CN110313063A - 布线基板、电子装置用封装体以及电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种布线基板等，该布线基板具备：绝缘基板，其具有包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的第一表面部；以及金属化层，其含有锰化合物和钼化合物中的至少一者，并包含与绝缘基板的第一表面部相接的第二表面部，金属化层的第二表面部和绝缘基板的第一表面部含有硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者。

Description

布线基板、电子装置用封装体以及电子装置
技术领域
本发明涉及布线基板、电子装置用封装体以及电子装置，该布线基板包含由陶瓷材料构成的绝缘基板、以及与绝缘基板接合的金属化层。
背景技术
作为在电子部件的搭载用等中使用的基板，已知有包含由氧化铝质烧结体等绝缘材料构成的绝缘基板、以及在绝缘基板的表面设置的金属化层的基板。金属化层作为用于供电子部件与外部电路电连接的导电通路发挥功能。此外，有时，为了提高从电子部件向外部的放热性等，将金属制的构件接合到金属化层。
在基板上安装有电子部件的电子装置，在智能手机和平板电脑等电子设备中被用作部件。在这样的电子装置中，不断进行高密度化和高频率化。此外，随着小型化，也不断要求机械强度的提高。针对这样的要求，提供了一种将包含氧化铝并添加镁化合物等作为烧结助剂而得的材料用作绝缘基板的技术(参照专利文件1、2)。
发明内容
本发明的一种方式的金属化基板，具备：具有包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的第一表面部的绝缘基板；以及含有锰化合物和钼化合物中的至少一者，并包含与所述绝缘基板的所述第一表面部相接的第二表面部的金属化层。该金属化层的所述第二表面部和所述绝缘基板的所述第一表面部含有硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者。
本发明的一种方式的电子装置用封装体，具备：上述结构的布线基板和具有凹部的金属壳体。在金属壳体的凹部的内表面经由所述金属化层接合有所述绝缘基板。
本发明的一种方式的电子装置，具备：上述结构的电子装置用封装体、以及在所述金属壳体的凹部内收纳的电子部件。
附图说明
图1中的(a)是表示本发明的实施方式的布线基板的一例的俯视图，(b)是(a)的A-A线处的截面图。
图2是表示本发明的实施方式的电子装置用封装体的一例的截面图。
图3是表示本发明的实施方式的电子装置的一例的截面图。
图4是扩大地表示图1的B部分的截面图。
图5是扩大地表示图2的C部分的截面图。
具体实施方式
参照附图来说明本发明的实施方式的布线基板、电子装置用封装体以及电子装置。此外，以下说明中的上下区分是为了说明上的便利，实际上并不对使用布线基板、电子装置用封装体或电子装置时的上下进行限定。
图1中的(a)是表示本发明的实施方式的布线基板的一例的俯视图，图1中的(b)是图1中的(a)的A-A线处的截面图。图2是表示本发明的实施方式的电子装置用封装体的一例的截面图。图3是表示本发明的实施方式的电子装置的一例的截面图。图4是扩大地表示图1所示的布线基板的B部分的截面图。此外，图1中的(a)虽然不是截面图，但是，为了易于识别，对一部分实施了剖面线处理。此外，对未包含于布线基板但是包含于电子装置用封装体或电子装置中的要素的一部分利用虚线来表示。
通过绝缘基板1、以及与绝缘基板1相接的金属化层2，基本上构成了实施方式的布线基板10。此外，实施方式的电子装置用封装体20具有实施方式的布线基板10、以及具有凹部12的金属壳体11，绝缘基板1经由金属化层2与该凹部12的内表面接合，基本上构成了实施方式的电子装置用封装体20。此外，通过实施方式的电子装置20、以及收纳于金属壳体11的凹部12内的电子部件21，基本上构成了实施方式的电子装置30。所收纳的电子部件21例如经由金属化层2的一部分与外部电连接。以下，说明布线基板10、电子装置用封装体20以及电子装置30的详情。
(布线基板)
构成布线基板10的绝缘基板1例如在俯视图中是矩形的板状构件，具有上表面、下表面以及侧面。绝缘基板1例如作为用于配置多个金属化层2的基体而发挥功能。
该绝缘基板1，具有包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的第一表面部1a。布线基板10中的第一表面部1a是绝缘基板1的表面中的与金属化层2相接的部分。在该实施方式的布线基板10中，金属化层2与绝缘基板1的下表面和侧面相接。即，绝缘基板1的下表面和侧面的与金属化层2接合的部分是第一表面部1a。
此外，对于绝缘基板1，其整体可以由包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的陶瓷烧结体构成。这种情况下，也可以将由铝质烧结体和莫来石质烧结体构成的多个绝缘层(未图示)进行层积来形成绝缘基板1。
这样的绝缘基板1例如能够如以下这样来制作。即，将氧化铝和莫来石的原料粉末与合适的添加剂、有机粘合剂以及有机溶剂一起进行混揉来制作浆料。通过刮刀法等方法将该浆料成型为薄片状，来制作方形薄片状的多个陶瓷生片(green sheet)。接下来，将这些陶瓷生片进行层积来制作层积体。之后，通过将该层积体在1300～1600℃的温度下进行烧成，能够制作绝缘基板1。作为上述的添加剂，能够使用二氧化硅(硅氧化物)、氧化锰、氧化钼、以及碳酸镁等。
可以仅绝缘基板1的下表面是具有与金属化层2相接的第一表面部1a的面。这种情况下，可以将形成绝缘基板1的多个绝缘层中的至少最下层设为包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的绝缘层。其他的绝缘层可以由例如氧化铝质烧结体构成。通过利用例如焊料或玻璃等接合材料的接合法，能够使包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的绝缘层与其他绝缘层彼此接合(该方式未图示)。
金属化层2作为用于对例如后述的各种金属构件进行接合的钎焊用的金属层发挥功能。此外，如前述那样，金属化层2还能够作为使电子部件21与外部的电路电连接的导电通路发挥功能。在图1和以下参照的各图中，将作为导电通路的金属化层2表示为其他的金属化层2L。其他的金属化层2L也在绝缘基板1的表面上与第一表面部1a相接。
在实施方式的布线基板10中，金属化层2与绝缘基板1的下表面和侧面相接并进行接合。该金属化层2含有锰化合物与钼化合物中的至少一者、以及二氧化硅。锰化合物和钼化合物例如是锰和钼各自的氧化物、或硅酸盐(silicate)等。
此外，金属化层2包含与绝缘基板1的第一表面部1a相接的第二表面部2a。换言之，金属化层2的表面中的与绝缘基板1的下表面和侧面等的第一表面部1a相接的面是第二表面部2a。
对于金属化层2，其整体可以由含有钼和锰的金属材料的烧结体构成。金属化层2中，除了钼和锰以外，还可以含有由用于调整与绝缘基板1(陶瓷生片)的烧结行为等的无机物(陶瓷或玻璃等)构成的填料粒子。
此外，在实施方式的布线基板10中，在金属化层2的第二表面部2a中含有二氧化硅、氧化锰、以及氧化镁这样的氧化物。金属化层2中含有的上述氧化物如前述那样也包含在绝缘基板1的第一表面部1a中。通过这些氧化物彼此间的结合，能够提高金属化层2对绝缘基板1的接合的强度。
为了获得这样的效果，对于金属化层2，至少在第二表面部2a中的二氧化硅、氧化锰、以及氧化镁的合计含有率可以是1～20质量％。
金属化层2的第二表面部2a和绝缘基板1的第一表面部1a，含有硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者3。以下，有时将硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者3仅简称为硅酸盐相3。此外，关于以下说明中的基于硅酸盐相3的效果，无论是硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者，还是二者，均能够同样地获得。
此外，绝缘基板1在除了第一表面部1a以外的部分也可以含有硅酸锰相和硅酸镁相。此外，绝缘基板1还可以含有锰、镁、以及二氧化硅中的至少一种。在绝缘基板1的例如整体进一步含有这样的成分的情况下，能够降低氧化铝和莫来石的结晶化的发展，使其致密化。由此，能够提高绝缘基板1的机械强度。
图4是将包含该第一表面部1a和第二区域2a的部分扩大的截面图。硅酸盐相3是无定形的，图4中示意性示出了其一例。在图4中，在绝缘基板1和金属化层2之间的边界线K与上侧的假想线(二点划线)之间，是第一表面部1a，在绝缘基板1和金属化层2之间的边界线K与下侧的假想线(二点划线)之间，是第二表面部2a。相比于其他部分，在第一表面部1a和第二表面部2a中分散地包含有更多的硅酸盐相。
在实施方式的布线基板10中，在金属化层2与绝缘基板1的界面处，在互相接合的金属化层2的第二表面部2a和绝缘基板1的第一表面部1a这二者中包含的硅酸盐相3彼此稳固地相互接合。因此，能够有效地提高金属化层2对绝缘基板1的连接可靠性。此外，配置金属化层2的部分(第一表面部1a)含有与氧化铝质烧结体等相比介电常数更小的莫来石质烧结体。因此，能够提高当在金属化层2中传输高频信号时的传输速度。
因此，金属化层2与绝缘基板1的接合强度高，并有效地提高了二者的连接可靠性。当经由这样的金属化层2将金属壳体11等金属构件接合到绝缘基板1时，能够有效地提高金属壳体11与绝缘基板1的连接可靠性。
硅酸盐相3例如是图4所示那样的不规则形状的粒子，是硅酸锰或硅酸镁的多晶体。这些硅酸盐相3粒子具有包含复杂弯曲的凹凸的表面。这种情况下，增大硅酸盐相的与金属化层2和绝缘基板1相对的接合面积是容易的。此外，金属化层2和绝缘基板1与硅酸盐相3之间的接合界面容易相对于与金属化层2和绝缘基板1之间的界面平行的方向而变得倾斜(包括垂直)。因此，对因与金属化层2和绝缘基板1之间的界面平行的方向上作用的应力导致的金属化层2的剥离进行抑制的效果也比较大。
对于第一表面部1a和第二表面部2a中的硅酸盐相3的存在比例，例如作为图4所示那样的截面的观察中的面积的比例，可以是约10～40体积％。通过如上述利用扫描电子显微镜(SEM)等观察金属化层2与绝缘基板1的接合界面，并且进行基于XDR法的硅酸盐相的元素分析，能够测定该存在比例。
硅酸盐相3不限于图4所示那样的不规则形状，也可以是球状、椭圆球状、或者球状等且在表面的一部分具有凹凸的形状。此外，可以包含多种形状的硅酸盐相3。关于硅酸盐相3(粒子)的粒径，可以是多个粒子彼此间互相不同的粒径，也可以是粒径统一到相同程度的情况。对于不规则形状的硅酸盐相3的粒径，能够例如作为截面处最大的直径(差し渡し)距离来求取。
例如能够如下述来形成上述那样的金属化层2。首先，通过前述那样的方法，制作包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的绝缘基板1。设绝缘基板1的下表面和侧面包含第一表面部1a，来进行以下工序。
接下来，通过丝网印刷法等方法将金属化层2用的金属糊料在绝缘基板1的下表面和侧面涂布成预定图案。例如，在以钼和锰各自的粉末为主要原料的原料粉末中添加合适的有机溶剂、粘合剂，并利用碾磨机等对这些进行混揉，由此，能够制作金属糊料。该金属糊料中添加了二氧化硅(硅氧化物)、氧化锰、氧化钼、以及氧化镁等与在陶瓷生片中添加的材料相同的材料。
接下来，将以预定图案涂布金属糊料而得的绝缘基板1在约1100～1400℃左右的温度下进行烧成(所谓的后烧成)。由此，金属糊料与绝缘基板1经由二氧化硅等玻璃质而相互接合。通过以上工序，能够在绝缘基板1上形成金属化层2。
在上述烧成时，在金属糊料与绝缘基板1之间的界面部分发生氧化锰和氧化镁与二氧化硅之间的反应，生成硅酸锰和硅酸镁。例如，如果金属糊料中未添加镁，则在金属糊料侧仅生成氧化锰。这种情况下，如果绝缘基板1中含有(如果已添加)氧化镁，也能够在金属化层2与绝缘基板1的接合界面部分生成氧化镁。
此外，在图1所示的例中，示出了对与绝缘基板1的下表面的第一表面部1a相接的金属化层2接合了金属构件的状态。该金属构件是后述的电子装置用封装体20中包含的金属壳体11的一部分，是该金属壳体11的底部11A。以下说明其详情。此外，在该例中，金属化层2与金属壳体11经由焊料4而接合。焊料4例如是银焊料(JIS标准的BAg8等)
(电子装置用封装体)
如前述，通过实施方式的布线基板10、以及具有凹部11a的金属壳体11，构成了实施方式的电子装置用封装体20。绝缘基板1经由金属化层2接合到金属壳体11的凹部11a的内表面。
在该实施方式的例子中，例如如图2所示那样，金属制的平板状构件即底部11A与金属制的框架状构件即框架部11B接合，形成了金属壳体11。由底部11A的上表面与框架部11B的内侧面围起来的区域构成了用于收纳布线基板10和电子部件21的容器的一部分。
此外，金属壳体11还可以由底部和框架部一体式地形成(未图示)。在一体式的金属壳体的情况下，不存在底部11A与框架部11B的接合界面，因而在提高对凹部12内进行气密密封时的气密性方面是有利的。此外，由于底部11A与框架部11B的接合工序是不需要的，因此对于电子装置用封装体20的生产性的提高也是有利的。
金属壳体11例如通过铜、含有铜的合金材料、铁-镍合金、铁-镍-钴合金、或者不锈钢等金属材料而形成。能够通过对上述的金属材料适当选择地实施压延、切割、研磨、磨削、以及蚀刻等金属加工，来制作金属壳体11。此外，能够通过例如经由银焊料等焊料的接合等各种接合法，使底部11A与框架部11B相互接合。
此外，在该实施方式的例子中，在框架部11B的一部分，设置有贯通框架的内外(从内侧面到外侧面贯通)的贯通部13A、13B。贯通部13A、13B例如作为用于在凹部12的内侧与外侧之间使用于电连接或光连接等的连接构件通过的开口部而发挥功能。在图2所示的例中，布线基板10的一部分经由在框架部11的一部分中设置的贯通部13A，从凹部12的内侧向外侧伸出。经由位于该伸出的部分(无符号)的金属化层2，能够进行电子部件21与外部的电路的电连接。
设置于框架部11B的另外的一部分的贯通部13B例如能够作为配置光波导通路等光连接构件(未图示)的部分而发挥功能。这种情况下，在贯通部11B中配置光波导通路，以便贯通框架部11B。经由光波导通路，能够进行电子部件与外部的光学装置(未图示)的光连接。
在图2所示的例中，绝缘基板1的下表面和侧面具有与金属化层2相接的第一表面部1a。绝缘基板1的下表面经由金属化层2接合到凹部11a的底面。此外，在俯视图中，在长方形的凹部12的长边侧的两个内侧面的每一个，经由金属化层2接合有绝缘基板1的侧面。
根据这样的电子装置用封装体20，由于包含上述结构的布线基板10，因此，经由金属化层2的金属壳体11与绝缘基板1的接合强度高。因此，能够提供一种容易制作长期可靠性高的电子装置30的电子装置用封装体20。
(电子装置)
如前述，例如，在上述结构的电子装置用封装体20的凹部12内收纳电子部件21，来形成实施方式的电子装置30。电子部件21例如经由接合线22等导电性连接材与金属化层2电连接。此外，在图3所示的例中，盖体23接合到金属壳体11的框架部11B的上表面，并堵住凹部12。由此，通过金属壳体11的凹部12以及盖体23，构成了对电子部件21进行气密密封的容器(无符号)。
盖体23例如在俯视图中是方形的平板状，通过包含与金属壳体11同样的金属材料的材料来制作。关于盖体23，能够使用与金属壳体11同样的金属材料，并通过同样的金属加工来制作。通过例如利用低熔点焊料的接合法或焊接法等各种接合法，能够将盖体23接合到金属壳体11的框架部11B上表面。
根据这样的电子装置30，由于包含上述结构的布线基板10，因此，经由金属化层2的金属壳体11与绝缘基板1的接合强度高。因此，能够作为长期可靠性高的电子装置30。
电子部件21可以经由固定件(mount)24搭载于金属壳体11(底部11A的上表面)。固定件24例如是为了缓和电子部件21与金属壳体11之间的热膨胀率的差，降低热应力而配置的。
在实施方式的布线基板10、包含其的电子装置用封装体20、以及电子装置30中，如前述，金属化层2含有包含锰化合物和钼化合物中的至少一者、以及二氧化硅的添加物。锰化合物和钼化合物也包含在金属化层2的第二表面部2a中。此外，在实施方式的布线基板10、包含其的电子装置用封装体20、以及电子装置30中，绝缘基板1中也可以含有包含锰化合物和钼化合物中的至少一者、以及二氧化硅的添加物。以下，将包含锰化合物和钼化合物中的至少一者、以及二氧化硅的物质也简称为添加物。
这样的情况下，对于绝缘基板1和金属化层2中的添加物的含有率，相比于绝缘基板1的其他部分，在第一表面部1a中可以更高。此外，相比于金属化层2的其他部分，在第二表面部2a中可以更高。
在与绝缘基板1的其他部分相比，第一表面部1a中添加物的含有率更高，与金属化层2的其他部分相比，第二表面部2a中添加物的含有率更高的情况下，能够有效地提高第一表面部1a与第二表面部2a的界面处同种添加物彼此的结合强度。因此，能够提高经由第一表面部1a和第二表面部2a的金属化层2与绝缘基板1的接合强度。
此外，在这样的情况下，由于在金属化层2中除了第二表面部2a以外的区域中添加物的含有率比较低，因此对于提高作为金属化层2的导通电阻的降低等的电特性是有利的。此外，由于在绝缘基板1中除了第一表面部1a以外的区域中添加物的含有率比较低，因此对于确保作为绝缘基板1的电绝缘性和机械强度是有利的。
在与绝缘基板1的其他部分相比，第一表面部1a中添加物的含有率更高，与金属化层2的其他部分相比，第二表面部2a中添加物的含有率更高的情况下，各部分的添加物的含有率例如按照如下来设定。即，绝缘基板1的第一表面部1a中的锰化合物和钼化合物等添加物的含有率例如是约1～20质量％，其他部分中的上述添加物的含有率是约5质量％以下，并且是小于第一表面部的值。此外，金属化层2的第二表面部2a中的锰化合物和钼化合物等添加物的含有率例如是约1～20质量％，其他部分中的上述添加物的含有率是约5质量％以下。在金属化层2的其他部分，如果是氧化物等化合物以外的状态，则也可以存在锰等。
对于二氧化硅以外的上述添加物，作为锰化合物和钼化合物以外的物质，列举了镁、铝、硅(silicon)、以及锆等的氧化物。在含有镁的氧化物作为添加物的情况下，通过镁化合物与二氧化硅的反应，能够生成硅酸镁。该硅酸镁能够作为前述的硅酸盐相3的一部分而发挥功能。由此，也能够提高金属化层2与绝缘基板1的接合强度。
通过例如前述的元素分析等仪器分析，能够测定包含第一表面部1a和第二表面部2b的绝缘基板1和金属化层2中的、锰化合物和钼化合物中的至少一者以及二氧化硅的含有率。这种情况下，在厚度方向上将绝缘基板1与金属化层2的接合界面部分切断，制作断面试样。若利用SEM观察该断面来进行元素分析，则能够检测各元素(Mo、Mn、Si等)的存在比例。根据其结果，能够测定各化合物的含有率。
此外，在上述各例中，钼化合物可以是氧化钼。此外，锰化合物可以是氧化锰。添加物可以是包含氧化钼和氧化锰的物质。换言之，添加物可以是由二氧化硅(硅氧化物)、与钼以及锰中的至少一者的氧化物构成的物质。
这种情况下，绝缘基板1的第一表面部包含氧化铝和莫来石质烧结体的绝缘基板是氧化物，因此，能够提高包含氧化物的添加剂与绝缘基板1之间的接合强度。因此，与前述的有效地提高第一表面部1a与第二表面部2a的界面处的同种添加物彼此的结合强度的效果一并，还能够有效地提高绝缘基板1与金属化层2的接合强度。因此，能够作为对电子装置30的可靠性提高有效的布线基板10。此外，能够作为使那样的电子装置30能够容易制作的电子装置用封装体20。此外，能够作为对可靠性提高有利的电子装置30。此外，与前述各例同样地，这些布线基板10、电子装置用封装体20以及电子装置30对高频信号的传输速度提高也是有效的。
此外，在上述那样添加了氧化钼的情况下，氧化钼作为颜料发挥功能，绝缘基板1被着色为棕色等暗色。由此，绝缘基板1的表面处的光的反射被抑制。因此，例如当电子部件21是光电变换元件时，抑制了凹部12内的光的漫反射，提高了信号的传输效率。
此外，在上述各例的布线基板10、电子装置用封装体20以及电子装置30中，绝缘基板1还可以进一步含有铝酸锰相和铝酸镁相中的至少一者。以下，有时将铝酸锰相和铝酸镁相称为铝酸盐相，而不做特别区分。在绝缘基板1含有铝酸盐相的情况下，绝缘基板1的矾土(氧化铝)以及莫来石结晶化的发展被减缓。因此，对于这些结晶，结晶粒径能够变得更加均一且微细化。因此，能够降低作为布线基板1的介质损耗角正切(所谓的tanδ)。
这种情况下，如果在绝缘基板1的第一表面部1a中存在铝酸盐相，则能够有效地获得降低上述介质损耗角正切的效果。铝酸盐相还可以包含在第一表面部1a以外的绝缘基板1内部，至少通过在第一表面部1a中存在铝酸盐相这一情况，能够有效地获得前述的效果。
例如，通过第一表面部1a中含有的锰成分(硅酸锰相等)和镁成分(硅酸镁相等)、以及绝缘基板1的氧化铝成分(氧化铝等)，来生成铝酸锰相和铝酸镁相。即，通过对布线基板1实施热处理，能够使上述锰成分与镁成分中的至少一者与氧化铝结合，来生成上述铝酸盐相并析出。
此外，铝酸盐相还可以包含在金属化层2的第二表面部2a中。例如，上述那样生成的铝酸盐相能够发生扩散而也被包含在与第一表面部1a相接的第二表面部2a中。在第二表面部2a中也含有铝酸盐相的情况下，能够提高上述的介质损耗角正切的降低效果。在实施方式的布线基板10中，绝缘基板1的下表面和侧面具有第一表面部1a。此外，金属化层2位于绝缘基板1的下表面和侧面。如果是这样方式的布线基板10，能够使绝缘基板1的下表面和侧面这二者经由金属化层2而接合到金属壳体11的凹部12的内表面。该凹部12的内表面是底部11A和框架部11B的表面，相当于凹部12的底面和内侧面。因此，能够有效地提高绝缘基板1(布线基板10)对金属壳体11的接合强度。对于上述接合，能够对绝缘基板1的下表面和侧面这二者使用相同种类的焊料4。
关于实施方式的电子装置用封装体20以及包含其的电子装置30，当包含上述方式的布线基板10时，绝缘基板1的下表面和侧面经由金属化层2接合到金属壳体11的凹部12的底面和内侧面。这样的电子装置用封装体20以及包含其的电子装置30中，有效地提高了绝缘基板1与金属壳体11的接合强度。因此，能够作为对例如经由布线基板10与外部电路等电连接和光连接的可靠性的提高有利的电子装置用封装体20和电子装置30。
此外，在实施方式的布线基板10、电子装置用封装体20以及电子装置30中，也可以仅在绝缘基板1的下表面或者侧面具有接合了金属化层2的第一表面部1a。这种情况下，减少了在绝缘基板1上设置金属化层2的工序数。因此，在作为布线基板10、包含其的电子装置用封装体20以及电子装置30的生产性和经济性等方面，是有利的。
此外，在包含实施方式的布线基板10的电子装置用封装体20、以及电子装置30中，在金属化层2(包括其他金属化层2L)与金属壳体11的基于焊料4的接合构造中，例如如图5所示，可以是焊料4具有圆角(fillet)4F的方式。在焊料4存在圆角4F部分的情况下，能够提高焊料4与金属壳体11的接合强度。也就是说，能够提高经由焊料4的金属壳体11与金属化层2和绝缘基板1的接合强度。此外，在圆角4F部分能够缓和在焊料4部分中因绝缘基板1与金属壳体11的热膨胀率的差而产生的热应力。
由此，能够有效地提高绝缘基板1与金属壳体11的接合的可靠性。因此，能够作为对电子部件21的密封可靠性等可靠性的提高有利的电子装置用封装体20和电子装置30。
此外，对于这样的圆角4F，并不限于在金属壳体11的底部11A，还可以存在于金属壳体11的框架部11B。这种情况下，也能够作为对绝缘基板1与金属壳体11的接合的可靠性即电子部件21的气密密封的可靠性的提高有效的电子装置用封装体20和电子装置30。
此外，当在框架部11B中焊料4具有圆角4F时，即使例如因当盖体23与金属壳体11(框架部11B)的上表面接合时的热导致对焊料4施加了热应力，也能够有效地提高盖体23与框架部11B的接合可靠性。
通过调整例如焊料4的量(体积)、钎焊温度、钎焊部分处金属壳体11和金属化层2表面的表面粗糙度等条件，能够对焊料4设置这样的圆角4F。例如，如果增大焊料4的量，则圆角4F从钎焊部分向外侧扩展。这种情况下，如果焊料4的量过多，焊料的扩展部分不会形成平滑凹面上的圆角形状，而成为不规则形状的块状(所谓的珠状等)，因而缓和热应力的效果可能会降低。换言之，圆角4具有平滑凹面状的外表面，并以小的润湿角与金属壳体11和金属化层2(2L)相接，对气密密封等可靠性的提高是有利的。
此外，本发明并不限于以上实施方式的例子，如果是在本发明的要旨的范围内则可以进行各种变更。例如，可以使金属壳体11中与盖体23接合的部分即框架部11B的宽度，在与盖体23接合的上表面部分中比其他部分更小。换言之，可以在靠近框架部11B的上表面的部位，在外侧面或内侧面设置阶梯状部(切口部)。这种情况下，在盖体23接合时，能够提高基于框架部11B的变形的热应力的缓和效果，提高气密密封等的可靠性。
-符号说明-
1···绝缘基板；
1a···第一表面部；
2···金属化层；
2a···第二表面部；
2L···其他金属化层；
3···硅酸盐相；
4···焊料；
4F···圆角；
10···布线基板；
11···金属壳体；
11A···底部；
11B···框架部；
12···凹部；
13A、13B···贯通部；
14b···第二连接点；
20···电子装置用封装体；
21···电子部件；
22···接合线；
23···盖体；
24···固定件(mount)；
30···电子装置

Claims (8)

1.一种布线基板，其特征在于，
所述布线基板具备：
绝缘基板，其具有包含氧化铝质烧结体和莫来石质烧结体的第一表面部；以及
金属化层，其含有锰化合物和钼化合物中的至少一者，并包含与所述绝缘基板的所述第一表面部相接的第二表面部，
该金属化层的所述第二表面部和所述绝缘基板的所述第一表面部含有硅酸锰相和硅酸镁相中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述绝缘基板和所述金属化层含有包含锰化合物和钼化合物中的至少一者、以及二氧化硅的添加物，
对于所述绝缘基板和所述金属化层中的所述添加物的含有率，所述第一表面部中比所述绝缘基板的其他部分更高，所述第二表面部中比所述金属化层的其他部分更高。
3.根据权利要求2所述的布线基板，其特征在于，
所述钼化合物是氧化钼。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的布线基板，其特征在于，
所述绝缘基板还含有铝酸锰相和铝酸镁相中的至少一者。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的布线基板，其特征在于，
所述绝缘基板的下表面和侧面具有所述第一表面部，并且所述金属化层位于所述绝缘基板的所述下表面和所述侧面。
6.一种电子装置用封装体，其特征在于，
所述电子装置用封装体具备：
根据权利要求1至5中任一项所述的布线基板；以及
具有凹部的金属壳体，
在该金属壳体的凹部的内表面，经由所述金属化层而接合有所述绝缘基板。
7.根据引用权利要求5的权利要求6所述的电子装置用封装体，其特征在于，
在所述金属壳体的凹部的底面和内侧面，经由所述金属化层而接合有所述绝缘基板的下表面和侧面。
8.一种电子装置，其特征在于，
该电子装置具备：
根据权利要求6或7所述的电子装置用封装体；以及
在所述金属壳体的凹部内收纳的电子部件。
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