SnO2及Tau-SnO2的钙钛矿电池光态J-V曲线图;
图6为基于SnO2及Cys-SnO2的钙钛矿电池光态J-V曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述。下述实施例的说明只是用于帮助理解本发明。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
非金属酸(盐)在氮气氛围中低温退火后,脱水脱氢,在SnO2晶界处存在,通过P-O-Sn,S-Sn,N-Sn等形式与SnO2表面Sn离子成键,从而消除Sn悬挂键。发生一定程度聚合的聚磷酸根、多硫键等可进一步消除悬挂键。在SnO2薄膜内部,悬挂键的消除可以减少SnO2对空气中水氧的吸附,从而降低电子在晶界传输时所遇到的势垒,进而提高电子迁移率,提高SnO2的电导率。
在SnO2/钙钛矿界面处,悬挂键及水氧吸附的减少以及表面S-Pb,Sn-O-P-Pb等络合态的形成可以提高钙钛矿的结晶质量,提高钙钛矿电池的稳定性,降低表面缺陷态密度,减少光生载流子的非辐射复合损失,进而提高开路电压、短路电流密度。同时,掺杂后SnO2薄膜内部缺陷态大幅减少,寄生吸收及缺陷态散射作用减弱,因此薄膜光学透过率提高,电池短路电流密度提高。某些磺酸、铵盐的掺杂可以降低SnO2薄膜的功函数,使其能带结构与钙钛矿材料的能带结构更加匹配,从而提高开路电压,提高电池效率。氮气氛围可以在SnO2晶粒内部造成更多氧空位,提高载流子浓度,进一步提高电导率,同时保护还原性物质不在退火时生成挥发性物质损失掉。
实施例1
在SnO2溶胶(Alfa Aesar)中添加7.4at%的磷酸(国药),5000rpm,30s匀胶旋涂后,100℃干燥10min,氮气中180℃退火30min。其后旋涂钙钛矿层((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)、空穴传输层(Spiro-OMeTAD),蒸镀80nm厚的银电极。
傅里叶变换红外光谱分析表明,磷元素以聚磷酸根的形式存在,如图1所示。
采用半导体参数仪测试单层SnO2薄膜的J-V曲线,依据Mott-Gurney定律计算载流子迁移率。结果发现,掺杂磷酸后SnO2电子迁移率由1.70×10-4cm2V-1s-1提升至了5.08×10-4cm2V-1s-1。
掺杂前后太阳能电池的主要性能参数如下表所示,表明掺杂磷酸后电池性能大幅提升。
表1基于SnO2及P-SnO2的钙钛矿电池性能统计数据
Samples | Voc(V) | Jsc(mAcm-2) | FF(%) | PCE(%) |
SnO2 | 1.15(±0.02) | 21.79(±0.71) | 73.17(±1.85) | 18.41(±0.65) |
P-SnO2 | 1.14(±0.02) | 22.61(±0.36) | 76.71(±1.54) | 19.72(±0.54) |
实施例2
在SnO2溶胶(Alfa Aesar)中添加2at%的硫化铵(国药),5000rpm,30s匀胶旋涂后,100℃干燥10min,氮气中180℃退火30min。其后旋涂钙钛矿层((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)、空穴传输层(Spiro-OMeTAD),蒸镀80nm厚的银电极。
傅里叶变换红外光谱分析表明,硫元素以S-Sn的形式与Sn原子结合,钝化SnO2表面,如图2所示。
J-V曲线分析表明,硫化铵掺杂后SnO2的电导率大幅提高,如图3所示。
掺杂前后钙钛矿太阳能电池的效率统计如图4所示,可清晰看出,掺杂硫化铵后电池效率大幅提升。
实施例3
在SnO2溶胶(Alfa Aesar)中添加2at%的牛磺酸(国药),5000rpm,30s匀胶旋涂后,100℃干燥10min,氮气中180℃退火30min。其后旋涂钙钛矿层((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)、空穴传输层(Spiro-OMeTAD),蒸镀80nm厚的银电极。
掺杂前后太阳能电池的J-V曲线如图5所示,可以看出,掺杂牛磺酸后电池短路电流密度明显提高。
实施例4
在SnO2溶胶(Alfa Aesar)中添加2at%的半胱氨酸(国药),5000rpm,30s匀胶旋涂后,100℃干燥10min,氮气中180℃退火30min。其后旋涂钙钛矿层((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)、空穴传输层(Spiro-OMeTAD),蒸镀80nm厚的银电极。
掺杂前后太阳能电池的J-V曲线如图6所示,可以明显看出,掺杂半胱氨酸后电池开路电压及填充因子等参数明显提高。
Claims (2)
1.一种SnO2电子选择传输层的改性方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)掺杂剂为氨基酸或含硫铵盐,掺杂浓度为0.1-10at%;氨基酸包括半胱氨酸、酪氨酸、门冬氨酸、谷氨酸、赖氨酸或精氨酸;含硫铵盐包括硫化铵、硫脲、硫酸铵或硫代硫酸铵;
2)前驱液制备:按所述掺杂浓度将所需掺杂剂加入1-5wt%浓度的SnO2溶胶中,30-80W超声震荡30-60min,使之充分混合,均匀分散;
3)薄膜制备:ITO玻璃清洗后紫外臭氧处理,然后进行以下操作:用匀胶机在ITO玻璃表面旋涂制备好的掺杂SnO2溶胶,转速3000-5000rpm,旋转时间30-60s;或者采用刮膜法,刮刀与衬底间距20-50nm,移动速度0.5-5mm/s;或者采用喷涂法,喷枪压力由高纯氮气提供,压力为0.1-1MPa,喷嘴与衬底距离10-60cm,喷涂时间2-5min;
4)薄膜退火:管式退火炉中通入1000-3000sccm的惰性气体,升温至退火温度150-500℃,保持10-30min后放入样品,退火30-120min;最终得到25-50nm厚的掺杂SnO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的SnO2电子选择传输层的改性方法,其特征在于,所述步骤4)中,惰性气体采用高纯氮气或氩气。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112234147A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-15 | 无锡极电光能科技有限公司 | 形成反式钙钛矿太阳能电池电子传输层的方法及其应用 |
CN112993167B (zh) * | 2021-02-07 | 2023-04-07 | 重庆大学 | 有机铵盐改性金属氧化物纳米颗粒在正置钙钛矿太阳能电池中的应用及器件的制备方法 |
CN112993168B (zh) * | 2021-02-07 | 2022-10-28 | 广东技术师范大学 | 一种无退火效应的二氧化锡多孔结构钙钛矿光伏电池及其制备方法 |
CN114023887A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-08 | 华中科技大学 | 一种氧化锡电子浆料及其制备方法和应用 |
CN114551723B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-08-04 | 苏州科技大学 | 基于酸处理氧化锡的钙钛矿电池及其制备 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005001927A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Nec Tokin Corp | 酸化物誘電体及びその製造方法 |
JP2008150258A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 二酸化スズ前駆体粒子及びその製造方法並びにそれを用いてなる二酸化スズの製造方法 |
CN102088060A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-06-08 | 电子科技大学 | 一种叠层有机薄膜太阳能电池及其制备方法 |
CN104393175A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-04 | 南昌大学 | 一种有机太阳能电池及制备方法 |
CN105405978A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-03-16 | 河南师范大学 | 一种阴极修饰型平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN106433562A (zh) * | 2016-09-27 | 2017-02-22 | 山东博洋环境资源有限公司 | 一种环保型融雪剂及利用氨基酸发酵液制备该融雪剂的方法 |
CN107394047A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 苏州大学 | 醇溶性富勒烯衍生物在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
CN108417649A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-08-17 | 湖南文理学院 | 一种氧化锡基太阳能电池纳米材料的制备方法及应用 |
WO2018228022A1 (zh) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | 南京工业大学 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法 |
CN109103338A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-28 | 武汉理工大学 | 一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件的制备方法 |
CN110003450A (zh) * | 2019-04-06 | 2019-07-12 | 苏州和颂生化科技有限公司 | 界面材料:带有氨基酸基团的两性离子共轭聚电解质 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62230617A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-09 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 酸化錫ゾル及びその製造方法 |
US6383699B1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-05-07 | Xerox Corporation | Photoreceptor with charge blocking layer containing quaternary ammonium salts |
US9214590B2 (en) * | 2003-12-19 | 2015-12-15 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | High fidelity nano-structures and arrays for photovoltaics and methods of making the same |
JP2005248315A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、膜、電子部品および電子機器 |
US20090188558A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | University Of Washington | Photovoltaic devices having metal oxide electron-transport layers |
CN105244449A (zh) * | 2015-09-13 | 2016-01-13 | 北京化工大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
CN105470402A (zh) * | 2015-12-23 | 2016-04-06 | 海安常州大学高新技术研发中心 | 一种防光照有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
CN106784329B (zh) * | 2017-01-12 | 2019-10-11 | 武汉大学 | 一种SnO2量子点电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN109935708A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | Tcl集团股份有限公司 | 发光二极管器件及其制备方法 |
CN109148688A (zh) * | 2018-07-11 | 2019-01-04 | 复旦大学 | 一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN109216557B (zh) * | 2018-09-03 | 2022-04-01 | 陕西师范大学 | 一种基于柠檬酸/SnO2电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN109244243A (zh) * | 2018-09-06 | 2019-01-18 | 中国石油大学(华东) | 一种L-半胱氨酸修饰TiO2电子传输层的方法和应用 |
CN109873082B (zh) * | 2019-04-08 | 2022-11-15 | 陕西师范大学 | 一种基于界面改性剂的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201910644949.8A patent/CN110504362B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005001927A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Nec Tokin Corp | 酸化物誘電体及びその製造方法 |
JP2008150258A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Ishihara Sangyo Kaisha Ltd | 二酸化スズ前駆体粒子及びその製造方法並びにそれを用いてなる二酸化スズの製造方法 |
CN102088060A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-06-08 | 电子科技大学 | 一种叠层有机薄膜太阳能电池及其制备方法 |
CN104393175A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-04 | 南昌大学 | 一种有机太阳能电池及制备方法 |
CN105405978A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-03-16 | 河南师范大学 | 一种阴极修饰型平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN106433562A (zh) * | 2016-09-27 | 2017-02-22 | 山东博洋环境资源有限公司 | 一种环保型融雪剂及利用氨基酸发酵液制备该融雪剂的方法 |
WO2018228022A1 (zh) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | 南京工业大学 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法 |
CN107394047A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 苏州大学 | 醇溶性富勒烯衍生物在钙钛矿太阳能电池中的应用 |
CN108417649A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-08-17 | 湖南文理学院 | 一种氧化锡基太阳能电池纳米材料的制备方法及应用 |
CN109103338A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-28 | 武汉理工大学 | 一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件的制备方法 |
CN110003450A (zh) * | 2019-04-06 | 2019-07-12 | 苏州和颂生化科技有限公司 | 界面材料:带有氨基酸基团的两性离子共轭聚电解质 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Amino-Acid-Induced Preferential Orientation of Perovskite Crystals for Enhancing Interfacial Charge Transfer and Photovoltaic Performance";Yen-Chen Shih et al.;《Small》;第第13卷卷(第第22期期);1604305 * |
界面钝化策略:提高钙钛矿太阳能电池的稳定性;王蕾;周勤;黄禹琼;张宝;冯亚青;;化学进展(第01期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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