CN110364471A - 保护片配设方法 - Google Patents

保护片配设方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110364471A
CN110364471A CN201910260341.5A CN201910260341A CN110364471A CN 110364471 A CN110364471 A CN 110364471A CN 201910260341 A CN201910260341 A CN 201910260341A CN 110364471 A CN110364471 A CN 110364471A
Authority
CN
China
Prior art keywords
screening glass
chip
frame
liquid resin
periphery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910260341.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110364471B (zh
Inventor
森俊
右山芳国
谷山优太
生岛充
波冈伸一
齐藤诚
河村慧美子
柿沼良典
椙浦一辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Doshika Inc
Original Assignee
Doshika Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Doshika Inc filed Critical Doshika Inc
Publication of CN110364471A publication Critical patent/CN110364471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110364471B publication Critical patent/CN110364471B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B37/1284—Application of adhesive
    • B32B37/1292—Application of adhesive selectively, e.g. in stripes, in patterns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0004—Cutting, tearing or severing, e.g. bursting; Cutter details
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Abstract

提供保护片配设方法。该方法包含：第一保护片准备工序，准备第一保护片；保护片粘贴工序，将晶片定位于框架的开口部，在外周剩余区域和框架上粘贴第一保护片；盒收纳工序，将配设于框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将晶片从盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，将晶片从第一台搬出并使第一保护片与第二保护片面对，对第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着第一保护片将晶片向液态树脂按压，利用第二、第一保护片将液态树脂推开至与晶片对应的整个面而将第一保护片粘贴于第二保护片并一体化；和切断工序，沿着晶片的外周将第一、第二保护片切断。

Description

保护片配设方法
技术领域
本发明涉及保护片配设方法，在晶片的正面上配设保护片，该晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置等分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
磨削装置大致包含：卡盘工作台，其对晶片进行吸引保持；磨削单元，其将对卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的磨削磨轮支承为能够旋转；以及进给单元，其将磨削单元进行磨削进给，该磨削装置能够将晶片精加工成期望的厚度(例如，参照专利文献1)。
另外，对在多个器件上分别形成有多个被称为凸块的突起电极的晶片的背面进行磨削的情况下，将具有粘接层(糊料层)的保护片粘贴于晶片的正面上，该粘接层的厚度能够埋设突起电极，从而防止磨削磨轮的接触压集中于突起电极从而以突起电极为起点使晶片破损。
专利文献1：日本特许第3556399号公报
但是，存在如下的问题：当在对晶片的背面进行了磨削之后将保护片从晶片的正面剥离时，粘接层的一部分会残留在突起电极上，使品质降低而导致断线等。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供保护片配设方法，即使在器件的正面上形成有多个突起电极，也能够防止由于突起电极所导致的晶片的破损，并且即使将保护片从晶片的正面剥离，粘接层也不会残留在突起电极上。
为了解决上述课题，本发明的第一方式所提供的是以下的保护片配设方法。即，保护片配设方法在晶片的正面上配设保护片，该晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该保护片配设方法包含如下的工序：第一保护片准备工序，准备第一保护片，该第一保护片具有与该器件区域对应的非粘接部和在该非粘接部的外周敷设粘接层而得的粘接部；保护片粘贴工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部，将该第一保护片的该非粘接部定位于晶片的该器件区域，并且将该粘接部定位于外周剩余区域和该框架，从而将该第一保护片粘贴在外周剩余区域和该框架上；盒收纳工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片从该盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，对该框架进行保持而将晶片从该第一台搬出，并且使该第一保护片与该第二保护片面对，对该第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着该第一保护片将晶片向该液态树脂进行按压，利用该第二保护片和该第一保护片将该液态树脂推开至与晶片对应的整个面，从而将该第一保护片粘贴于该第二保护片而进行一体化；以及切断工序，沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。
该保护片配设方法还包含如下的中心坐标提取工序：对载置于该第一台的晶片的外周进行检测而提取晶片的中心坐标，在该切断工序中，根据晶片的中心坐标而沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。优选在该液态树脂滴加工序中，在该第一保护片的与晶片的中央对应的区域也敷设液态树脂。优选在该一体化工序中，该第二台由透明体形成，隔着该第二台而照射紫外线并通过该第二保护片使该液态树脂硬化。优选在该切断工序之后，将配设有该第一保护片和该第二保护片的晶片收纳在对晶片进行收纳的盒中。
为了解决上述课题，本发明的第二方式所提供的是以下的保护片配设方法。即，保护片配设方法在晶片的正面上配设保护片，该晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该保护片配设方法包含如下的工序：准备工序，准备如下的晶片：将该晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部，并且将具有与该器件区域对应的非粘接部和在该非粘接部的外周敷设粘接层而得的粘接部的第一保护片的该非粘接部定位于晶片的该器件区域，并且将该粘接部定位于外周剩余区域和该框架，从而将该第一保护片粘贴在外周剩余区域和该框架上，该晶片借助该第一保护片而配设于该框架；第一台载置工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，对该框架进行保持而将晶片从该第一台搬出，并且使该第一保护片与该第二保护片面对，对该第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着该第一保护片将晶片向该液态树脂进行按压，利用该第二保护片和该第一保护片将该液体树脂推开至与晶片对应的整个面，从而将该第一保护片粘贴于该第二保护片而进行一体化；以及切断工序，沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。
根据本发明，虽然在器件的正面上形成有多个突起电极，由于借助第一保护片、液态树脂以及第二保护片来埋设突起电极，因此在利用磨削装置对晶片的背面进行磨削时，能够防止由于突起电极所导致的晶片的破损。另外，根据本发明，未敷设粘接层的非粘接部与器件区域接触，在未形成器件的外周剩余区域粘贴粘接部，因此即使将第一保护片从晶片的正面剥离，粘接层也不会残留在突起电极上，能够解决使器件的品质降低而导致断线等问题。
附图说明
图1的(a)是晶片、框架以及真空台的立体图，图1的(b)是示出将晶片和框架载置于真空台的状态的立体图。
图2是第一保护片的立体图。
图3是示出在外周剩余区域和框架上粘贴有第一保护片的状态的立体图。
图4是示出通过辊来按压第一保护片的状态的立体图。
图5是示出将第一保护片切断的状态的立体图。
图6是示出实施盒收纳工序的状态的立体图。
图7是示出实施第一台载置工序的状态的立体图。
图8是示出中心坐标提取工序的状态的立体图。
图9是示出实施敷设工序的状态的立体图。
图10是示出实施液态树脂滴加工序的状态的立体图。
图11的(a)是示出使第一保护片与第二保护片面对的状态的立体图，图11的(b)是示出实施一体化工序的状态的立体图。
图12是示出晶片、第一保护片、第二保护片以及液态树脂进行了一体化的状态的剖视图。
图13是示出实施切断工序的状态的立体图。
图14是示出将配设有保护片的晶片收纳在盒中的状态的立体图。
标号说明
2：晶片；2a：晶片的正面；2b：晶片的背面；6：器件；8：器件区域；10：外周剩余区域；14：第一保护片；14a：非粘接部；14b：粘接部；18：框架；18a：开口部；30：盒；32：第一台；38：第二台；40：第二保护片；44：液态树脂；54：盒。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的保护片配设方法的实施方式进行说明。
在图1中示出要通过本发明的保护片配设方法来配设保护片的晶片2。圆盘状的晶片2的正面2a由格子状的分割预定线4划分成多个矩形区域，在多个矩形区域分别形成有IC、LSI等器件6。如图1所示，在晶片2的正面2a上存在形成有多个器件6的器件区域8和围绕器件区域8的未形成器件6的外周剩余区域10。另外，如在图1中将器件6的一部分放大而示出，在器件6的正面上形成有多个被称为凸块的突起电极12。另外，在将分割得到的器件6安装于印刷基板时各突起电极12与印刷基板上的电极连接。
在图示的实施方式中，首先实施第一保护片准备工序，准备第一保护片，该第一保护片具有与器件区域8对应的非粘接部和在非粘接部的外周敷设粘接层而得的粘接部。图2中标号14所示的圆形片是在第一保护片准备工序中所准备的第一保护片的一例，第一保护片14具有与器件区域8对应的圆形的非粘接部14a和在非粘接部14a的外周敷设粘接层而得的环状的粘接部14b(阴影所示的部分)。参照图1和图2进行说明，未敷设粘接层的非粘接部14a的直径L3大于器件区域8的直径L1且小于晶片2的直径L2(L2＞L3＞L1)。
在实施了第一保护片准备工序之后实施保护片粘贴工序，将晶片2定位于具有对晶片2进行收纳的开口部的框架的开口部，将第一保护片14的非粘接部14a定位于晶片2的器件区域8，并且将第一保护片14的粘接部14b定位于外周剩余区域10和框架，在外周剩余区域10和框架上粘贴第一保护片14。在保护片粘贴工序中，首先如图1所示，在正面2a朝上的状态下将晶片2定位于具有对晶片2进行收纳的开口部18a的环状框架18的开口部18a，并且将晶片2和框架18载置于圆形的真空台20。在该真空台20的上端部分设置有与吸引单元(未图示)连接的多孔质的圆形的真空部22。
接着，如图3所示，将非粘接部14a定位于器件区域8，并且将粘接部14b定位于外周剩余区域10和框架18，在外周剩余区域10和框架18上粘贴第一保护片14。另外，在图3中，为了便于说明，用双点划线表示第一保护片14，从而看得到位于第一保护片14的下方的晶片2和框架18的内周缘部。如上所述，非粘接部14a的直径L3大于器件区域8的直径L1且小于晶片2的直径L2(L2＞L3＞L1)，因此当在晶片2和框架18上粘贴第一保护片14时，未敷设粘接层的非粘接部14a与器件区域8接触，粘接部14b粘贴在未形成器件6的外周剩余区域10，因此粘接层不会与器件6的突起电极12接触。
接着，利用吸引单元在真空部22的上表面上生成吸引力，通过真空台20对晶片2、框架18以及第一保护片14进行吸引保持。如图3所示，第一保护片14的直径(粘接部14b的外径)大于真空部22的直径，因此当使吸引单元进行动作时，能够在真空部22的上表面上生成规定的吸引力。接着，如图4所示，利用辊24对第一保护片14进行按压，从而使晶片2和第一保护片14紧贴。另外，在利用辊24对第一保护片14进行按压时，可以对第一保护片14进行加热而使其软化，从而提高晶片2与第一保护片14的紧贴度。接着，如图5所示，通过具有旋转自如的圆形刃的切割器等的适当的切断工具26，将位于框架18上的第一保护片14切断，将位于比圆周状切断线28靠外侧的位置的第一保护片14的环状外侧部分去除。这样，实施保护片粘贴工序。
在实施了保护片粘贴工序之后实施盒收纳工序，如图6所示，将借助第一保护片14而配设于框架18的晶片2收纳在盒30中。在盒收纳工序中，使晶片2的背面2b朝上(即，使第一保护片14朝下)而将多个晶片2收纳在盒30内。并且，将收纳有晶片2的盒30搬送至后续工序实施位置。
在实施了盒收纳工序之后实施第一台载置工序，如图7所示，将借助第一保护片14而配设于框架18的晶片2从盒30中搬出而载置于第一台32。图示的实施方式中的圆形状的第一台32根据来自控制单元(未图示)的控制信号进行旋转。另外，在上述控制单元的存储部中预先存储有框架18的尺寸、第一台32的中心坐标等。并且，在第一台载置工序中，在使背面2b朝上的状态下将晶片2载置于第一台32，以便第一台32和框架18的位置关系成为规定的位置关系。
在图示的实施方式中，在实施了第一台载置工序之后实施中心坐标提取工序，对载置于第一台32的晶片2的外周进行检测而提取晶片2的中心坐标。如图8所示，一边使第一台32间歇地旋转，一边利用定位于晶片2的上方的拍摄单元34对晶片2的外周上的3个点(例如在图8中标号36a、36b、36c所示的3个点)进行拍摄。该拍摄单元34与上述控制单元电连接，拍摄单元34所拍摄的图像被输入至上述控制单元。并且，上述控制单元根据拍摄单元34所拍摄的图像，求出3个点的坐标位置，接着根据3个点的坐标计算出晶片2的中心坐标。如上所述，框架18的尺寸、第一台32的中心坐标是已知的，并且第一台32和框架18的位置关系处于规定的位置关系，因此在控制单元中，根据计算出的晶片2的中心坐标，也能够计算出框架18的中心位置与晶片2的中心位置的关系。另外，也可以在即将进行后述的切断工序之前实施中心坐标提取工序。
在第一台载置工序、中心坐标提取工序之前或之后、或者与第一台载置工序、中心坐标提取工序并行地如图9所示那样实施敷设工序，在第二台38上敷设不具有粘接层的第二保护片40。在图示的实施方式中，第二台38由透明体(例如玻璃)形成，在第二台38的下方配置有紫外线照射装置42。
在实施了敷设工序之后实施液态树脂滴加工序，如图10所示，对框架18进行保持而将晶片2从第一台32搬出，并且使第一保护片14与第二保护片40面对，对第二保护片40的与晶片2的中央对应的区域滴加液态树脂44(例如紫外线硬化树脂)。在液态树脂滴加工序中，优选在第一保护片14的与晶片2的中央对应的区域也敷设液态树脂44’(与滴加至第二保护片40的树脂相同的树脂)。由此，当在下述一体化工序中将液态树脂44推开时，第一保护片14的液态树脂44’和第二保护片40的液态树脂44结合，从而能够防止在液态树脂44的内部产生气泡。
在实施了液态树脂滴加工序之后实施一体化工序，如图11所示，隔着第一保护片14将晶片2向液态树脂44进行按压，利用第二保护片40和第一保护片14将液态树脂44推开至与晶片2对应的整个面，从而将第一保护片14粘贴于第二保护片40而进行一体化。在一体化工序中，当对晶片2进行按压时，利用具有按压面的冲压装置(未图示)等同时对晶片2的整个背面2b进行按压，该按压面的面积比晶片2的面积大，从而使晶片2的背面2b与第二保护片40平行。另外，在使用紫外线硬化树脂作为液态树脂44的情况下，从紫外线照射装置42隔着第二台38照射紫外线并通过第二保护片40而使液态树脂44硬化。由此，借助第一保护片14而配设于框架18的晶片2与第二保护片40借助液态树脂44而进行一体化。并且，当第一保护片14、液态树脂44以及第二保护片40呈层状配设于晶片2的正面2a时，如图12所示，借助第一保护片14、液态树脂44以及第二保护片40而埋设突起电极12。
在实施了一体化工序之后实施切断工序，沿着晶片2的外周将第一保护片14和第二保护片40切断。切断工序例如可以将晶片2载置于图13所示的卡盘工作台46来进行。卡盘工作台46的直径小于晶片2的直径L2，在卡盘工作台46的上端部分设置有与吸引单元(未图示)连接的多孔质的圆形的吸附卡盘48。另外，卡盘工作台46构成为旋转自如。
在切断工序中，首先使卡盘工作台46的旋转中心与晶片2的中心一致，在使晶片2的背面2b朝上的状态下，对框架18进行保持而将晶片2载置于卡盘工作台46。在图示的实施方式中，在上述控制单元的存储部中还预先存储有卡盘工作台46的中心坐标，在对框架18进行保持而将晶片2载置于卡盘工作台46时，根据在中心坐标提取工序中计算出的晶片2的中心位置和框架18的中心位置的关系，使卡盘工作台46的旋转中心与晶片2的中心一致。接着，将切断工具的切刃50定位于晶片2的外周上方。接着，使卡盘工作台46旋转，并且使定位于晶片2的外周上方的切刃50下降，从而沿着晶片2的外周将第一保护片14和第二保护片40切断。这样，在图示的实施方式中，根据通过中心坐标提取工序而提取的晶片2的中心坐标，沿着晶片2的外周将第一保护片14和第二保护片40切断。并且，在实施了切断工序之后，将配设有第一保护片14和第二保护片40的晶片2收纳在能够收纳多张晶片2的盒54中，并将盒54搬送至对晶片2的背面2b进行磨削的磨削装置中。
如上所述，在图示的实施方式中，虽然在器件6的正面上形成有多个突起电极12，由于借助第一保护片14、液态树脂44以及第二保护片40来埋设突起电极12，因此在利用磨削装置对晶片2的背面2b进行磨削时，能够防止由于突起电极12所导致的晶片2的破损。另外，在图示的实施方式中，未敷设粘接层的非粘接部14a与器件区域8接触，在未形成器件6的外周剩余区域10粘贴粘接部14b，因此即使将第一保护片14从晶片2的正面2a剥离，粘接层也不会残留在突起电极12上，能够解决使器件6的品质降低而导致断线等问题。
另外，在图示的实施方式中，对包含第一保护片准备工序、保护片粘贴工序以及盒收纳工序的例子进行了说明，但本发明的保护片配设方法也可以不包含这些工序。即，在实施本发明的保护片配设方法时，也可以首先从准备借助第一保护片14而配设在框架18上的晶片2(参照图6)的准备工序开始。对在准备工序中所准备的晶片2进行详细叙述，将晶片2定位于具有对晶片2进行收纳的开口部18a的框架18的开口部18a，且将具有与器件区域8对应的非粘接部14a和在非粘接部14a的外周敷设粘接层而得的粘接部14b的第一保护片14的非粘接部14a定位于晶片2的器件区域8，并且将粘接部14b定位于外周剩余区域10和框架18，在外周剩余区域10和框架18上粘贴第一保护片14，从而该晶片2借助第一保护片14而配设于框架18。并且，在实施了准备工序之后实施第一台载置工序，将借助第一保护片14而配设于框架18的晶片2载置于第一台32上。在实施了该第一台载置工序之后，与上述实施方式同样地，至少实施敷设工序、液态树脂滴加工序、一体化工序以及切断工序。

Claims (6)

1.一种保护片配设方法，在晶片的正面上配设保护片，该晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，
该保护片配设方法包含如下的工序：
第一保护片准备工序，准备第一保护片，该第一保护片具有与该器件区域对应的非粘接部和在该非粘接部的外周敷设粘接层而得的粘接部；
保护片粘贴工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部，将该第一保护片的该非粘接部定位于晶片的该器件区域，并且将该粘接部定位于外周剩余区域和该框架，从而将该第一保护片粘贴在外周剩余区域和该框架上；
盒收纳工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片收纳在盒中；
第一台载置工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片从该盒中搬出而载置于第一台上；
敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；
液态树脂滴加工序，对该框架进行保持而将晶片从该第一台搬出，并且使该第一保护片与该第二保护片面对，对该第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；
一体化工序，隔着该第一保护片将晶片向该液态树脂进行按压，利用该第二保护片和该第一保护片将该液态树脂推开至与晶片对应的整个面，从而将该第一保护片粘贴于该第二保护片而进行一体化；以及
切断工序，沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。
2.根据权利要求1所述的保护片配设方法，其中，
该保护片配设方法还包含如下的中心坐标提取工序：对载置于该第一台的晶片的外周进行检测而提取晶片的中心坐标，
在该切断工序中，根据晶片的中心坐标而沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。
3.根据权利要求1所述的保护片配设方法，其中，
在该液态树脂滴加工序中，在该第一保护片的与晶片的中央对应的区域也敷设液态树脂。
4.根据权利要求1所述的保护片配设方法，其中，
在该一体化工序中，该第二台由透明体形成，隔着该第二台而照射紫外线并穿过该第二保护片使该液态树脂硬化。
5.根据权利要求1所述的保护片配设方法，其中，
在该切断工序之后，将配设有该第一保护片和该第二保护片的晶片收纳在对晶片进行收纳的盒中。
6.一种保护片配设方法，在晶片的正面上配设保护片，该晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，
该保护片配设方法包含如下的工序：
准备工序，准备如下的晶片：将该晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口部的框架的该开口部，并将具有与该器件区域对应的非粘接部和在该非粘接部的外周敷设粘接层而得的粘接部的第一保护片的该非粘接部定位于晶片的该器件区域，并且将该粘接部定位于外周剩余区域和该框架，从而将该第一保护片粘贴在外周剩余区域和该框架上，该晶片借助该第一保护片而配设于该框架；
第一台载置工序，将借助该第一保护片而配设于该框架的晶片载置于第一台上；
敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；
液态树脂滴加工序，对该框架进行保持而将晶片从该第一台搬出，并且使该第一保护片与该第二保护片面对，对该第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；
一体化工序，隔着该第一保护片将晶片向该液态树脂进行按压，利用该第二保护片和该第一保护片将该液体树脂推开至与晶片对应的整个面，从而将该第一保护片粘贴于该第二保护片而进行一体化；以及
切断工序，沿着晶片的外周将该第一保护片和该第二保护片切断。
CN201910260341.5A 2018-04-09 2019-04-02 保护片配设方法 Active CN110364471B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-074505 2018-04-09
JP2018074505A JP7034809B2 (ja) 2018-04-09 2018-04-09 保護シート配設方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110364471A true CN110364471A (zh) 2019-10-22
CN110364471B CN110364471B (zh) 2024-02-02

Family

ID=67992030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910260341.5A Active CN110364471B (zh) 2018-04-09 2019-04-02 保护片配设方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11298928B2 (zh)
JP (1) JP7034809B2 (zh)
KR (1) KR102641767B1 (zh)
CN (1) CN110364471B (zh)
DE (1) DE102019205063B4 (zh)
TW (1) TWI800635B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7430515B2 (ja) * 2019-11-06 2024-02-13 株式会社ディスコ ウエーハの処理方法
JP7408442B2 (ja) 2020-03-11 2024-01-05 株式会社ディスコ 検査方法
JP2021186893A (ja) * 2020-05-26 2021-12-13 株式会社ディスコ 透明部材又は半透明部材を貼り合わせた貼り合わせワークの研削方法、及び貼り合わせワークの研削装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010023691A1 (en) * 2000-03-15 2001-09-27 Disco Corporation Machining apparatus capable of saving different fluids in machining
CN101770936A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 株式会社迪思科 树脂覆盖方法和树脂覆盖装置
CN106486408A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 株式会社迪思科 处理晶片的方法
WO2017036512A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE334531B (zh) 1969-06-09 1971-04-26 Husqvarna Vapenfabriks Ab
JPS5320058B2 (zh) * 1974-03-25 1978-06-24
US4169281A (en) 1978-06-26 1979-09-25 Gte Sylvania Incorporated Multilamp photoflash unit with electrostatic protection
JPH0224848A (ja) * 1988-07-14 1990-01-26 Canon Inc 光記録媒体用基板の製造方法
JP3556399B2 (ja) 1996-07-29 2004-08-18 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの研磨方法
JP4974639B2 (ja) * 2006-10-20 2012-07-11 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法およびこれを用いた装置
JP2009188010A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Lintec Corp 脆質部材用支持体および脆質部材の処理方法
JP5415732B2 (ja) * 2008-09-17 2014-02-12 リンテック株式会社 表面保護用シート
JP5455443B2 (ja) * 2009-05-28 2014-03-26 リンテック株式会社 ウェハ加工用シート
JP2011060898A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Disco Abrasive Syst Ltd ワーク収納カセット
JP5486405B2 (ja) * 2010-05-27 2014-05-07 株式会社ディスコ ウェーハの中心位置検出方法
JP2013089845A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハカセット
JP6045817B2 (ja) * 2012-05-28 2016-12-14 株式会社ディスコ 貼着方法
JP2013258364A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の貼着方法
US9768089B2 (en) * 2013-03-13 2017-09-19 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Wafer stack protection seal
JP6215059B2 (ja) * 2014-01-10 2017-10-18 株式会社ディスコ マーク検出方法
CN111785673A (zh) * 2014-01-22 2020-10-16 琳得科株式会社 保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及加工物的制造方法
US9159621B1 (en) * 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
JP6385131B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9390993B2 (en) * 2014-08-15 2016-07-12 Broadcom Corporation Semiconductor border protection sealant
JP6475519B2 (ja) * 2015-03-10 2019-02-27 株式会社ディスコ 保護部材の形成方法
JP6479517B2 (ja) * 2015-03-17 2019-03-06 株式会社ディスコ 保護部材の形成方法
JP2017079291A (ja) * 2015-10-21 2017-04-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010023691A1 (en) * 2000-03-15 2001-09-27 Disco Corporation Machining apparatus capable of saving different fluids in machining
CN101770936A (zh) * 2008-12-26 2010-07-07 株式会社迪思科 树脂覆盖方法和树脂覆盖装置
CN106486408A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 株式会社迪思科 处理晶片的方法
WO2017036512A1 (en) * 2015-08-31 2017-03-09 Karl Heinz Priewasser Method of processing wafer and protective sheeting for use in this method

Also Published As

Publication number Publication date
CN110364471B (zh) 2024-02-02
JP2019186355A (ja) 2019-10-24
TWI800635B (zh) 2023-05-01
DE102019205063A1 (de) 2019-10-10
US20190308399A1 (en) 2019-10-10
JP7034809B2 (ja) 2022-03-14
DE102019205063B4 (de) 2023-03-02
KR102641767B1 (ko) 2024-02-27
KR20190118124A (ko) 2019-10-17
US11298928B2 (en) 2022-04-12
TW201944484A (zh) 2019-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101866881B (zh) 光器件晶片的加工方法
CN110364471A (zh) 保护片配设方法
JP2007036143A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
TW201820437A (zh) 晶圓的加工方法
CN111463162A (zh) 载体板的去除方法
JP2014007217A (ja) ウェーハの加工方法
TW201533787A (zh) 分割裝置
KR20150070941A (ko) 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
CN110828362A (zh) 载板的去除方法
JP7175628B2 (ja) チャックテーブル
JP2014013807A (ja) ウエーハの加工方法
CN104282581B (zh) 树脂片粘贴方法
KR20170122662A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2014011381A (ja) ウエーハの加工方法
CN112435950A (zh) 载体板的去除方法
KR20230036520A (ko) 웨이퍼의 트랜스퍼 방법
CN107309555B (zh) 晶片的加工方法
JP2018064121A (ja) 半導体の製造方法及び半導体製造装置
KR20230036040A (ko) 웨이퍼의 트랜스퍼 방법
CN116960023A (zh) 框架单元的处理方法
JP2016181654A (ja) ウエーハの加工方法
JP2019192826A (ja) チャックテーブルおよびこのチャックテーブルの製造方法
JP2023152325A (ja) マスクの形成方法
CN104108063A (zh) 片材
JP2019192777A (ja) チャックテーブルおよびこのチャックテーブルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant