CN110383455B - 半导体基板清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种半导体基板清洗装置。装置包括腔室(101)、卡盘(102)、液体收集器(104)、围墙(105)、至少一个驱动装置(106)、至少一个内部分配器(111)及至少一个外部分配器(118)。腔室(101)具有顶壁(1011)、侧壁(1012)和底壁(1013)。卡盘(102)设置在腔室(101)内用来保持半导体基板(103)。液体收集器(104)围绕着卡盘(102)。围墙(105)围绕着液体收集器(104)。所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)上下移动，其中，当所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)向上移动时，由液体收集器(104)、围墙(105)、腔室(101)的顶壁(1011)及腔室(101)的底壁(1013)形成密封室(110)。所述的至少一个内部分配器(111)设置在该密封室(110)内。所述的至少一个外部分配器(118)设置在该密封室(110)外。在使围墙(105)向下移动后，所述的至少一个外部分配器(118)能进、出该密封室(110)。

Description

半导体基板清洗装置
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种半导体基板清洗装置，该装置能够防止酸雾或碱雾腐蚀该装置的清洗腔内的部件。
背景技术
随着半导体工业的发展，半导体器件的特征尺寸不断减小，芯片的集成度不断提高。相应地，对基板表面清洁度的要求变得更为严格，因为劣质的清洗可能导致器件失效从而增加集成电路制造的成本。为了得到高质量的半导体器件，基板必须具有一个非常洁净的表面，这就意味着基板上没有颗粒、金属、有机物等污染物。虽然不存在完全洁净的基板表面，然而，超大规模集成电路的发展要求基板的表面尽可能地洁净，这使得基板的清洗工艺面临着挑战。现在常用的清洗方法是湿式化学清洗，它使用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液、表面活性剂或其他化学试剂，配合超声波或兆声波、加热或其他物理措施，将颗粒、金属或有机物等污染物从基板表面去除，然后用去离子水冲洗基板，以获得洁净的基板。
通常，SPM(H2SO4+H2O2+H2O)清洗液用来去除基板表面上的有机污染物。SPM清洗液具有很强的氧化能力，可去除有机污染物和一些金属污染物。SPM清洗需要高浓度的硫酸溶液并且需要在高温(120℃-150℃)下进行。如此高的浓度和温度会产生酸雾。由于缺乏对酸雾的有效处理，SPM的使用受到限制，SPM清洗不能被广泛推广。在传统的基板清洗装置中，高温酸雾可能会充满基板清洗装置的清洗腔，导致酸雾腐蚀清洗腔内的部件。另外，IPA(异丙醇)也通常用于基板的清洗过程。众所周知IPA是易燃液体，明火或高热将会引起IPA燃烧爆炸。因此，在传统的基板清洗装置中使用高温SPM溶液会对生产安全构成严重威胁。
发明内容
因此，本发明的一个目的是揭示一种半导体基板清洗装置，该装置防止酸雾腐蚀装置的清洗腔内的部件。
本发明的另一个目的是提高半导体器件制造的生产安全性。
根据本发明的一个实施例，提出的半导体基板清洗装置包括腔室、卡盘、液体收集器、围墙、至少一个驱动装置、至少一个内部分配器及至少一个外部分配器。腔室具有顶壁、侧壁和底壁。卡盘设置在腔室内用来保持半导体基板。液体收集器围绕着卡盘。围墙围绕着液体收集器。所述的至少一个驱动装置驱动围墙上下移动，其中，当所述的至少一个驱动装置驱动围墙向上移动时，由液体收集器、围墙、腔室的顶壁及腔室的底壁形成密封室。所述的至少一个内部分配器设置在该密封室内。所述的至少一个外部分配器设置在该密封室外。在驱动围墙向下移动后，所述的至少一个外部分配器能进出该密封室。
本发明在腔室内构建密封室并且在密封室内设有内部分配器，内部分配器能传送例如热的SPM溶液到半导体基板上，因此热SPM清洗工艺在密封室内完成并且酸雾被密封在密封室内，避免酸雾充满腔室并且腐蚀腔室内的部件。在热SPM清洗工艺结束并且密封室内的温度冷却下来后，所述的至少一个驱动装置驱动围墙向下移动，设置在密封室外的外部分配器或超声波或兆声波装置能进入密封室来加工半导体基板。由于热SPM清洗与腔室隔离，即使外部分配器传送IPA时，因为密封室内的温度已经冷却下来，因此IPA能被安全使用。
附图说明
图1A至图1D揭示了本发明半导体基板清洗装置的一实施例的示意图。
图2揭示了分配器与排气管结合的示意图。
图3A至图3C揭示了分配器与排气管结合的各种横截面的示意图。
图4A至图4D揭示了本发明半导体基板清洗装置的另一个实施例的示意图。
图5至图7揭示了设置在卡盘上的各种加热装置用来非均匀地加热半导体基板的示意图。
具体实施方式
参考图1A至图1D所示，揭示了根据本发明的一个实施例的半导体基板清洗装置。半导体基板清洗装置包括腔室101。腔室101具有顶壁1011、侧壁1012以及底壁1013。一般地，腔室101的侧壁1012具有用来传送半导体基板103的开口。开口通常由门密封，门被控制以打开或关闭。卡盘102位于腔室101内，用于保持半导体基板103。通过旋转驱动装置驱动卡盘102旋转。半导体基板103随着卡盘102旋转。液体收集器104围绕着卡盘102。液体收集器104具有至少一个环状倾斜槽，以使收集的液体分离。举例而言，液体收集器104具有两个环状倾斜槽1041,1042。每个环状倾斜槽与一根管道(未示出)连接，收集的液体通过该管道排出。每个环状倾斜槽用来收集不同的液体。通过至少一个垂直致动器驱动液体收集器104相对于卡盘102上下移动，使得卡盘102与一个环状倾斜槽相对应。或者，通过垂直致动器驱动卡盘102相对于液体收集器104上下移动，使得卡盘102与一个环状倾斜槽相对应。
柱状的围墙105围绕着液体收集器104。围墙105连接到至少一个驱动装置106，该至少一个驱动装置106驱动围墙105上下移动。如本实施例所示，提供有两个驱动装置106与围墙105连接，用于驱动围墙105上下移动。中空的柱状护罩107固定在腔室101的顶壁1011上。当驱动装置106驱动围墙105向上移动时，围墙105的上端与护罩107的底端接触以达到密封，围墙105的底端与液体收集器104的顶端接触以达到密封。为了提高密封性，在围墙105的上端和护罩107的底端之间设有第一密封环108，在围墙105的底端和液体收集器104的顶端之间设有第二密封环109。因此，当驱动装置106驱动围墙105向上移动时，由液体收集器104、围墙105、护罩107、腔室101的顶壁1011以及腔室101的底壁1013形成密封室110，如图1C所示。围墙105以及护罩107的材料可以是聚四氟乙烯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚偏氟乙烯或聚醚醚酮。
在密封室110内设有至少一个内部分配器111用来传输化学品到半导体基板103上。根据不同的工艺要求，化学品可以是温度高于90℃的热SPM溶液。在如此高的温度下，SPM溶液会产生酸雾。除了SPM溶液，可以产生蒸气或雾的其他化学品被应用到该装置。为了及时排出酸雾，较佳的，内部分配器111与排气管112结合，该排气管112连接到抽气机。内部分配器111传送化学品到半导体基板103上，同时化学雾通过排气管112排出，如图2所示。在一个实施例中，排气管112的横截面为圆形，内部分配器111抵靠排气管112的外壁设置，如图3A所示。在另一个实施例中，排气管112的横截面为半圆形，内部分配器111设置在排气管112的中心，如图3B所示。在又一个实施例中，排气管112的横截面是圆形，内部分配器111设置在排气管112的内部，如图3C所示。旋转致动器114用于驱动内部分配器111和排气管112转动。当内部分配器111传送热SPM溶液到半导体基板103上以执行热SPM清洗工艺时，旋转致动器114驱动内部分配器111和排气管112从空闲位置113转动到半导体基板103，并且使内部分配器111和排气管112在半导体基板103的中心和边缘之间转动。热SPM清洗工艺结束后，旋转致动器114驱动内部分配器111和排气管112从半导体基板103转动到空闲位置113，内部分配器111和排气管112停留在空闲位置113。
一对喷嘴设置在密封室110内用于清洗密封室110。例如，热SPM清洗工艺完成后，该对喷嘴喷出去离子水来清洗密封室110，以去除SPM溶液残余。应该认识到喷嘴的数量是不限的，只要能清洗密封室110，任何数量和分布的喷嘴都是可接受的。排气孔115和排液孔116设置在腔室101的底壁1013上并位于密封室110内。密封室110内的气体，蒸气和雾能通过排气孔115排出。密封室110内的液体能通过排液孔116排出。风机过滤器(FFU)117设置在腔室101的顶壁1011上以提供清洁气体到密封室110内。
至少一个外部分配器118设置在密封室110的外部以传送化学品、气体或清洗液到半导体基板103上。根据工艺需求，外部分配器118能用于传送IPA(异丙醇)到半导体基板103上。围墙105向下移动后，外部分配器118能够进、出密封室110。超声波或兆声波装置119设置在密封室110的外部以提供超声波或兆声波声能清洗半导体基板103。围墙105向下移动后，超声波或兆声波装置119进、出密封室110。腔室101的底壁1013设置有另一排气孔120和另一排液孔121，该另一排气孔120和另一排液孔121位于密封室110的外部。
如图1A至图1D所示，当使用装置清洗半导体基板103时，使卡盘102向上移动到达加载位置。打开门，机械手通过开口传送半导体基板103进入腔室101,并将半导体基板103放置在卡盘102上。关闭门，使卡盘102向下移动到达工艺位置，在该工艺位置，卡盘102对应液体收集器104的一个环状倾斜槽。驱动装置106驱动围墙105向上移动，由此形成密封室110，该密封室110由液体收集器104、围墙105、护罩107、腔室101的顶壁1011及腔室101的底壁1013围成，如图1C所示。密封环被用来提高密封室110的密封性。使内部分配器111和排气管112旋转至半导体基板103，如图1D所示。内部分配器111和排气管112在半导体基板103的中心至边缘之间旋转，当卡盘102以一定旋转速度旋转时，内部分配器111传送热SPM溶液到半导体基板103上。在热SPM清洗工艺结束后，驱动装置106驱动围墙105向下移动，如图1A所示。外部分配器118进入密封室110，并传送化学品、气体或清洗液到半导体基板103上。超声波或兆声波装置119进入密封室110，运用超声波或兆声波清洗半导体基板103，如图1B所示。如果外部分配器118传送IPA(异丙醇)到半导体基板103时，较佳的，在外部分配器118进入密封室110之前，使密封室110内的温度冷却下来，避免高温引起异丙醇燃烧爆炸。因为热SPM清洗被隔离，不仅酸雾被密封在密封室110内，避免了酸雾充满腔室101并腐蚀腔室101内的不仅，而且异丙醇也能被安全使用。
参考图4A至图4D所示，揭示了根据本发明的另一实施例的半导体基板清洗装置。装置包括腔室401。腔室401具有顶壁4011、侧壁4012以及底壁4013。一般地，腔室401的侧壁4012具有开口用来传送半导体基板403。该开口通常由门密封，该门被控制以打开或关闭。卡盘402位于腔室401内用于保持半导体基板403。通过旋转驱动装置驱动卡盘402旋转。半导体基板403随着卡盘402旋转。液体收集器404围绕着卡盘402。液体收集器404具有至少一个环状倾斜槽，以使收集的液体分离。举例而言，液体收集器404具有两个环状倾斜槽4041,4042。每个环状倾斜槽与一根管道(未示出)连接，收集的液体通过该管道排出。每个环状倾斜槽用来收集不同的液体。通过至少一个垂直致动器驱动液体收集器404相对于卡盘402上下移动，使得卡盘402与一个环状倾斜槽相对应。或者，通过垂直致动器驱动卡盘402相对于液体收集器404上下移动，使得卡盘402与一个环状倾斜槽相对应。
柱状的围墙405围绕着液体收集器404。围墙405连接到至少一个驱动装置406，该至少一个驱动装置406驱动围墙405上下移动。如本实施例所示，提供有两个驱动装置406连接至围墙405，以驱动围墙405上下移动。当驱动装置406驱动围墙405向上移动时，围墙405的顶端与腔室401的顶壁4011接触达到密封，围墙405的底端与液体收集器404的顶端接触达到密封。为了提高密封性，在围墙405的顶端和腔室401的顶壁4011之间设有密封环，在围墙405的底端和液体收集器404的顶端之间设有第二密封环409。因此，当驱动装置406驱动围墙405向上移动时，由液体收集器404、围墙405、腔室401的顶壁4011以及腔室401的底壁4013形成密封室410，如图4C所示。
至少一个内部分配器411设置在密封室410内用来传送化学品到半导体基板403上。根据不同的工艺需求，化学品可以是温度高于90℃的热SPM溶液。在如此高的温度下，SPM溶液会产生酸雾。除了SPM溶液，可能会产生蒸气或雾的其他化学品被应用到该装置。为了及时排出酸雾，较佳的，内部分配器411与排气管412结合，该排气管412连接到抽气机。内部分配器411传送化学品到半导体基板403上，同时化学雾通过排气管412排出。在一个实施例中，排气管412的横截面为圆形，内部分配器411抵靠排气管412外壁设置。在另一个实施例中，排气管412的横截面为半圆形，内部分配器411位于排气管412的中心。在又一个实施例中，排气管412的横截面为圆形，内部分配器411位于排气管412的内部。旋转致动器414驱动内部分配器411和排气管412旋转。当内部分配器411传送热SPM溶液到半导体基板403上执行热SPM清洗工艺时，旋转致动器414驱动内部分配器411和排气管412从空闲位置413旋转到半导体基板403，使内部分配器411和排气管412在半导体基板403的中心到边缘之间转动。热SPM清洗工艺结束后，旋转致动器414驱动内部分配器411和排气管412从半导体基板403转动到空闲位置413，内部分配器411和排气管412停留在空闲位置413。
一对喷嘴设置在密封室410内用来清洗密封室410。例如，热SPM清洗工艺结束后，该对喷嘴喷出去离子水清洗密封室410，以去除SPM溶液残余。应该认识到喷嘴的数量是不限的，只要密封室410能被清洗干净，任何数量和分布的喷嘴都是可以接受的。排气孔415和排液孔416设置在腔室401的底壁4013上并位于密封室410内。密封室410内的气体、蒸气和雾能通过排气孔415排出。密封室410内的液体能通过排液孔416排出。风机过滤器(FFU)417安装在腔室401的顶壁4011上以提供干净的空气到密封室410内。
至少一个外部分配器418设置在密封室410的外部用来传送化学品、气体或清洗液到半导体基板403上。根据工艺需求，外部分配器418能被用来传送IPA(异丙醇)到半导体基板403上。当围墙405向下移动后，外部分配器418能够进和出密封室410。超声波或兆声波装置419设置在密封室410的外部以运用超声波或兆声波来清洗半导体基板403。当围墙405向下移动后，超声波或兆声波装置419能够进和出密封室410。腔室401的底壁4013上设有另一排气孔420和排液孔421，该另一排气孔420和排液孔421位于密封室410的外部。
当使用装置清洗半导体基板403时，使卡盘402向上移动到达加载位置。打开门，机械手通过开口传送半导体基板403进入腔室401内，并且把半导体基板403放置在卡盘402上。然后关闭门，使卡盘402向下移动至工艺位置，在该位置卡盘402对应着液体收集器404的一个环状倾斜槽。驱动装置106驱动围墙405向上移动，由此形成密封室410，该密封室410由液体收集器404、围墙405、腔室401的顶壁4011及腔室401的底壁4013围成，如图4C所示。密封环用于提高密封室410的密封性。使内部分配器411和排气管412转动至半导体基板403，如图4D所示。使内部分配器411和排气管412在半导体基板403的中心和边缘之间转动，当卡盘402以一定速度旋转时，内部分配器411传送热SPM溶液到半导体基板403上。热SPM清洗工艺结束后，驱动装置406驱动围墙405向下移动，如图4A所示。外部分配器418进入密封室410并传送化学品、气体或清洗液到半导体基板403上。超声波或兆声波装置419进入密封室410，运用超声波或兆声波清洗半导体基板403，如图4B所示。如果外部分配器418被用来传送IPA(异丙醇)到半导体基板403上时，在外部分配器418进入密封室410之前，较佳的，使密封室410的温度冷却下来，避免高温引起异丙醇燃烧爆炸。因为热SPM清洗是被隔离的，不仅酸雾被封闭在密封室410内，避免酸雾充满腔室401而腐蚀腔室401内的部件，而且使得IPA能够被安全使用。
在上述各种实施例中，传送到半导体基板103,403上的热SPM溶液加热半导体基板103,403。用来传送热SPM溶液到半导体基板103,403上的内部分配器111,411从半导体基板103,403的中心旋转至半导体基板103,403的边缘，与此同时，使保持半导体基板103,403的卡盘102,402旋转，因此热SPM溶液在半导体基板103，403的中心加热的区域小，散热慢。当内部分配器111,411移动到半导体基板103,403的边缘时，热SPM溶液加热的区域大于热SPM溶液在半导体基板103,403的中心加热的区域，且散热也快于半导体基板103,403的中心的散热，因此，半导体基板103,403边缘的温度低于半导体基板103,403中心的温度，这将导致半导体基板103,403边缘的清洗效果差。为了解决这一问题，卡盘102，402具有加热装置用来非均匀加热半导体基板103,403。加热装置加热半导体基板103,403边缘的程度高于加热半导体基板103,403中心的程度，使得半导体基板103,403的温度分布均匀，从而提高半导体基板103,403边缘的清洗效果。加热装置固定在卡盘102,402和半导体基板103,403之间并且不随卡盘102,402旋转。具体地，如图5所示，加热装置包括多个电加热板501。对应半导体基板103,403边缘的电加热板501的面积大于对应半导体基板103,403中心或靠近中心的电加热板501的面积。如图6所示，在另一个实施例中，加热装置是灯管601。对应半导体基板103,403边缘的灯管601的长度长于对应半导体基板103,403中心或靠近中心的灯管601的长度。如图7所示，在又一个实施例中，加热装置包括多个加热灯701。对应半导体基板103,403边缘的加热灯701的密度大于对应半导体基板103,403中心或靠近中心的加热灯701的密度。应该认识到，加热装置不限于上述所列举的例子。
综上所述，本发明在腔室101,401内构建了密封室110，410，用来传送热SPM溶液到半导体基板103,403上的内部分配器111,411设置在密封室110,410内，因此热SPM清洗工艺在密封室110,410内完成，且酸雾被密封在密封室110,410内，避免酸雾充满腔室101,401并腐蚀腔室101,401内的部件。热SPM清洗工艺结束后，位于密封室110,410外部的外部分配器118,418和/或超声波或兆声波装置119,419进入密封室110,410加工半导体基板103,403。另外，使围墙105,405向下移动，先使外部分配器118,418和/或超声波或兆声波装置119,419进入密封室110,410加工半导体基板103,403。在外部分配器118,418和/或超声波或兆声波装置119,419从密封室110,410出来后，使围墙105,405向上移动，形成密封室110,410，内部分配器111,411传送热SPM溶液到半导体基板103,403上。本发明在腔室101,401内集成了热SPM清洗及超声波或兆声波装置清洗，提高了清洗效率。此外，卡盘102,402具有非均匀加热半导体基板103,403的加热装置，这有助于半导体基板103,403边缘的清洗。此外，若外部分配器118,418被用来传送异丙醇到半导体基板103,403上时，在密封室110,410的温度冷却下来后，再使外部分配器118,418进入密封室110,410内，避免高温引起异丙醇燃烧爆炸。因为热SPM清洗是被隔离的，不仅酸雾被密封在密封室110,410内，避免了酸雾充满腔室101,401并腐蚀腔室101,401内的部件，而且使得异丙醇也能被安全使用。
综上所述，本发明通过上述实施方式及相关图式说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明，而不是用来限制本发明的，本发明的权利范围，应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种半导体基板清洗装置，其特征在于，包括：
腔室，所述腔室具有顶壁、侧壁及底壁；
卡盘，所述卡盘位于腔室内用于保持半导体基板；
液体收集器，所述液体收集器围绕着卡盘；
围墙，所述围墙围绕着液体收集器；
至少一个驱动装置，所述的至少一个驱动装置驱动围墙上下移动，其中，当所述的至少一个驱动装置驱动围墙向上移动时，由液体收集器、围墙、腔室的顶壁及腔室的底壁形成密封室；
至少一个内部分配器，所述的至少一个内部分配器位于密封室的内部；及
至少一个外部分配器，所述的至少一个外部分配器位于密封室的外部，在使围墙向下移动后，所述的至少一个外部分配器进、出密封室。
2.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括位于密封室外部的超声波或兆声波装置，在使围墙向下移动后，超声波或兆声波装置进、出密封室。
3.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述卡盘包括加热装置用来非均匀地加热半导体基板，加热装置加热半导体基板边缘的程度大于加热装置加热半导体基板中心的程度。
4.根据权利要求3所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述加热装置被固定在卡盘和半导体基板之间并且不随卡盘和半导体基板旋转。
5.根据权利要求3所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述加热装置包括多个电加热板，对应半导体基板边缘的电加热板的面积大于对应半导体基板中心或靠近中心的电加热板的面积。
6.根据权利要求3所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述加热装置是灯管，对应半导体基板边缘的灯管长度长于对应半导体基板中心或靠近中心的灯管长度。
7.根据权利要求3所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述加热装置包括多个加热灯，对应半导体基板边缘的加热灯的密度大于对应半导体基板中心或靠近中心的加热灯的密度。
8.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述内部分配器与排气管结合，该排气管连接到抽气机。
9.根据权利要求8所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述排气管的横截面是圆形，内部分配器抵靠排气管的外壁设置，或者所述排气管的横截面是半圆形，内部分配器设置在排气管的中心，或者所述排气管的横截面是圆形，内部分配器设置在排气管的内部。
10.根据权利要求8所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括旋转致动器，该旋转致动器驱动内部分配器和排气管旋转。
11.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括一对喷嘴，该对喷嘴设置在密封室内以清洗密封室。
12.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括设置在腔室底壁上的排气孔，该排气孔位于密封室内。
13.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括设置在腔室底壁上的排液孔，该排液孔位于密封室内。
14.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括风机过滤器(FFU)，该风机过滤器位于腔室的顶壁以提供清洁的空气进入密封室。
15.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述的至少一个内部分配器传送热SPM溶液到半导体基板上。
16.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括中空的护罩，该护罩固定在腔室的顶壁上，当使围墙向上移动时，围墙的上端接触护罩的底端，围墙的底端接触液体收集器的顶端，密封室由液体收集器、围墙、护罩、腔室的顶壁及腔室的底壁围成。
17.根据权利要求16所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，进一步包括设置在围墙的上端和护罩的底端之间的第一密封环，以及设置在围墙的底端和液体收集器的顶端之间的第二密封环。
18.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述的腔室的底壁设有另一排气孔和另一排液孔，该另一排气孔和另一排液孔位于密封室的外部。
19.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述的液体收集器与卡盘相对移动。
20.根据权利要求1所述的半导体基板清洗装置，其特征在于，所述的至少一个外部分配器传送异丙醇到半导体基板上。
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